JP2009164511A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体素子の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、ヒートシンク20と、ヒートシンク20上に搭載されたトランジスタ10と、トランジスタ10を取り囲んで外部との間を絶縁する絶縁樹脂60と、絶縁樹脂60よりも熱伝導率の高い素材からなり、ヒートシンク20とトランジスタ10との間に配置され、絶縁樹脂60からその一部が露出する高熱伝導性絶縁部材40と、トランジスタ10を外部と電気的に接続するリードフレーム50とを備えている。ヒートシンク20は、高熱伝導性絶縁部材40よりも突出する突出部21を含んでいる。そして、突出部21には、ヒートシンク20を貫通する貫通孔29が形成されており、リードフレーム50は貫通孔29を貫通している。
【選択図】図4
【解決手段】半導体装置1は、ヒートシンク20と、ヒートシンク20上に搭載されたトランジスタ10と、トランジスタ10を取り囲んで外部との間を絶縁する絶縁樹脂60と、絶縁樹脂60よりも熱伝導率の高い素材からなり、ヒートシンク20とトランジスタ10との間に配置され、絶縁樹脂60からその一部が露出する高熱伝導性絶縁部材40と、トランジスタ10を外部と電気的に接続するリードフレーム50とを備えている。ヒートシンク20は、高熱伝導性絶縁部材40よりも突出する突出部21を含んでいる。そして、突出部21には、ヒートシンク20を貫通する貫通孔29が形成されており、リードフレーム50は貫通孔29を貫通している。
【選択図】図4
Description
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、より特定的には、ヒートシンク上に搭載された半導体素子を備える半導体装置およびその製造方法に関する。
パワーデバイスなどの半導体素子を含む半導体装置の分野においては、単一の半導体素子がパッケージ化されたディスクリートパッケージ型の半導体装置が主流である。当該分野においては、半導体装置が使用される機器の高性能化に伴い、半導体素子の動作の高速化が進められている。その結果、半導体素子の動作により発生する熱を効率よく外部に放出することが必要となっている。
一方、半導体装置が使用される機器の小型化、薄型化の進行に伴い、半導体装置に対しても小型化、薄型化などの省スペース化の要求がある。このような要求に対応して、半導体装置においては、表面実装型の半導体装置(SMD;Surface Mount Device)が採用されている。
ディスクリートパッケージ型の半導体装置においては、効率よく熱を放出することを目的として、たとえば大面積のヒートシンクを備えたもの、熱伝導性の高い絶縁材料を利用するもの等が採用されている。しかし、上述のような省スペース化の要求への対応を目的として半導体素子同士が近接して配置される必要がある場合であっても、ディスクリートパッケージ型の半導体装置同士の間には、所定の間隔が必要である。そのため、省スペース化に限界があるという問題がある。また、ディスクリートパッケージ型の半導体装置同士の間に、絶縁性の樹脂を配置して半導体装置同士の間隔を減少させ、省スペース化を達成することも可能である。しかし、この構成では、製造工程が煩雑になり、半導体装置の製造コストが上昇するという問題が発生する。
これに対し、複数の半導体素子が平面的に隣接して配置され、パッケージ化された半導体装置(小型モジュールパッケージ)が採用される場合がある(たとえば特許文献1参照)。これにより、半導体素子同士の間隔を減少させ、省スペース化を達成することができる。
以下、小型モジュールパッケージが採用された半導体装置の一例について説明する。図20は、小型モジュールパッケージが採用された従来の半導体装置の構成の一例を示す概略平面図である。図20を参照して、小型モジュールパッケージが採用された従来の半導体装置100は、板状のヒートシンク120と、ヒートシンク120上に配置されたリードフレーム150と、リードフレーム150上に配置され、リードフレーム150と電気的に接続された4つの半導体素子としてのトランジスタ110とを備えている。そして、リードフレーム150は、外部端子を含んでいる。以上の構成により、4つのトランジスタ110が外部と電気的に接続されるとともに、半導体装置100の省スペース化が可能となる。
国際公開第98/24122号パンフレット
しかしながら、図20を参照して、半導体装置100のように、複数のトランジスタ110が平面的に並べて配置された半導体装置の構成では、半導体装置100の平面形状は、トランジスタ110が配置される面に対する各トランジスタ110の投影面積の合計値未満には縮小することはできず、大幅な省スペース化は難しいという問題がある。また、各トランジスタ110から発生した熱を外部に効率よく放出するためには、上記半導体装置100の平面形状に対応した大面積のヒートシンク120が必要となり、省スペース化がさらに妨げられる。
そこで、本発明の目的は、半導体素子の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供することである。
本発明に従った半導体装置は、ヒートシンクと、ヒートシンクの一方の主面上に搭載された半導体素子と、当該半導体素子を取り囲んで封止することにより、半導体素子と外部との間を絶縁する絶縁性封止剤と、絶縁性封止剤よりも熱伝導率の高い素材からなり、ヒートシンクと半導体素子との間に配置され、絶縁性封止剤から少なくともその一部が露出する高熱伝導性絶縁部材と、半導体素子を外部と電気的に接続するリードフレームとを備えている。ヒートシンクは、高熱伝導性絶縁部材よりも突出する突出部を含んでいる。そして、ヒートシンクの突出部には、ヒートシンクを貫通する貫通孔が形成されており、リードフレームは当該貫通孔を貫通している。
本発明の半導体装置においては、絶縁性封止剤および高熱伝導性絶縁部材によって半導体素子と外部との間を絶縁しつつ、ヒートシンクと半導体素子との間に配置された高熱伝導性絶縁部材が絶縁性封止剤から露出し、かつヒートシンクが突出部を有していることにより、半導体素子の動作により発生する熱を外部に効率よく放出することが可能となっている。そして、半導体素子を外部と電気的に接続するリードフレームが、ヒートシンクの突出部に形成された貫通孔を貫通していることにより、プリント基板上に半導体装置を搭載する際に、ヒートシンクとリードフレームとが干渉することを回避しつつ、たとえば他の電子部品上に重ねて当該半導体装置を配置することが容易となる。その結果、本発明の半導体装置によれば、半導体素子の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする半導体装置を提供することができる。
上記半導体装置において好ましくは、ヒートシンクの一方の主面とは反対側の主面である他方の主面上には、上記半導体素子とは異なる他の半導体素子が搭載されている。
これにより、ヒートシンクの両側の主面上に半導体素子が搭載されるため、複数の半導体素子を備えた半導体装置の省スペース化が可能となる。
本発明に従った半導体装置の製造方法は、高熱伝導性絶縁部材を準備する工程と、高熱伝導性絶縁部材にリードフレームを接続する工程と、リードフレームと半導体素子とを接続し、半導体部品を作製する工程と、当該半導体部品を、ヒートシンクの主面上に搭載する工程とを備えている。ヒートシンクには、当該ヒートシンクを貫通する貫通孔が形成されている。そして、半導体部品を搭載する工程では、リードフレームが上記貫通孔を貫通するように、半導体部品がヒートシンクの主面上に搭載される。
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする半導体装置を、容易に製造することができる。
上記本発明の半導体装置の製造方法において好ましくは、半導体部品を作製する工程では、複数の半導体部品が作製される。さらに、半導体部品をヒートシンクの主面上に搭載する工程では、複数の半導体部品のうち少なくとも1つの半導体部品がヒートシンクの一方の主面上に搭載されるとともに、複数の半導体部品のうち当該少なくとも1つの半導体部品とは異なる他の少なくとも1つの半導体部品が、ヒートシンクの上記一方の主面とは異なる他方の主面上に搭載される。そして、上記一方の主面上に搭載される上記少なくとも1つの半導体部品は、リードフレームが上記貫通孔を貫通するように、ヒートシンクの上記一方の主面上に搭載される。
これにより、ヒートシンクの両側の主面上に半導体素子が搭載されるため、複数の半導体素子を備えた半導体装置の省スペース化が可能となる。
以上の説明から明らかなように、本発明の半導体装置およびその製造方法によれば、半導体素子の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
(実施の形態1)
図1は、本発明の一実施の形態である実施の形態1における半導体装置が採用され得る回路装置の概略図である。図1を参照して、本実施の形態における回路装置の構成を説明する。
図1は、本発明の一実施の形態である実施の形態1における半導体装置が採用され得る回路装置の概略図である。図1を参照して、本実施の形態における回路装置の構成を説明する。
図1を参照して、本実施の形態における回路装置9は、交流電源Vinと、4つのダイオードD1〜D4と、キャパシタCと、4つの半導体素子としてのトランジスタ10と、負荷Lとを備えている。ここで、4つのトランジスタ10を含む図1における領域αを省スペース化する目的で、以下に説明する半導体装置を採用することができる。
図2は、実施の形態1における半導体装置の上面の構成を示す概略平面図である。また、図3は、実施の形態1における半導体装置の下面の構成を示す概略平面図である。また、図4は、図2および図3における線分IV−IVに沿う概略断面図である。また、図5は、図2および図3における線分V−Vに沿う概略断面図である。なお、図2〜図5においては、トランジスタが平面的に並べて設置される面に平行な面内において、トランジスタが並ぶ方向をY軸方向、Y軸方向に垂直な方向をX軸方向、トランジスタが設置される面に垂直な方向をZ軸方向として、当該方向が付記されている。以下、図2〜図5を参照して、実施の形態1における半導体装置を説明する。
図2〜図5を参照して、本実施の形態における半導体装置1は、ヒートシンク20と、ヒートシンク20の一方の主面である第1主面20Aおよび第1主面20Aとは反対側の主面である第2主面20B上のそれぞれに配置された高熱伝導性絶縁部材40と、各高熱伝導性絶縁部材40上のそれぞれに配置されたリードフレーム50と、各リードフレーム50上のそれぞれに配置された半導体素子としてのトランジスタ10とを備えている。
ヒートシンク20は、熱伝導性の高い素材からなっており、たとえば銅(Cu)および/またはそれを含有した高熱伝導性金属材料、あるいは炭化珪素(SiC)やダイヤモンドおよび/またはそれを含有した高熱伝導性セラミックス材料などを素材として採用することができる。また、高熱伝導性絶縁部材40は絶縁性を有し、かつ後述する絶縁樹脂60よりも熱伝導性の高い素材からなっており、たとえば窒化アルミニウム(AlN)、SiC、ダイヤモンド、および/またはそれを含有した高熱伝導性セラミックス材料などを素材として採用することができる。
そして、ヒートシンク20と高熱伝導性絶縁部材40との間には、接合材料30が配置され、この接合材料30によりヒートシンク20と高熱伝導性絶縁部材40とは熱伝導可能に接合されている。接合材料30としては、たとえば銀(Ag)もしくは錫(Sn)を含有した金属系ろう材、導電性樹脂、導電性接着剤などを採用することができる。
リードフレーム50は、導電性の高い素材からなっており、たとえば銅(Cu)および/またはそれを含有した高熱伝導性金属材料などを素材として採用することができる。そして、リードフレーム50と高熱伝導性絶縁部材40との間には、接合材料30が配置され、この接合材料30により高熱伝導性絶縁部材40とリードフレーム50とは熱伝導可能に接合されている。また、リードフレーム50は、半導体装置1の外部と電気的に接続されるための接続部51を含んでいる。
トランジスタ10とリードフレーム50との間には接合材料30が配置され、この接合材料30によりリードフレーム50とトランジスタ10とは熱伝導可能に接合されている。また、トランジスタ10は、たとえばMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;酸化膜電界効果トランジスタ)であり、ソースS、ゲートGおよびドレインDを含んでいる。そして、ソースS、ゲートGおよびドレインDのそれぞれが、導電性を有するワイヤ70により、リードフレーム50と電気的に接続されている。その結果、トランジスタ10のそれぞれは、リードフレーム50を介して外部と電気的に接続されている。
さらに、トランジスタ10は、ヒートシンク20の第1主面20Aおよび第2主面20B上のそれぞれに複数個(本実施例では2個)配置されている。そして、ヒートシンク20の第1主面20A上に配置された複数個(2個)のトランジスタ10は、絶縁性封止剤としての一体の絶縁樹脂60により取り囲まれ、外部との間が絶縁されている。さらに、ヒートシンク20の第2主面20B上に配置された複数個(2個)のトランジスタ10も、同様に一体の絶縁樹脂60により取り囲まれ、外部との間が絶縁されている。
高熱伝導性絶縁部材40は、板状の形状を有しており、トランジスタ10が配置される側の主面(ヒートシンク20から遠い側の主面)である第1面40Aが、絶縁樹脂60の内部に進入しているとともに、第1面40Aとは反対側の主面(ヒートシンク20に近い側の主面)である第2面40Bが、絶縁樹脂60から露出している。
さらに、図2〜図5を参照して、リードフレーム50は、接続部51において、トランジスタ10が平面的に並べて設置される面に平行な面内の、トランジスタが並ぶ方向であるY軸方向に交差(直交)する方向であるX軸方向において、絶縁樹脂60よりも外側(トランジスタ10から離れる側)に突出している。また、半導体装置1は、回路基板としてのプリント基板80上に搭載されて図1に示す回路装置9を構成する。半導体装置1がプリント基板80上に搭載された状態において、リードフレーム50の接続部51は、トランジスタ10から離れる側の端部において屈曲しており、その先端はプリント基板80に到達している。そして、リードフレーム50の接続部51とプリント基板80とが交差する位置において、プリント基板80上に形成された回路(図示しない)とリードフレーム50とが電気的に接続されている。
また、ヒートシンク20の第1主面20A上(ヒートシンク20から見てプリント基板80とは反対側)に配置されるリードフレーム50の接続部51は、ヒートシンク20に形成された貫通孔29を貫通している。接続部51は、貫通孔29の内壁と間隔を置いて、貫通孔29を貫通している。接続部51と貫通孔29の内壁との間には、絶縁性を有する素材、たとえば絶縁性樹脂からなる絶縁材が配置されていてもよい。より具体的には、接続部51が貫通する貫通孔29には、絶縁材が充填されていてもよい。
すなわち、ヒートシンク20の第1主面20A上に配置されたリードフレーム50の接続部51は、トランジスタ10がその上に搭載される側とは反対側のZ軸方向に沿った向きに屈曲し、第2主面20B上に配置されたリードフレーム50の接続部51は、トランジスタ10がその上に搭載される側のZ軸方向に沿った向きに屈曲している。また、ヒートシンク20の第1主面20A上に配置されたリードフレーム50の接続部51と、第2主面20B上に配置されたリードフレーム50の接続部51とは、互いに反対向きに絶縁樹脂60よりも外側に突出している。
一方、図2〜図5を参照して、ヒートシンク20は、リードフレーム50が突出する方向であるX軸方向およびX軸方向とは異なった方向(直交する方向)であるY軸方向に、高熱伝導性絶縁部材40および絶縁樹脂60よりも外側に突出する突出部21を含んでいる。そして、突出部21は、Y軸方向の端部において、第2主面20B側のZ軸方向に沿った向きに屈曲している。そして、半導体装置1がプリント基板80上に搭載された状態において、その先端はプリント基板80に接触している。また、X方向(リードフレーム50の接続部51が突出する方向)の突出部21に、貫通孔29は形成されている。
すなわち、本実施の形態における半導体装置1は、ヒートシンク20と、ヒートシンク20の第1主面20A上に搭載された半導体素子としてのトランジスタ10と、トランジスタ10を取り囲んで封止することにより、トランジスタ10と外部との間を絶縁する絶縁性封止剤としての絶縁樹脂60と、絶縁樹脂60よりも熱伝導率の高い素材からなり、ヒートシンク20とトランジスタ10との間に配置され、絶縁樹脂60から少なくともその一部が露出する高熱伝導性絶縁部材40と、トランジスタ10を外部と電気的に接続するリードフレーム50とを備えている。また、ヒートシンク20は、高熱伝導性絶縁部材40よりも突出する突出部21を含んでいる。そして、ヒートシンク20の突出部21には、ヒートシンク20を貫通する貫通孔29が形成されており、リードフレーム50は貫通孔29を貫通している。さらに、本実施の形態における半導体装置1においては、ヒートシンク20の第1主面20Aとは反対側の主面である第2主面20B上に、上記トランジスタ10とは異なる他の半導体素子としてのトランジスタ10が搭載されている。
本発明の半導体装置1においては、絶縁樹脂60および高熱伝導性絶縁部材40によってトランジスタ10と外部との間を絶縁しつつ、ヒートシンク20とトランジスタ10との間に配置された高熱伝導性絶縁部材40が絶縁樹脂60から露出し、かつヒートシンク20が突出部21を有していることにより、トランジスタ10の動作により発生する熱を外部に効率よく放出することが可能となっている。そして、トランジスタ10を外部と電気的に接続するリードフレーム50が、ヒートシンク20の貫通孔29を貫通していることにより、プリント基板80上に半導体装置1を搭載する際に、ヒートシンク20とリードフレーム50とが干渉することを回避しつつ、ヒートシンク20の両側の主面上にトランジスタ10を搭載することができる。その結果、本実施の形態における半導体装置1によれば、トランジスタ10の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする半導体装置を提供することができる。
より具体的には、たとえば図20に基づいて説明した従来の半導体装置と同じ平面形状が一辺2mmの正方形である4つのトランジスタを含む半導体装置を作製した場合、図20の従来の半導体装置では、当該半導体装置を搭載するために必要なスペースである搭載スペースが11.8mm角相当(一辺の長さが11.8mmの正方形形状に相当)であるのに対し、本実施の形態における半導体装置1では搭載スペースを10mm角相当にまで省スペース化することができる。
なお、上述のようにヒートシンク20の第1主面20Aおよび第2主面20B上のそれぞれに複数個のトランジスタが配置される場合、第1主面20A上に配置されるトランジスタ10の動作時の発熱量の総和と、第2主面20B上に配置されるトランジスタ10の動作時の発熱量の総和との差が、最も小さくなるように、トランジスタ10が配置されることが好ましい。より具体的には、第1主面20A上に配置されるトランジスタ10の消費電力の総和と、第2主面20B上に配置されるトランジスタ10の消費電力の総和との差が、最も小さくなるように、トランジスタ10が配置されていることが好ましい。これにより、トランジスタの動作により発生する熱を、一層効率よく外部に放出することができる。
次に、本発明の一実施の形態である実施の形態1における半導体装置の製造方法として、半導体装置1の製造方法について説明する。図6は、実施の形態1における半導体装置の製造方法の概略を示すフローチャートである。また、図7〜図17は、実施の形態1における半導体装置の製造方法を説明するための概略断面図である。なお、図7〜図17においては、図2〜図5と同様に、トランジスタが平面的に並べて設置される面に平行な面内において、トランジスタが並ぶ方向をY軸方向、Y軸方向に垂直な方向をX軸方向、トランジスタが設置される面に垂直な方向をZ軸方向として、当該方向が付記されている。
図6を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法においては、まず、リードフレームが準備されるリードフレーム準備工程(S110)が実施される。具体的には、図7を参照して、導電性の高い素材である銅(Cu)および/またはそれを含有した高熱伝導性金属材料などを素材とする平板状のリードフレーム50が準備される。
次に、図6を参照して、リードフレーム50に対して高熱伝導性絶縁部材40が接合される高熱伝導性絶縁部材接合工程(S120)が実施される。具体的には、図7を参照して、リードフレーム50において、半導体素子としてのトランジスタ10が搭載されるべき主面である第1面50Aとは反対側の主面である第2面50B上に高熱伝導性絶縁部材40が配置され、接合材料30により接合される。
次に、図6を参照して、リードフレーム50に半導体素子が接続される半導体素子接続工程(S130)が実施される。具体的には、図8を参照して、リードフレーム50の第1面50A上に、半導体素子としてのトランジスタ10が配置され、接合材料30により接合される。その後、図9を参照して、トランジスタ10の電極端子(ソース、ゲートおよびドレイン)とリードフレーム50とがワイヤ70により接続される。ワイヤ70によるトランジスタ10とリードフレーム50との接続は、たとえば超音波接合により実施することができる。
次に、図6を参照して、半導体素子としてのトランジスタ10が封止される絶縁封止工程(S140)が実施される。具体的には、図10を参照して、トランジスタ10を内部に包含し、かつリードフレーム50の接続部51および高熱伝導性絶縁部材40の第2面40Bが外部に露出するように、絶縁樹脂60が形成される。絶縁樹脂60の形成は、たとえばトランスファーモールドにより実施することができる。
次に、リードフレーム50が曲げ加工されるリードフレーム曲げ加工工程(S150)が実施される。具体的には、図11を参照して、リードフレーム50の接続部51が、トランジスタ10がその上に搭載される側とは反対側(第2面50B側)に屈曲するように、すなわち高熱伝導性絶縁部材40に近づく側に、絶縁樹脂60から露出する領域の途中で曲げ加工される。以上の工程により、半導体部品としての上側部品2が完成する。
一方、上記工程(S110)〜(S150)とは別に、工程(S110)〜(S140)と同様の工程が実施された後、(S150)において、図12に示すように、リードフレーム50の接続部51が、トランジスタ10がその上に搭載される側(第1面50A側)に屈曲するように、すなわち高熱伝導性絶縁部材40から離れる側(上側部品2において接続部51が屈曲する側とは反対側)に、絶縁樹脂60から露出する領域の途中で曲げ加工される。以上の工程により、半導体部品としての下側部品3が完成する。
さらに、図6を参照して、上記工程(S110)〜(S150)による上側部品2および下側部品3の作製とは別に、板状のヒートシンク20が準備されるヒートシンク準備工程(S210)が実施される。具体的には、図13を参照して、たとえば熱伝導性の高い素材である銅(Cu)および/またはそれを含有した高熱伝導性金属材料などを素材とする板状のヒートシンク20が準備される。
次に、図6を参照して、ヒートシンク20が曲げ加工されるヒートシンク曲げ加工工程(S220)が実施される。具体的には、図14を参照して、板状のヒートシンク20の両端が曲げ加工されることにより、主面に垂直な断面における形状がコの字型になるように、ヒートシンク20が成形される。より具体的には、平面形状が四角形である板状のヒートシンク20が工程(S210)において準備され、工程(S220)において、四角形の4つの辺のうち向かい合う2つの辺が互いに近づくように両端が曲げ加工されることにより、主面に垂直な断面における形状がコの字型であるヒートシンク20が作製される。
次に、図6を参照して、工程(S110)〜(S150)において作製された上側部品2および下側部品3が、工程(S210)〜(S220)において作製されたヒートシンク20の両側の主面上に搭載される半導体部品搭載工程が実施される。具体的には、図15を参照して、まず、下側部品3およびヒートシンク20を保持するための保持治具90が準備される。保持治具90は、たとえば板状の形状を有しており、下側部品3およびヒートシンク20を保持するための保持部として、リードフレーム50の接続部51およびヒートシンク20の突出部21が挿入される貫通孔91を備えている。そして、下側部品3は、保持治具90上に載置され、接続部51が貫通孔91に挿入されることにより、保持治具90により保持される。このとき、下側部品3は、トランジスタ10から見て接合材料30を介してリードフレーム50に固定される側とは反対側の面が保持治具90に対向するように保持治具90上に載置される。その結果、高熱伝導性絶縁部材40において、絶縁樹脂60から露出している面である第2面40Bが保持治具90とは反対側となるように、下側部品3が保持治具90により保持される。
次に、高熱伝導性絶縁部材40の第2面40B上に接合材料30が載せられた後、ヒートシンク20の、工程(S220)で曲げ加工されなかった領域である中央部22において、突出部21の両端に面する側の面である第2主面20Bと、高熱伝導性絶縁部材40の第2面40Bとが接合材料30を挟んで対向するように、下側部品3上にヒートシンク20が載置される。その結果、下側部品3とヒートシンク20とは、第2主面20Bと高熱伝導性絶縁部材40の第2面40Bとにおいて、接合材料30により接合される。
次に、図16および図17を参照して、ヒートシンク20の第1主面20A上に接合材料30が載せられた後、ヒートシンク20の第1主面20Aと、上側部品2の高熱伝導性絶縁部材40の第2面40Bとが接合材料30を挟んで対向するように、ヒートシンク20上に上側部品2が載置される。その結果、上側部品2とヒートシンク20とは、第1主面20Aと高熱伝導性絶縁部材40の第2面40Bとにおいて、接合材料30により接合される。このとき、図17を参照して、ヒートシンク20には、ヒートシンク20を貫通する貫通孔29が形成されており、リードフレーム50の接続部51が貫通孔29を貫通するように、上側部品2がヒートシンク20の第1主面20A上に搭載される。また、上側部品2がヒートシンク20の第1主面20A上に搭載された後、貫通孔29の内壁とリードフレーム50の接続部51とが接触することを回避するため、貫通孔29の内部が、絶縁性を有する素材、たとえば絶縁性樹脂からなる絶縁材により充填されてもよい。
以上の工程により作製された半導体装置1が保持治具90から取り外されることにより、本実施の形態における半導体装置の製造方法は完了し、半導体装置1が得られる。
上記本実施の形態における半導体装置の製造方法によれば、トランジスタ10の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする、複数のトランジスタ10を備えた半導体装置1を容易に製造することができる。
(実施の形態2)
次に、本発明の一実施の形態である実施の形態2について説明する。図18および図19は、実施の形態2における半導体装置の概略断面図である。ここで、実施の形態2の半導体装置を示す図18および図19は、それぞれ実施の形態1の半導体装置を示す図2および図3における線分IV−IVおよび線分V−Vに沿う概略断面図に相当する。
次に、本発明の一実施の形態である実施の形態2について説明する。図18および図19は、実施の形態2における半導体装置の概略断面図である。ここで、実施の形態2の半導体装置を示す図18および図19は、それぞれ実施の形態1の半導体装置を示す図2および図3における線分IV−IVおよび線分V−Vに沿う概略断面図に相当する。
図18および図19を参照して、実施の形態2における半導体装置1は、基本的には実施の形態1における半導体装置1と同様の構成を有し、同様の効果を奏する。しかし、実施の形態2における半導体装置1は、ヒートシンク20の第2主面20B上にトランジスタ10が搭載されていない。一方、半導体装置1がプリント基板80上に搭載された状態において、ヒートシンク20の第2主面20Bに対向するプリント基板80の領域には、半導体装置1とは異なる他の電子部品85が配置されている。このように、実施の形態2における半導体装置1によれば、図18および図19に示すように、半導体装置1が配置されるべきプリント基板80の領域に他の電子部品が配置されている場合であっても、当該他の電子部品上に、平面的に見て当該他の電子部品に重なるように、半導体装置1を配置することが容易となる。その結果、実施の形態2における半導体装置1によれば、トランジスタ10の動作により発生する熱を効率的に放出することを可能としつつ、大幅な省スペース化を可能とする半導体装置1を提供することができる。なお、実施の形態2における半導体装置1は、下側部品3を作製し、ヒートシンク20上に搭載する工程を省略する点を除き、実施の形態1の場合と同様に製造することができる。
上記実施の形態においては、半導体装置に搭載される半導体素子がトランジスタである場合について説明したが、本発明の半導体装置はこれに限られない。本発明の半導体装置においては、上記トランジスタのほか、ダイオード(PNダイオード、ショットキーバリアダイオードなど)、サイリスタなどの半導体素子が搭載されてもよい。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本発明の半導体装置およびその製造方法は、ヒートシンク上に搭載された半導体素子を備える半導体装置およびその製造方法に、特に有利に適用され得る。
1 半導体装置、2 上側部品、3 下側部品、9 回路装置、10 トランジスタ、20 ヒートシンク、20A 第1主面、20B 第2主面、21 突出部、22 中央部、29 貫通孔、30 接合材料、40 高熱伝導性絶縁部材、40A 第1面、40B 第2面、50 リードフレーム、50A 第1面、50B 第2面、51 接続部、60 絶縁樹脂、70 ワイヤ、80 プリント基板、85 電子部品、90 保持治具、91 貫通孔。
Claims (4)
- ヒートシンクと、
前記ヒートシンクの一方の主面上に搭載された半導体素子と、
前記半導体素子を取り囲んで封止することにより、前記半導体素子と外部との間を絶縁する絶縁性封止剤と、
前記絶縁性封止剤よりも熱伝導率の高い素材からなり、前記ヒートシンクと前記半導体素子との間に配置され、前記絶縁性封止剤から少なくともその一部が露出する高熱伝導性絶縁部材と、
前記半導体素子を外部と電気的に接続するリードフレームとを備え、
前記ヒートシンクは、前記高熱伝導性絶縁部材よりも突出する突出部を含み、
前記ヒートシンクの前記突出部には、前記ヒートシンクを貫通する貫通孔が形成されており、
前記リードフレームは前記貫通孔を貫通している、半導体装置。 - 前記ヒートシンクの一方の主面とは反対側の主面である他方の主面上には、前記半導体素子とは異なる他の半導体素子が搭載されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 高熱伝導性絶縁部材を準備する工程と、
前記高熱伝導性絶縁部材にリードフレームを接続する工程と、
前記リードフレームと半導体素子とを接続し、半導体部品を作製する工程と、
前記半導体部品を、ヒートシンクの主面上に搭載する工程とを備え、
前記ヒートシンクには、前記ヒートシンクを貫通する貫通孔が形成されており、
前記半導体部品を搭載する工程では、前記リードフレームが前記貫通孔を貫通するように、前記半導体部品が前記ヒートシンクの主面上に搭載される、半導体装置の製造方法。 - 前記半導体部品を作製する工程では、複数の前記半導体部品が作製され、
前記半導体部品をヒートシンクの主面上に搭載する工程では、前記複数の半導体部品のうち少なくとも1つの半導体部品が前記ヒートシンクの一方の主面上に搭載されるとともに、前記複数の半導体部品のうち前記少なくとも1つの半導体部品とは異なる他の少なくとも1つの半導体部品が、前記ヒートシンクの前記一方の主面とは異なる他方の主面上に搭載され、
前記一方の主面上に搭載される前記少なくとも1つの半導体部品は、前記リードフレームが前記貫通孔を貫通するように、前記ヒートシンクの前記一方の主面上に搭載される、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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JPH0487211A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 低風騒音低コロナ騒音架空電線 |
JP2012222041A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 放熱部材及びその製造方法、並びに半導体モジュール |
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-
2008
- 2008-01-10 JP JP2008002996A patent/JP2009164511A/ja not_active Withdrawn
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