JPH06268142A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH06268142A JPH06268142A JP5056155A JP5615593A JPH06268142A JP H06268142 A JPH06268142 A JP H06268142A JP 5056155 A JP5056155 A JP 5056155A JP 5615593 A JP5615593 A JP 5615593A JP H06268142 A JPH06268142 A JP H06268142A
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- leads
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体チップを樹脂パッケージ内に封止した
構造の半導体チップに関し、十分な放熱性が得られ、か
つ、ファインピッチ化が可能な半導体装置を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 半導体チップ１が搭載されたダイパッド２の
四隅を保持する放熱用サポートバー３を隣接するリード
４を連結することにより幅広に形成し、その表面の一部
をパッケージ８より外方に露出させる。
構造の半導体チップに関し、十分な放熱性が得られ、か
つ、ファインピッチ化が可能な半導体装置を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 半導体チップ１が搭載されたダイパッド２の
四隅を保持する放熱用サポートバー３を隣接するリード
４を連結することにより幅広に形成し、その表面の一部
をパッケージ８より外方に露出させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に係り、特
に、半導体チップを樹脂パッケージ内に封止した構造の
半導体装置に関する。
に、半導体チップを樹脂パッケージ内に封止した構造の
半導体装置に関する。
【０００２】近年、半導体装置にはコストダウンを目的
として、従来セラミックパッケージに搭載していた消費
電力の大きい半導体チップをプラスチックモールドパッ
ケージに搭載することが要求されている。また、半導体
装置にはコストダウンだけでなく、高密度実装も要求さ
れている。
として、従来セラミックパッケージに搭載していた消費
電力の大きい半導体チップをプラスチックモールドパッ
ケージに搭載することが要求されている。また、半導体
装置にはコストダウンだけでなく、高密度実装も要求さ
れている。
【０００３】このため、パッケージの放熱性を良くする
と共にリードフレームのファインピッチ化を行なう必要
がある。
と共にリードフレームのファインピッチ化を行なう必要
がある。
【０００４】
【従来の技術】従来のプラスチックモールドパッケージ
においては消費電力の大きい半導体チップを搭載する時
にはパッケージの放熱性を良くする手段として、特開昭
５９−４７７５０号や特開昭５９−１２５０５８号が知
られている。また、その応用例として特開平３−２５０
６５３号及び特開平３−２８６５５８号が知られてい
る。
においては消費電力の大きい半導体チップを搭載する時
にはパッケージの放熱性を良くする手段として、特開昭
５９−４７７５０号や特開昭５９−１２５０５８号が知
られている。また、その応用例として特開平３−２５０
６５３号及び特開平３−２８６５５８号が知られてい
る。
【０００５】特開昭５９−４７７５０号は図１３に示す
ようにパッケージ３０の辺の中央部にサポートバー３１
を配置し、このサポートバー３１を幅広としてパッケー
ジ３０より突出させることにより放熱性を得ていた。
ようにパッケージ３０の辺の中央部にサポートバー３１
を配置し、このサポートバー３１を幅広としてパッケー
ジ３０より突出させることにより放熱性を得ていた。
【０００６】また、特開昭６１−１２５０５８号は図１
４に示すようにパッケージ３２の辺の中央部にサポート
バー３３を配置し、そのサポートバー３３の先端部３４
を隣接する接続用リード３５とほぼ同一形状として、そ
の先端部３４を接続用リード３５と同じように基板等へ
実装することにより放熱性を得ていた。
４に示すようにパッケージ３２の辺の中央部にサポート
バー３３を配置し、そのサポートバー３３の先端部３４
を隣接する接続用リード３５とほぼ同一形状として、そ
の先端部３４を接続用リード３５と同じように基板等へ
実装することにより放熱性を得ていた。
【０００７】特開平３−２５０６５３号、及び、特開平
３−２８６５５８号は図１５に示すように放熱フィンリ
ード３６をパッケージ３７の四隅に配置した構成で、放
熱フィンリード３６にはヒートシンク３８が係合孔３６
ａにより結合されていた。
３−２８６５５８号は図１５に示すように放熱フィンリ
ード３６をパッケージ３７の四隅に配置した構成で、放
熱フィンリード３６にはヒートシンク３８が係合孔３６
ａにより結合されていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来の半導
体装置である特開昭５９−４７７５０号はリードと放熱
片の形状が異なるためリードフレームとの切断を行なう
アセンブリ工程において、切断型を新設する必要があ
り、コストアップにつながっていた。
体装置である特開昭５９−４７７５０号はリードと放熱
片の形状が異なるためリードフレームとの切断を行なう
アセンブリ工程において、切断型を新設する必要があ
り、コストアップにつながっていた。
【０００９】また、特開昭５９−４７７５０号及び特開
昭６１−１２５０５８号は共に通常のプラスチックモー
ルドパッケージに比べれば放熱性は得られるものの、セ
ラミックパッケージなどに搭載されていた消費電力が大
きい半導体チップを搭載するには十分な放熱性を得られ
ない。例えば、特開昭６１−１２５０５８号において、
0.5 ミリピッチ、１４４ピン（２０×２０×3.35）のＱ
ＦＰで消費電力1.3 Ｗの時、パッケージ熱抵抗４５℃／
Ｗの要求に対してリードフレーム材質を銅合金にしてシ
ュミレーションした結果、４７℃／Ｗとなり十分な放熱
性が得られない結果となった。
昭６１−１２５０５８号は共に通常のプラスチックモー
ルドパッケージに比べれば放熱性は得られるものの、セ
ラミックパッケージなどに搭載されていた消費電力が大
きい半導体チップを搭載するには十分な放熱性を得られ
ない。例えば、特開昭６１−１２５０５８号において、
0.5 ミリピッチ、１４４ピン（２０×２０×3.35）のＱ
ＦＰで消費電力1.3 Ｗの時、パッケージ熱抵抗４５℃／
Ｗの要求に対してリードフレーム材質を銅合金にしてシ
ュミレーションした結果、４７℃／Ｗとなり十分な放熱
性が得られない結果となった。
【００１０】すなわち、パッケージの辺の中央部に放熱
片を形成すると、ダイパッドからパッケージ外部までの
距離が短いため、放熱片の表面積が十分に確保できず、
放熱性が不十分になってしまう。また、パッケージの片
の中央部に放熱片を形成すると、その部分は接続用リー
ド形成することができず、ファインピッチ化が困難とな
る等の問題点があった。さらに、特開平３−２５０６５
３号、特開平３−２８６５５８号では放熱性の不十分な
分をヒートシンク３８により補う構成であったため、コ
ストアップとなり、コスト低下が計れない等の問題点が
あった。
片を形成すると、ダイパッドからパッケージ外部までの
距離が短いため、放熱片の表面積が十分に確保できず、
放熱性が不十分になってしまう。また、パッケージの片
の中央部に放熱片を形成すると、その部分は接続用リー
ド形成することができず、ファインピッチ化が困難とな
る等の問題点があった。さらに、特開平３−２５０６５
３号、特開平３−２８６５５８号では放熱性の不十分な
分をヒートシンク３８により補う構成であったため、コ
ストアップとなり、コスト低下が計れない等の問題点が
あった。
【００１１】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、安価に十分な放熱性が得られ、かつ、ファインピッ
チ化が容易に行ない得る可能な半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
で、安価に十分な放熱性が得られ、かつ、ファインピッ
チ化が容易に行ない得る可能な半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、サポートバー
により四隅が保持されたダイパッド上に半導体チップを
搭載し、該半導体チップをダイパッドの周辺に配設され
たリードと接続し、リードの一部を外部に延出させて樹
脂封止してなる半導体装置において、前記サポートバー
は隣接するリードを一体的に直結することにより幅広に
形成され、サポートバーに直結されたリードとサポート
バーの表面の一部が外部に露出させてなる。
により四隅が保持されたダイパッド上に半導体チップを
搭載し、該半導体チップをダイパッドの周辺に配設され
たリードと接続し、リードの一部を外部に延出させて樹
脂封止してなる半導体装置において、前記サポートバー
は隣接するリードを一体的に直結することにより幅広に
形成され、サポートバーに直結されたリードとサポート
バーの表面の一部が外部に露出させてなる。
【００１３】
【作用】隣接するリードを一体的に直結することにより
幅広に形成されると共にサポートバーに直結されたリー
ドとサポートバーの表面の一部を外部に露出することに
よりサポートバーの表面積を大きく確保できると共にサ
ポートバーから直接外部に熱を放散させることができる
ため、良好な放熱性が得られる。
幅広に形成されると共にサポートバーに直結されたリー
ドとサポートバーの表面の一部を外部に露出することに
よりサポートバーの表面積を大きく確保できると共にサ
ポートバーから直接外部に熱を放散させることができる
ため、良好な放熱性が得られる。
【００１４】また、サポートバーはダイパッドの四隅を
保持する構成であるため、ダイパッド辺部分に接続用リ
ードを配置でき、ファインピッチ化が可能となる。
保持する構成であるため、ダイパッド辺部分に接続用リ
ードを配置でき、ファインピッチ化が可能となる。
【００１５】
【実施例】図１に本発明の第１実施例の構成図を示す。
本実施例はＴＰＱ（Test Pad Quad flat package）に適
用した例を説明する。半導体チップ１は通常セラミック
パッケージに搭載される消費電力の大きいチップで、ダ
イパッド２上に接着剤により固着される。
本実施例はＴＰＱ（Test Pad Quad flat package）に適
用した例を説明する。半導体チップ１は通常セラミック
パッケージに搭載される消費電力の大きいチップで、ダ
イパッド２上に接着剤により固着される。
【００１６】ダイパッド２は銅系合金、４２アロイ等よ
りなり、その四隅が放熱用サポートバー３により保持さ
れている。放熱用サポートバー３はダイパッド２と同様
に銅系合金、鉄−ニッケル合金の４２アロイ等よりな
り、ダイパッド２と一体に形成されダイパッド２と同一
面から一旦上方向に折曲された後、再びその表面は水平
となるように折曲され、ダイパッド２とは段差が設けら
れ、その表面が半導体チップ１の表面と略一致するよう
に構成されている。
りなり、その四隅が放熱用サポートバー３により保持さ
れている。放熱用サポートバー３はダイパッド２と同様
に銅系合金、鉄−ニッケル合金の４２アロイ等よりな
り、ダイパッド２と一体に形成されダイパッド２と同一
面から一旦上方向に折曲された後、再びその表面は水平
となるように折曲され、ダイパッド２とは段差が設けら
れ、その表面が半導体チップ１の表面と略一致するよう
に構成されている。
【００１７】また、放熱用サポートバー３は隣接するリ
ード４のインナリードを平板状に連結してなり、ダイパ
ッド２との接合部分から外方に向かって扇状に拡幅した
形状をなす。放熱用サポートバー３の外方には放熱用サ
ポートバー３として連結されたリード４のインナリード
に連結する放熱用のアウタリード４ａが延出する。
ード４のインナリードを平板状に連結してなり、ダイパ
ッド２との接合部分から外方に向かって扇状に拡幅した
形状をなす。放熱用サポートバー３の外方には放熱用サ
ポートバー３として連結されたリード４のインナリード
に連結する放熱用のアウタリード４ａが延出する。
【００１８】上記放熱用サポートバー３で保持されたダ
イパッド２の周囲には接続用リード５がその表面が放熱
用サポートバー３の表面と略一致するように配設され
る。接続用リード５はダイパッド２と同様に銅系合金、
鉄−ニッケル系合金の４２アロイ等よりなり、インナリ
ード５ａは絶縁性のリード固定用テープ６により放熱用
サポートバー３と共に所定の位置に位置決めされ、ワイ
ヤ７により半導体チップ１と接続されている。
イパッド２の周囲には接続用リード５がその表面が放熱
用サポートバー３の表面と略一致するように配設され
る。接続用リード５はダイパッド２と同様に銅系合金、
鉄−ニッケル系合金の４２アロイ等よりなり、インナリ
ード５ａは絶縁性のリード固定用テープ６により放熱用
サポートバー３と共に所定の位置に位置決めされ、ワイ
ヤ７により半導体チップ１と接続されている。
【００１９】放熱用サポートバー３及び接続用リード５
の一部、半導体チップ１，ダイパッド２は樹脂製のパッ
ケージ８内に封入される。
の一部、半導体チップ１，ダイパッド２は樹脂製のパッ
ケージ８内に封入される。
【００２０】パッケージ８は放熱用サポートバー３及び
接続用リード５を境界として上部パッケージ８ａ及び下
部パッケージ８ｂに分割される。
接続用リード５を境界として上部パッケージ８ａ及び下
部パッケージ８ｂに分割される。
【００２１】上部パッケージ８ａの一辺の長さａは下部
パッケージ８ｂの一辺の長さｂより若干（４００μm 以
上）小さく構成されていて、上部パッケージ８ａと下部
パッケージ８ｂとで段差が形成されるように構成されて
いる。
パッケージ８ｂの一辺の長さｂより若干（４００μm 以
上）小さく構成されていて、上部パッケージ８ａと下部
パッケージ８ｂとで段差が形成されるように構成されて
いる。
【００２２】このとき、上部パッケージ８ａと下部パッ
ケージ８ｂとは放熱用ポートバー３及び接続用リード５
を境界に上下に分割されているため、段差となる下部パ
ッケージ８ｂ外縁部上面からは接続用リード５のインナ
リード５ｂ及び放熱用サポートバー３の表面の一部が外
部に露出する。
ケージ８ｂとは放熱用ポートバー３及び接続用リード５
を境界に上下に分割されているため、段差となる下部パ
ッケージ８ｂ外縁部上面からは接続用リード５のインナ
リード５ｂ及び放熱用サポートバー３の表面の一部が外
部に露出する。
【００２３】接続用リード５のインナリード５ｂのパッ
ケージ８からの露出部分には検査装置の接触子との接続
用テストパッド５ｃが形成される。接続用テストパッド
５ｃは隣り合うリードで、ずれて配置されるように接続
用リード５に一体的に形成されている。
ケージ８からの露出部分には検査装置の接触子との接続
用テストパッド５ｃが形成される。接続用テストパッド
５ｃは隣り合うリードで、ずれて配置されるように接続
用リード５に一体的に形成されている。
【００２４】このため、接続用リード５がファインピッ
チ化された場合でも隣接するリード間の距離は十分に保
持しつつ、十分なパッド面積が確保でき、自動検査装置
により確実に検査を行ない得る。
チ化された場合でも隣接するリード間の距離は十分に保
持しつつ、十分なパッド面積が確保でき、自動検査装置
により確実に検査を行ない得る。
【００２５】また、パッケージ８より外方に延出する接
続用リード５のアウタリード５ａ及びサポートバー３に
連結されたリード４のアウタリード４ａは共に一旦下方
に折曲された後、再び水平方向に折曲され、いわゆるガ
ルウイング状に折曲され、表面実装されるべく構成され
ている。
続用リード５のアウタリード５ａ及びサポートバー３に
連結されたリード４のアウタリード４ａは共に一旦下方
に折曲された後、再び水平方向に折曲され、いわゆるガ
ルウイング状に折曲され、表面実装されるべく構成され
ている。
【００２６】半導体装置をプリント基板等に実装する場
合には接続用リード５のアウタリード５ａ及びサポート
バー３に連結されたリード４のアウタリード４ａは共に
プリント基板に半田付けされる。
合には接続用リード５のアウタリード５ａ及びサポート
バー３に連結されたリード４のアウタリード４ａは共に
プリント基板に半田付けされる。
【００２７】次に本実施例の動作を説明する。半導体チ
ップ１で発生した熱はパッケージ８を介して外部に放散
されるが、半導体チップ１の消費電力は大きいため、こ
れだけでは不十分である。本実施例では半導体チップ１
で発生した熱をパッケージ８を介して外部に放散する
他、ダイパッド２を介して放熱用サポートバー３に伝搬
させ、放熱用サポートバー３及び、これに連結されたリ
ード４より放散させている。
ップ１で発生した熱はパッケージ８を介して外部に放散
されるが、半導体チップ１の消費電力は大きいため、こ
れだけでは不十分である。本実施例では半導体チップ１
で発生した熱をパッケージ８を介して外部に放散する
他、ダイパッド２を介して放熱用サポートバー３に伝搬
させ、放熱用サポートバー３及び、これに連結されたリ
ード４より放散させている。
【００２８】このとき、放熱用サポートバー３はリード
４のインナリードを平板状に連結することにより外方に
向かって扇状に拡幅された形状をなし、その表面積を十
分に確保されていると共にその外周の表面の一部がパッ
ケージ８より外部に露出し、放熱用サポートバー３より
直接的に熱を放散させることができるため、熱放散性が
非常に良好なものとなっている。
４のインナリードを平板状に連結することにより外方に
向かって扇状に拡幅された形状をなし、その表面積を十
分に確保されていると共にその外周の表面の一部がパッ
ケージ８より外部に露出し、放熱用サポートバー３より
直接的に熱を放散させることができるため、熱放散性が
非常に良好なものとなっている。
【００２９】また、放熱用サポートバー３はリード４と
連結され、リード４に熱を伝搬する。リード４はリード
４から直接的に熱を放散すると共にリード４を介してプ
リント基板等に伝搬させ、熱を放散される。このため、
放熱用サポートバー３による熱の放散に加えリード４に
よる熱放散により十分な熱放散性を確保し得る。
連結され、リード４に熱を伝搬する。リード４はリード
４から直接的に熱を放散すると共にリード４を介してプ
リント基板等に伝搬させ、熱を放散される。このため、
放熱用サポートバー３による熱の放散に加えリード４に
よる熱放散により十分な熱放散性を確保し得る。
【００３０】例えば、0.5 ミリピッチ、１４４ピン（２
０×２０×3.35）のＱＦＰ型半導体装置において、消費
電力1.3 Ｗの時、パッケージ熱抵抗４５℃／Ｗの要求に
対し、リードフレーム材質を銅合金でシミュレーション
した結果４３℃／Ｗという十分な結果が得られる。
０×２０×3.35）のＱＦＰ型半導体装置において、消費
電力1.3 Ｗの時、パッケージ熱抵抗４５℃／Ｗの要求に
対し、リードフレーム材質を銅合金でシミュレーション
した結果４３℃／Ｗという十分な結果が得られる。
【００３１】また、放熱用サポートバー３は全体が幅広
に形成されているため、放熱用サポートバー３のどの部
分でもリード固定用テープ６の接着性が良好となる。
に形成されているため、放熱用サポートバー３のどの部
分でもリード固定用テープ６の接着性が良好となる。
【００３２】図２及び図３にリード固定用テープの接着
方法の変形例を示す。
方法の変形例を示す。
【００３３】図２はリード固定用テープ９を辺毎に接着
したもので、リード固定用テープ９は直線状でよいた
め、リード固定用テープ９を特殊形状に加工する必要が
なくなると共にリード固定用テープ９の接着を容易に行
なえる。
したもので、リード固定用テープ９は直線状でよいた
め、リード固定用テープ９を特殊形状に加工する必要が
なくなると共にリード固定用テープ９の接着を容易に行
なえる。
【００３４】このとき、放熱用サポートバー３は幅広に
形成されているため、リード固定用テープ９は図２
（Ａ）に示す位置でも、図２（Ｂ）に示す位置でも放熱
用サポートバー３のどの位置でも図２中、斜線で示すよ
うに十分な接着面積が得られ、リード固定用テープ９を
放熱用サポートバー３に確実に固定できる。
形成されているため、リード固定用テープ９は図２
（Ａ）に示す位置でも、図２（Ｂ）に示す位置でも放熱
用サポートバー３のどの位置でも図２中、斜線で示すよ
うに十分な接着面積が得られ、リード固定用テープ９を
放熱用サポートバー３に確実に固定できる。
【００３５】図３はリード固定用テープ１０が全辺又は
２辺毎で一体に形成し、その角部を直角に形成したもの
で図１に示すリード固定用テープ６よりは加工性が良好
となっており、接着は容易に行ない得る。
２辺毎で一体に形成し、その角部を直角に形成したもの
で図１に示すリード固定用テープ６よりは加工性が良好
となっており、接着は容易に行ない得る。
【００３６】本実施例によれば、放熱用サポートバー３
は幅広に形成されているため、図３に斜線で示すような
十分な接着面積が得られ、リード固定用テープ１０を放
熱用サポートバー３に確実に固定できる。また、リード
固定用テープ１０を放熱用サポートバー３のどの位置に
接着させても十分な接着面積が得られる。
は幅広に形成されているため、図３に斜線で示すような
十分な接着面積が得られ、リード固定用テープ１０を放
熱用サポートバー３に確実に固定できる。また、リード
固定用テープ１０を放熱用サポートバー３のどの位置に
接着させても十分な接着面積が得られる。
【００３７】このように、本実施例によれば、放熱用サ
ポートバー３を幅広に形成することによりリード固定用
テープの形状や、その接着位置によらず十分な接着が行
なえ、装置に合ったリード固定用テープの接着が可能と
なる。
ポートバー３を幅広に形成することによりリード固定用
テープの形状や、その接着位置によらず十分な接着が行
なえ、装置に合ったリード固定用テープの接着が可能と
なる。
【００３８】図４に本発明の第１実施例の放熱用サポー
トバー３の第１変形例を示す。同図中、図１と同一構成
部分には同一符号を付す。
トバー３の第１変形例を示す。同図中、図１と同一構成
部分には同一符号を付す。
【００３９】本変形例は放熱用サポートバー３のパッケ
ージ８内に収容される部分に小円形の穴１１を複数形成
してなる。穴１１を形成することによりパッケージ８の
成形時に樹脂の流動性が向上するため、樹脂の封入が良
好となり、パッケージ８に空気等が混入することがなく
なる。従って、パッケージ８の破損等が生じにくくな
る。
ージ８内に収容される部分に小円形の穴１１を複数形成
してなる。穴１１を形成することによりパッケージ８の
成形時に樹脂の流動性が向上するため、樹脂の封入が良
好となり、パッケージ８に空気等が混入することがなく
なる。従って、パッケージ８の破損等が生じにくくな
る。
【００４０】また、穴１１に樹脂が封入することにより
アンカー効果によりパッケージ８と放熱用サポートバー
３との結合性が向上するため、パッケージ８の強度を向
上することができる。
アンカー効果によりパッケージ８と放熱用サポートバー
３との結合性が向上するため、パッケージ８の強度を向
上することができる。
【００４１】図５に本発明の第１実施例の放熱用サポー
トバー３の第２変形例を示す。同図中、図１と同一構成
部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
トバー３の第２変形例を示す。同図中、図１と同一構成
部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４２】本変形例は放熱用サポートバー３のパッケ
ージ８内に収容される部分に樹脂の流動方向に延在する
長穴１２を形成してなる。長穴１２によりパッケージ８
との結合性を向上させることができると共に長穴１２は
パッケージ８成形時の樹脂封入方向に延在するため、樹
脂の流動性が良好で、パッケージ８内への空気等の混入
を最小限とすることができる。従って、パッケージ８に
破損等が生じにくくできる。
ージ８内に収容される部分に樹脂の流動方向に延在する
長穴１２を形成してなる。長穴１２によりパッケージ８
との結合性を向上させることができると共に長穴１２は
パッケージ８成形時の樹脂封入方向に延在するため、樹
脂の流動性が良好で、パッケージ８内への空気等の混入
を最小限とすることができる。従って、パッケージ８に
破損等が生じにくくできる。
【００４３】図６に本発明の第１実施例の放熱用サポー
トバー３の第３変形例の構成図を示す。同図中、図１と
同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
トバー３の第３変形例の構成図を示す。同図中、図１と
同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
【００４４】本変形例は放熱用サポートバー３のパッケ
ージ８に収容される部分に貫通穴１３，１４，１５を形
成してなる。貫通穴１３はリード固定用テープ６をよけ
て形成される。以上の構成により第１及び第２変形例と
同様な効果が得られると共にリード固定用テープ６と放
熱用サポートバー３の接着性を向上させ得る。
ージ８に収容される部分に貫通穴１３，１４，１５を形
成してなる。貫通穴１３はリード固定用テープ６をよけ
て形成される。以上の構成により第１及び第２変形例と
同様な効果が得られると共にリード固定用テープ６と放
熱用サポートバー３の接着性を向上させ得る。
【００４５】図７に本発明の第１実施例の放熱用サポー
トバー３の第５変形例の構成図を示す。同図中、図６と
同一構成部分には同一符号を付す。
トバー３の第５変形例の構成図を示す。同図中、図６と
同一構成部分には同一符号を付す。
【００４６】本変形例は第４変形例の隣接する２つの貫
通穴１４，１５を１つの貫通穴１６で構成したもので第
４変形例と同じ効果を奏すると共に、２つの貫通穴１
４，１５に代え１つの貫通穴１６を形成すればよいた
め、第４変形例に比べ、加工が容易となる。
通穴１４，１５を１つの貫通穴１６で構成したもので第
４変形例と同じ効果を奏すると共に、２つの貫通穴１
４，１５に代え１つの貫通穴１６を形成すればよいた
め、第４変形例に比べ、加工が容易となる。
【００４７】図８に本発明の第１実施例の放熱用サポー
トバー３の第６変形例の構成図を示す。同図中、図１と
同一構成部分には同一符号を付す。
トバー３の第６変形例の構成図を示す。同図中、図１と
同一構成部分には同一符号を付す。
【００４８】本変形例は放熱用サポートバー３のパッケ
ージ８に収容される部分に円形の複数の溝１７を形成し
てなる。溝１７は放熱用サポートバー３の表面又は／及
び裏面にハーフエッチングを施すことにより形成され
る。
ージ８に収容される部分に円形の複数の溝１７を形成し
てなる。溝１７は放熱用サポートバー３の表面又は／及
び裏面にハーフエッチングを施すことにより形成され
る。
【００４９】溝１７により放熱用サポートバー３の第１
変形例と同様な効果が得られる。
変形例と同様な効果が得られる。
【００５０】図９に本発明の第１実施例の放熱用サポー
トバーの第６変形例の構成図を示す。同図中、図１と同
一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
トバーの第６変形例の構成図を示す。同図中、図１と同
一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００５１】本変形例は放熱用サポートバー３のパッケ
ージ８内に収容される部分にパッケージ８の成形時に樹
脂の流動方向となる方向に延在する溝１８を形成してな
る。溝１８は放熱用サポートバー３の表面又は／及び裏
面にハーフエッチング等の加工を行なうことにより形成
される。溝１８により放熱用サポートバー３の第２変形
例と同様な効果が得られる。
ージ８内に収容される部分にパッケージ８の成形時に樹
脂の流動方向となる方向に延在する溝１８を形成してな
る。溝１８は放熱用サポートバー３の表面又は／及び裏
面にハーフエッチング等の加工を行なうことにより形成
される。溝１８により放熱用サポートバー３の第２変形
例と同様な効果が得られる。
【００５２】図１０に本発明の第２実施例の構成図を示
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。
す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、
その説明は省略する。
【００５３】本実施例は放熱用サポートバー３のリード
フレームへの保持をリード４によってのみ行なう構成と
することにより、放熱用サポートバー３のリードフレー
ムからのカットを容易なものとし、製造工程を簡易化し
たものである。
フレームへの保持をリード４によってのみ行なう構成と
することにより、放熱用サポートバー３のリードフレー
ムからのカットを容易なものとし、製造工程を簡易化し
たものである。
【００５４】放熱用サポートバー３はリード４によって
のみ保持されているため、リードフレームからのカット
後は図に示すように放熱用サポートバー３にはカットの
あとは残らず、その端面はパッケージ８により覆われ保
護される。
のみ保持されているため、リードフレームからのカット
後は図に示すように放熱用サポートバー３にはカットの
あとは残らず、その端面はパッケージ８により覆われ保
護される。
【００５５】図１１にリードフレーム固定時の放熱用サ
ポートバー３の構成図を示す。同図中、１９はリードフ
レームを示す。放熱用サポートバー３はリードフレーム
１９に接続用リード５と同一のピッチ、形状で形成され
たリード４により保持されているため、リードフレーム
１９より放熱用サポートバー３をカットする場合、図
中、破線で示すように接続用リード５をカットするのと
同じ工程でカットすればよく、したがって、放熱用サポ
ートバー３をカットするために不要な工程、治具等が不
要となる。以上の構成によれば、第１実施例と同等の効
果を得られると共に、その製造工程を簡略化でき、より
低コストでの製造が可能となる。
ポートバー３の構成図を示す。同図中、１９はリードフ
レームを示す。放熱用サポートバー３はリードフレーム
１９に接続用リード５と同一のピッチ、形状で形成され
たリード４により保持されているため、リードフレーム
１９より放熱用サポートバー３をカットする場合、図
中、破線で示すように接続用リード５をカットするのと
同じ工程でカットすればよく、したがって、放熱用サポ
ートバー３をカットするために不要な工程、治具等が不
要となる。以上の構成によれば、第１実施例と同等の効
果を得られると共に、その製造工程を簡略化でき、より
低コストでの製造が可能となる。
【００５６】図１２は本発明の第３実施例の構成図を示
す。同図中、図１０と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
す。同図中、図１０と同一構成部分には同一符号を付
し、その説明は省略する。
【００５７】本実施例はパッケージ８にヒートシンク２
０を取り付けたもので、第２実施例のものよりさらに放
熱性を向上させることができる。
０を取り付けたもので、第２実施例のものよりさらに放
熱性を向上させることができる。
【００５８】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、放熱用サ
ポートバーを幅広とすると共にその表面の一部を外部に
露出させることにより、半導体チップで発生する熱の放
散性を良好なものとすることができるため、元来セラミ
ックパッケージに封入されていた発熱の大きい半導体チ
ップを簡単な構成で樹脂パッケージに封入することがで
き、コストの低減を計ることができる等の特長を有す
る。
ポートバーを幅広とすると共にその表面の一部を外部に
露出させることにより、半導体チップで発生する熱の放
散性を良好なものとすることができるため、元来セラミ
ックパッケージに封入されていた発熱の大きい半導体チ
ップを簡単な構成で樹脂パッケージに封入することがで
き、コストの低減を計ることができる等の特長を有す
る。
【図１】本発明の第１実施例の構成図である。
【図２】本発明の第１実施例のリード固定用テープの接
着方法の変形例を説明するための図である。
着方法の変形例を説明するための図である。
【図３】本発明の第１実施例のリード固定用テープの接
着方法の変形例を説明するための図である。
着方法の変形例を説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施例の放熱用サポートバーの第
１変形例の構成図を示す。
１変形例の構成図を示す。
【図５】本発明の第１実施例の放熱用サポートバーの第
２変形例の構成図を示す。
２変形例の構成図を示す。
【図６】本発明の第１実施例の放熱用サポートバーの第
３変形例の構成図である。
３変形例の構成図である。
【図７】本発明の第１実施例の放熱用サポートバーの第
４変形例の構成図である。
４変形例の構成図である。
【図８】本発明の第１実施例の放熱用サポートバーの第
５変形例の構成図である。
５変形例の構成図である。
【図９】本発明の第１実施例の放熱用サポートバーの第
６変形例の構成図である。
６変形例の構成図である。
【図１０】本発明の第２実施例の構成図である。
【図１１】本発明の第２実施例の動作説明図である。
【図１２】本発明の第３実施例の構成図である。
【図１３】従来の一例の構成図である。
【図１４】従来の他の一例の構成図である。
【図１５】従来の他の一例の構成図である。
１ 半導体チップ ２ ダイパッド ３ 放熱用サポートバー ４ リード ５ 接続用リード ６ リード固定用テープ ７ ワイヤ ８ パッケージ
フロントページの続き (72)発明者 斎藤 浩治 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 辻 和人 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 林 清海 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 サポートバー（３）により保持されたダ
イパッド（２）上に半導体チップ（１）を搭載し、該半
導体チップ（１）を該ダイパッド（２）の周辺に配設さ
れたリード（５）と接続し、該リード（５）の一部を外
部に延出させて樹脂封止してなる半導体装置において、 前記サポートバー（３）は隣接するリード（４）を一体
的に直結することにより幅広に形成され、該リード
（４）及び前記サポートバー（３）の表面の一部が外部
に露出されたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記サポートバー（３）はその樹脂封止
部分に貫通穴（１１〜１６）を有することを特徴とする
請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記サポートバー（３）はその樹脂封止
部分の表面上に凹部（１７〜１８）を有することを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056155A JPH06268142A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5056155A JPH06268142A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06268142A true JPH06268142A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13019208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5056155A Withdrawn JPH06268142A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06268142A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110886A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2010278308A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2017076764A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法、半導体装置 |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP5056155A patent/JPH06268142A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110886A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Rohm Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2010278308A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2017076764A (ja) * | 2015-10-16 | 2017-04-20 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法、半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |