JP2016082065A - 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム - Google Patents
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Abstract
Description
そこで従来、第一および第二の型で構成される金型には、サポートピンが設けられていた。サポートピンは、リードフレームのサポートピン当接部に当接して、リードフレームを支持する。これにより、ダイパッドが樹脂の流れとともに動くことを防ぐことができる(例えば、特許文献1参照)。
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造コストを低減することができる半導体装置の製造方法、前記製造方法によって製造される半導体装置、前記製造方法に用いられる金型、および前記製造方法に用いられるリードフレームを提供することを課題とする。
以下、本発明の半導体装置の製造方法の第一実施形態について説明する。
本実施形態の製造方法によれば、第一のタイプ(フルモールドタイプ)である半導体装置30(図6〜図8参照)と、第二のタイプ(ヒートシンク露出タイプ)の半導体装置40(図14〜図16参照)とを製造することができる。
以下、第一のタイプの半導体装置30の説明に続いて、半導体装置30を製造する方法について説明する。次いで、第二のタイプの半導体装置40の説明に続いて、半導体装置40を製造する方法について説明する。
図6〜図8に示すように、半導体装置30は、板状のダイパッド11と、ダイパッド11に搭載される半導体素子31と、半導体素子31に電気接続されるリード12と、リード12とダイパッド11とを連結する連結部13と、ダイパッド11から延出する一対の当接部14と、ダイパッド11および半導体素子31を封止する封止樹脂33と、を備えている。
第一側部リード部12bは、中央リード12aから幅方向に間隔をあけて、中央リード12aと平行に設けられている。第二側部リード部12cは、第一側部リード部12bから幅方向に間隔をあけて、第一側部リード部12bと平行に設けられている。なお、幅方向とは、ダイパッド11の主面11aに沿う方向であって、中央リード12aの長手方向に直交する方向である。
中央リード12aの基端部12a1および第一側部リード部12bの基端部12b1には、ダイパッド11に搭載される半導体素子31と電気接続するためのワイヤー32が接合される。
当接主部14bの、第一主面11aと同じ側の面を第一の面14b1といい、第二主面11bと同じ側の面(第一の面14b1とは反対の面)を第二の面14b2という。
一対の当接部14は、ダイパッド11の他方の端部に、幅方向に間隔をおいて形成されている。
当接部14は、後述のように、第一サポートピン17および第二サポートピン18が当接する「サポートピン当接部」として機能する。
ダイパッド11、リード12、連結部13、および当接部14は、銅板等のように導電性を有する板材からなる。
封止樹脂33の外面のうち、第一主面11aと同じ側の面を第一面33aといい、第一面33aとは反対の面を第二面33bという。
図2に示すように、リードフレーム10を用意する。リードフレーム10は、半導体装置30を製造するのに用いられる第一の種類のリードフレームである。
リードフレーム10は、ダイパッド11と、リード12と、連結部13と、当接部14とを有する。
リードフレーム10は、銅板等のように導電性を有する板材にプレス加工等を施すことで得られる。
図3に示すように、半導体素子31をダイパッド11の第一主面11aに搭載する。この工程では、例えばはんだ(図示略)によって半導体素子31を第一主面11aに接合する。
図1に示すように、第一の型1と、第二の型2とを有する金型3を用意する。
第一の型1は、基壁部6と、基壁部6の周縁に立設された側壁部7とを有する容器状に形成されている。第一の型1は、第二の型2と対向する面に、第一凹部4(第一の凹部)が形成されている。
第一サポートピン17は、底面4aから内部空間S1内に突出して形成されている。第一サポートピン17は、底面4aに対して垂直に形成されている。
なお、内部空間S1とは、第一凹部4および第二凹部5によって形成される空間である。
第二サポートピン18および第三サポートピン27は、底面5aから内部空間S1内に突出して形成されている。第二サポートピン18および第三サポートピン27は、底面5aに対して垂直に形成されている。
図2および図7に示すように、一対の第二サポートピン18,18は、金型3の幅方向に距離をおいて形成されており、それぞれが一対の当接主部14b,14bの第一の面14b1に当接することができる。
第三サポートピン27は、第二サポートピン18とは、幅方向の位置を違えて形成されている。詳しくは、一対の第三サポートピン27,27は、一対の第二サポートピン18,18の間に位置している。サポートピン18,27,27,18は、互いに間隔をおいて、第二の型2の幅方向に直線的に並んで配列されている。
第三サポートピン27は、当接部14に当接可能な位置とは異なる位置に形成されている。このため、半導体装置30を作製する際には、第三サポートピン27はリードフレーム10には接触しない。
この構造により、金型3は、当接部の高さ位置が異なる複数のリードフレームに対応できる。
リードフレーム10は、ダイパッド11の第一主面11aを第二の型2に向けた姿勢とする。
第一サポートピン17および第二サポートピン18は、半導体装置30(第一のタイプの半導体装置)を作製するために用いられる「第一のサポートピンのセット41」を構成する。
金型3は、第一の型1と第二の型2とを向い合せた状態で、第一凹部4の底面4aと、第二凹部5の底面5aとが互いに平行となる。
図4に示すように、金型3の内部空間S1に、液状の樹脂19を注入する。樹脂19としては、液状硬化性の樹脂が用いられ、例えば熱硬化性樹脂を使用できる。樹脂19は、例えば側壁部7,9(図1参照)等に形成された注入口(図示略)を通して内部空間S1に導入することができる。
上述のように、第一サポートピン17および第二サポートピン18によって、当接部14の当接主部14bが位置決めされているため、ダイパッド11が樹脂19の流れとともに動くのを防ぐことができる。
次いで、図5に示すように、金型3から半導体装置30を取り外す。
このため、一対の第二ピン孔36,36は、一対の第一ピン孔35,35の間に位置しており、ピン孔35,36,36,35は、半導体装置30の幅方向に間隔をおいて、この幅方向に直線的に並んで配列されている。
半導体装置30では、第一ピン孔35および第二ピン孔36のうち、第一サポートピン17および第二サポートピン18によって形成された第一ピン孔35内にのみ当接部14が露出している。
符号37は半導体装置30を固定具により実装基板等に固定する際に、固定具を挿通するための挿通孔である。
半導体装置40は、ダイパッド21の第二主面21bが封止樹脂43の外部に露出した、第二のタイプ(ヒートシンク露出タイプ)の半導体装置である。
以下、第一のタイプの半導体装置30と同じ構成については、同じ符号を付してその説明を省略または簡略化する。
第一側部リード部22bは、中央リード22aから幅方向に間隔をあけて、中央リード22aと平行に設けられている。第二側部リード部22cは、第一側部リード部22bから幅方向に間隔をあけて、第一側部リード部22bと平行に設けられている。なお、ここでいう幅方向とは、ダイパッド21の主面21aに沿って中央リード22aの長手方向に直交する方向である。
中央リード22aの基端部22a1および第一側部リード部22bの基端部22b1には、ダイパッド21に搭載される半導体素子31と電気接続するためのワイヤー32が接合される。
連結部23は、ダイパッド21の上面(第一主面21a)より高い位置にある第二側部リード部22cとダイパッド21とを接続するため、ダイパッド21に近づくほど下降するように傾斜している。
当接部24の、第一主面21aと同じ側の面を第一の面24aといい、第二主面21bと同じ側の面(第一の面24b1とは反対の面)を第二の面24bという。
一対の当接部24は、ダイパッド21の他方の端部に、幅方向に間隔をおいて形成されている。当接部24の幅方向の位置は、半導体装置30における当接部14の幅方向の位置とは異なる。
当接部24は、後述のように、第三サポートピン27が当接するサポートピン当接部として機能する。
ダイパッド21、リード22、連結部23、および当接部24は、銅板等のように導電性を有する板材からなる。
封止樹脂43の、第一主面21a側の面を第一面43aといい、第一面43aとは反対の面を第二面43bという。
露出した第二主面21bおよび第二の面24bは、封止樹脂43の第二面43bと同一平面をなす。
半導体装置40では、通電により半導体素子31に大きな熱が発生した場合でも、半導体素子31の熱を、主にダイパッド21を介して実装基板(外部)に伝えることができる。また、半導体素子31の熱を、絶縁シート(図示略)等を介してヒートシンク(図示略)に伝えることもできる。
図10に示すように、リードフレーム20を用意する。リードフレーム20は、半導体装置40を製造するのに用いられる第二の種類のリードフレームである。
リードフレーム20は、ダイパッド21と、リード22と、連結部23と、当接部24とを有する。
図11に示すように、半導体素子31をダイパッド21の第一主面21aに搭載する。この工程では、例えばはんだ(図示略)によって半導体素子31を第一主面21aに接合する。
図9に示すように、第一の型1と、第二の型2とを有する金型3を用意する。
上述のように、第二凹部5の底面5aには、第二サポートピン18,18とは幅方向の位置を違えて、一対の第三サポートピン27,27が形成されている。
第三サポートピン27は、後述する第二のタイプの半導体装置40に用いられるリードフレーム20のダイパッド21、半導体素子31等を内部空間S1に収容したときに、第二主面21bが第一凹部4の底面4aと接触した状態で、先端面27aが、当接部24の第一の面24aに当接するように形成されている。
第三サポートピン27は、先端面27aが、当接部24の当接主部24bにそれぞれ当接し、当接部24の上下動を規制することによって、当接部24の高さ位置を定めることができる。
第三サポートピン27は、半導体装置40(第二のタイプの半導体装置)を作製するために用いられる「第二のサポートピンのセット42」を構成する。
リードフレーム20は、ダイパッド21の第一主面21aを第二の型2に向けた姿勢とする。
第二主面21bおよび当接部24は、全面にわたって底面4aに接触することが好ましい。これによって、第二主面21bの全面が封止樹脂43の外部に露出するため、熱を外部に伝える性能を高めることができる。
図12に示すように、金型3の内部空間S1に、液状の樹脂19を注入する。
上述のように、第三サポートピン27によって当接部24が位置決めされているため、ダイパッド21が樹脂19の流れとともに動くのを防ぐことができる。
次いで、図13に示すように、金型3から半導体装置40を取り外す。
第一ピン孔45および第二ピン孔46の位置および配列は、半導体装置30における第一ピン孔35および第二ピン孔36の位置および配列と同じである。
すなわち、一対の第二ピン孔46,46は、一対の第一ピン孔45,45の間に位置しており、ピン孔45,46,46,45は、半導体装置40の幅方向に間隔をおいて、この幅方向に直線的に並んで配列されている。
半導体装置40では、第一ピン孔45および第二ピン孔46のうち、第三サポートピン27によって形成された第二ピン孔46にのみ当接部24が露出している。
リードフレームの種類に応じて、2つのサポートピンのセット41,42のうちのいずれか一つが、当接部14,24(サポートピン当接部)と当接する。
これにより、同一の金型3を用いて、リードフレームの種類を変えることで、異なるタイプの半導体装置を製造できる。したがって、半導体装置の製造コストを低減することができる。
第一実施形態の製造方法で作製される半導体装置30,40は、リードフレーム10,20が互いに異なるが、共通のリードフレームを用いて2種類の半導体装置を作製することもできる。以下、第一実施形態で既に説明した構成については、同じ符号を付してその説明を省略または簡略化する。
図17および図18に示すように、ダイパッド11と、リード12と、連結部13と、一対の当接部54とを有するリードフレーム50を用意する。
図17は、金型53およびリードフレーム50を側方から見た模式図であり、図18は、リードフレーム50を図17における上方から見た平面図である。
リードフレーム50の当接部54は、傾斜部54aと当接主部54bとを有する。
第一の型51は、基壁部66と、基壁部66の周縁に立設された側壁部67とを有する。第一の型51の、第二の型52と対向する面には、第一凹部64が形成されている。
第二の型52は、基壁部68と、基壁部68の周縁に形成された側壁部69とを有する。第二の型52の、第一の型51と対向する面には、第二凹部65が形成されている。
第三サポートピン59は、後述するように、第一主面11aを第一の型51に向けて、ダイパッド11等を内部空間S61に収容したときに、第二主面11bが底面65aと接した状態で、当接部54の当接主部54bに当接するように形成されている。
第一サポートピン57と第三サポートピン59とは、幅方向の位置を違えて形成されている。
第二サポートピン58は、第一主面11aを第二の型52に向けて、リードフレーム50のダイパッド11等を内部空間S61に収容したときに、第二主面11bが底面64aと離間した状態で、当接部54の当接主部54bに当接するように形成されている。
第四サポートピン60は、後述するように、第一主面11aを第一の型51に向けて、ダイパッド11等を内部空間S61に収容したときに、第二主面11bが底面65aと接した状態で、当接部54の当接主部54bに当接するように形成されている。
第二サポートピン58と第四サポートピン60とは、幅方向の位置を違えて形成されている。
第三サポートピン59および第四サポートピン60は、第二のタイプの半導体装置を作製するために用いられる「第二のサポートピンのセット62」を構成する。
リード用凹部67aの内面は、第一の型51と第二の型52との間にリード12を挟み込んだときにリード12と接する。
リード用凹部67aと、後述するリード用凹部69aとは、リード12が挿通するリード挿通孔78を形成する。
リード用凹部67aの内面のうち、第一凹部64の底面64a(基壁部66の内面。図17では上面)と平行な面を対向面67bという。対向面67bは、リード12に接する。
リード用凹部69aの内面のうち、第二凹部65の底面65a(基壁部68の内面。図17では下面)と平行な面を対向面69bという。対向面69bは、リード12に接する。
金型53は、第一の型51と第二の型52とを向い合せた状態で、第一凹部64の底面64aと第二凹部65の底面65aとが互いに平行となる。
また、第一凹部64の底面64aと、リード用凹部67aの対向面67bとの高さ方向(底面64aに垂直な方向)の距離(高低差)をbとする。
ダイパッド11の第二主面11bと、第二主面11bと同じ側のリード12の第二面12d(図17では下面)との高さ方向(ダイパッド11の厚さ方向)の距離(高低差)をcとする。
この関係が成立することによって、図17に示す姿勢でリードフレーム50が金型53内に配置された場合には、ダイパッド11の第二主面11bは確実に第一凹部64の底面64aと非接触となり、かつ図19に示す姿勢でリードフレーム10が金型53内に配置された場合には、ダイパッド11の第二主面11bは確実に二凹部65の底面65aと接触する。
このため、金型53は、第一のタイプ(フルモールドタイプ)である半導体装置だけでなく、ダイパッド11の第二主面11bが封止樹脂の外部に露出した第二のタイプ(ヒートシンク露出タイプ)の半導体装置も、精度よく作製できる。
この際、リードフレーム50は、ダイパッド11の第一主面11aを第二の型52に向けた姿勢とする。
これによって、第二主面11bが底面4aと離間した状態で、第一サポートピン57および第二サポートピン58は、当接部54の当接主部54bの第一の面54b1、第二の面54b2にそれぞれ当接し、当接部54が位置決めされる。
このため、金型53の内部空間S61に、液状の樹脂を注入する際に、ダイパッド11が樹脂の流れとともに動くのを防ぐことができる。
次いで、加熱等により樹脂を硬化させることによって、半導体素子31等は樹脂で封止される。これによって、封止樹脂によりダイパッド11の第一主面11aおよび第二主面11bが覆われた、第一のタイプ(フルモールドタイプ)の半導体装置を得る。
図19は、金型53およびリードフレーム50を側方から見た模式図であり、図20は、リードフレーム50を図19における上方から見た平面図である。
図19および図20に示すように、第一の型51と第二の型52との間に、リードフレーム50のリード12を挟み込み、半導体素子31等を内部空間S61に収容する。
この際、リードフレーム50は、ダイパッド11の第一主面11aを第一の型51に向けた姿勢とする。
これによって、第二主面11bが第二凹部65の底面65a と接触した状態で、第三サポートピン59および第四サポートピン60が当接部54の当接主部54bの第一の面54b1、第二の面54b2にそれぞれ当接し、当接部54が位置決めされる。
このため、金型53の内部空間S61に、液状の樹脂を注入する際に、ダイパッド11が樹脂の流れとともに動くのを防ぐことができる。
次いで、加熱等により樹脂を硬化させることによって、半導体素子31等が封止樹脂で封止される。これによって、ダイパッド11の第二主面11bが封止樹脂の外部に露出した、第二のタイプ(ヒートシンク露出タイプ)の半導体装置が得られる。
これにより、第一および第二の型やリードフレームを複数の半導体装置の製造工程で共用できるため、半導体装置の製造コストを低減することができる。
例えば、第一および第二実施形態の製造方法は、いずれも、第一のタイプ(フルモールドタイプ)の半導体装置と、第二のタイプ(ヒートシンク露出タイプ)の半導体装置とを作製する方法であるが、作製する2種類の半導体装置が、いずれも第一のタイプであってもよいし、いずれも第二のタイプであってもよい。
また、図2および図10などに示すリードフレームの構成は、一つの半導体装置を製造するための構成であるが、複数の半導体装置を一度に製造できるように、一つの半導体装置を製造するためのユニット(一つのダイパッドおよび複数のリードを含むユニット)を複数接続して構成されたリードフレームを用いてもよい。具体的には、複数のユニットを幅方向に互いに間隔をあけて並べた状態で、これら複数のユニットが連結フレーム部(図示略)によって互いに接続された構造を採用できる。
また、上記実施形態では、半導体素子31とリード12とがワイヤー32によって電気接続されるが、少なくとも導電性を有する接続子によって電気接続されればよく、例えば導電性の板材によって接続されてもよい。
2,52 第二の型
3,53 金型
4,64 第一凹部(第一の凹部)
4a,64a 第一凹部の底面(第一の凹部の底面)
5a,65a 第二凹部の底面(第二の凹部の底面)
5,65 第二凹部(第二の凹部)
10 リードフレーム
11 ダイパッド
11a 第一主面(第一の面)
11b 第二主面(第二の面)
12 リード
14,24,54 当接部(サポートピン当接部)
17,18,27,57,58,59,60 サポートピン
30,40 半導体装置
31 半導体素子
33,43 封止樹脂(樹脂)
35,45 第一ピン孔
36,46 第二ピン孔
41,61 第一のサポートピンのセット
42,62 第二のサポートピンのセット
S1,S61 内部空間(空間)
Claims (7)
- 板状のダイパッドと、前記ダイパッドの厚さ方向に間隔をあけて前記ダイパッドと平行に配置されるリードと、サポートピン当接部と、を含むリードフレームを用意し、前記ダイパッドの第一の面に半導体素子を接合する第一の工程と、
互いに対向する第一の型と第二の型との間に前記リードを挟み込み、前記第一の型の前記第二の型と対向する面に設けられた第一の凹部と、前記第二の型の前記第一の型と対向する面に設けられた第二の凹部と、により形成される空間に前記ダイパッド、前記半導体素子および前記サポートピン当接部を収容するとともに、前記第一の凹部の底面と前記第二の凹部の底面との少なくとも一方から前記空間内に突出したサポートピンを前記サポートピン当接部に当接させる第二の工程と、
前記サポートピンが前記サポートピン当接部に当接した状態で前記空間に樹脂を注入し、前記樹脂を硬化することにより、前記ダイパッド、前記半導体素子および前記サポートピン当接部を前記樹脂で封止する第三の工程と、
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記第一の型と前記第二の型とにより構成される金型には、一又は複数のサポートピンを含むサポートピンのセットが複数設けられており、
前記半導体装置の製造に用いられる前記リードフレームの種類に応じて、複数の前記サポートピンのセットのうちのいずれか一の前記サポートピンのセットに含まれる一又は複数の前記サポートピンが前記サポートピン当接部と当接する、半導体装置の製造方法。 - 前記サポートピンのセットは、第一のサポートピンのセットと、第二のサポートピンのセットと、を含み、
前記第一のサポートピンのセットが含む一又は複数のサポートピンは、前記第一の面とは反対側の前記ダイパッドの第二の面が前記樹脂によって覆われた第一のタイプの半導体装置を製造するのに用いられる第一の種類のリードフレームの前記サポートピン当接部と当接し、
前記第二のサポートピンのセットが含む一又は複数のサポートピンは、前記第二の面が前記樹脂から露出した第二のタイプの半導体装置を製造するのに用いられる第二の種類のリードフレームの前記サポートピン当接部と当接する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記サポートピンのセットは、第一のサポートピンのセットと、第二のサポートピンのセットと、を含み、
前記第一のサポートピンのセットが含む一又は複数のサポートピンは、前記第一の面を前記第二の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容したときに前記サポートピン当接部と当接し、
前記第二のサポートピンのセットが含む一又は複数のサポートピンは、前記第一の面を前記第一の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容したときに前記サポートピン当接部と当接する、請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置であって、
前記ダイパッドと、前記リードと、前記サポートピン当接部と、前記ダイパッドの第一の面に接合された半導体素子と、前記ダイパッド、前記サポートピン当接部、および前記半導体素子を封止する前記樹脂と、を備え、
前記樹脂には、前記複数のサポートピンのセットのうち第一のサポートピンのセットによって形成された第一ピン孔と、第二のサポートピンのセットによって形成された第二ピン孔とが形成され、
前記第一ピン孔および第二ピン孔のいずれか一方のみに、前記サポートピン当接部が露出している、半導体装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法に用いられる金型であって、
前記空間に前記ダイパッド、前記半導体素子および前記サポートピン当接部を収容したときに、前記サポートピン当接部が、前記サポートピンのセットに含まれる第一のサポートピンのセットと第二のサポートピンのセットとのうち、いずれか一方にのみ当接する、金型。 - 請求項5に記載の金型であって、
前記サポートピンが前記サポートピン当接部に当接する、前記ダイパッドの厚さ方向の位置が、前記第一のサポートピンのセットと前記第二のサポートピンのセットとで互いに異なる、金型。 - 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法に用いられるリードフレームであって、
前記空間に前記ダイパッド、前記半導体素子および前記サポートピン当接部を収容したときに、前記サポートピン当接部が、前記サポートピンのセットに含まれる第一のサポートピンのセットと第二のサポートピンのセットとのうち、いずれか一方にのみ当接する、リードフレーム。
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