JP2012227445A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の吊りリードの撓みを抑制する。
【解決手段】封止体４の下面の周縁部に複数の外部端子部が配置されて成るＱＦＮ５において、このＱＦＮ５が有する複数の長い吊りリード２ｃのそれぞれで、吊りリード２ｃの中間部もしくは前記中間部からダイパッド２ｄに近い箇所に複数のリード２ｂが繋がっており、これらの複数のリード２ｂによって複数の長い吊りリード２ｃのそれぞれが支持されているため、ＱＦＮ５の組み立てにおけるワイヤボンディング工程やモールド工程で複数の吊りリード２ｃのそれぞれの撓みを抑制できる。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置及びその製造技術に関し、特に、複数のリード（外部端子）が周辺配置されたペリフェラル型の半導体装置に適用して有効な技術に関する。

ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) 型の半導体装置の製造において、半導体チップを封止する樹脂封止体を成形した後、樹脂封止体の外縁に沿ったライン（モールドライン）よりも内側に位置するカットラインに沿って樹脂封止体の周辺部およびリードフレームを共に切断する技術が開示されている。

特開２００４−２１４２３３号公報

ＱＦＮ型の半導体装置は、外部端子となる複数のリードが、平面視において、半導体装置の周縁部に配置されている。そのため、半導体装置内に搭載される半導体チップとリードとをワイヤを介して電気的に接続し、かつ、半導体チップが搭載されるチップ搭載部（ダイパッド）の外形サイズに対して半導体チップの外形サイズが極端に小さい場合は、半導体チップの外形サイズによって、このワイヤの長さが長くなる。

そこで、本願発明者は、ワイヤ長を低減するために、チップ搭載部（ダイパッド）の外形サイズを低減し、各リードの長さを長くする（リードの先端部を半導体チップに近づける）ことを検討した。

しかしながら、リードの長さを長くする（ダイパッドの外形サイズを小さくする）と、半導体チップが搭載されるチップ搭載部（ダイパッド）を支持する吊りリードの長さも長くなる。

ここで、近年では、半導体装置の高機能化に伴い、半導体チップの発熱量も増加する傾向にある。そのため、半導体装置の放熱性を向上（熱抵抗を低減）することも要求されている。そこで、本願発明者は、半導体装置の放熱性を向上するために、チップ搭載部を封止体から露出する構造についても検討しているが、上記のように、吊りリードの長さが長くなると、熱の影響で吊りリードが膨張（特に、吊りリードの延在方向に沿って膨張）した際、吊りリードが撓むことがわかった。なお、吊りリードが撓んでしまうと、半導体装置の製造工程において、様々な問題を引き起こす恐れがある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、吊りリードの撓みを抑制することができる技術を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、（ａ）ダイパッドと複数の吊りリードと複数の第１リードと複数の第２リードとを有するリードフレームを準備する工程、（ｂ）半導体チップを、裏面がダイパッドの上面と対向するようにダイパッドに搭載する工程、（ｃ）複数のボンディングパッドと複数の第１リードを複数のワイヤを介して電気的に接続する工程、（ｄ）半導体チップが搭載されたリードフレームの複数の吊りリードの一部、複数の第１リードの一部、および複数の第２リードの一部を第１金型と第２金型でクランプし、金型の凹部内に樹脂を供給することで、ダイパッドの下面、複数の吊りリードの一部、複数の第１リードの一部、および複数の第２リードの一部が露出するように封止体を形成する工程を有する。さらに、複数の吊りリードは、平面視において、ダイパッドから封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、複数の吊りリードのそれぞれは、ダイパッドと連結する一端部と、一端部とは反対側の他端部と、一端部と他端部の中間に位置する中間部とを有し、複数の第２リードの何れかは、複数の吊りリードのそれぞれの中間部よりもダイパッド側、あるいは、中間部に連結している。

また、代表的な他の実施の形態による半導体装置の製造方法は、（ａ）ダイパッドと複数の吊りリードと複数の第１リードと複数の第２リードとを有するリードフレームを準備する工程、（ｂ）半導体チップを、裏面がダイパッドの上面と対向するようにダイパッドに搭載する工程、（ｃ）複数の吊りリードの一部、複数の第１リードの一部、および複数の第２リードの一部を治具とステージでクランプし、複数のボンディングパッドと複数の第１リードを複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程、（ｄ）ダイパッドの下面、複数の吊りリードの一部、複数の第１リードの一部、および複数の第２リードの一部が露出するように封止体を形成する工程を有する。さらに、複数の吊りリードは、平面視において、ダイパッドから封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、複数の吊りリードのそれぞれは、ダイパッドと連結する一端部と、一端部とは反対側の他端部と、一端部と他端部の中間に位置する中間部とを有し、複数の第２リードの何れかは、複数の吊りリードのそれぞれの中間部よりもダイパッド側、あるいは、中間部に連結している。

また、代表的な実施の形態による半導体装置は、ダイパッドと、複数の吊りリードと、ダイパッドの隣に配置された複数の第１リードと、吊りリードを支持する複数の第２リードと、表面に複数のボンディングパッドが形成され、かつ裏面がダイパッドの上面と対向するようにダイパッドの上面に搭載された半導体チップと、複数のボンディングパッドと複数の第１リードを電気的に接続する複数のワイヤと、半導体チップおよび複数のワイヤを封止する封止体と、を含むものである。さらに、ダイパッドの下面、複数の吊りリードの一部、複数の第１リードの一部および複数の第２リードの一部は封止体から露出し、封止体の平面形状は四角形からなり、複数の吊りリードは、平面視においてダイパッドから封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、複数の吊りリードのそれぞれは、ダイパッドと連結する一端部と、他端部と、一端部と他端部の中間に位置する中間部を有し、複数の第２リードの何れかは、複数の吊りリードのそれぞれの中間部よりもダイパッド側、あるいは中間部に連結している。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。

半導体装置の組み立てにおいて吊りリードの撓みを抑制することができる。

また、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。 図１の半導体装置の構造の一例を示す裏面図である。 図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。 図２のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。 図１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。 図５のＡ部の構造を示す拡大部分平面図である。 図１の半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームのデバイス領域の構造の一例を示す拡大部分平面図と部分断面図である。 図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図７のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す拡大部分平面図である。 図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図１０のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時の構造の一例を示す拡大部分平面図である。 図１３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図１３のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における金型クランプ時の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図である。 図１６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図１６のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填初期の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図である。 図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填中期の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図である。 図２０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図２０のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。 図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填完了時の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図である。 図１の半導体装置の組み立てのメッキ工程におけるメッキ塗布後の構造の一例を示す部分断面図である。 図１の半導体装置の組み立てのメッキ工程におけるメッキ塗布後の構造の一例を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態の変形例１の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 本発明の実施の形態の変形例２の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 本発明の実施の形態の変形例３の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図及び部分裏面図である。 本発明の実施の形態の変形例４の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 本発明の実施の形態の変形例５の半導体装置の構造を封止体を透過して示す拡大部分平面図である。 図３０の半導体装置の構造を示す拡大部分裏面図である。 本発明の実施の形態の変形例６の半導体装置の構造を封止体を透過して示す拡大部分平面図である。 本発明の実施の形態の変形例７の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。 本発明の実施の形態の変形例８の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。

以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。

さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。

また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。

また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。

また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１の半導体装置の構造の一例を示す裏面図、図３は図２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図４は図２のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図５は図１の半導体装置の構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図６は図５のＡ部の構造を示す拡大部分平面図である。

まず、本実施の形態の半導体装置の構造について説明する。

図１〜図６に示す本実施の形態の半導体装置は、外部端子となる複数のリードが、平面視において、前記半導体装置の裏面側の周縁部に配置されているものであり、ここでは、半導体チップ等を樹脂で封止する樹脂封止型のＱＦＮ５を一例として取り上げて説明する。

前記ＱＦＮ５の詳細構成について説明すると、図２に示す平面形状が略四角形の板状のチップ搭載部であるダイパッド２ｄ（タブともいう）と、ダイパッド２ｄを支持する（ダイパッド２ｄと連結する）複数の吊りリード２ｃと、ダイパッド２ｄから離間し、かつダイパッド２ｄの隣に配置された第１リードである複数のリード２ａと、ダイパッド２ｄから離間し、かつ吊りリード２ｃを支持する（吊りリード２ｃと連結する）第２リードである複数のリード２ｂとを有している。

すなわち、図５に示すように、半導体チップ１が搭載された略四角形のダイパッド２ｄの４つの角部に吊りリード２ｃが連結されており、したがって、ＱＦＮ５では、ダイパッド２ｄはその対角線上に配置された４本の吊りリード２ｃによって角部で支持されている。

各リードは、４つの吊りリード２ｃによって区切られた領域、すなわち隣り合った２本の吊りリード２ｃの間の領域に、半導体チップ１の４つの辺に対応してそれぞれ１列に並んで配置されている。

したがって、隣り合った２本の吊りリード２ｃの間の領域には、複数のリード（第１リード）２ａからなるリード群（第１リード群）２ｇと、複数のリード（第２リード）２ｂからなるリード群（第２リード群）２ｈとが配置されている。

なお、リード群（第２リード群）２ｈを構成する複数のリード２ｂのそれぞれは吊りリード２ｃに連結しており、リード群（第１リード群）２ｇを構成する複数のリード２ａよりも吊りリード２ｃの近傍に配置されている。一方、リード群（第１リード群）２ｇを構成する複数のリード２ａは、ある吊りリード２ｃ（図５における例えば左下の吊りリード２ｃ）側に配置されたリード群２ｈと、この吊りリード２ｃの隣の吊りリード２ｃ（図５における例えば右下の吊りリード２ｃ）側に配置されたリード群２ｈに挟まれた領域に半導体チップ１の辺に対応して配置されている。

また、本実施の形態では、図５に示すように、リード群（第２リード群）２ｈにおけるリード間ピッチ（互いに隣り合うリード２ｂの距離）が、リード群（第１リード群）２ｇにおけるリード間ピッチ（互いに隣り合うリード２ａの距離）よりも小さいが、これに限定されるものではなく、リード群（第２リード群）２ｈにおけるリード間ピッチは、リード群（第１リード群）２ｇにおけるリード間ピッチと同じでもよい。

また、半導体チップ１は、表面１ａと、表面１ａとは反対側の裏面１ｂと、前記表面１ａに形成された複数のボンディングパッド１ｃとを有しており、内部には半導体集積回路が形成されている。表面１ａに形成された複数のボンディングパッド１ｃは、四角形の表面１ａの４つの辺それぞれに沿って表面１ａの周縁部に並んで配置されている。

また、図３及び図４に示すように、半導体チップ１は、その裏面１ｂがダイパッド２ｄのチップ搭載面である上面２ｅと対向するように、この上面２ｅに接着材であるダイボンド材６を介して搭載されており、図５に示すように、複数のボンディングパッド１ｃと、これらにそれぞれ対応する複数のリード２ａとが、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続されている。

また、ＱＦＮ５は、図３及び図４に示すように、半導体チップ１、複数のワイヤ３、ダイパッド２ｄの一部、リード２ａの一部及びリード２ｂの一部を封止する封止体４を有している。なお、封止体４は、封止用樹脂によって形成されており、図１及び図２に示すように、封止体４の平面形状は、四角形から成る。

なお、本実施の形態のＱＦＮ５は、その組み立てのモールド工程において、図７に示すリードフレーム２の１つのデバイス領域２ｊごとに図１７に示す樹脂成形金型のキャビティ部８ａで覆って樹脂モールドを行う、所謂個片モールド方式で組み立てられたものであり、この場合、図１及び図２に示すように、封止体４の角部は面取りされた形状となるが、本実施の形態では、角部が面取りされた平面形状についても四角形と見なしている。

また、図２〜図４に示すように、ＱＦＮ５では、ダイパッド２ｄの上面２ｅと反対側の下面２ｆは封止体４の下面４ｂに露出している。すなわち、ＱＦＮ５は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体パッケージである。

さらに、ＱＦＮ５は、ペリフェラルタイプであるため、リード２ａ及びリード２ｂそれぞれの封止体４から露出する複数の外部端子部（一部）２ｉと、吊りリード２ｃの封止体４から露出する複数のアウタ部（一部）２ｃａは、図２に示すように、封止体４の下面４ｂの周縁部に並んで配置されている。

また、各リード２ａ及び各リード２ａにおいて、外部端子部２ｉとして封止体４の下面４ｂに露出する箇所以外の部分（封止体４内に埋め込まれる部分）は、図３に示すように、ハーフエッチングされて外部端子部２ｉの１／２程度の厚さとなっている。

同様に、吊りリード２ｃにおいても、アウタ部２ｃａとして封止体４の下面４ｂに露出する箇所以外の部分、及びダイパッド２ｄ以外の部分は、封止体４内に埋め込まれる部分として、図４に示すように、ハーフエッチングされてアウタ部２ｃａやダイパッド２ｄの１／２程度の厚さとなっている。

また、本実施の形態のＱＦＮ５では、ワイヤ長の低減化を図っている。すなわち、ワイヤ長を短くするために、ダイパッド２ｄの外形サイズを低減してワイヤ３を接続する各リード２ａの長さを長くしている（各リード２ａの先端部を半導体チップ１に近づけた構造となっている）。

これにより、ダイパッド２ｄの外形サイズの低減化が図られているため、ダイパッド２ｄをその角部で支持している複数（本実施の形態では、４本）の吊りリード２ｃの長さは必然的に長くなっている。

ここで、複数の吊りリード２ｃのそれぞれは、図５に示すように平面視において、ダイパッド２ｄのそれぞれの角部から封止体４の複数の角部に向かってそれぞれ延在している。

また、複数の吊りリード２ｃのそれぞれは、図６に示すように、ダイパッド２ｄと連結する一端部２ｃｄと、この一端部２ｃｄとは反対側の他端部２ｃｆと、一端部２ｃｄと他端部２ｃｆの中間に位置する中間部２ｃｅとを有しており、複数のリード２ｂの何れか、すなわち複数のリード２ｂのうちの少なくとも１本は、複数の吊りリード２ｃのそれぞれの中間部２ｃｅよりもダイパッド２ｄ側、あるいは中間部２ｃｅに連結している（繋がっている）。

詳細には、図６において、吊りリード２ｃの中間部２ｃｅをＣ部とし、吊りリード２ｃのダイパッド２ｄと連結する一端部２ｃｄをＤ部とし、吊りリード２ｃの一端部２ｃｄと反対側の他端部２ｃｆをＥ部とすると、Ｃ部とＤ部の距離Ｆは、Ｃ部とＥ部の距離Ｇと等しく、さらに吊りリード２ｃのＣ部とＤ部の間の箇所、あるいは中間部２ｃｅのＣ部に、リード群２ｈを成す複数のリード２ｂのうちの少なくとも１本が連結している。本実施の形態のＱＦＮ５では、図６に示すように吊りリード２ｃの中間部２ｃｅのＣ部もしくはＣ部とＤ部の間の箇所に４本のリード２ｂが連結している（繋がっている）。さらに、吊りリード２ｃの中間部２ｃｅのＣ部と他端部２ｃｆのＥ部の間の箇所に他の短い４本のリード２ｂが連結している（繋がっている）。

このように複数の吊りリード２ｃのそれぞれに複数のリード２ｂが繋がっており（連結しており）、これら複数のリード２ｂそれぞれは封止体４の下面４ｂに露出する外部端子部２ｉを有しているため、ＱＦＮ５を実装基板に半田実装する場合には、それぞれの外部端子部２ｉを半田実装することができ、ＱＦＮ５の実装強度を向上させることができる。その結果、ＱＦＮ５の実装信頼性を高めることができる。

また、ＱＦＮ５では、複数のリード２ａから成るリード群２ｇにおける各リード２ａの長さは、複数のリード２ｂから成るリード群２ｈにおける各リード２ｂの長さよりも長い。つまり、リード群２ｇの各リード２ａの長さは、リード群２ｈの各リード２ｂの長さより長い。具体的には、図６に示すように、封止体４の１つの辺の端部付近に配置された４本のリード２ｂのうち、最も中央寄り（リード群２ｇ寄り）に配置された最も長いリード２ｂの吊りリード２ｃとの２つの接点をそれぞれ第１接点Ｈ及び第２接点Ｉとすると、このリード２ｂの隣に配置されたリード２ａのダイパッド２ｄ側の端部Ｊは、リード２ｂの第１接点Ｈと第２接点Ｉのうちの吊りリード２ｃのＤ部により近い第２接点Ｉよりも、さらにダイパッド２ｄの近くに位置している。すなわち、４本のリード２ｂのうち最も長いリード２ｂと比較しても複数のリード２ａのそれぞれは、長さが長くなっている。

したがって、各リード２ａと半導体チップ１との距離が短くなるため、ワイヤ長の低減化を図ることができる。これにより、ＱＦＮ５の高速化を実現することができる。

また、図２及び図３に示すように、それぞれの吊りリード２ｃのアウタ部２ｃａは、封止体４の角部においてその下面（実装面）４ｂから露出している。

これにより、ＱＦＮ５を実装基板に半田実装する場合には、複数のリード２ａや複数のリード２ｂに加えて複数の吊りリード２ｃのそれぞれにおいてもアウタ部２ｃａを半田実装することができ、ＱＦＮ５の実装強度を向上させることができる。

また、図４及び図６に示すように、吊りリード２ｃの他端部２ｃｆ（Ｅ部）を封止体４から露出させることでＱＦＮ５の放熱効果をさらに向上させることができる。

また、複数の吊りリード２ｃのそれぞれに複数のリード２ｂが繋がっている（連結している）ことで、半導体チップ１から発せられる熱のダイパッド２ｄ及び吊りリード２ｃを介した放熱経路を増やすことができ、ＱＦＮ５の放熱性を向上させる（熱抵抗の低減化を図る）ことが可能になる。

なお、ＱＦＮ５では、図５及び図６に示すように、リード群２ｈの各リード２ｂにはワイヤ３が接続されていない。すなわち、ＱＦＮ５では、各リード２ａにはワイヤ３が電気的に接続されているが、各リード２ｂにはワイヤ３は接続されていない。

ここで、ＱＦＮ５において、各リード２ａ及び各リード２ｂ、さらにはダイパッド２ｄや各吊りリード２ｃは、例えば、銅合金から成るが、銅合金以外の鉄−ニッケル合金等から成ってもよく、また、ワイヤ３は、例えば、金線等である。さらに、封止体４は、例えば、エポキシ系樹脂等の封止用樹脂によって形成されている。

次に、本実施の形態のＱＦＮ（半導体装置）５の製造方法について説明する。

図７は図１の半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームのデバイス領域の構造の一例を示す拡大部分平面図と部分断面図、図８は図７のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図９は図７のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図１０は図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す拡大部分平面図、図１１は図１０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図１２は図１０のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

また、図１３は図１の半導体装置の組み立てにおけるワイヤボンディング時の構造の一例を示す拡大部分平面図、図１４は図１３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図１５は図１３のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図１６は図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における金型クランプ時の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図、図１７は図１６のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図１８は図１６のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。

さらに、図１９は図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填初期の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図、図２０は図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填中期の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図、図２１は図２０のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図２２は図２０のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図２３は図１の半導体装置の組み立てのモールド工程における樹脂充填完了時の構造の一例をキャビティ内を透過して示す拡大部分平面図である。

また、図２４は図１の半導体装置の組み立てのメッキ工程におけるメッキ塗布後の構造の一例を示す部分断面図、図２５は図１の半導体装置の組み立てのメッキ工程におけるメッキ塗布後の構造の一例を示す部分断面図である。

まず、図７に示すようなデバイス領域２ｊが複数形成された多連で、かつ薄板状のリードフレーム２を準備する。デバイス領域２ｊは、１つのＱＦＮ５が形成される領域であり、１つのダイパッド２ｄと、このダイパッド２ｄを支持する複数の吊りリード２ｃと、ダイパッド２ｄから離間し、かつダイパッド２ｄの隣に配置された複数のリード２ａと、ダイパッド２ｄから離間し、かつ吊りリード２ｃを支持する複数のリード２ｂと、複数の吊りリード２ｃやリード２ａ，２ｂを支持する枠部２ｋとを有しており、図７では便宜上１つのデバイス領域２ｊしか図示していないが、１枚のリードフレーム２には、複数のデバイス領域２ｊが形成されている。

なお、本実施の形態のリードフレーム２では、４本の吊りリード２ｃのそれぞれにおいて、図６に示すように吊りリード２ｃの中間部２ｃｅのＣ部もしくはＣ部とＤ部の間の箇所に４本のリード２ｂが繋がっており、さらに吊りリード２ｃの中間部２ｃｅのＣ部と他端部２ｃｆのＥ部の間の箇所には他の短い４本のリード２ｂが繋がっている。

また、リード群２ｇにおける各リード２ａの長さは、リード群２ｈにおける各リード２ｂの長さよりも長くなっている。

さらに、各リード２ａ及び各リード２ｂにおいて、外部端子部２ｉとなる箇所以外の部分は、図８に示すように、ハーフエッチングされて外部端子部２ｉの１／２程度の厚さとなっている。

同様に、吊りリード２ｃにおいても、アウタ部２ｃａとなる箇所以外の部分、及びダイパッド２ｄ以外の部分は、図９に示すように、ハーフエッチングされてアウタ部２ｃａやダイパッド２ｄの１／２程度の厚さとなっている。

その後、ダイボンドを行う。ダイボンド工程では、図１０〜図１２に示すように、表面１ａ、表面１ａに形成された複数のボンディングパッド１ｃ、及び表面１ａとは反対側の裏面１ｂを有する半導体チップ１を準備し、この半導体チップ１を、裏面１ｂがダイパッド２ｄの上面２ｅと対向するように、ダイパッド２ｄの上面２ｅに搭載する。

その際、図１１及び図１２に示すように、ダイボンド材６を介して半導体チップ１をダイパッド２ｄの上面２ｅに搭載する。

その後、ワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディング工程では、図１３〜図１５に示すように、半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃと複数のリード２ａを、複数のワイヤ３を介してそれぞれ電気的に接続する。

まず、図１４に示すように、半導体チップ１が搭載されたリードフレーム２をステージ７ａ上に配置する。その際、ステージ７ａは、例えば、２３０℃程度に加熱されている。その後、複数の吊りリード２ｃのそれぞれのアウタ部（一部）２ｃａ、複数のリード２ａのそれぞれの外部端子部（一部）２ｉ、及び複数のリード２ｂのそれぞれの外部端子部（一部）２ｉを、押え用の治具７ｂとステージ７ａとでクランプした状態でワイヤボンディングを行う。

すなわち、図１３に示すように、リードフレーム２に設けられたデバイス領域２ｊの周縁部（図１３のハッチングで示すＫ部）であり、図１４に示すリード２ａにおける外部端子となる部分（封止体の下面から露出する面を有する外部端子部（厚い部分）２ｉ）、及び図１５に示す吊りリード２ｃにおけるアウタ部（厚い部分）２ｃａを治具７ｂとステージ７ａでクランプした状態でワイヤボンディングを行う。

詳しく説明すると、図７、図１３〜図１５に示すように、複数の吊りリード２ｃ、複数のリード２ａ及び複数のリード２ｂは、それぞれ厚み部分（第１厚み部分）２ａｂ，２ｂｂ，２ｃｂと、これら厚み部分２ａｂ，２ｂｂ，２ｃｂより薄い厚み部分（第２厚み部分）２ａｃ，２ｂｃ，２ｃｃとをそれぞれ有しており、複数の吊りリード２ｃのそれぞれの厚み部分２ｃｂ、複数のリード２ａのそれぞれの厚み部分２ａｂ、及び複数のリード２ｂのそれぞれの厚み部分２ｂｂを治具７ｂとステージ７ａとでクランプした状態でワイヤボンディングを行う。

ワイヤボンディングでは、図１４に示すように、まず、キャピラリ７ｃを用いて半導体チップ１のボンディングパッド１ｃにワイヤ３を接続し、その後、ワイヤ３をリード２ａに接続して半導体チップ１のボンディングパッド１ｃとリード２ａとをワイヤ３を介して電気的に接続する。

詳細に説明すると、例えば２３０℃に加熱されたステージ７ａ上にリードフレーム２を配置し、このリードフレーム２のデバイス領域２ｊの周縁部（図１３のハッチングで示すＫ部）をクランプした状態でワイヤボンディングを行う。そのため、リードフレーム２も高温状態になり、リード２ａおよび吊りリード２ｃのそれぞれは、その延在方向に沿って、かつデバイス領域２ｊの中央部側（クランプされた部分とは反対側の部分側）に向かって膨張する。このとき、リード２ａの先端部（クランプされている部分とは反対側の部分）はダイパッド２ｄなどと繋がっていないため、このリード２ａは撓むことなく膨張することができる。一方、吊りリード２ｃについては、治具７ｂでクランプされた部分と反対側の端部がダイパッド２ｄと繋がっている（ダイパッド２ｄを介して対向する位置に設けられた吊りリード２ｃもダイパッド２ｄ（デバイス領域２ｊの中央部）側に向かって膨張する）ため、撓み易くなる。

しかしながら、本実施の形態のＱＦＮ５の組み立てでは、長い吊りリード２ｃのダイパッド２ｄに近い箇所、すなわち、図６に示すように、吊りリード２ｃの中間部２ｃｅのＣ部もしくはＣ部とＤ部の間の箇所に４本のリード２ｂが繋がっており、これら４本のリード２ｂによって吊りリード２ｃのダイパッド２ｄに近い箇所が支持されているため、膨張による吊りリード２ｃの撓みを抑制することができる。

さらに、吊りリード２ｃの撓みを抑制することができるため、吊りリード２ｃによって支持されたダイパッド２ｄの厚さ方向の位置ずれを抑制することができる。その結果、ダイパッド２ｄに搭載されている半導体チップ１にワイヤボンディングを行う際のボンディング性を高めることができる。

また、ワイヤボンディング時に、吊りリード２ｃに繋がる複数のリード２ｂにおいて、厚さの厚い外部端子部２ｉに相当する厚み部分２ｂｂを治具７ｂによってクランプするため、複数のリード２ｂを確実に押さえることができ、ワイヤボンディング時の吊りリード２ｃのばたつきや撓みを確実に抑制できる。

ワイヤボンディング終了後、樹脂モールドを行う。モールド工程では、ダイパッド２ｄの上面２ｅとは反対側の下面２ｆ、複数の吊りリード２ｃのそれぞれのアウタ部（一部）２ｃａ及び複数のリード２ａ，２ｂのそれぞれの外部端子部（一部）２ｉが露出するように、半導体チップ１、複数のワイヤ３を図１９に示す封止用の樹脂１０で封止して図１の封止体４を形成する。

モールド工程では、図１７及び図１８に示すような一対を成す上型（第１金型）８と下型（第２金型）９を備えた樹脂成形金型を用いてモールドを行う。上型８には、封止体４を形成する凹部であるキャビティ部８ａや、樹脂１０をキャビティ部８ａに供給する際の注入口であるゲート部８ｂ、さらにはキャビティ部８ａの空気抜き用の通路となるエアベント部８ｃ等が形成されている。なお、エアベント部８ｃは、図１８に示すようにキャビティ部８ａに連通して少なくともゲート部８ｂと対向する角部に形成されていることが好ましいが、キャビティ部８ａの他の２箇所の角部にも形成されていてもよい。

モールドの際には、まず、図１７に示すように、複数のワイヤ３が形成され、かつ半導体チップ１が搭載されたリードフレーム２を、キャビティ部８ａを有する上型８と、上型８と対向する下型９の間に配置し、その後、図７、図１７及び図１８に示すように、複数の吊りリード２ｃのそれぞれの厚み部分（一部）２ｃｂ、複数のリード２ａのそれぞれの厚み部分（一部）２ａｂ、および複数のリード２ｂのそれぞれの厚み部分（一部）２ｂｂを上型８と下型９とでクランプする。

すなわち、図１６に示すように、リードフレーム２に設けられた図７のデバイス領域２ｊの周縁部（図１６のハッチングで示すＬ部）であり、図１７に示すリード２ａにおける外部端子となる部分（外部端子部（厚み部分２ａｂ）２ｉ）、及び図１８に示す吊りリード２ｃにおけるアウタ部（厚い部分）２ｃａを上型８と下型９でクランプした状態でモールドを行う。

言い換えると、図７、図１６〜図１８に示すように、複数の吊りリード２ｃのゲート部８ｂ及びエアベント部８ｃ以外の厚み部分２ｃｂ、複数のリード２ａのそれぞれの厚み部分２ａｂ、及び複数のリード２ｂのそれぞれの厚み部分２ｂｂを上型８と下型９とでクランプし、この状態でキャビティ部（上型８と下型９をクランプすることで形成される空間部）８ａ内に樹脂１０を供給する。

なお、上型８と下型９は、例えば、１７０℃程度に加熱されており、上型８と下型９によってクランプされたリードフレーム２も高温状態となる。

また、モールド時のリードフレーム２のクランプ箇所は、図１６に示すＬ部であるが、ワイヤボンディング時のクランプ箇所（図１３のＫ部）よりも僅かに外側の位置をクランプしている。すなわち、ワイヤボンディングとモールドでは、リード２ａの同じ厚み部分２ａｂをクランプするにしてもそのクランプ箇所が内側寄りか外側寄りかで異なっている。ワイヤボンディング時には、リード２ａに対するボンディング性を高めるためになるべくリード２ａのボンディング箇所に近い厚み部分２ａｂ、つまり厚み部分２ａｂの内側寄りをクランプしており、一方、モールド時には、ＱＦＮ５の外形サイズにより厚み部分２ａｂの外側寄りをクランプしている。

したがって、クランプ箇所からデバイス領域２ｊの中央部に向けて延在する吊りリード２ｃの長さは、モールド時の方がワイヤボンディング時より長いため、リード２ａおよび吊りリード２ｃが膨張した場合には、モールド時の方がさらに吊りリード２ｃが撓み易い。

上記クランプ状態でキャビティ部８ａ内に樹脂１０を供給して封止体４を形成する。

樹脂１０のキャビティ部８ａ内への供給は、図１８に示すゲート部８ｂを介して行う。図１９に示すように、キャビティ部８ａ内に供給された樹脂１０は、流れＭとなってキャビティ部８ａに拡散していく。

さらに、図２０に示すように樹脂１０は、流れＮとなって拡散してキャビティ部８ａ内の角部まで充填し、図２１及び図２２に示すように半導体チップ上部や各リード上部を充填する。その後、樹脂１０は、図２３に示す流れＰとなって図２２に示すゲート部８ｂに対向するエアベント部８ｃが形成された角部を充填してキャビティ部８ａへの充填を完了する。その際、キャビティ部８ａ内の空気をエアベント部８ｃを介して押し出しながらキャビティ部８ａ内への樹脂１０の充填を完了する。

本実施の形態のＱＦＮ５では、ワイヤ長の低減化が図られているため、モールド工程において樹脂１０によるワイヤ流れの発生を抑制することができる。

また、長い吊りリード２ｃのダイパッド２ｄに近い箇所、すなわち、図６に示すように、吊りリード２ｃの中間部２ｃｅのＣ部もしくはＣ部とＤ部の間の箇所に４本のリード２ｂが繋がっており、これら４本のリード２ｂによって吊りリード２ｃのダイパッド２ｄに近い箇所が支持されているため、モールド工程においても膨張による吊りリード２ｃの撓みを抑制することができる。特に、モールド時には、各リードの厚み部分２ａｂの外側寄りを上型８と下型９でクランプしており、クランプ箇所からデバイス領域２ｊの中央部に向けて延在する吊りリード２ｃの長さは、ワイヤボンディング時より長くなって吊りリード２ｃが撓み易い状態となっているが、本実施の形態では、吊りリード２ｃの中間部２ｃｅよりダイパッド２ｄに近い位置に複数のリード２ｂが繋がって吊りリード２ｃを支持していることで、吊りリード２ｃが撓み易いモールド工程であっても、吊りリード２ｃの撓みを抑制することができる。

また、吊りリード２ｃの撓みを抑制することができるため、ダイパッド２ｄの下面２ｆが封止体４で覆われることなく、確実に露出させることができ、ＱＦＮ５の放熱性を向上させることができる。

これにより、半導体チップ１の誤動作を抑制することができ、ＱＦＮ５の信頼性を向上させることができる。

なお、吊りリード２ｃに複数のリード２ｂを繋げることで、吊りリード２ｃの支持強度がさらに高くなるため、吊りリード２ｃが撓むことをさらに抑制することができる。

また、吊りリード２ｃに複数のリード２ｂを繋げることで、デバイス領域２ｊ内におけるリード２ｂの粗密領域を低減することができ、供給された樹脂１０の流動性（流速）の安定化を図ることができる。

なお、本実施の形態のモールド工程では、図１７に示すように、下型９上にフィルムを配置しないで、直接、リードフレーム２を下型９上に配置してモールドを行う場合を説明したが、下型９上にフィルムを配置し、そのフィルム上にリードフレーム２を配置してモールドを行ってもよく、フィルム上にリードフレーム２を配置してモールドを行うことで、リードフレーム２の裏面側にレジンバリが形成されることを低減できる。また、フィルムを使用する場合に、フィルムは接着材（接着層）を有していても有していなくてもどちらでもよいが、接着材を有している場合には、リードフレーム２との密着性が高まるため、レジンバリの形成をさらに抑制することができる。一方、接着材を有していない場合には、フィルムのコストの低減化を図ることができるとともに、ワイヤボンディングにおけるボンディング性への影響を抑制できる。

また、本実施の形態では、ワイヤボンディング工程とモールド工程において、リードフレーム２をクランプし、かつ熱を加えていることで、長い吊りリード２ｃが膨張して撓み易い状態となっており、したがって、長い吊りリード２ｃの中間部２ｃｅもしくは中間部２ｃｅからダイパッド２ｄに近い箇所を複数のリード２ｂで支持する本実施の形態の対策が非常に有効であることを説明した。ただし、熱を加えることなく単にリードフレーム２をクランプしただけの場合であっても、吊りリード２ｃが長い場合には吊りリード２ｃの撓みは発生し、ダイパッド２ｄの位置ずれを引き起こすことから、リードフレーム２をクランプしただけの場合においても、本実施の形態の吊りリード２ｃの中間部２ｃｅもしくは中間部２ｃｅからダイパッド２ｄに近い箇所を複数のリード２ｂで支持することは有効である。

また、本実施の形態で使用するリードフレーム２は、例えば銅（Ｃｕ）合金から成る板材であるが、銅合金以外の鉄（Ｆｅ）系の合金等からなる板材であってもよい。ここで、銅の膨張係数は、鉄よりも大きいため、本実施の形態の吊りリード２ｃの中間部２ｃｅもしくは中間部２ｃｅからダイパッド２ｄに近い箇所を複数のリード２ｂで支持することは、銅合金から成るリードフレーム２を用いた場合に、より有効である。

モールド完了後はメッキ工程におけるメッキ処理を行う。ここでは、図２４及び図２５に示すように、封止体４から露出したダイパッド２ｄやリード部分にメッキ膜１１を形成する。

すなわち、封止体４の下面４ｂから露出したダイパッド２ｄの下面２ｆや、リード２ａ及びリード２ｂの外部端子部２ｉや吊りリード２ｃのアウタ部２ｃａに外装用のメッキ膜１１（例えば、はんだメッキ等）を形成する。

その後、マーク工程におけるマークの形成を行う。ここでは、封止体４の表面に、例えば、管理番号等の所定のマークをレーザー等によって形成する。

マーク工程後、切断工程におけるリード切断を行い、ＱＦＮ（半導体装置）５の組み立て完了となる。切断工程では、封止体４から露出する複数の吊りリード２ｃ及び複数のリード２ａ，２ｂを切断して各パッケージへの個片化を行う。

次に、本実施の形態の変形例について説明する。

図２６及び図２７はそれぞれ本発明の実施の形態の変形例１，２の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図２８は本発明の実施の形態の変形例３の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図及び部分裏面図、図２９は本発明の実施の形態の変形例４の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図３０は本発明の実施の形態の変形例５の半導体装置の構造を封止体を透過して示す拡大部分平面図、図３１は図３０の半導体装置の構造を示す拡大部分裏面図である。さらに、図３２は本発明の実施の形態の変形例６の半導体装置の構造を封止体を透過して示す拡大部分平面図、図３３は本発明の実施の形態の変形例７の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図、図３４は本発明の実施の形態の変形例８の半導体装置の構造を封止体を透過して示す平面図である。

図２６に示す変形例１の半導体装置は、図１のＱＦＮ５と同様の構造のＱＦＮ１２であるが、ＱＦＮ５との相違点は、リード群２ｇにおける複数のリード２ａの長さが種々異なっている点であり、封止体４の１つの辺における複数のリード２ａのそれぞれの長さが、複数のリード２ａの配列の中央に向かうにつれて徐々に短くなっていることである。すなわち、封止体４の１つの辺における複数のリード２ａのうち、最もリード２ｂ側（または吊りリード２ｃ側）に配置された両端のリード２ａが、その長さが他のリード２ａより長くなっている。

これは、各リード２ａ，２ｂにおいてそれぞれに対応するボンディングパッド１ｃとの距離の均等化を図って接続される各ワイヤ３の等長化を図ることで、各ワイヤ３のインピーダンス成分のばらつきを抑えるものである。

このようなＱＦＮ１２において、封止体４の１つの辺における複数のリード２ａのうち、最もリード２ｂ側に配置された両端のリード２ａの長さは、リード群２ｈにおけるリード２ｂの長さよりも長くなっており、ワイヤ長の低減化が図られている。

なお、変形例１のＱＦＮ１２においても、図６に示すＱＦＮ５の構造と同様の構造を有している。すなわち、複数の吊りリード２ｃのそれぞれにおいて、吊りリード２ｃの中間部２ｃｅもしくは中間部２ｃｅからダイパッド２ｄに近い箇所が複数のリード２ｂによって支持されており、これにより、複数の吊りリード２ｃのそれぞれの撓みを抑制することができる。

ＱＦＮ１２によって得られるその他の効果は、ＱＦＮ５と同様である。

次に、図２７に示す変形例２の半導体装置は、前述の変形例１のＱＦＮ１２と同様の構造のＱＦＮ１３であり、ワイヤ３の等長化が図られた構造の半導体装置であるが、ＱＦＮ１２との相違点は、複数のリード２ａのうち吊りリード２ｃ側に配置されたリード２ａの先端が、複数のリード２ａの配列の中央に向いた屈曲部２ｍを有している点である。

すなわち、封止体４の１つの辺における複数のリード２ａのうち、中央部よりも吊りリード２ｃ側に配置された１つもしくは複数のリード２ａに対して、その先端部をダイパッド２ｄに向けて屈曲させたものである。つまり、ワイヤ３の延在方向に対してリード２ａの延在方向が大きい角度で交差するリード２ａについて、そのリード２ａの先端の屈曲方向とワイヤ３の延在方向とが揃うようにしたものであり、これにより、ワイヤ３とリード２ａの接合性を向上させることができる。

なお、ＱＦＮ１３によって得られるその他の効果は、ＱＦＮ１２と同様である。

次に、図２８に示す変形例３の半導体装置は、図１のＱＦＮ５と同様の構造のＱＦＮ１４であるが、ＱＦＮ５との相違点は、複数のリード２ａのうち、封止体４の下面４ｂから露出するリード２ａそれぞれの外部端子部２ｉが千鳥配置となっている点である。

すなわち、複数のリード２ａのうち、封止体４の下面４ｂから露出する複数の外部端子部２ｉを千鳥配置とすることで、ＱＦＮ本体の大きさを同じとすると端子数を増やすことができ、また、端子数を同じとするとＱＦＮ本体の平面視の大きさを小型化することができる。

また、各リード２ａにおいて、封止体４から露出する外部端子部２ｉ以外の部分の幅を細くしてもよく、これによって、隣り合うリード間距離を増やすことも可能である。

なお、ＱＦＮ１４によって得られるその他の効果は、ＱＦＮ５と同様である。

次に、図２９に示す変形例４の半導体装置は、図１のＱＦＮ５と同様の構造のＱＦＮ１５であるが、ＱＦＮ５との相違点は、複数のリード２ａ，２ｂにおいて、それぞれのアウタ部２ａａ，２ｂａが封止体４の側面４ａから突出した構造を有している点である。

すなわち、複数のリード２ａ及び複数のリード２ｂのそれぞれが、封止体４の下面４ｂ（図２参照）から露出しているとともに、加えてそれぞれのリード２ａ，２ｂの一部が封止体４の側面４ａから突出した（迫り出した）構造となっている。さらに、各リード２ａ，２ｂの前記突出した部分では、隣り合ったリード間に封止体４は形成されない構造となっている。

したがって、封止体４の側面４ａから各リード２ａ，２ｂのアウタ部２ａａ，２ｂａが突出するとともに、この突出した部分の隣り合ったリード間に封止体４が形成されないため、ＱＦＮ１５を実装基板等に半田実装した際に、半田フィレット（半田の濡れ上がり部分）が形成される面積を増やすことができ、ＱＦＮ１５の実装強度を高めることができる。

ここで、ＱＦＮ１５の定義としては、複数のリード２ａ，２ｂにおいてそれぞれのアウタ部２ａａ，２ｂａが封止体４の側面４ａから突出していることと、各リード２ａ，２ｂの封止体４から突出した部分の隣り合ったリード間に封止体４が形成されていないことであり、その際の各リード２ａ，２ｂの封止体４の側面４ａからの突出量（迫り出し量）Ｔは、少なくとも０．１ｍｍ以上あればよい。

なお、理想としては、０．３ｍｍ≦Ｔ＜０．５ｍｍである。前記下限値の０．３ｍｍは、ＱＦＮのリード実装面（封止体の下面から露出する面）の長さ（リードの延在方向に沿った辺の長さ）に相当しており、このリードの実装面の長さは、ＪＥＩＴＡ（Japan Electronics and Information Technology Industries Association）規格に基づいている。一方、前記上限値については、ＱＦＮ１５はＱＦＰ（Quad Flat Package)よりも小型の半導体装置（パッケージ）であることを考慮し、ＱＦＰにおけるリードの突出量（アウタリードの折り曲げ部も含む）の長さ（ＪＥＩＴＡ規格では１ｍｍ）の１／２（０．５ｍｍ）未満としたものである。

なお、ＱＦＮ１５によって得られるその他の効果は、ＱＦＮ５と同様である。

次に、図３０及び図３１に示す変形例５の半導体装置は、図１のＱＦＮ５と同様の構造のＱＦＮ１６であるが、ＱＦＮ５との相違点は、吊りリード２ｃの一部が、図３１に示すように封止体４の下面４ｂから露出するとともに、前記露出する部分の幅は、図３０に示すように吊りリード２ｃの前記露出する部分以外の部分の幅よりも大きい点である。

すなわち、吊りリード２ｃの封止体４の角部に相当する箇所（一部）に、吊りリード２ｃの露出する部分以外の部分よりも大きい幅の放熱用のフィン２ｎが形成されており、フィン２ｎは、図３１に示すように、封止体４の下面４ｂに露出するとともに、その露出する部分の幅が露出しない部分の幅よりも幅広の形状となっている。

これにより、ＱＦＮ１６の放熱性をさらに高めることができる。

なお、ＱＦＮ１６によって得られるその他の効果は、ＱＦＮ５と同様である。

また、フィン２ｎは、封止体４の角部から突出した構造であってもよい。

次に、図３２に示す変形例６の半導体装置は、図１のＱＦＮ５と同様の構造のＱＦＮ１７であるが、ＱＦＮ５との相違点は、吊りリード２ｃにワイヤ３が電気的に接続されている点である。

すなわち、図１に示すＱＦＮ５では、吊りリード２ｃ、複数のリード２ｂ及びダイパッド２ｄには、ワイヤ３を接続しない場合について説明したが、基準電位を強化する場合は、吊りリード２ｃや複数のリード２ｂさらにはダイパッド２ｄにワイヤ３を接続してもよいし、また、前述のように吊りリード２ｃ、複数のリード２ｂもしくはダイパッド２ｄにワイヤ３を接続する場合には、図３２のＱＦＮ１７のように吊りリード２ｃの一部にボンディングエリア２ｐを形成しておいて、このボンディングエリア２ｐにワイヤ３を接続してもよい。

なお、ＱＦＮ１７によって得られるその他の効果は、ＱＦＮ５と同様である。

次に、図３３に示す変形例７の半導体装置は、図１のＱＦＮ５と同様の構造のＱＦＮ１８であるが、ＱＦＮ５との相違点は、各リード２ａの長さが短い点である。

つまり、複数のリード２ａのそれぞれの長さが短いＱＦＮ構造となっている。

ただし、ＱＦＮ１８においても、図６に示す吊りリード２ｃ及び複数のリード２ｂの構造は同様の構造を有している。つまり、複数の吊りリード２ｃのそれぞれにおいて、吊りリード２ｃの中間部２ｃｅもしくは中間部２ｃｅからダイパッド２ｄに近い箇所が複数のリード２ｂによって支持されており、これにより、ＱＦＮ１８においても複数の吊りリード２ｃのそれぞれの撓みを抑制することができる。

なお、ＱＦＮ１８によって得られるその他の効果は、ＱＦＮ５と同様である。

次に、図３４に示す変形例８の半導体装置は、図１のＱＦＮ５と同様の構造のＱＦＮ１９であるが、ＱＦＮ５との相違点は、吊りリード２ｃが、封止体４の角部において分岐している点である。すなわち、複数の吊りリード２ｃのそれぞれが、封止体４の角部において分岐しており、封止体４の角部には露出していない構造となっている。

なお、ＱＦＮ１９を製造するために使用するリードフレームは、複数のデバイス領域２ｊを有しており、モールド工程では、この複数のデバイス領域２ｊを１つのキャビティ部で覆った状態で樹脂をこのキャビティ部内に供給し、複数のデバイス領域２ｊを一括して封止している。

したがって、複数の吊りリード２ｃのそれぞれが封止体４の角部には露出していないため、リード切断時の封止体４の角部でのパッケージクラックの発生を防止することができる。

さらに、ＱＦＮ１９においても、図６に示す吊りリード２ｃ及び複数のリード２ｂの構造は同様の構造を有している。したがって、ＱＦＮ１９においても複数の吊りリード２ｃのそれぞれの撓みを抑制することができる。

なお、ＱＦＮ１９によって得られるその他の効果は、ＱＦＮ５と同様である。

以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

例えば、前記実施の形態では、各ＱＦＮの複数の吊りリード２ｃのそれぞれにおいて、図６に示す吊りリード２ｃの中間部２ｃｅもしくは中間部２ｃｅからダイパッド２ｄに近い箇所が４本のリード２ｂによって支持されている場合を説明したが、複数の吊りリード２ｃのそれぞれは、吊りリード２ｃの中間部２ｃｅもしくは中間部２ｃｅからダイパッド２ｄに近い箇所に、複数のリード２ｂのうちの少なくとも１本のリード２ｂが繋がって（連結して）いればよく、この場合においても吊りリード２ｃの撓みを抑制することが可能である。

本発明は、リードフレームを用いて組み立てられる半導体装置に利用可能である。

１ 半導体チップ
１ａ 表面
１ｂ 裏面
１ｃ ボンディングパッド
２ リードフレーム
２ａ リード
２ａａ アウタ部
２ａｂ，２ａｃ 厚み部分
２ｂ リード
２ｂａ アウタ部
２ｂｂ，２ｂｃ 厚み部分
２ｃ 吊りリード
２ｃａ アウタ部
２ｃｂ，２ｃｃ 厚み部分
２ｃｄ 一端部
２ｃｅ 中間部
２ｃｆ 他端部
２ｄ ダイパッド（チップ搭載部）
２ｅ 上面
２ｆ 下面
２ｇ，２ｈ リード群
２ｉ 外部端子部
２ｊ デバイス領域
２ｋ 枠部
２ｍ 屈曲部
２ｎ フィン
２ｐ ボンディングエリア
３ ワイヤ
４ 封止体
４ａ 側面
４ｂ 下面
５ ＱＦＮ（半導体装置）
６ ダイボンド材
７ａ ステージ
７ｂ 治具
７ｃ キャピラリ
８ 上型
８ａ キャビティ部（凹部）
８ｂ ゲート部
８ｃ エアベント部
９ 下型
１０ 樹脂
１１ メッキ膜
１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１９ ＱＦＮ（半導体装置）

Claims (16)

1. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
   （ａ）ダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記ダイパッドの隣に配置された複数の第１リードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記吊りリードを支持する複数の第２リードとを有するリードフレームを準備する工程；
   （ｂ）前記（ａ）工程の後、表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記裏面が前記ダイパッドの上面と対向するように、前記ダイパッドの前記上面に搭載する工程；
   （ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記複数のボンディングパッドと前記複数の第１リードを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
   （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを、凹部を有する第１金型と、前記第１金型と対向する第２金型の間に配置し、前記複数の吊りリードのそれぞれの一部、前記複数の第１リードのそれぞれの一部、および前記複数の第２リードのそれぞれの一部を前記第１金型と前記第２金型でクランプし、前記凹部内に樹脂を供給することで、前記ダイパッドの前記上面とは反対側の下面、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記一部、前記複数の第１リードのそれぞれの前記一部、および前記複数の第２リードのそれぞれの前記一部が露出するように、前記半導体チップ、前記複数のワイヤを樹脂で封止して封止体を形成する工程；
   ここで、
   前記封止体の平面形状は、四角形からなり、
   前記複数の吊りリードは、平面視において、前記ダイパッドから前記封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、
   前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記ダイパッドと連結する一端部と、前記一端部とは反対側の他端部と、前記一端部と前記他端部の中間に位置する中間部とを有し、
   前記複数の第２リードの何れかは、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記中間部よりも前記ダイパッド側、あるいは、前記中間部に連結している。
2. 請求項１において、
   前記複数の第１リードから成る第１リード群における各第１リードの長さは、前記複数の第２リードから成る第２リード群における各第２リードの長さよりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２において、
   前記第１リード群における前記複数の第１リードの長さが種々異なっており、前記第１リード群において最も吊りリード側に位置する第１リードの長さは、前記第２リード群における各第２リードの長さよりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１において、
   前記第２リード群の各第２リードに前記ワイヤが接続されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項１において、
   前記第２リード群の前記複数の第２リードのいずれかに前記ワイヤが接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項１において、
   前記吊りリードは、前記封止体の前記角部まで延在しており、前記吊りリードの一部は、前記封止体の下面から露出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項１において、
   前記吊りリードは、前記封止体の前記角部まで延在しており、前記吊りリードの一部は、前記封止体の下面から露出し、さらに前記露出する部分の幅は、前記吊りリードの前記露出する部分以外の部分の幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１において、
   前記吊りリードは、前記封止体の前記角部において分岐していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 請求項１において、
   前記複数の第１リードそれぞれの前記封止体の下面から露出する外部端子部は千鳥配置であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
10. 請求項１において、
    前記複数の第１リードおよび前記複数の第２リードそれぞれのアウタ部は前記封止体の側面から突出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
11. 請求項１において、
    前記複数の吊りリード、前記複数の第１リードおよび前記複数の第２リードは、それぞれ第１厚み部分と前記第１厚み部分より薄い第２厚み部分とを有し、
    前記（ｄ）工程で、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記第１厚み部分、前記複数の第１リードのそれぞれの前記第１厚み部分、および前記複数の第２リードのそれぞれの前記第１厚み部分を前記第１金型と前記第２金型でクランプした状態で、前記凹部内に前記樹脂を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12. 以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
    （ａ）ダイパッドと、前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記ダイパッドの隣に配置された複数の第１リードと、前記ダイパッドから離間し、かつ前記吊りリードを支持する複数の第２リードとを有するリードフレームを準備する工程；
    （ｂ）前記（ａ）工程の後、表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記裏面が前記ダイパッドの上面と対向するように、前記ダイパッドの前記上面に搭載する工程；
    （ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップが搭載された前記リードフレームをステージ上に配置し、前記複数の吊りリードのそれぞれの一部、前記複数の第１リードのそれぞれの一部、および前記複数の第２リードのそれぞれの一部を治具と前記ステージでクランプし、前記複数のボンディングパッドと前記複数の第１リードを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程；
    （ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記ダイパッドの前記上面とは反対側の下面、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記一部、前記複数の第１リードのそれぞれの前記一部、および前記複数の第２リードのそれぞれの前記一部が露出するように、前記半導体チップ、前記複数のワイヤを樹脂で封止して封止体を形成する工程；
    ここで、
    前記封止体の平面形状は、四角形からなり、
    前記複数の吊りリードは、平面視において、前記ダイパッドから前記封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、
    前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記ダイパッドと連結する一端部と、前記一端部とは反対側の他端部と、前記一端部と前記他端部の中間に位置する中間部とを有し、
    前記複数の第２リードの何れかは、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記中間部よりも前記ダイパッド側、あるいは、前記中間部に連結している。
13. 請求項１２において、
    前記複数の第１リードから成る第１リード群における各第１リードの長さは、前記複数の第２リードから成る第２リード群における各第２リードの長さよりも長いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
14. 請求項１２において、
    前記吊りリードは、前記封止体の前記角部まで延在しており、前記吊りリードの一部は、前記封止体の下面から露出していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
15. 請求項１２において、
    前記複数の吊りリード、前記複数の第１リードおよび前記複数の第２リードは、それぞれ第１厚み部分と前記第１厚み部分より薄い第２厚み部分とを有し、
    前記（ｃ）工程で、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記第１厚み部分、前記複数の第１リードのそれぞれの前記第１厚み部分、および前記複数の第２リードのそれぞれの前記第１厚み部分を前記治具と前記ステージでクランプした状態で、前記複数のボンディングパッドと前記複数の第１リードを、複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
16. ダイパッドと、
    前記ダイパッドを支持する複数の吊りリードと、
    前記ダイパッドから離間し、かつ前記ダイパッドの隣に配置された複数の第１リードと、
    前記ダイパッドから離間し、かつ前記吊りリードを支持する複数の第２リードと、
    表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記ダイパッドの上面と対向するように前記ダイパッドの前記上面に搭載された半導体チップと、
    前記複数のボンディングパッドと前記複数の第１リードを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
    前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、
    を含み、
    前記ダイパッドの前記上面とは反対側の下面、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記一部、前記複数の第１リードのそれぞれの前記一部、および前記複数の第２リードのそれぞれの前記一部は前記封止体から露出し、
    前記封止体の平面形状は、四角形からなり、
    前記複数の吊りリードは、平面視において、前記ダイパッドから前記封止体の複数の角部に向かってそれぞれ延在しており、
    前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記ダイパッドと連結する一端部と、前記一端部とは反対側の他端部と、前記一端部と前記他端部の中間に位置する中間部を有し、
    前記複数の第２リードの何れかは、前記複数の吊りリードのそれぞれの前記中間部よりも前記ダイパッド側、あるいは、前記中間部に連結していることを特徴とする半導体装置。

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