JPS6132434A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS6132434A JPS6132434A JP15347284A JP15347284A JPS6132434A JP S6132434 A JPS6132434 A JP S6132434A JP 15347284 A JP15347284 A JP 15347284A JP 15347284 A JP15347284 A JP 15347284A JP S6132434 A JPS6132434 A JP S6132434A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 235000017284 Pometia pinnata Nutrition 0.000 description 1
- 240000007653 Pometia tomentosa Species 0.000 description 1
- 241001125048 Sardina Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 235000019512 sardine Nutrition 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上のオｊ１用分野
本発明は、電力用トランジスタ、ダイオード等の樹脂封
止型半導体装置の製造方法に関する。
止型半導体装置の製造方法に関する。
従来の技術
従来の一般的な樹脂封止型パワートランジスタにお（・
ては、トランジスタチップが固着されている放熱性の良
いチップ支持板の裏面には樹脂層が形成されていない。
ては、トランジスタチップが固着されている放熱性の良
いチップ支持板の裏面には樹脂層が形成されていない。
このため、このパワートランジスタケ外部放熱体に取付
けるに際しては、これらの間の電気的絶縁のために、上
記チップ支持板の裏面と外部放熱体との間に比較的熱伝
導性の良い絶縁物であるマイカ薄板等を介在させなけれ
ばならず、パワートランジスタの取付は作業が煩雑にな
った。
けるに際しては、これらの間の電気的絶縁のために、上
記チップ支持板の裏面と外部放熱体との間に比較的熱伝
導性の良い絶縁物であるマイカ薄板等を介在させなけれ
ばならず、パワートランジスタの取付は作業が煩雑にな
った。
上述の如き欠点Ｖ＊決するために、例えば、特開昭５７
−［４７２６０号公報に開示されているように、放熱性
の良いチップ支持板の裏面にも薄−・封圧樹脂層（厚さ
数百μｍＪ％−形成し、マイカ薄板部を不要にする構造
が提案されて（゛る口また、チップ支持板の下面を金型
で支持せず、片持ち梁状にリードフレームχ支持するた
めに生じる成形時のチップ支持板の変位を防止するため
に、リードと反対側に細条を導出し、この細条を金型で
支持し、成形後にこの細条を切り落丁ことも提案されて
いる。上述の如（、細条ン設けて、チップ支持板なその
両側で保持すれば、樹脂注入時におけるチップ支持板の
変位は確かに少な（なる。
−［４７２６０号公報に開示されているように、放熱性
の良いチップ支持板の裏面にも薄−・封圧樹脂層（厚さ
数百μｍＪ％−形成し、マイカ薄板部を不要にする構造
が提案されて（゛る口また、チップ支持板の下面を金型
で支持せず、片持ち梁状にリードフレームχ支持するた
めに生じる成形時のチップ支持板の変位を防止するため
に、リードと反対側に細条を導出し、この細条を金型で
支持し、成形後にこの細条を切り落丁ことも提案されて
いる。上述の如（、細条ン設けて、チップ支持板なその
両側で保持すれば、樹脂注入時におけるチップ支持板の
変位は確かに少な（なる。
発明が解決しようとする問題点
しかし、成形後に、細条を切断すると、この切断面が樹
脂被覆体から露出し、電気絶縁上好ましくない。また被
覆体表面の汚れにより絶縁性が低下する。また、細条を
切断するだめの工程が必要となり、製造コストが高くな
る。そこで、本発明の目的は、樹脂注入時のチップ支持
板の変位を防止することが出来且つ短絡事故や絶縁不良
が起り難い樹脂封止型半導体装置の製造方法を提７供す
ることにある。
脂被覆体から露出し、電気絶縁上好ましくない。また被
覆体表面の汚れにより絶縁性が低下する。また、細条を
切断するだめの工程が必要となり、製造コストが高くな
る。そこで、本発明の目的は、樹脂注入時のチップ支持
板の変位を防止することが出来且つ短絡事故や絶縁不良
が起り難い樹脂封止型半導体装置の製造方法を提７供す
ることにある。
問題点を解決するだめの手段
上記目的を達成するだめの本発明は、実施例を示す図面
の符号ン参照して説Ｆ！Ａすると、半導体チップ（３ノ
と、一方の主表面上に前記チップ（３１が装着された金
属製チップ支持板（υと、前記チップ支持板（１）の一
方の側に導出され且つ前記チップ支持板（１）に連続し
て−するリード（２ｂ］と、前記チップ［３１及び前記
チップ支持板用の一方及び他方の主表面を覆う一方及び
他方の面を有するように設けられた絶縁性樹脂被覆体重
とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記リード（２ｂＪの導出側と反対の側に配置され且つ
＃記チップ支持板＋ＩＪに一体に設けられている型当接
部１５）ン有し、且つ前記型当接部（５）が前記チップ
支持板（１）の前記一方の主表面側に型当接面ン有する
第１の型係合部（８Ｊ（９）と、前記チップ支持板Ｉｌ
ｌの前記他方の主表面側にｍ当接面を有する第２の型係
合部四〇とから成り、前記被覆体ａ９の他方の面を基準
にして前記第２の型係合部（１０１ｔ１０）（１１）の
型当接面の高さが前記チップ支持板ｔｌＪの前記他方の
主表面よりも高く設定され、且つ前記第１の型係合部（
８）（９１の型当接面の高さが前記第２の型係合部（）
（１０）（１１）の反対面の尚さよりも低く設定されて
いるリード部材χ用意し、前記リード部材の前記リード
（２ｂ）と前記型当接部＋５Ｊとを支持し、前記テップ
（３１’Ｙ伴なった前記チップ支持板（１？及び前記ｍ
当接部（５］を白む部分に空所０者が生じるように形成
した樹脂封止用型ａｇ （１３＋ ’＋ｒ用意し、前記
リード（２ｂＪと前記型当接部（５］とを前記ｍａａ恨
りで支持して前記空所（１４１に樹脂を注入して前記樹
脂被覆体ａ９を形成することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法に係わるものである。
の符号ン参照して説Ｆ！Ａすると、半導体チップ（３ノ
と、一方の主表面上に前記チップ（３１が装着された金
属製チップ支持板（υと、前記チップ支持板（１）の一
方の側に導出され且つ前記チップ支持板（１）に連続し
て−するリード（２ｂ］と、前記チップ［３１及び前記
チップ支持板用の一方及び他方の主表面を覆う一方及び
他方の面を有するように設けられた絶縁性樹脂被覆体重
とを備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、
前記リード（２ｂＪの導出側と反対の側に配置され且つ
＃記チップ支持板＋ＩＪに一体に設けられている型当接
部１５）ン有し、且つ前記型当接部（５）が前記チップ
支持板（１）の前記一方の主表面側に型当接面ン有する
第１の型係合部（８Ｊ（９）と、前記チップ支持板Ｉｌ
ｌの前記他方の主表面側にｍ当接面を有する第２の型係
合部四〇とから成り、前記被覆体ａ９の他方の面を基準
にして前記第２の型係合部（１０１ｔ１０）（１１）の
型当接面の高さが前記チップ支持板ｔｌＪの前記他方の
主表面よりも高く設定され、且つ前記第１の型係合部（
８）（９１の型当接面の高さが前記第２の型係合部（）
（１０）（１１）の反対面の尚さよりも低く設定されて
いるリード部材χ用意し、前記リード部材の前記リード
（２ｂ）と前記型当接部＋５Ｊとを支持し、前記テップ
（３１’Ｙ伴なった前記チップ支持板（１？及び前記ｍ
当接部（５］を白む部分に空所０者が生じるように形成
した樹脂封止用型ａｇ （１３＋ ’＋ｒ用意し、前記
リード（２ｂＪと前記型当接部（５］とを前記ｍａａ恨
りで支持して前記空所（１４１に樹脂を注入して前記樹
脂被覆体ａ９を形成することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法に係わるものである。
作用
チップ支持板（１）の一方の主表面側と他方の主、表面
側とに第１及び第２の型係合部（８）（９） ＱＱＩ
（（１）ｗ設け、ここを型で支持するので、樹脂注入時
におけるチップ支持板（１）の変位が少な（なる。また
、チップ支持板（１１と同一高さ位置に第２の型係合部
ｔｔｏｔｔｕ”ｒ設けずに、段差を有する位置に設けた
ので、成形後において第２の型係合部（ＩＩＱυに対応
して生じる樹脂欠損部の樹脂被覆体ａ９の表面からの深
さが大になる。また、第］の型係合部１８７１９．ｌの
ｍ当接部の高さ乞低くしたので、第１の型係合部（８）
（９）に対応して生じるｉｍ脂欠損部の樹脂被覆体α優
の表面からの深さが大になる。よって、絶縁性の低下が
少なＩＩ＋１０ 実施例 次に、第１図〜第５＠を参照して本発明の実施例に係わ
る樹脂封止型トランジスタ及びその製造方法について述
べる。
側とに第１及び第２の型係合部（８）（９） ＱＱＩ
（（１）ｗ設け、ここを型で支持するので、樹脂注入時
におけるチップ支持板（１）の変位が少な（なる。また
、チップ支持板（１１と同一高さ位置に第２の型係合部
ｔｔｏｔｔｕ”ｒ設けずに、段差を有する位置に設けた
ので、成形後において第２の型係合部（ＩＩＱυに対応
して生じる樹脂欠損部の樹脂被覆体ａ９の表面からの深
さが大になる。また、第］の型係合部１８７１９．ｌの
ｍ当接部の高さ乞低くしたので、第１の型係合部（８）
（９）に対応して生じるｉｍ脂欠損部の樹脂被覆体α優
の表面からの深さが大になる。よって、絶縁性の低下が
少なＩＩ＋１０ 実施例 次に、第１図〜第５＠を参照して本発明の実施例に係わ
る樹脂封止型トランジスタ及びその製造方法について述
べる。
まず、第１図及び第２図に示すリードフレームと呼ばれ
る半導体装置組立体を用意する。第１図及び第２図にお
いて、田はニッケル被覆銅板から成る放熱性の良いチッ
プ支持板、 Ｌ２ａＪ（２ｂ）（２ｃ）は同じ材料から
成る外部リードで、（２ａ）がベース外部リード、 （
２ｂＪがコレクタ外部リード、（２ｃＪがエミッタ外部
リードでるる。（３）はシリコンパワートランジスタチ
ップで゛、上面にはベース電極及びエミッタ電極が、下
面にはコレクタ電極がそれぞれ形成されている。このチ
ップ（３１は下面においてチップ支持板（１１に半田（
図示せず］により固着されている。（４ａ） ｔ４ｂＪ
はアルミニウム線から成る内部リードであり、チップ（
３）のベース電極とベース外部リード（２ａ）との間、
及びチップ（３）のエミッタ電極とエミッタ外部リード
（２ｃ）との間に配設されている。なお、チップ＋３７
上にはジャンクションコーティングレジンと呼ばれるチ
ップ保護用のシリコン樹脂から成る保護層が設けられて
いる。また、リードＬ２ａ） （２ｂＪ （２ｃ）は連
結部（図示せず〕で相互に連結されている。
る半導体装置組立体を用意する。第１図及び第２図にお
いて、田はニッケル被覆銅板から成る放熱性の良いチッ
プ支持板、 Ｌ２ａＪ（２ｂ）（２ｃ）は同じ材料から
成る外部リードで、（２ａ）がベース外部リード、 （
２ｂＪがコレクタ外部リード、（２ｃＪがエミッタ外部
リードでるる。（３）はシリコンパワートランジスタチ
ップで゛、上面にはベース電極及びエミッタ電極が、下
面にはコレクタ電極がそれぞれ形成されている。このチ
ップ（３１は下面においてチップ支持板（１１に半田（
図示せず］により固着されている。（４ａ） ｔ４ｂＪ
はアルミニウム線から成る内部リードであり、チップ（
３）のベース電極とベース外部リード（２ａ）との間、
及びチップ（３）のエミッタ電極とエミッタ外部リード
（２ｃ）との間に配設されている。なお、チップ＋３７
上にはジャンクションコーティングレジンと呼ばれるチ
ップ保護用のシリコン樹脂から成る保護層が設けられて
いる。また、リードＬ２ａ） （２ｂＪ （２ｃ）は連
結部（図示せず〕で相互に連結されている。
支持板１１ノのリード導出１（１）（左ｆｌＡ）と反対
の右側には、本発明に従う型当接部（５）が設けられて
いる。
の右側には、本発明に従う型当接部（５）が設けられて
いる。
この型当接部（５７は、一対の突片１６Ｊ （７７の根
元近傍に位置する一対の第１の型保合部（８）（９７と
、一対一の突片＋６７ （７）の先端近傍に位置する一
対の第２の型係合部Ｑｌ （ｌｉｔとから成る。
元近傍に位置する一対の第１の型保合部（８）（９７と
、一対一の突片＋６７ （７）の先端近傍に位置する一
対の第２の型係合部Ｑｌ （ｌｉｔとから成る。
樹脂封止用金型は、第１図に概略的に示す如く、上部金
型蝶々と下部金ｆＪ（１３とから成り、リードフレーム
の内の支持板（ＩＪ、リード（２ａ） （２ｂ） （２
ｃ）の一部、チップ、内部リード（４ａハ４ｂ）、及び
型当接部（５ノン囲む空ｙ’ｔｒａ４Ｊが生じるように
形成されている、また。
型蝶々と下部金ｆＪ（１３とから成り、リードフレーム
の内の支持板（ＩＪ、リード（２ａ） （２ｂ） （２
ｃ）の一部、チップ、内部リード（４ａハ４ｂ）、及び
型当接部（５ノン囲む空ｙ’ｔｒａ４Ｊが生じるように
形成されている、また。
金Ｍｊ！ＱａＱ３はリード（２８〕＜２ｂ） （２ｃ）
を挾持することによってリードフレームを片持ち梁的に
支持し、更に、本発明に従って設けられた上部金ｍＱｂ
から垂下するピン状突起（１５１と上部金Ｗ（１３から
立上るビン状突起ｕ６Ｊとによって支持している。第１
図には上部突起Ｑ５１及び下部突起四がそれぞれ１個ず
つ示されているが、第２図の一対の第１の型係合部（８
７（９）と一対の第２の型係合部ａＱｌＩとに対応して
突起０四はそれぞれ２個ずつ設けられている。
を挾持することによってリードフレームを片持ち梁的に
支持し、更に、本発明に従って設けられた上部金ｍＱｂ
から垂下するピン状突起（１５１と上部金Ｗ（１３から
立上るビン状突起ｕ６Ｊとによって支持している。第１
図には上部突起Ｑ５１及び下部突起四がそれぞれ１個ず
つ示されているが、第２図の一対の第１の型係合部（８
７（９）と一対の第２の型係合部ａＱｌＩとに対応して
突起０四はそれぞれ２個ずつ設けられている。
本実施例では単に突起１１５１ ｕｓでリードフレーム
を支持するのみでなく、一対の突起（１５）（１１に段
差を付けてリードフレームを支持している。このため、
第２の型係合部１１に対して下部突起四の先端が当る型
尚接［０【下面］の高さＨ，が支持板ｉｌ＋の下面の高
さ几よりも高くなるように突片１６）が折り曲げられて
いる。また、下部金型（１３を基準にした第１の型保合
部（８）に対して上部突起ａωの先端が当る型当接面（
上面］の高さＨ！が＃Ｉ２の型係台部四の型当接面の高
さＨｌ及びこの反対側の面の高さＨ４よりも偉く設定さ
れている。従って、上部金ｆＪａ々を基単にした突起Ｑ
５！の高さＨ，は第２の型保合部ａＱの上面までの距離
へより大である。なお、もう一方の突片（７）における
第１及び第２の型係合部（９）Ｉも同様に形成されてい
る。なお、第２伽に示す如（、一対の細条突片１６バカ
の間に、完成した素子の取付孔を得るために金ｍ（ｌａ
ｌの柱状突出部側が配されている。
を支持するのみでなく、一対の突起（１５）（１１に段
差を付けてリードフレームを支持している。このため、
第２の型係合部１１に対して下部突起四の先端が当る型
尚接［０【下面］の高さＨ，が支持板ｉｌ＋の下面の高
さ几よりも高くなるように突片１６）が折り曲げられて
いる。また、下部金型（１３を基準にした第１の型保合
部（８）に対して上部突起ａωの先端が当る型当接面（
上面］の高さＨ！が＃Ｉ２の型係台部四の型当接面の高
さＨｌ及びこの反対側の面の高さＨ４よりも偉く設定さ
れている。従って、上部金ｆＪａ々を基単にした突起Ｑ
５！の高さＨ，は第２の型保合部ａＱの上面までの距離
へより大である。なお、もう一方の突片（７）における
第１及び第２の型係合部（９）Ｉも同様に形成されてい
る。なお、第２伽に示す如（、一対の細条突片１６バカ
の間に、完成した素子の取付孔を得るために金ｍ（ｌａ
ｌの柱状突出部側が配されている。
金ｍＱ３（１３１に対するリードフレームの配置が完了
したら、公知のトランスファー成型法に基づ−１て、熱
硬化性エポキシ樹脂をポット内で軟化させ、加圧して金
型ａりａＪ内に注入する。これにより、第２図に示す注
入孔餞から空所（１４） Ｋ Ｍ状の樹脂が注入され、
空ＰＪｒｕ４１の全部が樹脂で充填される。金型Ｑ４（
１３は樹脂を熱硬化させる温度（］５０°〜２００゜程
度」に加熱されているので、充填された樹脂は短時間（
数分）の内に熱硬化し、第３図及び第４図に示す樹脂被
覆体となる。なお、完全に熱硬化させるために、金型ａ
々（ｌｉからリードフレームを取り出した後に、更に長
時間の熱処理を行う。
したら、公知のトランスファー成型法に基づ−１て、熱
硬化性エポキシ樹脂をポット内で軟化させ、加圧して金
型ａりａＪ内に注入する。これにより、第２図に示す注
入孔餞から空所（１４） Ｋ Ｍ状の樹脂が注入され、
空ＰＪｒｕ４１の全部が樹脂で充填される。金型Ｑ４（
１３は樹脂を熱硬化させる温度（］５０°〜２００゜程
度」に加熱されているので、充填された樹脂は短時間（
数分）の内に熱硬化し、第３図及び第４図に示す樹脂被
覆体となる。なお、完全に熱硬化させるために、金型ａ
々（ｌｉからリードフレームを取り出した後に、更に長
時間の熱処理を行う。
上述の如き成形において、樹脂が加圧注入されても、リ
ードフレームは、第１及び第２の型係合部（８）１９）
（）（１［１υによっても支持されているので、空所Ｉ
内で殆んど変位しない。このため、第３図及びｇ４１ｔ
ＪＫ示す如く完成したトランジスタにおいて支持板Ｉｌ
＋の下面と被覆体（１１の下向との距離即ち第１図の高
さｈを常にほぼ一定に保つことが出来る。
ードフレームは、第１及び第２の型係合部（８）１９）
（）（１［１υによっても支持されているので、空所Ｉ
内で殆んど変位しない。このため、第３図及びｇ４１ｔ
ＪＫ示す如く完成したトランジスタにおいて支持板Ｉｌ
＋の下面と被覆体（１１の下向との距離即ち第１図の高
さｈを常にほぼ一定に保つことが出来る。
これにより、放熱特性が一定になる。また、薄くなりす
ぎて絶縁特性が劣化することもない。
ぎて絶縁特性が劣化することもない。
本発明に従う、大きな特長は、上部突起ａ９と下部突起
（１Ｇ＋を完全に対向配置させずに、段差を持たせたこ
とにある。この結果、第３図から明らかな如く、上部金
型α々の突起（ハ）に対応して生じる樹脂欠損孔（７）
及び下部金ＩＪｔｔａの突起１Ｑに対応して生じる樹脂
欠損孔３Ｄの深さが大になる。樹脂モールドトランジス
タは、ＪＩＥ４図罠示す取付孔のを利用して、一般には
＃Ｉ５−に示す如く、放熱基板のにネジ（至）等で堆付
けられる。従って、ｉ覆体（１１の下向から第２の型保
合部四までの距離、及び上面から第１の型係合部（８ツ
マでの距離が大きいと絶縁性が高くなる。第５図から明
らかな如く、本実施例では、第２の係合部Ｑ（１が細条
突片（６）の折曲によって高い位置に配されているので
、孔３ルの深さが大であり、絶縁性が高い。また、上側
の孔（７）も下側の孔１２１に対向させずに、支持板…
の延長面に至るように形成したので、この深さが大とな
り、絶縁性が高−・。
（１Ｇ＋を完全に対向配置させずに、段差を持たせたこ
とにある。この結果、第３図から明らかな如く、上部金
型α々の突起（ハ）に対応して生じる樹脂欠損孔（７）
及び下部金ＩＪｔｔａの突起１Ｑに対応して生じる樹脂
欠損孔３Ｄの深さが大になる。樹脂モールドトランジス
タは、ＪＩＥ４図罠示す取付孔のを利用して、一般には
＃Ｉ５−に示す如く、放熱基板のにネジ（至）等で堆付
けられる。従って、ｉ覆体（１１の下向から第２の型保
合部四までの距離、及び上面から第１の型係合部（８ツ
マでの距離が大きいと絶縁性が高くなる。第５図から明
らかな如く、本実施例では、第２の係合部Ｑ（１が細条
突片（６）の折曲によって高い位置に配されているので
、孔３ルの深さが大であり、絶縁性が高い。また、上側
の孔（７）も下側の孔１２１に対向させずに、支持板…
の延長面に至るように形成したので、この深さが大とな
り、絶縁性が高−・。
以上、本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものでな（、例えば、次の変形例が可能な
ものである。
に限定されるものでな（、例えば、次の変形例が可能な
ものである。
（ａｌ 第６図に示す如（、第１の型係合部（８３に
孔（８ａ）を設け、ここに突起ａ９を挿入してもよ−１
゜これにより、突起ａ３及びこれに対応する樹脂欠損孔
の長さが大になり、絶縁性が向上する。なお、第２の型
係合部四にも孔を設け、ここに突起四を挿入してもよい
。また、孔ｔ８ａ）Ｋ相当する第Ｊ及び＠２の型係合部
（８）四の孔を深（して突片（６）の折り曲げ量を少な
くするか又は折り曲げを設けないようにしてもよ％Ｎ。
孔（８ａ）を設け、ここに突起ａ９を挿入してもよ−１
゜これにより、突起ａ３及びこれに対応する樹脂欠損孔
の長さが大になり、絶縁性が向上する。なお、第２の型
係合部四にも孔を設け、ここに突起四を挿入してもよい
。また、孔ｔ８ａ）Ｋ相当する第Ｊ及び＠２の型係合部
（８）四の孔を深（して突片（６）の折り曲げ量を少な
くするか又は折り曲げを設けないようにしてもよ％Ｎ。
（ｂ） 支持板（１）の上下方向の位置を固定するの
みでなく、水平方向の位置も固定するために、第７図に
示す如（、嵌合孔１２５１□□□を設け、ここに突起霞
叫の先端のビン額四を挿入してもよい。
みでなく、水平方向の位置も固定するために、第７図に
示す如（、嵌合孔１２５１□□□を設け、ここに突起霞
叫の先端のビン額四を挿入してもよい。
（ｃｌ 第８−に示す如く、孔（４）を囲む位置に切
り込み四を入れ、チップ（３）に至る表面距離を長くし
、孔（至）からの水分の浸入を防止してもよ−・。また
、第８内に示す如く、孔四２ｖに段差を設け、樹脂表面
距離を長くして絶ｌ／Ｉｋ％性を向上させてもよい。
り込み四を入れ、チップ（３）に至る表面距離を長くし
、孔（至）からの水分の浸入を防止してもよ−・。また
、第８内に示す如く、孔四２ｖに段差を設け、樹脂表面
距離を長くして絶ｌ／Ｉｋ％性を向上させてもよい。
（ｄ） 金型Ｑ２１ （１３に設ける支持突起ａ９α
ｅをビン状にゼずに％Ｍ９崗及び１ｇ１０１ｋに示す如
く、金型α４Ｑ３１の側面に連続するように形成しても
よ（・。また、第１及び第２の型係合部（８）〜Ｕυを
それぞれ１っ忙してもよい。
ｅをビン状にゼずに％Ｍ９崗及び１ｇ１０１ｋに示す如
く、金型α４Ｑ３１の側面に連続するように形成しても
よ（・。また、第１及び第２の型係合部（８）〜Ｕυを
それぞれ１っ忙してもよい。
（ｅ）トランジスタ以外の整流素子等にも勿論適用可能
である。
である。
第】図は本発明の実施例に係わるリードフレーム及び金
型な示す第２図の■−■線に相当する部分の断面図、第
２図はリードフレームと下部金型とを示す平面図、第３
図は完成した樹脂モールドトランジスタの断面図、第４
図は第３図のトランジスタの斜視図、第５図は第３図の
トランジスタを放熱基板に取付けた状態を示す断面図、
第６図、及び第７図は変形例のリードフレーム及び金型
を示す断面図、Ｊｌ！８図は変形例のトランジスタを示
す断面−１第９図は変形例のリードフレームと金型とを
示す第１０図のｆｆ−Ｈ線相当部分の断面図、＃１１０
図はリードフレームと下部金型との平面図である。 （ｌし・・放熱支持板、（２ａ）（２ｂＪ（２０〕・・
・リード、（３）・・・チップ、（４ａＪ （４ｂ）・
・・内部リード、（５）・・・型当接部。 ｔ８７＋９７ ・・・ｌＩ］の星像合部、ｕｏ ａｖ・
・・第２の型係合部。 ａ４・・・上部金型、鰯・・・下部金型、（１４１−・
・空所、＋１５１・・・上部突起、ａｌ・・・下部突起
、（へ）・・・樹脂被覆体、（４）・・・樹脂欠損孔。
型な示す第２図の■−■線に相当する部分の断面図、第
２図はリードフレームと下部金型とを示す平面図、第３
図は完成した樹脂モールドトランジスタの断面図、第４
図は第３図のトランジスタの斜視図、第５図は第３図の
トランジスタを放熱基板に取付けた状態を示す断面図、
第６図、及び第７図は変形例のリードフレーム及び金型
を示す断面図、Ｊｌ！８図は変形例のトランジスタを示
す断面−１第９図は変形例のリードフレームと金型とを
示す第１０図のｆｆ−Ｈ線相当部分の断面図、＃１１０
図はリードフレームと下部金型との平面図である。 （ｌし・・放熱支持板、（２ａ）（２ｂＪ（２０〕・・
・リード、（３）・・・チップ、（４ａＪ （４ｂ）・
・・内部リード、（５）・・・型当接部。 ｔ８７＋９７ ・・・ｌＩ］の星像合部、ｕｏ ａｖ・
・・第２の型係合部。 ａ４・・・上部金型、鰯・・・下部金型、（１４１−・
・空所、＋１５１・・・上部突起、ａｌ・・・下部突起
、（へ）・・・樹脂被覆体、（４）・・・樹脂欠損孔。
Claims (1)
- （１）半導体チップ（３）と、一方の主表面上に前記チ
ップ（３）が装着された金属製チップ支持板（１）と、
前記チップ支持板（１）の一方の側に導出され且つ前記
チップ支持板（１）に連続しているリード（２ｂ）と、
前記チップ（３）及び前記チップ支持板（１）の一方及
び他方の主表面を覆う一方及び他方の面を有するように
設けられた絶縁性樹脂被覆体（１９）とを備えた樹脂封
止型半導体装置の製造方法において、 前記リード（２ｂ）の導出側と反対の側に配置され且つ
前記チップ支持板（１）に一体に設けられている型当接
部（５）を有し、且つ前記型当接部（５）が前記チップ
支持板（１）の前記一方の主表面側に型当接面を有する
第１の型係合部（８）（９）と、前記チップ支持板（１
）の前記他方の主表面側に型当接面を有する第２の型係
合部（１０）（１１）とから成り、前記被覆体（１９）
の他方の面を基準にして前記第２の型係合部（１０）（
１１）の型当接面の高さが前記チップ支持板（１）の前
記他方の主表面よりも高く設定され、且つ前記第１の型
係合部（８）（９）の型当接面の高さが前記第２の型係
合部（１０）（１１）の反対面の高さよりも低く設定さ
れているリード部材を用意し、 前記リード部材の前記リード（２ｂ）と前記型当接部（
５）とを支持し、前記チップ（３）を伴なつた前記チッ
プ支持板（１）及び前記型当接部（５）を囲む部分に空
所（１４）が生じるように形成した樹脂封止用型（１２
）（１３）を用意し、 前記リード（２ｂ）と前記型当接部（５）とを前記型（
１２）（１３）で支持して前記空所（１４）に樹脂を注
入して前記樹脂被覆体（１９）を形成することを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15347284A JPS6132434A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15347284A JPS6132434A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3204966A Division JPH0620084B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6132434A true JPS6132434A (ja) | 1986-02-15 |
Family
ID=15563314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15347284A Pending JPS6132434A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6132434A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5836280A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-03 | 帝人株式会社 | 色彩の改良されたポリエステル繊維構造物 |
| EP0307946A2 (en) * | 1987-09-17 | 1989-03-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a resin insulated type semiconductor device |
| JPH0241446U (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-22 | ||
| JPH02184040A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-18 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5252052A (en) * | 1990-12-28 | 1993-10-12 | Sgs-Thomson Microelectronics S.R.L. | Mold for manufacturing plastic integrated circuits incorporating a heat sink |
| WO1994009514A1 (en) * | 1992-10-19 | 1994-04-28 | International Rectifier Company (Great Britain) Ltd. | Electronics module |
| CN104979673A (zh) * | 2014-04-04 | 2015-10-14 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 电子部件 |
| JP2016082064A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
| US9620391B2 (en) | 2002-10-11 | 2017-04-11 | Micronas Gmbh | Electronic component with a leadframe |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917273A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置 |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15347284A patent/JPS6132434A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917273A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置 |
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| CN104979673A (zh) * | 2014-04-04 | 2015-10-14 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 电子部件 |
| CN104979673B (zh) * | 2014-04-04 | 2017-08-25 | 阿尔卑斯电气株式会社 | 电子部件 |
| JP2016082064A (ja) * | 2014-10-16 | 2016-05-16 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置の製造方法、半導体装置、金型およびリードフレーム |
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