JP2016082064A - 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置の製造コストを低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第一型１と第二型２との間にリード１２を挟み込み、空間Ｓ１にダイパッド１１等を収容する工程と、空間Ｓ１に樹脂を注入し、樹脂を硬化することによりダイパッド１１等を樹脂で封止する工程と、を含む半導体装置の製造方法を提供する。ダイパッド１１の第一面１１ａを第二型２に向けたときに、第二面１１ｂが第一凹部４の底面４ａから離間する。ダイパッド１１の第一面１１ａを第一型１に向けたときに、第二面１１ｂが第二の凹部５の底面５ａと接触する。樹脂によって第二面１１ｂが覆われたタイプの半導体装置を製造する場合には、第一面１１ａを第二型２に向けてダイパッド１１等を空間Ｓ１に収容する。樹脂から第二面１１ｂが露出したタイプの半導体装置を製造する場合には、第一面１１ａを第一型１に向けてダイパッド１１等を空間Ｓ１に収容する。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレームに関する。

従来、半導体装置を製造する際には、リードフレームのダイパッドの第一の面に半導体素子を接合し、リードを第一の型と第二の型との間に挟み込む。このとき、ダイパッドの第一の面は常に同じ型、例えば第二の型の側に向けられる。そして、ダイパッドおよび半導体素子を収容した空間に、樹脂を注入し、樹脂を硬化することにより、ダイパッドおよび半導体素子を樹脂で封止する（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１−２７４１９６号公報

半導体装置には様々な種類がある。例えば、半導体装置は、ダイパッドの第一の面と反対側の第二の面が樹脂で覆われた第一のタイプ（フルモールドタイプ）と、ダイパッドの第二の面が樹脂の外部に露出した第二のタイプ（ヒートシンク露出タイプ）との２タイプに分類される。
従来の製造方法では、ピンの本数やピッチが同じ半導体装置であっても、上記タイプが異なるごとに、第一および第二の型やリードフレームを個別に用意する必要が生じていた。このため、第一および第二の型やリードフレームの設計・作製の工費が嵩むので、半導体装置の製造コストが高くなっていた。
本発明は、上述の事情に鑑みてなされたものであり、半導体装置の製造コストを低減することができる半導体装置の製造方法、前記製造方法によって製造される半導体装置、前記製造方法に用いられる金型、および前記製造方法に用いられるリードフレームを提供することを課題とする。

この課題を解決するために、本発明は、板状のダイパッドと、前記ダイパッドの厚さ方向に間隔をあけて前記ダイパッドと平行に配置されるリードとを含むリードフレームを用意し、前記ダイパッドの第一の面に半導体素子を接合する第一の工程と、互いに対向する第一の型と第二の型との間に前記リードを挟み込み、前記第一の型の前記第二の型と対向する面に設けられた第一の凹部と、前記第二の型の前記第一の型と対向する面に設けられた第二の凹部と、により形成される空間に前記ダイパッドおよび前記半導体素子を収容する第二の工程と、前記空間に樹脂を注入し、前記樹脂を硬化することにより、前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記樹脂で封止する第三の工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記第一の型として、前記第一の面を前記第二の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容したときに、前記第一の面とは反対側の前記ダイパッドの第二の面が前記第一の凹部の底面と離間して配置されるような型を用い、前記第二の型として、前記第一の面を前記第一の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容したときに、前記第二の面が前記第二の凹部の底面と接触して配置されるような型を用い、前記第二の工程では、製造すべき半導体装置のパッケージが、前記樹脂によって前記第二の面が覆われた第一のタイプのパッケージである場合には、前記第一の面を前記第二の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容し、製造すべき半導体装置のパッケージが、前記樹脂から前記第二の面が露出した第二のタイプのパッケージである場合には、前記第一の面を前記第一の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容する半導体装置の製造方法を提供する。

本発明の半導体装置の製造方法によれば、同一の第一および第二の型を用い、リードフレームの向きを変えることで、第一と第二の２つのタイプの半導体装置を製造することができる。
これにより、第一および第二の型やリードフレームを複数の半導体装置の製造工程で共用できるため、半導体装置の製造コストを低減することができる。

本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によって第一のタイプの半導体装置を製造する場合に用いられる金型およびリードフレームを示す模式図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図であって、半導体素子を接合したリードフレームを示す模式図である。 前図に続く製造方法の説明図であって、金型内の空間に樹脂を注入する工程を説明する模式図である。 前図に続く製造方法の説明図であって、金型から取り外した半導体装置を示す模式図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によって製造される第一のタイプの半導体装置を示す図であり、（ａ）は下方から見た平面図、（ｂ）は一側方から見た透視図、（ｃ）は上方から見た透視図、（ｄ）は他側方から見た透視図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によって第二のタイプの半導体装置を製造する場合に用いられる金型およびリードフレームを示す模式図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図であって、半導体素子を接合したリードフレームを示す模式図である。 前図に続く製造方法の説明図であって、金型内の空間に樹脂を注入する工程を説明する模式図である。 前図に続く製造方法の説明図であって、金型から取り外した半導体装置を示す模式図である。 本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法によって製造される第二のタイプの半導体装置を示す図であり、（ａ）は下方から見た透視図、（ｂ）は一側方から見た透視図、（ｃ）は上方から見た平面図、（ｄ）は他側方から見た透視図である。

以下、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態について説明する。
本実施形態の製造方法によれば、第一のタイプ（フルモールドタイプ）である半導体装置３０（図５参照）と、第二のタイプ（ヒートシンク露出タイプ）の半導体装置４０（図１０参照）とを製造することができる。
以下、第一のタイプの半導体装置３０の説明に続いて、半導体装置３０を製造する方法について説明する。次いで、第二のタイプの半導体装置４０の説明に続いて、半導体装置４０を製造する方法について説明する。

まず、半導体装置３０について説明する。
図５に示すように、半導体装置３０は、板状のダイパッド１１と、ダイパッド１１に搭載される半導体素子３１と、半導体素子３１に電気接続されるリード１２と、リード１２とダイパッド１１とを連結する連結部１３と、ダイパッド１１から延出する一対の当接部１４と、ダイパッド１１および半導体素子３１を封止する封止樹脂３３と、を備えている。

以下の説明において、ダイパッド１１の、半導体素子３１が搭載される面を第一主面１１ａ（第一の面）といい、第一主面１１ａとは反対の面を第二主面１１ｂ（第二の面）という。

図５（ｄ）に示すように、リード１２は、基端部がダイパッド１１の一方の端部に近接した位置にあり、ダイパッド１１から離れる方向に延出している。リード１２は、ダイパッド１１の厚さ方向に間隔をあけて、ダイパッド１１と平行に形成されている。

図５（ｃ）に示すように、リード１２は、中央リード１２ａと、中央リード１２ａの一方および他方の側方にそれぞれ配置された側部リード部１２ｂ，１２ｂとを備えている。
側部リード部１２ｂは、中央リード１２ａの幅方向に間隔をあけて、中央リード１２ａと平行に設けられている。なお、幅方向とは、ダイパッド１１の主面１１ａに沿う方向であって、中央リード１２ａの長手方向に直交する方向である。
側部リード部１２ｂの基端部１２ｂ１には、ダイパッド１１に搭載される半導体素子３１と電気接続するためのワイヤー３２が接合される。

連結部１３は、ダイパッド１１の一方の端部と、中央リード１２ａの基端部１２ａ１とを連結している。
連結部１３は、図５（ｄ）においてダイパッド１１の上面（第一主面１１ａ）より高い位置にある中央リード１２ａとダイパッド１１とを接続するため、ダイパッド１１に近づくほど下降するように傾斜している。

ダイパッド１１は、平面視矩形状に形成され、第一主面１１ａに半導体素子３１を搭載することができる。

図５（ｄ）に示すように、当接部１４は、ダイパッド１１から離れるほど上昇する傾斜部１４ａと、傾斜部１４ａの端部から、ダイパッド１１の主面１１ａと平行に、ダイパッド１１から離れる方向に形成された当接主部１４ｂとを有する。
図５（ｃ）に示すように、一対の当接部１４は、ダイパッド１１の他方の端部に、幅方向に間隔をおいて形成されている。
当接部１４は、リードフレーム１０（図１参照）を位置決めするためのサポートピン（図示略）が当接する部分である。なお、サポートピンは、例えば、型１，２の凹部４，５の底面４ａ，５ａから内部空間Ｓ１内に突出して形成される（図１参照）。
ダイパッド１１、リード１２、連結部１３、および当接部１４は、銅板等のように導電性を有する板材からなる。

封止樹脂３３は、半導体素子３１、ダイパッド１１、リード１２の基端部、連結部１３、当接部１４およびワイヤー３２を覆って形成されている。
封止樹脂３３の外面のうち、第一主面１１ａと同じ側の面（図５（ｄ）において上面）を第一面３３ａといい、第一面３３ａとは反対の面を第二面３３ｂという。

図５（ａ）〜図５（ｄ）に示すように、半導体装置３０のパッケージは、封止樹脂３３によって、ダイパッド１１の第一主面１１ａおよび第二主面１１ｂが覆われた、第一のタイプ（フルモールドタイプ）のパッケージである。

半導体素子３１は、例えば、上面にゲート電極及びソース電極を有し、下面にドレイン電極を有するＭＯＳＦＥＴである。半導体素子３１は、半導体素子３１の下面がはんだ（不図示）によってダイパッド１１の第一主面１１ａに接合されることで、半導体素子３１のドレイン電極がダイパッド１１に電気接続されている。

次いで、半導体装置３０を製造する方法を説明する。
図２に示すように、リードフレーム１０を用意する。
リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、リード１２と、連結部１３と、当接部１４とを有する。中央リード１２ａと側部リード部１２ｂとは、連結フレーム部（図示略）によって互いに接続されていてもよい。
リードフレーム１０は、銅板等のように導電性を有する板材にプレス加工等を施すことで得られる。

（接合工程）（第一の工程）
図２、図５（ｂ）〜図５（ｄ）に示すように、半導体素子３１をダイパッド１１の第一主面１１ａに搭載する。この工程では、例えばはんだ（図示略）によって半導体素子３１を第一主面１１ａに接合する。

次いで、半導体素子３１とリード１２とを電気接続する。詳しくは、ワイヤー（接続子）３２の両端を、それぞれ半導体素子３１およびリード１２に接合する。ワイヤー３２は、側部リード部１２ｂの基端部１２ｂ１に接合される。

（収容工程）（第二の工程）
図１に示すように、第一の型１と、第二の型２とを有する金型３を用意する。
第一の型１は、第二の型２と対向する面に、第一凹部４（第一の凹部）が形成されている。
第一の型１は、基壁部６と、基壁部６の周縁に立設された側壁部７とを有する容器状に形成されている。

側壁部７の立設方向の端部（図１の上端部）には、リード１２が配置されるリード用凹部７ａが形成されている。
リード用凹部７ａの内面は、第一の型１と第二の型２との間にリード１２を挟み込んだときにリード１２と接する。
リード用凹部７ａと、後述するリード用凹部９ａとは、リード１２が挿通するリード挿通孔１８を形成する。
リード用凹部７ａの内面のうち、第一凹部４の底面４ａ（基壁部６の内面。図１では上面）と平行な面を対向面７ｂという。対向面７ｂは、リード１２に接する。

第一の型１は、ダイパッド１１の第一主面１１ａを第二の型２に向けて、ダイパッド１１、半導体素子３１等を内部空間Ｓ１に収容したときに、第二主面１１ｂが第一凹部４の底面４ａと離間して配置されるように形成されている。
なお、内部空間Ｓ１とは、第一凹部４および第二凹部５によって形成される空間である。

第二の型２は、第一の型１と対向する面に、第二凹部５（第二の凹部）が形成されている。
第二の型２は、基壁部８と、基壁部８の周縁に形成された側壁部９とを有する容器状に形成されている。側壁部９の端部（図１の下端部）には、リード１２が配置されるリード用凹部９ａが形成されている。

リード用凹部９ａの内面は、第一の型１と第二の型２との間にリード１２を挟み込んだときにリード１２と接する。
リード用凹部９ａの内面のうち、第二凹部５の底面５ａ（基壁部８の内面。図１では下面）と平行な面を対向面９ｂという。対向面９ｂは、リード１２に接する。
金型３は、第一の型１と第二の型２とを向い合せた状態で、第一凹部４の底面４ａと第二凹部５の底面５ａとが互いに平行となる。

第二の型２は、後述するように、ダイパッド１１の第一主面１１ａを第一の型１に向けて、ダイパッド１１、半導体素子３１等を内部空間Ｓ１に収容したときに、第二主面１１ｂが第二凹部５の底面５ａと接触して配置されるように形成されている（図６参照）。

図１に示すように、第二凹部５の底面５ａと、リード用凹部９ａの対向面９ｂとの高さ方向（底面５ａに垂直な方向）の距離（高低差）をａとする。
また、第一凹部４の底面４ａと、リード用凹部７ａの対向面７ｂとの高さ方向（底面４ａに垂直な方向）の距離（高低差）をｂとする。
ダイパッド１１の第二主面１１ｂと、第二主面１１ｂと同じ側のリード１２の第二面１２ｄ（図１では下面）との高さ方向（ダイパッド１１の厚さ方向）の距離（高低差）をｃとする。

距離ａ，ｂ，ｃは、「ｃ＝ａ＜ｂ」という関係を有する。
この関係が成立することによって、図１に示す姿勢でリードフレーム１０が金型３内に配置された場合には、ダイパッド１１の第二主面１１ｂは確実に第一凹部４の底面４ａと非接触となり、かつ図６に示す姿勢でリードフレーム１０が金型３内に配置された場合には、ダイパッド１１の第二主面１１ｂは確実に二凹部５の底面５ａと接触する。
このため、金型３は、第一のタイプ（フルモールドタイプ）である半導体装置３０だけでなく、ダイパッド１１の第二主面１１ｂが封止樹脂３３の外部に露出した第二のタイプ（ヒートシンク露出タイプ）の半導体装置４０（図１０参照）も、精度よく作製できる。

第一の型１と第二の型２とを、第一凹部４と第二凹部５とが向かい合うように配置し、第一の型１と第二の型２との間に、リードフレーム１０のリード１２を挟み込む。この際、半導体素子３１、ダイパッド１１、リード１２の基端部、連結部１３、当接部１４およびワイヤー３２を、内部空間Ｓ１に収容する。
リードフレーム１０は、ダイパッド１１の第一主面１１ａを第二の型２に向けた姿勢とする。
リード１２は、リード挿通孔１８に挿通し、リード用凹部７ａ，９ａの対向面７ｂ，９ｂに当接する。

（樹脂封止工程）（第三の工程）
図３に示すように、金型３の内部空間Ｓ１に、液状の樹脂１９を注入する。樹脂１９としては、液状硬化性の樹脂が用いられ、例えば熱硬化性樹脂を使用できる。樹脂１９は、例えば側壁部７，９（図１参照）等に形成された注入口（図示略）を通して内部空間Ｓ１に導入することができる。
次いで、加熱等により樹脂１９を硬化させることによって、半導体素子３１、ダイパッド１１、リード１２の基端部、連結部１３、当接部１４およびワイヤー３２が封止樹脂３３で封止された半導体装置３０を得る。
次いで、図４に示すように、金型３から半導体装置３０を取り外す。

半導体装置３０は、上述の距離ａ，ｂ，ｃに関する関係「ｃ＝ａ＜ｂ」を満たすように形成された第一の型１および第二の型２を用いて作製された場合には、次のような寸法関係を有するものとなる。
図４に示すように、第一主面１１ａと同じ側にある封止樹脂３３の第一面３３ａと、第一主面１１ａと同じ側にあるリード１２の第一面１２ｅとの距離はａとなる。
第二主面１１ｂと同じ側にある封止樹脂３３の第二面３３ｂと、第二主面１１ｂと同じ側にあるリード１２の第二面１２ｄとの距離はｂとなる。
第二主面１１ｂと、第二面１２ｄとの距離はｃとなる。
距離ａ，ｂ，ｃとの間には「ｃ＝ａ＜ｂ」が成立する。

次に、図６〜図１０を参照して、第二のタイプの半導体装置４０について説明する。
半導体装置４０は、ダイパッド１１の第二主面１１ｂが封止樹脂４３の外部に露出した第二のタイプ（ヒートシンク露出タイプ）の半導体装置である。
以下、第一のタイプの半導体装置３０と同じ構成については、同じ符号を付してその説明を省略または簡略化する。

図１０に示すように、半導体装置４０は、ダイパッド１１と、半導体素子３１と、リード１２と、連結部１３と、当接部１４と、ダイパッド１１および半導体素子３１を封止する封止樹脂４３と、を備えている。
封止樹脂４３は、半導体素子３１、リード１２の基端部、連結部１３、当接部１４およびワイヤー３２を覆っている。
封止樹脂４３の、第二主面１１ｂ側の面（図１０（ｄ）において上面）を第一面４３ａといい、第一面４３ａとは反対の面を第二面４３ｂという。

図１０（ｃ）に示すように、半導体装置４０のパッケージは、ダイパッド１１の第二主面１１ｂが封止樹脂４３の外部に露出した、第二のタイプ（ヒートシンク露出タイプ）のパッケージである。

半導体装置４０は、実装基板（不図示）に実装する場合、リード１２、またはダイパッド１１の第二主面１１ｂを実装基板のランド（不図示）に接合することができる。
半導体装置４０では、通電により半導体素子３１に大きな熱が発生した場合でも、半導体素子３１の熱を、主にダイパッド１１を介して実装基板（外部）に伝えることができる。また、半導体素子３１の熱を、絶縁シート（図示略）等を介してヒートシンク（図示略）に伝えることもできる。

次いで、半導体装置４０を製造する方法を説明する。
図７に示すように、リードフレーム１０を用意する。

（接合工程）（第一の工程）
図７、図１０（ｂ）〜図１０（ｄ）に示すように、半導体素子３１をダイパッド１１の第一主面１１ａに搭載し、半導体素子３１とリード１２とをワイヤー３２によって電気接続する。

（収容工程）（第二の工程）
図６に示すように、第一の型１と第二の型２とを、第一凹部４と第二凹部５とが向かい合うように配置し、第一の型１と第二の型２との間に、リードフレーム１０のリード１２を挟み込む。この際、半導体素子３１、ダイパッド１１、リード１２の基端部、連結部１３、当接部１４およびワイヤー３２を、内部空間Ｓ１に収容する。
リードフレーム１０は、ダイパッド１１の第一主面１１ａを第一の型１に向けた姿勢とする。

上述のように、第二の型２は、ダイパッド１１の第一主面１１ａを第一の型１に向けて、ダイパッド１１、半導体素子３１等を内部空間Ｓ１に収容したときに、第二主面１１ｂが第二凹部５の底面５ａと接触して配置される。
第二主面１１ｂは、全面にわたって底面５ａに接触することが好ましい。これによって、第二主面１１ｂの全面が封止樹脂４３の外部に露出するため、熱を外部に伝える性能を高めることができる。

また、底面５ａと対向面９ｂとの距離ａと、底面４ａと対向面７ｂとの距離ｂと、第二主面１１ｂと第二面１２ｄとの距離ｃとが「ｃ＝ａ＜ｂ」という関係を満たすことによって、図６に示す姿勢で金型３内に配置されたダイパッド１１の第二主面１１ｂは、確実に第二凹部５の底面５ａと接触する。

（樹脂封止工程）（第三の工程）
図８に示すように、金型３の内部空間Ｓ１に、液状の樹脂１９を注入し、硬化させることによって、半導体素子３１、ダイパッド１１等が封止樹脂４３で封止された半導体装置４０を得る。
次いで、図９に示すように、金型３から半導体装置４０を取り外す。

本実施形態の製造方法によれば、製造すべき半導体装置のパッケージが第一のタイプのパッケージである場合には、リードフレーム１０を、第一主面１１ａが第二凹部５に向いた姿勢として樹脂封止を行うことによって、第一のタイプの半導体装置３０を製造することができる。
製造すべき半導体装置のパッケージが第二のタイプのパッケージである場合には、リードフレーム１０を、第一主面１１ａが第一凹部４に向いた姿勢として樹脂封止を行うことによって、第二のタイプの半導体装置４０を製造することができる。
このように、本実施形態の製造方法によれば、同一の第一および第二の型４，５を用いて、２つのタイプの半導体装置を製造することができる。
これにより、第一および第二の型４，５やリードフレーム１０を複数の半導体装置の製造工程で共用できるため、半導体装置３０、４０の製造コストを低減することができる。

以上、本発明の詳細について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
例えば、図１等に示すリードフレーム１０の構成は、一つの半導体装置を製造するための構成であるが、複数の半導体装置を一度に製造できるように、一つの半導体装置を製造するためのユニット（一つのダイパッド１１および複数のリード１２を含むユニット）を複数接続して構成されたリードフレームを用いてもよい。
具体的には、複数のユニットを幅方向に互いに間隔をあけて並べた状態で、これら複数のユニットが連結フレーム部（図示略）によって互いに接続された構造を採用できる。
また、上記実施形態では、半導体素子３１とリード１２とがワイヤー３２によって電気接続されるが、少なくとも導電性を有する接続子によって電気接続されればよく、例えば導電性の板材によって接続されてもよい。
また、図１等に示すように、上記実施形態では、当接部１４は、傾斜部１４ａと、ダイパッド１１の主面１１ａと平行な当接主部１４ｂとを有するが、当接部１４の構成はこれに限らず、全長にわたってダイパッド１１の主面１１ａと平行に形成されていてもよい。

１ 第一の型
２ 第二の型
３ 金型
４ 第一凹部（第一の凹部）
４ａ 第一凹部の底面（第一の凹部の底面）
５ａ 第二凹部の底面（第二の凹部の底面）
５ 第二凹部（第二の凹部）
７ｂ 対向面（リードと接する第一の型の面）
９ｂ 対向面（リードと接する第二の型の面）
１０ リードフレーム
１１ ダイパッド
１１ａ 第一主面（第一の面）
１１ｂ 第二主面（第二の面）
１２ リード
１２ｄ 第二面（第二の面と同じ側にあるリードの面）
３０，４０ 半導体装置
３１ 半導体素子
３３，４３ 封止樹脂（樹脂）
３３ａ 封止樹脂（樹脂）の第一面
３３ｂ 封止樹脂（樹脂）の第二面
Ｓ１ 内部空間（空間）

Claims (6)

1. 板状のダイパッドと、前記ダイパッドの厚さ方向に間隔をあけて前記ダイパッドと平行に配置されるリードとを含むリードフレームを用意し、前記ダイパッドの第一の面に半導体素子を接合する第一の工程と、
   互いに対向する第一の型と第二の型との間に前記リードを挟み込み、前記第一の型の前記第二の型と対向する面に設けられた第一の凹部と、前記第二の型の前記第一の型と対向する面に設けられた第二の凹部と、により形成される空間に前記ダイパッドおよび前記半導体素子を収容する第二の工程と、
   前記空間に樹脂を注入し、前記樹脂を硬化することにより、前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記樹脂で封止する第三の工程と、
   を含む半導体装置の製造方法であって、
   前記第一の型として、前記第一の面を前記第二の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容したときに、前記第一の面とは反対側の前記ダイパッドの第二の面が前記第一の凹部の底面と離間して配置されるような型を用い、
   前記第二の型として、前記第一の面を前記第一の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容したときに、前記第二の面が前記第二の凹部の底面と接触して配置されるような型を用い、
   前記第二の工程では、製造すべき半導体装置のパッケージが、前記樹脂によって前記第二の面が覆われた第一のタイプのパッケージである場合には、前記第一の面を前記第二の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容し、
   製造すべき半導体装置のパッケージが、前記樹脂から前記第二の面が露出した第二のタイプのパッケージである場合には、前記第一の面を前記第一の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容する、半導体装置の製造方法。
2. 前記第一の型と前記第二の型との間に前記リードを挟み込んだときに前記リードと接する前記第二の型の面であって且つ前記第二の凹部の底面と平行な面と、前記第二の凹部の底面と、の間の距離をａとし、
   前記第一の型と前記第二の型との間に前記リードを挟み込んだときに前記リードが接する前記第一の型の面であって且つ前記第一の凹部の底面と平行な面と、前記第一の凹部の底面と、の間の距離をｂとし、
   前記第二の面と、前記第二の面と同じ側にある前記リードの面と、の間の距離をｃとしたときに、
   ｃ＝ａ＜ｂという関係を満たす、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記第一の面を前記第一の型に向けて前記ダイパッドおよび前記半導体素子を前記空間に収容したときに、前記第二の面が、全面にわたって前記第二の凹部の底面と接触して配置される、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法によって製造される半導体装置であって、
   前記ダイパッドと、前記リードと、前記ダイパッドの第一の面に接合された半導体素子と、前記ダイパッドおよび前記半導体素子を封止する前記樹脂と、を備え、
   前記第一の面と同じ側にある前記樹脂の面と、前記第一の面と同じ側にある前記リードの面との距離をａとし、
   前記第二の面と同じ側にある前記樹脂の面と、前記第二の面と同じ側にある前記リードの面との距離をｂとし、
   前記第二の面と、前記第二の面と同じ側にある前記リードの面と、の間の距離をｃとしたときに、
   ｃ＝ａ＜ｂという関係を満たす、半導体装置。
5. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法に用いられる金型であって、
   前記第一の型と、前記第二の型とを備え、
   前記第一の型と前記第二の型との間に前記リードを挟み込んだときに前記リードと接する前記第二の型の面であって且つ前記第二の凹部の底面と平行な面と、前記第二の凹部の底面と、の間の距離をａとし、
   前記第一の型と前記第二の型との間に前記リードを挟み込んだときに前記リードが接する前記第一の型の面であって且つ前記第一の凹部の底面と平行な面と、前記第一の凹部の底面と、の間の距離をｂとし、
   前記第二の面と、前記第二の面と同じ側にある前記リードの面と、の間の距離をｃとしたときに、
   ｃ＝ａ＜ｂという関係を満たす、金型。
6. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法に用いられるリードフレームであって、
   前記ダイパッドと、前記リードとを備え、
   前記第一の型と前記第二の型との間に前記リードを挟み込んだときに前記リードと接する前記第二の型の面であって且つ前記第二の凹部の底面と平行な面と、前記第二の凹部の底面と、の間の距離をａとし、
   前記第一の型と前記第二の型との間に前記リードを挟み込んだときに前記リードが接する前記第一の型の面であって且つ前記第一の凹部の底面と平行な面と、前記第一の凹部の底面と、の間の距離をｂとし、
   前記第二の面と、前記第二の面と同じ側にある前記リードの面と、の間の距離をｃとしたときに、
   ｃ＝ａ＜ｂという関係を満たす、リードフレーム。

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