JPS5963735A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- B29C70/68—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts by incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or layers, e.g. foam blocks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置たとえば樹脂モールドしたパワートランジス
タでは半導体チップ（以下単にチップと言う。）をのせ
たリードフレームを樹脂モールドによるパッケージの表
面Ｋｊｌ呈させ、チップからの熱をこの露呈したリード
フレーム（これを放熱部と呼ぶ。）から放散するように
している。このような招成の半導体装置は従来でＦｉ第
１図に示すように製造していた。同図において１．２は
対をなすモールド用の金型（ここでは仮りに１を下金型
２ｆ上金型と呼ぶことにする。）、３ｆ′ｉチツプ、４
はチップ５がダイボンディングされである放熱部４Ａと
一体の１１−ド、５ＪＩ′ｉリード、６はチップ３と化 リード５とを接続する全線のようなワイヤである。
タでは半導体チップ（以下単にチップと言う。）をのせ
たリードフレームを樹脂モールドによるパッケージの表
面Ｋｊｌ呈させ、チップからの熱をこの露呈したリード
フレーム（これを放熱部と呼ぶ。）から放散するように
している。このような招成の半導体装置は従来でＦｉ第
１図に示すように製造していた。同図において１．２は
対をなすモールド用の金型（ここでは仮りに１を下金型
２ｆ上金型と呼ぶことにする。）、３ｆ′ｉチツプ、４
はチップ５がダイボンディングされである放熱部４Ａと
一体の１１−ド、５ＪＩ′ｉリード、６はチップ３と化 リード５とを接続する全線のようなワイヤである。
トランジスタの製作に際しては、チップ６を表■１１に
としけた放熱部４Ａを下金型１の底面１Ａにのせ、この
下金型１に上金型２を重ねる。この重ね合わせ部から各
リード４．５を外部に導出する。
としけた放熱部４Ａを下金型１の底面１Ａにのせ、この
下金型１に上金型２を重ねる。この重ね合わせ部から各
リード４．５を外部に導出する。
そして両全型１，２間や空、置部にモールド用の樹脂を
注入する。ところでこのような製作過程において、注入
された樹脂が底面１Ａと放熱部４Ａとの間の隙間に流れ
こむよう力ことがあると、完成されたあと、放熱部４Ａ
の周囲にパリが生ずるようになり、放熱効果が損なわれ
るし、商品価値が下がる。そのためこのように放熱部４
Ａの周囲にパリができたときはそのパリをその都度剥離
するようにしているが、このような工程が加わることは
その作業性を著るしく損なう結果となる。
注入する。ところでこのような製作過程において、注入
された樹脂が底面１Ａと放熱部４Ａとの間の隙間に流れ
こむよう力ことがあると、完成されたあと、放熱部４Ａ
の周囲にパリが生ずるようになり、放熱効果が損なわれ
るし、商品価値が下がる。そのためこのように放熱部４
Ａの周囲にパリができたときはそのパリをその都度剥離
するようにしているが、このような工程が加わることは
その作業性を著るしく損なう結果となる。
このように放熱部４Ａの周囲にパリが生ずるのを防ぐた
めに、放熱部４Ａ−の表面ふ抑圧して底面１Ａに押しつ
けて、放熱部４Ａと底面１Ａ との間に隙間が生じな
いようにすればよい。そこで上金型２を貫通する押しピ
ン８を用意する。９は押しピン８を押付ける押付板、１
０Ｆｉスペーサである。
めに、放熱部４Ａ−の表面ふ抑圧して底面１Ａに押しつ
けて、放熱部４Ａと底面１Ａ との間に隙間が生じな
いようにすればよい。そこで上金型２を貫通する押しピ
ン８を用意する。９は押しピン８を押付ける押付板、１
０Ｆｉスペーサである。
このように押しピン８によって放熱部４Ａをその辰ｌ＝
から押えつければ、放熱部４Ａと底？１ｉＩＡとの間の
隙間の発生は阻止できるようになる。
から押えつければ、放熱部４Ａと底？１ｉＩＡとの間の
隙間の発生は阻止できるようになる。
しかし第１図に示すように先端面を平担とした押しピン
８を使用したとすると、次のような間眺が生ずる。その
第１は放熱部４Ａの淳みにバラツキがある場合である。
８を使用したとすると、次のような間眺が生ずる。その
第１は放熱部４Ａの淳みにバラツキがある場合である。
たとえば放熱部４Ａとして岸み１５ｍｍとした場合、そ
の許容誤差は＋０．０５ ｍｎＬとされている。そこで
押しピン８として厚み１５ｙｍｍの放熱部４Ａを押さえ
こむに必要な長さに設定したとすると、たとえば放熱部
４Ａが（１，５−０，０５＝１．４５ｗＬｙａ）の趣、
みであったとすれば、押しピン８の先端面と放熱部４Ａ
との間にＱ、Ｑ５ｍｙ＋ａの隙間が生ずるようになり、
押しピン８による放熱部４Ａの押さえが不可能となる。
の許容誤差は＋０．０５ ｍｎＬとされている。そこで
押しピン８として厚み１５ｙｍｍの放熱部４Ａを押さえ
こむに必要な長さに設定したとすると、たとえば放熱部
４Ａが（１，５−０，０５＝１．４５ｗＬｙａ）の趣、
みであったとすれば、押しピン８の先端面と放熱部４Ａ
との間にＱ、Ｑ５ｍｙ＋ａの隙間が生ずるようになり、
押しピン８による放熱部４Ａの押さえが不可能となる。
逆に放熱部４Ａが（１，５＋０．０５ ＝ １．５５
ｍｗｌ）の厚みであったとすると、押しピン８が放熱部
４Ａを押さえこんだとき下金型１と止金ｍ２との衝合面
に０．０５ ｍｍのｌ］ｉ４３が生ずるようになり、こ
の隙間の存在により、モールド後の製品の周壁にパリが
生ずるようになる。したがってこのときはこのパリを除
去する工程が必要となってくる。
ｍｗｌ）の厚みであったとすると、押しピン８が放熱部
４Ａを押さえこんだとき下金型１と止金ｍ２との衝合面
に０．０５ ｍｍのｌ］ｉ４３が生ずるようになり、こ
の隙間の存在により、モールド後の製品の周壁にパリが
生ずるようになる。したがってこのときはこのパリを除
去する工程が必要となってくる。
第２の問題社耐湿性の低下である。上記のように押しピ
ン８を設置して樹脂モールドするので、七−ルド後の製
品には押しピン８の跡である孔が形成されることになる
。そしてこの孔の底面に放熱部４Ａの表面が露呈してい
る。上記のように押しピン８として先端面を平坦とした
ものを使用していれば、放熱部４Ａの露呈面積は押しピ
ン８の先端面と同程度の面積となる。そのためこの孔に
湿気がたまったとすると、その湿気と触れる面状は広く
な抄、それだけ湿気により損なわれる恐れがでてくる。
ン８を設置して樹脂モールドするので、七−ルド後の製
品には押しピン８の跡である孔が形成されることになる
。そしてこの孔の底面に放熱部４Ａの表面が露呈してい
る。上記のように押しピン８として先端面を平坦とした
ものを使用していれば、放熱部４Ａの露呈面積は押しピ
ン８の先端面と同程度の面積となる。そのためこの孔に
湿気がたまったとすると、その湿気と触れる面状は広く
な抄、それだけ湿気により損なわれる恐れがでてくる。
。しかもこのように多量の湿気が触れるとすると、ここ
から、放熱部’４Ａ とモールド樹脂との境部を通って
内部に湿気が侵入しやすくなる。
から、放熱部’４Ａ とモールド樹脂との境部を通って
内部に湿気が侵入しやすくなる。
このような湿気が侵入すれｄチップ３１ワイヤ６等が撰
なわれるようになることは明らかでおる。
なわれるようになることは明らかでおる。
この発明は放熱部の周囲、製品の周壁にパリができない
ように半導体装置を製造することを目的とする。
ように半導体装置を製造することを目的とする。
又この発明は耐湿性が損なわれないように半導体装置を
製造することを目的とする。
製造することを目的とする。
この発明は放熱部４Ａを押さえこむ押しピン８として第
２図に示すように先端部８Ａをすい（錐）状としたこと
を特徴とする。押しピノ８として丸棒状のものを使用し
たときは先端部８Ａを円すい状とすればよい、シ、又角
棒状のものを使用したときは角すい状とすればよい。そ
して押しピン８によって放熱部４Ａを金型の内面に押し
つけた状態でパッケージ用の樹脂を注型する。
２図に示すように先端部８Ａをすい（錐）状としたこと
を特徴とする。押しピノ８として丸棒状のものを使用し
たときは先端部８Ａを円すい状とすればよい、シ、又角
棒状のものを使用したときは角すい状とすればよい。そ
して押しピン８によって放熱部４Ａを金型の内面に押し
つけた状態でパッケージ用の樹脂を注型する。
第２図の構成において押しピン８として許容誤差の最小
値分だけ薄い厚み（１，４５ｍｍ）の放熱部４Ａを押さ
えこむに足る長さに設定しておいたとする。
値分だけ薄い厚み（１，４５ｍｍ）の放熱部４Ａを押さ
えこむに足る長さに設定しておいたとする。
今放熱部４Ａが基準厚（１，５１ｙｎｌＬ ）又はこれ
より許容誤差の最大値分だけ厚み（１，５５ｍｆｉ）で
あったとき押しピン８Ｉ／ｉその先端部がすい状とされ
ているため、その先端部が放熱部４Ａの表面にくいこむ
ようになる。このときのくいこみ深さは０．０５〜０．
１ｍｍ程度である。そしてこのくいこみによって放熱部
４ＡＦｉ押しピン８によって充分押さえこまれるように
なる。したがって上下両金型１，２の衝合面に隙間が生
ずる恐れはな、ぐなる。放熱部４Ａが許容誤差の最小値
分だけ薄いときはこの程度の厚みの放熱部４Ａを押さえ
こむのに足る長さに押しピン８が設定されであるから、
その押さえこみは充分である。このようにして放熱部４
Ａとしてその厚みにバラツキがあっても、放熱部４Ａの
押しピン８による押さえこみは確実である。そして放熱
部４Ａの周囲或い祉製品の周壁にパリが生ずるようなこ
とはこれをもって防止することができるように々る。
より許容誤差の最大値分だけ厚み（１，５５ｍｆｉ）で
あったとき押しピン８Ｉ／ｉその先端部がすい状とされ
ているため、その先端部が放熱部４Ａの表面にくいこむ
ようになる。このときのくいこみ深さは０．０５〜０．
１ｍｍ程度である。そしてこのくいこみによって放熱部
４ＡＦｉ押しピン８によって充分押さえこまれるように
なる。したがって上下両金型１，２の衝合面に隙間が生
ずる恐れはな、ぐなる。放熱部４Ａが許容誤差の最小値
分だけ薄いときはこの程度の厚みの放熱部４Ａを押さえ
こむのに足る長さに押しピン８が設定されであるから、
その押さえこみは充分である。このようにして放熱部４
Ａとしてその厚みにバラツキがあっても、放熱部４Ａの
押しピン８による押さえこみは確実である。そして放熱
部４Ａの周囲或い祉製品の周壁にパリが生ずるようなこ
とはこれをもって防止することができるように々る。
一方、モールド後において、樹脂モールドによるパッケ
ージ１２には押しピン８の跡に孔１３が形成されること
になる（嬉４図以降参Ｊｌ＋（。）。しかしこの孔１３
の下端面は、押しピン８の先端部と同形のすい状となる
。そのため押しピン８として先端面を平坦としたものを
使用したときのようにその先端面と同面積分だけ放熱部
４Ａが露呈することはなく、その露呈部分は点又は僅少
な面積分である。これによって孔１３に湿気が入ったと
しても、湿気に接する放熱部４Ａの面積Ｆｉ極〈僅かで
ある。そのためパッケージ１２内に孔１５から湿気が侵
入するのが充分阻止されるようになる。
ージ１２には押しピン８の跡に孔１３が形成されること
になる（嬉４図以降参Ｊｌ＋（。）。しかしこの孔１３
の下端面は、押しピン８の先端部と同形のすい状となる
。そのため押しピン８として先端面を平坦としたものを
使用したときのようにその先端面と同面積分だけ放熱部
４Ａが露呈することはなく、その露呈部分は点又は僅少
な面積分である。これによって孔１３に湿気が入ったと
しても、湿気に接する放熱部４Ａの面積Ｆｉ極〈僅かで
ある。そのためパッケージ１２内に孔１５から湿気が侵
入するのが充分阻止されるようになる。
第２図に示すように押しピン８を第１図と同じく押付板
９で押しつけるようにした場合は、第１図の場合よりも
押しピン８０寸法を高精度とする必要はなくなるが、し
かしなお成る程度の寸法精度が要求される。これを更に
解決したのが第５図である。この構成は押しピン８をバ
ネ１４を介して押付板９で押さえこむようにしである。
９で押しつけるようにした場合は、第１図の場合よりも
押しピン８０寸法を高精度とする必要はなくなるが、し
かしなお成る程度の寸法精度が要求される。これを更に
解決したのが第５図である。この構成は押しピン８をバ
ネ１４を介して押付板９で押さえこむようにしである。
このように押しピン８を弾力的に押さえておくと、放熱
部４Ａの厚みのパラツキに応じて押しピン８は弾力に抗
して上昇し、或いは弾力で下降するようになり、常に放
熱部４Ａを弾力的に押さえこむようＫなる。したがって
押【７ピン８の長さを高精度とする必要はなくなる。な
お放熱部４Ａを上金型２の面に配置し、下方から押しピ
ン８によって押しつけるようにしてもよい。
部４Ａの厚みのパラツキに応じて押しピン８は弾力に抗
して上昇し、或いは弾力で下降するようになり、常に放
熱部４Ａを弾力的に押さえこむようＫなる。したがって
押【７ピン８の長さを高精度とする必要はなくなる。な
お放熱部４Ａを上金型２の面に配置し、下方から押しピ
ン８によって押しつけるようにしてもよい。
第４図乃至第６図祉この発明によって衆作された半導体
装置たとえばパワートランジスタの横断面図、平断面図
及び底面図である。なお図中１５は必要によりパッケー
ジ１２を貫通するように形成された貫通孔で、これはト
ランジスタを配線基板等に設置するときの取付ネジの挿
入に使用する。
装置たとえばパワートランジスタの横断面図、平断面図
及び底面図である。なお図中１５は必要によりパッケー
ジ１２を貫通するように形成された貫通孔で、これはト
ランジスタを配線基板等に設置するときの取付ネジの挿
入に使用する。
以上詳述したようにこの発明によれば、製品の周壁、放
熱板の周囲等にパリが生ずることのないように製造する
ことができ、又得られた製品の耐湿性を向上させること
ができる効果を奏する。
熱板の周囲等にパリが生ずることのないように製造する
ことができ、又得られた製品の耐湿性を向上させること
ができる効果を奏する。
第１図は従来法の説明のための断面図、第２図はこの発
明による製造方法を説明するための断面図、第３図はこ
の発明の他の製造方法を説明するだめの断面図、第４図
はこの発明による製造方法により製造されたトランジス
タの横断面図、第５図は同平断面図、第６図は同底面図
である。 １．２・・・・・金型１３・・・・・半導体チップ１４
・・・・リード、４Ａ 、、、、、放熱部−８・・・・
・押しビニ／１８Ａ００００．先端部、１２ 、、、、
、パッケージ、１４．、、、、ノ（ネ特許出願人 ロー
ム株式会社 代理人中沢謹之助
明による製造方法を説明するための断面図、第３図はこ
の発明の他の製造方法を説明するだめの断面図、第４図
はこの発明による製造方法により製造されたトランジス
タの横断面図、第５図は同平断面図、第６図は同底面図
である。 １．２・・・・・金型１３・・・・・半導体チップ１４
・・・・リード、４Ａ 、、、、、放熱部−８・・・・
・押しビニ／１８Ａ００００．先端部、１２ 、、、、
、パッケージ、１４．、、、、ノ（ネ特許出願人 ロー
ム株式会社 代理人中沢謹之助
Claims (2)
- （１） モールド樹脂からなるパッケージを備え、前
記パッケージの表向に放熱部を露呈せしめてなる半導体
装置の製造方法において、先端をす・い状とした押しビ
ンによって前記放熱部をモールド用の金型の内面に押し
つけた状態で前記パッケージ用のモールド樹脂を注型す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法 - （２） モールド樹脂からなるパッケージを価え、前
記パッケージの表面に放熱部を露呈せしめてなる車 １１１体装置の製造方法において、先端をすい状とした
押しピンによって前記放熱部をモールド用の金型の内面
に弾力的に押しつけた状態で前記パッケージ用のモール
ド樹脂を注型することを特徴とする半導体装置の製造方
法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17485282A JPS5963735A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17485282A JPS5963735A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963735A true JPS5963735A (ja) | 1984-04-11 |
| JPS6244408B2 JPS6244408B2 (ja) | 1987-09-21 |
Family
ID=15985772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17485282A Granted JPS5963735A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963735A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091341A (en) * | 1989-05-22 | 1992-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member |
| US5342569A (en) * | 1992-03-23 | 1994-08-30 | Yoshida Kogyo K.K. | Method of attaching a fastening tape to a molded article |
| EP0850750A2 (de) * | 1996-10-12 | 1998-07-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Körpers, eines Gussrahmens, und eines integriert-optischen Bauteils |
| US7265444B2 (en) | 2003-06-26 | 2007-09-04 | Nec Electronics Corporation | Resin molded semiconductor device |
| WO2008131713A2 (de) * | 2007-04-30 | 2008-11-06 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum herstellen eines festen leistungsmoduls |
| CN102468190A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 一种封装模具及使用该模具的半导体封装工艺 |
| EP2929559A1 (de) * | 2012-12-10 | 2015-10-14 | Robert Bosch GmbH | Verfahren zur herstellung eines schaltmoduls und eines zugehörigen gittermoduls sowie ein zugehöriges gittermodul und korrespondierende elektronische baugruppe |
| JP2016082065A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
| US20160167273A1 (en) * | 2013-01-23 | 2016-06-16 | Microchip Technology Incorporated | Open Cavity Plastic Package |
| US9497876B2 (en) | 2014-04-02 | 2016-11-15 | Brusa Elektronik Ag | Fastening systems for power modules |
| US10882228B2 (en) * | 2016-10-28 | 2021-01-05 | Denso Corporation | Mold for insert molding |
| DE102020104220A1 (de) | 2020-02-18 | 2021-08-19 | Infineon Technologies Ag | Transistor-Outline-Gehäuse und Transistor-Outline-Gehäuseanordnung |
| CN115023056A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-06 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 封装产品的选择性封装方法 |
-
1982
- 1982-10-05 JP JP17485282A patent/JPS5963735A/ja active Granted
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5091341A (en) * | 1989-05-22 | 1992-02-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of sealing semiconductor device with resin by pressing a lead frame to a heat sink using an upper mold pressure member |
| US5342569A (en) * | 1992-03-23 | 1994-08-30 | Yoshida Kogyo K.K. | Method of attaching a fastening tape to a molded article |
| EP0850750A2 (de) * | 1996-10-12 | 1998-07-01 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Körpers, eines Gussrahmens, und eines integriert-optischen Bauteils |
| EP0850750A3 (de) * | 1996-10-12 | 1998-09-30 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Körpers, eines Gussrahmens, und eines integriert-optischen Bauteils |
| US7448861B2 (en) | 2003-06-26 | 2008-11-11 | Nec Electronics Corporation | Resin molded semiconductor device and mold |
| US7265444B2 (en) | 2003-06-26 | 2007-09-04 | Nec Electronics Corporation | Resin molded semiconductor device |
| EP2261971A1 (de) * | 2007-04-30 | 2010-12-15 | Danfoss Silicon Power GmbH | Verfahren zum herstellen eines leistungsmoduls |
| WO2008131713A3 (de) * | 2007-04-30 | 2008-12-31 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum herstellen eines festen leistungsmoduls |
| WO2008131713A2 (de) * | 2007-04-30 | 2008-11-06 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum herstellen eines festen leistungsmoduls |
| CN102468190A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 三星半导体(中国)研究开发有限公司 | 一种封装模具及使用该模具的半导体封装工艺 |
| EP2929559A1 (de) * | 2012-12-10 | 2015-10-14 | Robert Bosch GmbH | Verfahren zur herstellung eines schaltmoduls und eines zugehörigen gittermoduls sowie ein zugehöriges gittermodul und korrespondierende elektronische baugruppe |
| US20160167273A1 (en) * | 2013-01-23 | 2016-06-16 | Microchip Technology Incorporated | Open Cavity Plastic Package |
| US9630352B2 (en) * | 2013-01-23 | 2017-04-25 | Microchip Technology Incorporated | Open cavity plastic package |
| EP2948979B1 (en) * | 2013-01-23 | 2020-08-05 | Microchip Technology Incorporated | Open cavity plastic package |
| US9497876B2 (en) | 2014-04-02 | 2016-11-15 | Brusa Elektronik Ag | Fastening systems for power modules |
| JP2016082065A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
| US10882228B2 (en) * | 2016-10-28 | 2021-01-05 | Denso Corporation | Mold for insert molding |
| DE102020104220A1 (de) | 2020-02-18 | 2021-08-19 | Infineon Technologies Ag | Transistor-Outline-Gehäuse und Transistor-Outline-Gehäuseanordnung |
| CN115023056A (zh) * | 2022-05-30 | 2022-09-06 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 封装产品的选择性封装方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6244408B2 (ja) | 1987-09-21 |
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