JPH0558655B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0558655B2
JPH0558655B2 JP1128399A JP12839989A JPH0558655B2 JP H0558655 B2 JPH0558655 B2 JP H0558655B2 JP 1128399 A JP1128399 A JP 1128399A JP 12839989 A JP12839989 A JP 12839989A JP H0558655 B2 JPH0558655 B2 JP H0558655B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
lead frame
resin
mold
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1128399A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH02306639A (ja
Inventor
Junichi Asada
Kenji Takahashi
Hisaharu Sakurai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority to JP1128399A priority Critical patent/JPH02306639A/ja
Priority to US07/524,434 priority patent/US5091341A/en
Priority to KR1019900007347A priority patent/KR930011453B1/ko
Publication of JPH02306639A publication Critical patent/JPH02306639A/ja
Publication of JPH0558655B2 publication Critical patent/JPH0558655B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32153—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/32175—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic
    • H01L2224/32188—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121—Beam lead frame or beam lead device

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体装置の樹脂封入方法に関する
ものであり、特に放熱板を有する樹脂封入型の装
置の樹脂封入方法に関するものである。
（従来の技術） 従来の半導体装置の樹脂封入方法について、工
程別の装置断面を示した第６図を用いて説明す
る。これは、装置の平面図である第７図のＣ−Ｃ
線に沿う断面を示したものである。先ず放熱板４
３の上面にガラス粉末を置いてさらにその上にリ
ードフレーム４２を設置し、ガラス粉末を約350
℃の温度に加熱して溶融させることによつて接合
する。そして、リードフレーム４２の中央に位置
したアイランドの上面に、マウント材を用いて半
導体チツプ１をダイボンデイングする。半導体チ
ツプ１のパツドとリードフレーム１の各リードと
の間にワイヤボンデイングを行い、ワイヤ１０で
接続する（第６図ａ）。
次に、半導体チツプ１及びリードフレーム４２
とが接合された放熱板４３を、下金型４５のキヤ
ビテイの底面に設置し、上金型４８で空間を閉じ
る（第６図ｂ）。
そして金型４５と４６で囲まれたキヤビテイ
に、溶融した樹脂をトランスフアモールド法によ
り注入させ、樹脂５２が硬化した後、取り出して
所望の半導体装置５０を得る（第６図ｃ）。
（発明が解決しようとする課題） しかし、このような樹脂封入方法によつて得ら
れた半導体装置には、次のような問題があつた。
第６図ｂにおいて金型４５及び４８の内部に樹
脂を注入する際に、放熱板４３と下金型４５の底
面との間のわずかな〓間に、溶融した樹脂が入り
込み、第６図ｃに示された放熱板４３の底面６０
が樹脂で覆われて、放熱板４３の表面からの放熱
の妨げとなつていた。この場合に、図のように放
熱板４３の外周部４３ａを突出させて段差を設け
てこの部分の密着性をよくし、樹脂が回り込まな
いようにする方法もあるが、十分に防止すること
はできなかつた。
また樹脂を注入する際に、リードフレーム４２
に撓みが生じ、半導体装置５０をプリント基板に
実装する際の作業性に支障を与えていた。
さらに半導体チツプ１はリードフレーム４２に
接合されているため、チツプ１の発生した熱は、
リードフレーム４２を介して放熱板４３に伝わる
ことになる。この場合に、放熱板４３は一般に熱
伝導性の高い純銅から成るが、リードフレーム４
２は純銅製でない場合も多いため、放熱性を低下
させていた。
本発明は上記事情に鑑み、放熱性に優れ、かつ
リードフレームに撓みが発生するのを防止しうる
半導体装置の樹脂封入方法を提供することを目的
とする。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段） 本発明の半導体装置の樹脂方法は、凹陥部を有
する放熱板に、リードフレームのリード以外の部
分を接触させた状態で接合する工程と、前記放熱
板の前記凹陥部に半導体チツプをダイボンデイン
グする工程と、前記半導体チツプと前記リードフ
レームのリードとの間でワイヤボンデイングを行
い、電気的に接続する工程と、前記放熱板を下金
型のキヤビテイの底面に設置し、この底面に向け
て前記放熱板と前記リードフレームとの接合部分
を押圧した状態にする工程と、金型の内部に溶融
した樹脂を注入し、硬化させる工程とを備えたこ
とを特徴としている。
ここで、前記放熱板と前記リードフレームとの
接合部分を押圧した状態にする工程は、前記金型
として上金型に貫通した穴を有するものを用い、
前記金型の外部から押圧体を前記穴から前記金型
内部に貫通させ、前記放熱板と前記リードフレー
ムとの接合部を前記押圧体により前記下金型のキ
ヤビテイの底面に向つて押圧させることによつて
行うものであつてもよい。
（作用） 金型のキヤビテイの底面に、放熱板とリードフ
レームとの接合部分を押圧した状態にすること
で、下金型の底面と放熱板と間に〓間が発生せ
ず、樹脂を注入した際に樹脂が放熱板の表面にま
わり込まず付着しない。これにより、放熱板の表
面が大気中に露出するため、樹脂で覆われること
によつて放熱性が損なわれるという事態が回避さ
れる。またリードフレームの接合部も下金型のキ
ヤビテイの底面に押圧された状態となるため、樹
脂を注入させた場合にリードフレームに撓みが発
生するのが防止され、平坦性が向上する。また半
導体チツプは放熱板の表面上に接合されているた
め、リードフレームを介して接合されている場合
と比較し放熱性が向上する。
さらに、放熱板へのリードフレームの接合は、
リードフレームのリード以外の部分が接触した状
態で行うので、放熱板とリードとの間を絶縁する
ために絶縁性接着剤を塗布したり絶縁性シートを
介在させる必要がない。
また、放熱板の凹陥部に半導体チツプをダイボ
ンデイングするため、装置が薄型化されると共
に、樹脂が硬化し収縮する時の応力が緩和され
る。
放熱板の凹陥部に半導体チツプをダイボンデイ
ングすることで、放熱板の底面から半導体チツプ
の接合面までの厚みが薄く、半導体チツプから発
生した熱の伝導性に優れ、放熱性が向上する。
ここで下金型のキヤビテイの底面への放熱板の
押圧を、金型として上金型に貫通した穴を有する
ものを用い、金型の外部から押圧体を穴から金型
内部に貫通させ、放熱板とリードフレームとの接
合部を押圧体により下金型のキヤビテイの底面に
向つて押圧させることによつて、放熱板及びリー
ドフレームが押圧された状態となる。
（実施例） 以下、本発明の第１の実施例による半導体装置
の樹脂封入方法について、工程別の装置断面を示
した第１図を用いて説明する。これは、この方法
により製造された装置の平面図である第２図のＡ
−Ａ線に沿う断面を示したものである。
先ず放熱板３の上面に、リードフレーム２を設
置する。この放熱板３は従来のものと異なり、図
のようにチツプの厚みとほぼ等しい深さの凹部を
有し、半導体チツプ１が搭載される部分までの底
面からの高さｈ１は、リードフレーム２が接合さ
れる部分までの高さｈ２よりも、低くなつてい
る。このため、搭載された半導体チツプ１の表面
までの高さｈ３と接合されたリードフレーム２の
表面までの高さｈ３とは、等しくなつている。
そしてリードフレーム２は、第３図に示される
ような形状を有している。従来は、リードフレー
ム２の四隅のタイバー１５によつて、中央に点線
で示されたアイランド１７が設けられていたが、
本実施例の場合には存在しない。またそれぞれの
四本のタイバー１５には、放熱板３にカシメある
いはネジ止め等によつて接合するための穴１８が
形成されている。ここで、支持バー１９は、各リ
ード１６が変形しないように、相互間を接続して
いるものである。一方、放熱板３には、上述した
穴１８に差込まれる突起４が設けられており、カ
シメによつて、リードフレーム２と接合される。
第２図にはこの放熱板３とリードフレームとの接
合状態が示されており、放熱板３の四方に伸びた
部分３ａとリードフレーム２のタイバー１５とが
接合される。次に、放熱板３の中央部分に半導体
チツプ１を搭載し、リードフレーム２を介さず
に、直接放熱板３の上面にマウント材によつてダ
イボンデイングを行う（第１図ａ）。
この後、半導体チツプ１のパツドとリードフレ
ーム２の各リード１６との間にワイヤボンデイン
グを行い、ワイヤ１０で接続する。そして放熱板
３を下金型５のキヤビテイの底面に設置する。下
金型５の上方には、上金型６と押え具８とが設置
されている。この押え具８は四本の棒状体９を有
しており、上金型６の穴７をそれぞれ貫通して接
合部分２０を押圧するものである。ここで上金型
６には、穴７が四個設けられている。この穴７
は、リードフレーム２と放熱板３との接合部分２
０の上方に位置している（第１図ｂ）。
次に従来と異なり、この押え具８を下方へ移動
させて、リードフレーム２と放熱板３との接合部
分２０を押圧する。この状態で、金型５及び８で
囲まれた内部に、溶融した樹脂を注入させる（第
１図ｃ）。
そして樹脂１１が硬化した後、金型５及び８か
ら取出して半導体装置１１を得る（第１図ｄ）。
このように製造することによつて、以下のよう
な効果が得られる。
金型５及び６の内部に樹脂を注入させるとき
に、リードフレーム２と放熱板３との接合部分２
０を押圧しているため、放熱板３と下金型５の底
面との間に〓間がなくなり、樹脂の入り込みが防
止される。これにより、半導体装置１４の底面６
１には樹脂が付着せず放熱板１４の表面は露出し
ているため、放熱性に優れている。
さらにリードフレーム２と放熱板３との接合部
分２０を押圧しているため、樹脂を注入させる際
に、リードフレーム２に撓みが生じるのが防止さ
れ、プリント配線基板に実装する際におけるハン
ダ付けの作業性が向上する。
半導体チツプ１を直接放熱板３に接合している
ため、チツプ１の発生した熱はリードフレーム２
を介さずに直接放熱板３に伝わり、放熱性に優れ
ている。
また、リードフレーム２と半導体チツプ１の表
面上のパツドとは、高さ方向の位置が等しいた
め、ワイヤボンデイング性が良好である。さらに
このような凹部を有する形状としたことにより、
放熱板３のうちの半導体チツプ１が搭載されてい
る部分から露出している表面までの厚みｈ１は、
従来の場合よりも薄くなつている。このため、ワ
イヤボンデイング性のみならず、熱伝導性にも優
れている。
また第６図に示された従来の放熱板４３は、平
坦な平板の形状を有しているのに対し、この第１
の実施例における放熱板３の形状は、段差が設け
られている。高温の溶融状態にあつた樹脂が冷却
される過程において、あるいは半導体装置１１を
プリント配線基板にハンダ付けを行う際における
温度上昇によつて樹脂が熱収縮するが、このよう
な段差を設けることによつて放熱板と樹脂との密
着性が向上し、クラツクの発生を防止することが
できる。特にパツケージが大型化した場合に、こ
のような効果は顕著となる。
次に、第２の実施例による半導体装置の樹脂封
入方法について説明する。第４図に、この場合の
工程別の装置断面を示す。この断面図は、この方
法により製造された装置の平面図を示した第５図
のＢ−Ｂ線に沿う断面を表している。
この実施例では第１の実施例と異なり、段差が
設けられていない放熱板２３を用いている。そし
て、この放熱板２３とリードフレーム２との接合
は、第１の実施例ではカシメにより行つていた
が、ここでは溶接により行う。次に、放熱板２３
の中央部分に半導体チツプ１を搭載し、リードフ
レーム２を介さずに、直接放熱板３の上面にマウ
ント材によつてダイボンデイングする（第４図
ａ）。
この後、半導体チツプ１のパツドとリードフレ
ーム２の各リード１６との間にワイヤボンデイン
グを行い、ワイヤ１０で接続する。そして放熱板
２３を下金型２５のキヤビテイ底面に設置する。
下金型の上方には、上金型２６と押え具２８とが
設置されている。ここで第１の実施例における上
金型６には円形の穴７が形成されていたのに対
し、この上金型２６には細長いスリツト状の穴２
７が四個形成されている。このスリツト状の穴２
７は、リードフレーム２と放熱板３との接合部分
３６の上方から両端へ伸びる方向に位置している
この押え具２８には、四本の薄い板状体２６が設
けられており、金型２６のスリツト状の穴２７を
それぞれ貫通して、接合部分３６を押圧するもの
である（第４図ｂ）。
次にこの押え具２８を下方へ移動させて、リー
ドフレーム２と放熱板３との接合部分２０を押圧
する。この状態で、金型２５及び２８で囲まれた
内部に、溶融した樹脂を注入させる（第４図ｃ）。
そして樹脂３２が硬化した後、金型２５及び２
８から取出して半導体装置３０を得る（第４図
ｄ）。この半導体装置３０の外観を示した平面図
が、上述したように第５図に相当し、押え具２８
の板状体２６の跡として、スリツト３１が対角線
上の四方向に伸びるように形成されている。
このような方法により製造することによつて、
以下のような効果が得られる。
第１の実施例と同様に、リードフレーム２と放
熱板２３との接合部分３６を、下金型２５内部の
底面に押圧した状態で下金型２５及び２６の内部
に樹脂を注入させるため、放熱板２３と下金型２
５の底面との間に〓間が生じることがなく、樹脂
の入り込みが防止される。これにより、半導体装
置３０の底面６２には樹脂が付着せず放熱板２３
の表面は露出しており、放熱性が良い。従つて、
第１の実施例と比較し、放熱板２３の厚みが厚く
なつてはいるが、十分な放熱性が確保されてい
る。またリードフレーム２と放熱板２３との接合
部分３６を押圧していることによつて、樹脂を流
入させる際にリードフレーム２に撓みが発生せ
ず、プリント配線基板に実装する際のハンダ付け
作業の効率が向上する。
半導体チツプ１を直接放熱板２３に接合してい
るため、チツプ１の発生した熱がリードフレーム
２を介さずに直接放熱板２３に伝わり、放熱性に
優れている。
上述した実施例はいずれも一例であつて、本発
明を限定するものではない。例えば放熱板とリー
ドフレームとの接合は、カシメやネジ止めに限ら
ず溶接等により行つてもよい。また樹脂を金型内
に注入させる際における、リードフレームと放熱
板との接合部の金型のキヤビテイ底面への押圧
は、実施例のような押え具によるものに限られ
ず、放熱板と金型の底面との間に〓間が生じない
ように押圧し得るものであれば、他の方法による
ものであつてもよい。
〔発明の効果〕
以上のように本発明の半導体装置の樹脂封入方
法は、下金型のキヤビテイの底面に、放熱板とリ
ードフレームとの接合部分を押圧した状態で樹脂
を注入するため、放熱板と下金型のキヤビテイ底
面との間に〓間が発生せず、放熱板の表面は樹脂
で覆われることなく露出され、放熱性に優れる。
同時にリードフレームも、下金型のキヤビテイ底
面に対して押圧された状態となつているため、樹
脂を注入させる際に撓みが発生せず、平坦性が向
上する。また半導体チツプは放熱板に直接接合さ
れているため、リードフレームを介して接合して
いる場合よりも放熱性に優れている。
放熱板へのリードフレームの接合は、リードフ
レームのリード以外の部分が接触した状態で行う
ので、放熱板とリードとの間を絶縁するために絶
縁性接着剤を塗布したり絶縁性シートを介在させ
る必要がなく、工程数が削減されコストが低減さ
れる。
また、放熱板の凹陥部に半導体チツプをダイボ
ンデイングするため、装置が薄型化されると共に
樹脂が硬化し収縮する時の応力が緩和される。こ
の結果、装置に撓みが生じたり寸法精度が悪化す
るなどの信頼性の低下が防止される。
放熱板の凹陥部に半導体チツプをダイボンデイ
ングすることで、放熱板の底面から半導体チツプ
の接合面までの厚みが薄く、半導体チツプから発
生した熱の伝導性に優れ、放熱性が向上する。
ここで下金型のキヤビテイ底面への放熱板の押
圧を、金型として上金型に貫通した穴を有するも
のを用い、金型の外部から押圧体を穴から金型内
部に貫通させ、放熱板とリードフレームとの接合
部を下金型のキヤビテイ底面に押圧させることに
よつて、下金型のキヤビテイ底面に放熱板及びリ
ードフレームが押圧された状態に保つことがで
き、上述のような効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１の実施例による半導体装
置の樹脂封入方法を示した工程別の装置断面図、
第２図は同樹脂封入方法により製造された半導体
装置の平面図、第３図は同装置に用いられるリー
ドフレームを示した平面図、第４図は本発明の第
２の実施例による半導体装置の樹脂封入方法を示
した工程別の装置断面図、第５図は同樹脂封入方
法により製造された半導体装置の平面図、第６図
は従来の半導体装置の樹脂封入方法を示した工程
別の装置断面図、第７図は同樹脂封入方法により
製造された半導体装置の平面図である。 １……半導体チツプ、２……リードフレーム、
３，２３……放熱板、５，２５……下金型、６，
２６……上金型、７，２７……穴、８，２８……
押え具、９……棒状体、１０……ワイヤ、１５…
…タイバー、１６……リード。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 凹陥部を有する放熱板に、リードフレームの
    リード以外の部分を接触させた状態で接合する工
    程と、 前記放熱板の前記凹陥部に半導体チツプをダイ
    ボンデイングする工程と、 前記半導体チツプと前記リードフレームのリー
    ドとの間でワイヤボンデイングを行い、電気的に
    接続する工程と、 前記放熱板を下金型のキヤビテイの底面に設置
    し、この底面に向けて前記放熱板と前記リードフ
    レームとの接合部分を押圧した状態にする工程
    と、 金型の内部に溶融した樹脂を注入し、硬化させ
    る工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の
    樹脂封入方法。 ２ 前記放熱板と前記リードフレームとの接合部
    分を押圧した状態にする工程は、前記金型として
    上金型に貫通した穴を有するものを用い、前記金
    型の外部から押圧体を前記穴から前記金型内部に
    貫通させ、前記放熱板と前記リードフレームとの
    接合部を前記押圧体により前記下金型のキヤビテ
    イの底面に向つて押圧させることによつて行うこ
    とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の樹脂
    封入方法。
JP1128399A 1989-05-22 1989-05-22 半導体装置の樹脂封入方法 Granted JPH02306639A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1128399A JPH02306639A (ja) 1989-05-22 1989-05-22 半導体装置の樹脂封入方法
US07/524,434 US5091341A (en) 1989-05-22 1990-05-17 Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member
KR1019900007347A KR930011453B1 (ko) 1989-05-22 1990-05-22 반도체장치의 수지봉입방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1128399A JPH02306639A (ja) 1989-05-22 1989-05-22 半導体装置の樹脂封入方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02306639A JPH02306639A (ja) 1990-12-20
JPH0558655B2 true JPH0558655B2 (ja) 1993-08-27

Family

ID=14983837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1128399A Granted JPH02306639A (ja) 1989-05-22 1989-05-22 半導体装置の樹脂封入方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5091341A (ja)
JP (1) JPH02306639A (ja)
KR (1) KR930011453B1 (ja)

Families Citing this family (163)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5605863A (en) * 1990-08-31 1997-02-25 Texas Instruments Incorporated Device packaging using heat spreaders and assisted deposition of wire bonds
IT1247649B (it) * 1990-10-31 1994-12-28 Sgs Thomson Microelectronics Procedimento di incapsulamento in resina di un dispositivo a semiconduttore di potenza montato su dissipatore allontanando i reofori dal dissipatore mediante l'azione del controstampo in fase di chiusura dello stampo
US5293301A (en) * 1990-11-30 1994-03-08 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device and lead frame used therein
IT1246743B (it) * 1990-12-28 1994-11-26 Sgs Thomson Microelectronics Stampo per la fabbricazione di contenitori in plastica, per circuiti integrati,con dissipatore termico incorporato.
US5200809A (en) * 1991-09-27 1993-04-06 Vlsi Technology, Inc. Exposed die-attach heatsink package
JP2602380B2 (ja) * 1991-10-23 1997-04-23 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
IT1252136B (it) * 1991-11-29 1995-06-05 St Microelectronics Srl Struttura di dispositivo a semiconduttore con dissipatore metallico e corpo in plastica, con mezzi per una connessione elettrica al dissipatore di alta affidabilita'
IT1252575B (it) * 1991-12-20 1995-06-19 Sgs Thomson Microelectronics Stampo e procedimento per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore in plastica, con dissipatore metallico visibile per il controllo della saldatura
CA2106981A1 (en) * 1992-01-27 1993-07-28 Victor Albert Keith Temple Semiconductor devices and methods of mass production thereof
US5278446A (en) * 1992-07-06 1994-01-11 Motorola, Inc. Reduced stress plastic package
US5387554A (en) * 1992-09-10 1995-02-07 Vlsi Technology, Inc. Apparatus and method for thermally coupling a heat sink to a lead frame
EP0665591A1 (en) * 1992-11-06 1995-08-02 Motorola, Inc. Method for forming a power circuit package
JP2927660B2 (ja) * 1993-01-25 1999-07-28 シャープ株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法
US5427984A (en) * 1993-03-01 1995-06-27 At&T Global Information Solutions Method of making a cooling package for a semiconductor chip
US5394607A (en) * 1993-05-20 1995-03-07 Texas Instruments Incorporated Method of providing low cost heat sink
US5420752A (en) * 1993-08-18 1995-05-30 Lsi Logic Corporation GPT system for encapsulating an integrated circuit package
US5444909A (en) * 1993-12-29 1995-08-29 Intel Corporation Method of making a drop-in heat sink
US5434105A (en) * 1994-03-04 1995-07-18 National Semiconductor Corporation Process for attaching a lead frame to a heat sink using a glob-top encapsulation
US5458716A (en) * 1994-05-25 1995-10-17 Texas Instruments Incorporated Methods for manufacturing a thermally enhanced molded cavity package having a parallel lid
US5665653A (en) * 1995-03-29 1997-09-09 Unifet, Incorporated Method for encapsulating an electrochemical sensor
DE19513797A1 (de) * 1995-04-11 1996-10-24 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen eines Trägerelementes und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US5652463A (en) * 1995-05-26 1997-07-29 Hestia Technologies, Inc. Transfer modlded electronic package having a passage means
SG46955A1 (en) * 1995-10-28 1998-03-20 Inst Of Microelectronics Ic packaging lead frame for reducing chip stress and deformation
US5789270A (en) * 1996-01-30 1998-08-04 Industrial Technology Research Institute Method for assembling a heat sink to a die paddle
EP0787569B1 (en) * 1996-01-31 2002-10-02 Sumitomo Bakelite Company Limited Method of producing epoxy resin-encapsulated semiconductor device
US5822848A (en) * 1996-06-04 1998-10-20 Industrial Technology Research Institute Lead frame having a detachable and interchangeable die-attach paddle
US5798570A (en) * 1996-06-28 1998-08-25 Kabushiki Kaisha Gotoh Seisakusho Plastic molded semiconductor package with thermal dissipation means
JP3491481B2 (ja) * 1996-08-20 2004-01-26 株式会社日立製作所 半導体装置とその製造方法
KR100214549B1 (ko) * 1996-12-30 1999-08-02 구본준 버텀리드 반도체 패키지
US6001672A (en) * 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
JPH11145364A (ja) * 1997-11-12 1999-05-28 Denso Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
US7112474B1 (en) 1998-06-24 2006-09-26 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7332375B1 (en) 1998-06-24 2008-02-19 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6143981A (en) 1998-06-24 2000-11-07 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7005326B1 (en) 1998-06-24 2006-02-28 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US6893900B1 (en) 1998-06-24 2005-05-17 Amkor Technology, Inc. Method of making an integrated circuit package
US7030474B1 (en) 1998-06-24 2006-04-18 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US7071541B1 (en) 1998-06-24 2006-07-04 Amkor Technology, Inc. Plastic integrated circuit package and method and leadframe for making the package
US6297548B1 (en) 1998-06-30 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Stackable ceramic FBGA for high thermal applications
US6297960B1 (en) 1998-06-30 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Heat sink with alignment and retaining features
US6117797A (en) 1998-09-03 2000-09-12 Micron Technology, Inc. Attachment method for heat sinks and devices involving removal of misplaced encapsulant
US6448633B1 (en) * 1998-11-20 2002-09-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and method of making using leadframe having lead locks to secure leads to encapsulant
KR100403142B1 (ko) * 1999-10-15 2003-10-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
KR100526844B1 (ko) * 1999-10-15 2005-11-08 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조방법
KR20010037247A (ko) 1999-10-15 2001-05-07 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
US6198163B1 (en) * 1999-10-18 2001-03-06 Amkor Technology, Inc. Thin leadframe-type semiconductor package having heat sink with recess and exposed surface
US20070176287A1 (en) * 1999-11-05 2007-08-02 Crowley Sean T Thin integrated circuit device packages for improved radio frequency performance
US6580159B1 (en) 1999-11-05 2003-06-17 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit device packages and substrates for making the packages
US6847103B1 (en) 1999-11-09 2005-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with exposed die pad and body-locking leadframe
US6639308B1 (en) * 1999-12-16 2003-10-28 Amkor Technology, Inc. Near chip size semiconductor package
KR100421774B1 (ko) * 1999-12-16 2004-03-10 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 및 그 제조 방법
KR100583494B1 (ko) * 2000-03-25 2006-05-24 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지
US7042068B2 (en) * 2000-04-27 2006-05-09 Amkor Technology, Inc. Leadframe and semiconductor package made using the leadframe
US6643919B1 (en) * 2000-05-19 2003-11-11 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor device package having a core-hollowed portion without causing resin flash on lead frame
KR20020058209A (ko) * 2000-12-29 2002-07-12 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
KR100731007B1 (ko) * 2001-01-15 2007-06-22 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 적층형 반도체 패키지
US6545345B1 (en) 2001-03-20 2003-04-08 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
US6967395B1 (en) 2001-03-20 2005-11-22 Amkor Technology, Inc. Mounting for a package containing a chip
KR100369393B1 (ko) 2001-03-27 2003-02-05 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 리드프레임 및 이를 이용한 반도체패키지와 그 제조 방법
KR100393448B1 (ko) * 2001-03-27 2003-08-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
US7045883B1 (en) 2001-04-04 2006-05-16 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US6597059B1 (en) 2001-04-04 2003-07-22 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package
US7064009B1 (en) 2001-04-04 2006-06-20 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package and method of making same
US6444501B1 (en) 2001-06-12 2002-09-03 Micron Technology, Inc. Two stage transfer molding method to encapsulate MMC module
US6396130B1 (en) 2001-09-14 2002-05-28 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having multiple dies with independently biased back surfaces
US6900527B1 (en) 2001-09-19 2005-05-31 Amkor Technology, Inc. Lead-frame method and assembly for interconnecting circuits within a circuit module
US7485952B1 (en) 2001-09-19 2009-02-03 Amkor Technology, Inc. Drop resistant bumpers for fully molded memory cards
US6630726B1 (en) 2001-11-07 2003-10-07 Amkor Technology, Inc. Power semiconductor package with strap
JP4211359B2 (ja) * 2002-03-06 2009-01-21 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
TWI292961B (en) * 2002-09-05 2008-01-21 Nichia Corp Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device
US6818973B1 (en) * 2002-09-09 2004-11-16 Amkor Technology, Inc. Exposed lead QFP package fabricated through the use of a partial saw process
US7190062B1 (en) 2004-06-15 2007-03-13 Amkor Technology, Inc. Embedded leadframe semiconductor package
US7361533B1 (en) 2002-11-08 2008-04-22 Amkor Technology, Inc. Stacked embedded leadframe
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7723210B2 (en) 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
TW567598B (en) * 2002-11-13 2003-12-21 Advanced Semiconductor Eng Flip chip semiconductor package
US6798047B1 (en) 2002-12-26 2004-09-28 Amkor Technology, Inc. Pre-molded leadframe
US6847099B1 (en) 2003-02-05 2005-01-25 Amkor Technology Inc. Offset etched corner leads for semiconductor package
US6750545B1 (en) 2003-02-28 2004-06-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package capable of die stacking
US6927483B1 (en) 2003-03-07 2005-08-09 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package exhibiting efficient lead placement
US7001799B1 (en) 2003-03-13 2006-02-21 Amkor Technology, Inc. Method of making a leadframe for semiconductor devices
US6794740B1 (en) 2003-03-13 2004-09-21 Amkor Technology, Inc. Leadframe package for semiconductor devices
US7095103B1 (en) 2003-05-01 2006-08-22 Amkor Technology, Inc. Leadframe based memory card
US7008825B1 (en) 2003-05-27 2006-03-07 Amkor Technology, Inc. Leadframe strip having enhanced testability
US6897550B1 (en) 2003-06-11 2005-05-24 Amkor Technology, Inc. Fully-molded leadframe stand-off feature
US7245007B1 (en) 2003-09-18 2007-07-17 Amkor Technology, Inc. Exposed lead interposer leadframe package
US6921967B2 (en) * 2003-09-24 2005-07-26 Amkor Technology, Inc. Reinforced die pad support structure
US7138707B1 (en) 2003-10-21 2006-11-21 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including leads and conductive posts for providing increased functionality
US7144517B1 (en) 2003-11-07 2006-12-05 Amkor Technology, Inc. Manufacturing method for leadframe and for semiconductor package using the leadframe
US7211879B1 (en) 2003-11-12 2007-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with chamfered corners and method of manufacturing the same
US7057268B1 (en) 2004-01-27 2006-06-06 Amkor Technology, Inc. Cavity case with clip/plug for use on multi-media card
US7091594B1 (en) 2004-01-28 2006-08-15 Amkor Technology, Inc. Leadframe type semiconductor package having reduced inductance and its manufacturing method
DE102005016830A1 (de) * 2004-04-14 2005-11-03 Denso Corp., Kariya Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
US20080003722A1 (en) * 2004-04-15 2008-01-03 Chun David D Transfer mold solution for molded multi-media card
US7202554B1 (en) 2004-08-19 2007-04-10 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package and its manufacturing method
US7217991B1 (en) 2004-10-22 2007-05-15 Amkor Technology, Inc. Fan-in leadframe semiconductor package
JP2006156606A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Nippon Inter Electronics Corp 半導体装置の製造方法
US7224047B2 (en) * 2004-12-18 2007-05-29 Lsi Corporation Semiconductor device package with reduced leakage
US7507603B1 (en) 2005-12-02 2009-03-24 Amkor Technology, Inc. Etch singulated semiconductor package
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7615861B2 (en) * 2006-03-13 2009-11-10 Sandisk Corporation Methods of promoting adhesion between transfer molded IC packages and injection molded plastics for creating over-molded memory cards
EP2005475A2 (en) * 2006-03-30 2008-12-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Radiation detector array
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7968998B1 (en) 2006-06-21 2011-06-28 Amkor Technology, Inc. Side leaded, bottom exposed pad and bottom exposed lead fusion quad flat semiconductor package
US7927923B2 (en) 2006-09-25 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for directing molding compound flow and resulting semiconductor device packages
US7687893B2 (en) 2006-12-27 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package having leadframe with exposed anchor pads
US7829990B1 (en) 2007-01-18 2010-11-09 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package including laminate interposer
US7982297B1 (en) 2007-03-06 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Stackable semiconductor package having partially exposed semiconductor die and method of fabricating the same
US7977774B2 (en) * 2007-07-10 2011-07-12 Amkor Technology, Inc. Fusion quad flat semiconductor package
US7687899B1 (en) 2007-08-07 2010-03-30 Amkor Technology, Inc. Dual laminate package structure with embedded elements
US7777351B1 (en) 2007-10-01 2010-08-17 Amkor Technology, Inc. Thin stacked interposer package
US8089159B1 (en) 2007-10-03 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with increased I/O density and method of making the same
US7847386B1 (en) 2007-11-05 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Reduced size stacked semiconductor package and method of making the same
CN101471407B (zh) * 2007-12-24 2012-02-29 亿光电子工业股份有限公司 薄型发光二极管装置的封装方法
US7956453B1 (en) 2008-01-16 2011-06-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with patterning layer and method of making same
US7723852B1 (en) 2008-01-21 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Stacked semiconductor package and method of making same
US8067821B1 (en) 2008-04-10 2011-11-29 Amkor Technology, Inc. Flat semiconductor package with half package molding
US7768135B1 (en) 2008-04-17 2010-08-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with fast power-up cycle and method of making same
US7808084B1 (en) 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
US8125064B1 (en) 2008-07-28 2012-02-28 Amkor Technology, Inc. Increased I/O semiconductor package and method of making same
US8184453B1 (en) 2008-07-31 2012-05-22 Amkor Technology, Inc. Increased capacity semiconductor package
US7847392B1 (en) 2008-09-30 2010-12-07 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with increased I/O
US7989933B1 (en) 2008-10-06 2011-08-02 Amkor Technology, Inc. Increased I/O leadframe and semiconductor device including same
US8008758B1 (en) 2008-10-27 2011-08-30 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe
US8089145B1 (en) 2008-11-17 2012-01-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including increased capacity leadframe
US8072050B1 (en) 2008-11-18 2011-12-06 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including passive device
US7875963B1 (en) 2008-11-21 2011-01-25 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe having power bars and increased I/O
US7982298B1 (en) 2008-12-03 2011-07-19 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device
US8487420B1 (en) 2008-12-08 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Package in package semiconductor device with film over wire
US20170117214A1 (en) 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US8680656B1 (en) 2009-01-05 2014-03-25 Amkor Technology, Inc. Leadframe structure for concentrated photovoltaic receiver package
US8058715B1 (en) 2009-01-09 2011-11-15 Amkor Technology, Inc. Package in package device for RF transceiver module
US8026589B1 (en) 2009-02-23 2011-09-27 Amkor Technology, Inc. Reduced profile stackable semiconductor package
US7960818B1 (en) 2009-03-04 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Conformal shield on punch QFN semiconductor package
US8575742B1 (en) 2009-04-06 2013-11-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with increased I/O leadframe including power bars
CN101582480B (zh) * 2009-05-08 2011-06-22 华灿光电股份有限公司 带热沉的led芯片及其制造方法
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
TWI445139B (zh) * 2010-06-11 2014-07-11 Advanced Semiconductor Eng 晶片封裝結構、晶片封裝模具與晶片封裝製程
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8674485B1 (en) 2010-12-08 2014-03-18 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with downsets
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
US8648450B1 (en) 2011-01-27 2014-02-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device including leadframe with a combination of leads and lands
TWI557183B (zh) 2015-12-16 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 矽氧烷組成物、以及包含其之光電裝置
CN102738022B (zh) * 2011-04-15 2017-05-17 飞思卡尔半导体公司 组装包括绝缘衬底和热沉的半导体器件的方法
JP5772306B2 (ja) * 2011-07-04 2015-09-02 株式会社デンソー モールドパッケージの製造方法
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9704725B1 (en) 2012-03-06 2017-07-11 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
KR101486790B1 (ko) 2013-05-02 2015-01-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 강성보강부를 갖는 마이크로 리드프레임
KR101563911B1 (ko) 2013-10-24 2015-10-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지
JP6166654B2 (ja) * 2013-12-26 2017-07-19 矢崎総業株式会社 電子回路ユニットにおける外装ケースの成形方法
US9673122B2 (en) 2014-05-02 2017-06-06 Amkor Technology, Inc. Micro lead frame structure having reinforcing portions and method
US10426963B2 (en) 2015-10-30 2019-10-01 Zoll Medical Corporation Estimating shock success by monitoring changes in spectral data
US9799580B2 (en) * 2016-03-24 2017-10-24 Nxp Usa, Inc. Semiconductor device package and methods of manufacture thereof
US10541223B2 (en) * 2017-05-05 2020-01-21 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of operating a wire bonding machine to improve clamping of a substrate, and wire bonding machines
IT201700053915A1 (it) * 2017-05-18 2018-11-18 St Microelectronics Srl Procedimento di packaging di prodotti a semiconduttore, prodotto ed utensile di stampaggio corrispondenti

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3729573A (en) * 1971-01-25 1973-04-24 Motorola Inc Plastic encapsulation of semiconductor devices
JPS587322A (ja) * 1981-07-06 1983-01-17 Kazuo Bando 樹脂封入成形方法とその金型装置
US4470786A (en) * 1981-07-28 1984-09-11 Omron Tateisi Electronics Co. Molding apparatus with retractable preform support pins
US4377548A (en) * 1981-11-27 1983-03-22 Sprague Electric Company Method for encapsulating a radial leaded electrical component
JPS5963735A (ja) * 1982-10-05 1984-04-11 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS5965437A (ja) * 1982-10-06 1984-04-13 Nec Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
FR2572987B1 (fr) * 1984-09-21 1987-01-02 Pont A Mousson Procede et dispositif de surmoulage d'un entourage de dimensions precises sur le pourtour d'une piece plane ou galbee a tolerances dimensionnelles
JPS61234536A (ja) * 1985-04-11 1986-10-18 Nec Corp 樹脂封止金型
DE3675321D1 (de) * 1985-08-16 1990-12-06 Dai Ichi Seiko Co Ltd Halbleiteranordnung mit packung vom steckerstifttyp.
JPS63175435A (ja) * 1987-01-14 1988-07-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用モ−ルド金型
JPH01179332A (ja) * 1987-12-31 1989-07-17 Sanken Electric Co Ltd 樹脂封止型電子装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR900019206A (ko) 1990-12-24
KR930011453B1 (ko) 1993-12-08
JPH02306639A (ja) 1990-12-20
US5091341A (en) 1992-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0558655B2 (ja)
KR100370231B1 (ko) 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지
KR100255550B1 (ko) 오프셋 와이어 본드 및 지지블록 공동을 사용한 양면 와이어 본드된 집적 회로 칩 패키지 및 그 제조방법
JPH11260856A (ja) 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造
KR100225333B1 (ko) 리이드프레임및반도체장치
JPH04291948A (ja) 半導体装置及びその製造方法及び放熱フィン
KR20070015486A (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
JPH0595079A (ja) リードフレーム、半導体集積回路搭載用基板及び半導体装置並びにそれらの製造方法
KR20000017634A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2012227445A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2586835B2 (ja) 半導体集積回路
JP3879823B2 (ja) 薄型半導体装置のモールド方法及びそのモールド金型
JP2002093982A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2001358263A (ja) 半導体装置およびその回路形成方法
JP4010860B2 (ja) 混成集積回路装置およびその製造方法
KR101239117B1 (ko) 전력 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP4688647B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JP7188049B2 (ja) 半導体装置
JP2939094B2 (ja) 電力用半導体装置の製造方法
JP2002261198A (ja) 自動車用電子回路装置及びそのパッケージ製造方法
JPS61194755A (ja) 半導体装置
JP2917556B2 (ja) 絶縁物封止型電子部品の製造方法
JP2710207B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4225246B2 (ja) 電子装置の製造方法
JPS5978537A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees