JP7019957B2 - 半導体装置および製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献1 特開2014-27266号公報
特許文献2 特開2001-358254号公報
Claims (14)
- リードフレームと、前記リードフレームに固定された半導体チップとを備える半導体装置であって、
前記リードフレームは、
上面に設けられた窪み部と、
前記上面とは逆側の下面において前記窪み部と対向する位置に設けられ、前記下面よりも下側に突出した突出部と
を有し、
前記半導体チップを前記窪み部の底面に固定する固定部を更に備え、
前記リードフレームは、高さが異なる前記突出部を少なくとも2つ有する半導体装置。 - 前記窪み部の前記底面は、前記リードフレームの前記上面と前記下面との間に配置されている
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記固定部は、前記窪み部の底面全体に設けられている
請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記リードフレームの上面と垂直な方向において、前記窪み部の深さは、前記窪み部および前記突出部が形成されていない領域における前記リードフレームの厚みより小さい
請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップの上端は、前記窪み部の上端よりも下側に配置されている
請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップの上端は、前記窪み部の上端よりも上側に配置されている
請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記突出部が、前記窪み部とは異なる形状を有する
請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記リードフレームの上面と平行な面において、前記突出部は、前記窪み部よりも広い範囲に設けられ、
前記突出部の厚みは、前記窪み部の深さよりも小さい
請求項7に記載の半導体装置。 - 前記リードフレームの上面と平行な面において、前記突出部は、前記窪み部よりも狭い範囲に設けられ、
前記突出部の厚みは、前記窪み部の深さよりも大きい
請求項7に記載の半導体装置。 - リードフレームと、前記リードフレームに固定された半導体チップとを備える半導体装置であって、
前記リードフレームは、
上面に設けられた窪み部と、
前記上面とは逆側の下面において前記窪み部と対向する位置に設けられ、前記下面よりも下側に突出した突出部と
を有し、
前記半導体チップを前記窪み部の底面に固定する固定部を更に備え、
前記突出部が、前記窪み部とは異なる形状を有し、
前記突出部の個数が、前記窪み部の個数よりも多い半導体装置。 - いずれかの前記突出部の形状が、他のいずれかの前記突出部の形状と異なる
請求項10に記載の半導体装置。 - 前記窪み部の側壁と前記半導体チップとの、前記リードフレームの上面と平行な面における距離が、前記半導体チップの下面と前記窪み部の底面との間の前記固定部の厚みの半分以上、2倍以下である
請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体装置。 - リードフレームと、前記リードフレームに固定された半導体チップとを備える半導体装置の製造方法であって、
前記リードフレームに、前記リードフレームの上面に設けられた窪み部と、前記上面とは逆側の下面において前記窪み部と対向する位置に設けられ、前記下面よりも下側に突出した突出部とを形成する段階と、
固定部により、前記半導体チップを前記窪み部の底面に固定する段階と
を備え、
前記窪み部および前記突出部を形成する段階において、高さが異なる前記突出部を少なくとも2つ形成する製造方法。 - 前記窪み部および前記突出部を形成する段階において、形成すべき前記窪み部の形状に応じた押圧部材を用いて前記リードフレームの上面側を押圧することで、前記窪み部および前記突出部を形成する
請求項13に記載の製造方法。
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