JPH01158756A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH01158756A JPH01158756A JP62317724A JP31772487A JPH01158756A JP H01158756 A JPH01158756 A JP H01158756A JP 62317724 A JP62317724 A JP 62317724A JP 31772487 A JP31772487 A JP 31772487A JP H01158756 A JPH01158756 A JP H01158756A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランジスタ、ＩＣ等半導体素子又は装置を支
持する放熱支持板の裏面側にも樹脂被覆層を有する樹脂
封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
持する放熱支持板の裏面側にも樹脂被覆層を有する樹脂
封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
〔従来の技術］
樹脂封止型半導体装置において支持板の裏面側にも樹脂
封止体の一部が形成され、支持板の略全面が樹脂封止体
にて被覆されたものがある。この種の半導体装置は外部
リード連結部に笑質的に金楕の露出部分がないので、外
部放熱体に対して絶縁シートを介さずに厘＠ＶＣ取り付
けることができる。
封止体の一部が形成され、支持板の略全面が樹脂封止体
にて被覆されたものがある。この種の半導体装置は外部
リード連結部に笑質的に金楕の露出部分がないので、外
部放熱体に対して絶縁シートを介さずに厘＠ＶＣ取り付
けることができる。
この種の半導体装置を製造するために第８図に示すよう
な半導体・リードフレーム組立体１を使用することは公
知である。この半導体・リードフレーム組立体１は放熱
作用を有する金属支持板２、連結外部リード６ａ、非連
結外部リード３ｂ、位置決めリード４．タイバー５．帯
状連結部６．帯状の位置決めリード連結部７を有してい
る。なお。
な半導体・リードフレーム組立体１を使用することは公
知である。この半導体・リードフレーム組立体１は放熱
作用を有する金属支持板２、連結外部リード６ａ、非連
結外部リード３ｂ、位置決めリード４．タイバー５．帯
状連結部６．帯状の位置決めリード連結部７を有してい
る。なお。
実際の半導体・リードフレーム組立体１は平行に配置さ
れた′０数個の支持板２を有するが、第８図では１素子
分のみが図示されている。
れた′０数個の支持板２を有するが、第８図では１素子
分のみが図示されている。
支持板２の一方の主面には半導体素子８が電気的に半田
（図示上ず）で固着されており、半導体素子８の電極（
図示せず）と支持板２に直接に連結されていない非連結
外部リード３ｂは細線から成る内部リード部材９を介し
て電気的ＶＣ接続されている。樹脂封止体１０の形成は
周知のトランス７アモールドによって行わｔ（る。この
とぎ、外部リード３ａ、３ｂと位置決めリード７を成形
金型で挾持して支持板２を成形金型の成形空所の下面か
ら例えば０．５ｍｍ程度浮かせて固足し、樹脂を成形空
順に注入し、支持板２の裏面にも樹脂封止体１０の一部
を形成する。支持板２は両持ち支持されているので、成
形空所内に安定的に位置決めされ、支持板２の裏面側に
均一厚さの樹脂層を設けることができる。樹脂封止体１
０を形成した後、位置決めリード４をその導出方向に引
つ張りの力を加えて破断する。小断面積の破断部１１は
樹脂刺止体１０の内部に設けられているので１位置決め
リード４の破断面は樹脂封止体１０の側面の内側に位置
する。なお、支持板２には取付用貰通孔１２が設けられ
ている。
（図示上ず）で固着されており、半導体素子８の電極（
図示せず）と支持板２に直接に連結されていない非連結
外部リード３ｂは細線から成る内部リード部材９を介し
て電気的ＶＣ接続されている。樹脂封止体１０の形成は
周知のトランス７アモールドによって行わｔ（る。この
とぎ、外部リード３ａ、３ｂと位置決めリード７を成形
金型で挾持して支持板２を成形金型の成形空所の下面か
ら例えば０．５ｍｍ程度浮かせて固足し、樹脂を成形空
順に注入し、支持板２の裏面にも樹脂封止体１０の一部
を形成する。支持板２は両持ち支持されているので、成
形空所内に安定的に位置決めされ、支持板２の裏面側に
均一厚さの樹脂層を設けることができる。樹脂封止体１
０を形成した後、位置決めリード４をその導出方向に引
つ張りの力を加えて破断する。小断面積の破断部１１は
樹脂刺止体１０の内部に設けられているので１位置決め
リード４の破断面は樹脂封止体１０の側面の内側に位置
する。なお、支持板２には取付用貰通孔１２が設けられ
ている。
ところで、位置決めリード４の破断面と外部放熱体等と
の沿面距離（樹脂刺止体１０に沿っての最短距離）は半
導体装置の絶縁耐圧を決定する大きな要因となる。従っ
て、破断部１１を樹脂封止体１０の少しでも内Ｏ１！Ｉ
ｖＣ形成することが絶縁耐圧増加の点で有利となる。し
かし、支持板の端面２ａと樹脂封止体１０の側面１０ａ
との距！ｌＩ／！が増大すれば、半導体装置が必然的に
大型化して望ましくない。ｆ、ｆｃ、支持板２の大きさ
を樹脂封止体１０の大きさに比べて相対的に小さくする
方法も考えられる。しかし、支持板２を小さくすると半
導体装置の放熱効果が低下し望ましくない。
の沿面距離（樹脂刺止体１０に沿っての最短距離）は半
導体装置の絶縁耐圧を決定する大きな要因となる。従っ
て、破断部１１を樹脂封止体１０の少しでも内Ｏ１！Ｉ
ｖＣ形成することが絶縁耐圧増加の点で有利となる。し
かし、支持板の端面２ａと樹脂封止体１０の側面１０ａ
との距！ｌＩ／！が増大すれば、半導体装置が必然的に
大型化して望ましくない。ｆ、ｆｃ、支持板２の大きさ
を樹脂封止体１０の大きさに比べて相対的に小さくする
方法も考えられる。しかし、支持板２を小さくすると半
導体装置の放熱効果が低下し望ましくない。
また、樹脂封止体１０の端面１０ａと支持板２の端面２
ａとの距離ｌを大きくすると、支持板２よりも下側から
注入された樹脂が距離！の部分を通って上方に流れやす
くなり、樹脂の流れのバランスが急くなり、支持板２の
裏面側に良好に樹脂を注入できなくなる。即ち、支持板
２の上面側での樹脂の流れが下面側より相対的に強まり
、支持板２の下面側の樹脂刺止体１０に未充填部分を住
じてし抜う。
ａとの距離ｌを大きくすると、支持板２よりも下側から
注入された樹脂が距離！の部分を通って上方に流れやす
くなり、樹脂の流れのバランスが急くなり、支持板２の
裏面側に良好に樹脂を注入できなくなる。即ち、支持板
２の上面側での樹脂の流れが下面側より相対的に強まり
、支持板２の下面側の樹脂刺止体１０に未充填部分を住
じてし抜う。
以上のように従来の樹脂封止型半導体装置では絶縁耐圧
、放熱性、封止樹脂の成形性のすべてを高水準に保つこ
とは困難Ｔ゛あった。また、種々の絶縁耐圧向上のため
の手段も特性、信頼性の点で問題があり実用には適さな
かった。
、放熱性、封止樹脂の成形性のすべてを高水準に保つこ
とは困難Ｔ゛あった。また、種々の絶縁耐圧向上のため
の手段も特性、信頼性の点で問題があり実用には適さな
かった。
そこで１本発明の目的は、絶縁耐圧、放熱特性、封止樹
脂の成形性のいずれにも優れた樹脂封止型半導体装置の
製造方法を提供することにある。
脂の成形性のいずれにも優れた樹脂封止型半導体装置の
製造方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
上記問題点を解決し、上記目的を達成するための本発明
は、放熱作用を有する支持板と、前記支持板の一端又は
この近傍に連結された連結外部リードと、前記連結外部
リードに並置され且つ前記支持板ｖｃ＠接に連結されて
いない非連結外部リードと、前記支持板の他端又はこの
近傍に連結され且つ小断面積の破断部を有している位置
決めリードと、前記支持板の前記他端から前記破断部の
中心までの距離以上に前記支持板の前記他端から前記位
置決めリードと同一方向に突出している突出部とを有す
るリードフレームを用意する工程と。
は、放熱作用を有する支持板と、前記支持板の一端又は
この近傍に連結された連結外部リードと、前記連結外部
リードに並置され且つ前記支持板ｖｃ＠接に連結されて
いない非連結外部リードと、前記支持板の他端又はこの
近傍に連結され且つ小断面積の破断部を有している位置
決めリードと、前記支持板の前記他端から前記破断部の
中心までの距離以上に前記支持板の前記他端から前記位
置決めリードと同一方向に突出している突出部とを有す
るリードフレームを用意する工程と。
前記リードフレームの前記支持板の一方の主面に半導体
素子又は装置を固着し、前記半導体素子又は装置と前記
非連結外部リードとを内部リード部材で接続して半導体
・リードフレーム組立体を形成する工程と、前記支持板
と前記突出部と前記半導体素子又は装置と前記内部リー
ド部材と前記連結外部リード及び前記非連結外部リード
の一部とを含むように樹脂封止体を設けるための成形空
所を有し、ｆ３つ前記突出部の延長平面よりも下方に樹
脂注入孔を有する成形用型を用意し、前記成形用型に前
記半導体・リードフレーム組立体を配置し、前記連結外
部リードと前記位置決めリードとを前記成形用型で挾持
することによって前記支持板の他方の主面を前記成形空
所の下面から浮かせた状態になし、前記樹脂注入孔から
前記成形空所に流動化した封止用樹脂を注入し、固化さ
せることによって前記樹脂封止体を形成する工程とを有
する樹脂封止型半導体装置の製造方法に係わるものであ
る。
素子又は装置を固着し、前記半導体素子又は装置と前記
非連結外部リードとを内部リード部材で接続して半導体
・リードフレーム組立体を形成する工程と、前記支持板
と前記突出部と前記半導体素子又は装置と前記内部リー
ド部材と前記連結外部リード及び前記非連結外部リード
の一部とを含むように樹脂封止体を設けるための成形空
所を有し、ｆ３つ前記突出部の延長平面よりも下方に樹
脂注入孔を有する成形用型を用意し、前記成形用型に前
記半導体・リードフレーム組立体を配置し、前記連結外
部リードと前記位置決めリードとを前記成形用型で挾持
することによって前記支持板の他方の主面を前記成形空
所の下面から浮かせた状態になし、前記樹脂注入孔から
前記成形空所に流動化した封止用樹脂を注入し、固化さ
せることによって前記樹脂封止体を形成する工程とを有
する樹脂封止型半導体装置の製造方法に係わるものであ
る。
上記発明における突出部は、放熱作用を有するのみでな
く、支持板の下側から上側への樹脂の流れの抑制にも寄
与し、更に１位置決めリードの破断部を樹脂封止体の側
面から奥まった所に配置することに寄与する。また、突
出部は支持板の延長部であるから放熱作用も有する。
く、支持板の下側から上側への樹脂の流れの抑制にも寄
与し、更に１位置決めリードの破断部を樹脂封止体の側
面から奥まった所に配置することに寄与する。また、突
出部は支持板の延長部であるから放熱作用も有する。
次に、第１図〜第５図に基づいて本発明の一実施例に係
わる樹脂封止型半導体装置（トランジスタ）及びその製
造方法を説明する。但し、第１図〜第５図において、符
号６ａ〜１２で示すものは第８図で同一符号で示すもの
と実質的ＶＣ同一であるので、その説明を省略する。
わる樹脂封止型半導体装置（トランジスタ）及びその製
造方法を説明する。但し、第１図〜第５図において、符
号６ａ〜１２で示すものは第８図で同一符号で示すもの
と実質的ＶＣ同一であるので、その説明を省略する。
第１図に示す半導体・リードフレーム組立体２１におけ
る放熱作用を有する金属製支持板２２は、生部２６の他
に、凹部２４を設けることによって住した第１．第２及
び第３の突出部２５，２６．２７を有している。凹部２
４の底面２４ａを生部２３又は支持板２２の本来の端面
と考えれば、中央の突出部２５はこの底面２４ａから長
さＬ４たけ位置決めリード４の砥ひる方向に突出してい
る。
る放熱作用を有する金属製支持板２２は、生部２６の他
に、凹部２４を設けることによって住した第１．第２及
び第３の突出部２５，２６．２７を有している。凹部２
４の底面２４ａを生部２３又は支持板２２の本来の端面
と考えれば、中央の突出部２５はこの底面２４ａから長
さＬ４たけ位置決めリード４の砥ひる方向に突出してい
る。
位置決めリード４は凹部２４によって突出部２５．２６
．２７と分離されているので、中央の突出部２５の端面
２５ａよりも深い位置から導出されていることになる。
．２７と分離されているので、中央の突出部２５の端面
２５ａよりも深い位置から導出されていることになる。
貫通孔１１ａ及びくさび状切欠部１１ｂを設けることに
よって小断面積とされた破断部１１Ｖｉ凹部２４の中に
配置されているので、樹脂封止体１０の側面１０ａがら
破断部１１までの距離が増大している。
よって小断面積とされた破断部１１Ｖｉ凹部２４の中に
配置されているので、樹脂封止体１０の側面１０ａがら
破断部１１までの距離が増大している。
支持板２２は第２図から明らかに肉厚部と肉薄部とを有
し、突出部２５．２６．２７及び位置決めリード４は肉
薄部に形成されている。なお、突出部２５，２６．２７
及び位置決めリード４の上面は支持板２２の生部２３の
上面に一致している。
し、突出部２５．２６．２７及び位置決めリード４は肉
薄部に形成されている。なお、突出部２５，２６．２７
及び位置決めリード４の上面は支持板２２の生部２３の
上面に一致している。
２８はシリコーン樹脂から成る保護樹脂であり。
半導体素子８を覆っている。
樹脂封止体１０を形成する時ＶＣは、半導体・リードフ
レーム組立体２１を第２図〜第４図に示すように上型３
０と下型６１とから成る金型装置２９に配置する。外部
リード３ａ、３ｂと位置決めリード４とは上型３０と下
型３１とに挾持され、支持板２２の下面と下型３１との
間隔り、が０．５ｍｍ程度となるようＶＣ＃−導体・リ
ードフレーム組立体２１が両持ち状態に支持される。
レーム組立体２１を第２図〜第４図に示すように上型３
０と下型６１とから成る金型装置２９に配置する。外部
リード３ａ、３ｂと位置決めリード４とは上型３０と下
型３１とに挾持され、支持板２２の下面と下型３１との
間隔り、が０．５ｍｍ程度となるようＶＣ＃−導体・リ
ードフレーム組立体２１が両持ち状態に支持される。
上型３０には突出ピン６２が設けられており。
支持板２２の取付用貫通孔１２に挿入されている。
下型３１と上型６０との境界面Ｋｌｌ′ｊ：ランナ３３
及びゲート３４が形成されている。ゲート３４即ち樹脂
注入口は支持板２２及び突出部２５の上面よりも下方に
配置され、且つ突出部２５の延長平面の下方に位置して
いる。外部リード３ａ、３ｂ及び位置決めリード４は下
型３１に設けられた溝部に装嵌されている。
及びゲート３４が形成されている。ゲート３４即ち樹脂
注入口は支持板２２及び突出部２５の上面よりも下方に
配置され、且つ突出部２５の延長平面の下方に位置して
いる。外部リード３ａ、３ｂ及び位置決めリード４は下
型３１に設けられた溝部に装嵌されている。
流動化した封止樹脂をランナ６６からゲート３４を通じ
て金型装置２９内に形成された成形空所（キャビティ）
３５に抑圧注入する。ゲート３４から注入された樹脂は
支持板２２の下面と下型３１との０．５ｍｍ程度の狭い
間隔Ｌｌに注入されると共に、支持板２２の突出部２５
の端面２５ａと成形壁ＰＪｒ３４の側壁面との狭い間隔
Ｌ２（約０．６ｍｍ）等を通って支持板２２の上方へも
流入する。もし、樹脂封止体１０の側面１０ａから破断
部１１までの距離を十分に太ぎく設定し、支持板２２ｖ
ｃ突出部２５を設けなければ、支持板２２の上面側に樹
脂が流れやすくなり、支持板２２の下面側に良好に樹脂
を充填することが困難になる。これに対して、本実施例
では突出部２５によって上方への樹脂の流れが抑制され
、支持板２２の下面側にも良好に樹脂が注入されろ。両
側の突出部２６．２７は支持板２２の両縁部２２ａ、２
２ｂと成形空所３５との間の樹脂の流れを制御する。な
お、支持板２２の上面側の樹脂グツ流れを抑制するため
に、支持板２２のゲート３４側の端部領域と成形空Ｐｉ
Ｔ３５の上面との間に樹脂の流れを抑制する狭い間隔Ｌ
ｓ（約１．Ｑｍｍ）の部分が設けられている。
て金型装置２９内に形成された成形空所（キャビティ）
３５に抑圧注入する。ゲート３４から注入された樹脂は
支持板２２の下面と下型３１との０．５ｍｍ程度の狭い
間隔Ｌｌに注入されると共に、支持板２２の突出部２５
の端面２５ａと成形壁ＰＪｒ３４の側壁面との狭い間隔
Ｌ２（約０．６ｍｍ）等を通って支持板２２の上方へも
流入する。もし、樹脂封止体１０の側面１０ａから破断
部１１までの距離を十分に太ぎく設定し、支持板２２ｖ
ｃ突出部２５を設けなければ、支持板２２の上面側に樹
脂が流れやすくなり、支持板２２の下面側に良好に樹脂
を充填することが困難になる。これに対して、本実施例
では突出部２５によって上方への樹脂の流れが抑制され
、支持板２２の下面側にも良好に樹脂が注入されろ。両
側の突出部２６．２７は支持板２２の両縁部２２ａ、２
２ｂと成形空所３５との間の樹脂の流れを制御する。な
お、支持板２２の上面側の樹脂グツ流れを抑制するため
に、支持板２２のゲート３４側の端部領域と成形空Ｐｉ
Ｔ３５の上面との間に樹脂の流れを抑制する狭い間隔Ｌ
ｓ（約１．Ｑｍｍ）の部分が設けられている。
金型装置２９から成形後の半導体・リードフレーム組立
体２１を取り出すと、支持板２２及び半導体素子８．内
部リード部材９、外部リード３ａ。
体２１を取り出すと、支持板２２及び半導体素子８．内
部リード部材９、外部リード３ａ。
３ｂの一部を第５図に示すように被情する樹脂封止体１
０を有するものが得られる。
０を有するものが得られる。
しかる後、タイバー５．連結部６を切断除去し。
位置決めリード４を引張ることによって破断部１１で破
断し、樹脂封止型半導体装置を完成させる。
断し、樹脂封止型半導体装置を完成させる。
本実施例は次の利点を有する。
（１１樹脂封止体１０の側面１０ａから破断部１１まで
の距離を凹部２４の深さＬ４だけ長くして耐圧を向上さ
れているにも拘らず、突出部２５．２６．２７が設けら
れているので、ゲート６４から支持板２２の上面側への
樹脂の流れを抑制′ｆることかできる。
の距離を凹部２４の深さＬ４だけ長くして耐圧を向上さ
れているにも拘らず、突出部２５．２６．２７が設けら
れているので、ゲート６４から支持板２２の上面側への
樹脂の流れを抑制′ｆることかできる。
（２） 突出部２５，２６．２７は放熱効果を有する
ので、放熱効果を犠牲にすることなしに位置決めリード
４の破断面と外部放熱体との沿面距離を増大させること
ができる。
ので、放熱効果を犠牲にすることなしに位置決めリード
４の破断面と外部放熱体との沿面距離を増大させること
ができる。
本発明は上述の実施例に限定されろものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
次の変形が可能なものである。
（１）第６図、第７図に示すように、樹脂封止体１Ｄの
位置決めリード４導出側の側面１０ａの縁部に凹′Ｆ９
ｒ６６を設け、凹ＰＪＴ３６の底部より位置決めリード
４を導出してもよい。このとぎ、位置決めリード４の破
断部は凹ＰＪｒ３６の内部もしくは樹脂封止体１０の内
部に形成する。また、凹所３６には位置決めリード４の
破断のあとにエポキシ樹脂等を塗布して破断部を被覆し
てもよい。これにより、絶縁耐圧をより向上することが
可能となる。
位置決めリード４導出側の側面１０ａの縁部に凹′Ｆ９
ｒ６６を設け、凹ＰＪＴ３６の底部より位置決めリード
４を導出してもよい。このとぎ、位置決めリード４の破
断部は凹ＰＪｒ３６の内部もしくは樹脂封止体１０の内
部に形成する。また、凹所３６には位置決めリード４の
破断のあとにエポキシ樹脂等を塗布して破断部を被覆し
てもよい。これにより、絶縁耐圧をより向上することが
可能となる。
凹ＰＪＴ６６の形成のために成形金型の成形空所の縁部
ＶＣｉ／ｊ凹ＰＪＴ３６ＶＣ対応する凸部を設ける。こ
の凸部は支持板２２の突出部２５，２６．２７と共に樹
脂の流れ抑制に寄与する。
ＶＣｉ／ｊ凹ＰＪＴ３６ＶＣ対応する凸部を設ける。こ
の凸部は支持板２２の突出部２５，２６．２７と共に樹
脂の流れ抑制に寄与する。
（２１両側の突出部２６．２７を省いた構成にしてもよ
い。
い。
（３１位置決めリード４を折り曲けて破ｖｆ１するタイ
プや折り曲げと引張りとを併用して破断するクイズの樹
脂封止型半導体装置の製造方法にも適用でさる。
プや折り曲げと引張りとを併用して破断するクイズの樹
脂封止型半導体装置の製造方法にも適用でさる。
＋４１ Ｌ、、Ｌ２、Ｌ３の値を種々変えることがで
きる。
きる。
但し、 Ｌｌ ＜ Ｌ３． Ｌ２≦Ｌ３に設定すること
が望ましく１゜ 〔発明の効果〕 上述から明らかなようＫ、本発明によれば、絶縁耐圧、
放熱性、封止樹脂の成形性のすべてを高水率ＶＣ保った
樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
が望ましく１゜ 〔発明の効果〕 上述から明らかなようＫ、本発明によれば、絶縁耐圧、
放熱性、封止樹脂の成形性のすべてを高水率ＶＣ保った
樹脂封止型半導体装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例に係わる半導体装置を形ａ″
ｆるための半導体・リードフレーム組立体を示す平面図
、 第２図は第１図の半導体・リードフレーム組立体を金型
装置に配置した状態を第１図の１１−口線に対応するよ
うに示す断面図。 第６図は第２図と同様な状態を第１図のｎＪ−ＩＩＩ線
に対応するように示す断面図。 第４図は第６図の＾−ＩＶ線断面図、 第５図は樹脂封止体を設けた半導体・リードフレーム組
立体を示す斜視図、 第６図及び第７図ｉ１：ｆ形例の半導体・リードフレー
ム組立体の一部を示す斜視図。 第８図は従来例の半導体・リードフレーム組立体を示す
平面図である。
ｆるための半導体・リードフレーム組立体を示す平面図
、 第２図は第１図の半導体・リードフレーム組立体を金型
装置に配置した状態を第１図の１１−口線に対応するよ
うに示す断面図。 第６図は第２図と同様な状態を第１図のｎＪ−ＩＩＩ線
に対応するように示す断面図。 第４図は第６図の＾−ＩＶ線断面図、 第５図は樹脂封止体を設けた半導体・リードフレーム組
立体を示す斜視図、 第６図及び第７図ｉ１：ｆ形例の半導体・リードフレー
ム組立体の一部を示す斜視図。 第８図は従来例の半導体・リードフレーム組立体を示す
平面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 放熱作用を有する支持板と、前記支持板の一端又はこ
の近傍に連結された連結外部リードと、前記連結外部リ
ードに並置され且つ前記支持板に直接に連結されていな
い非連結外部リードと、前記支持板の他端又はこの近傍
に連結され且つ小断面積の破断部を有している位置決め
リードと、前記支持板の前記他端から前記破断部の中心
までの距離以上に前記支持板の前記他端から前記位置決
めリードと同一方向に突出している突出部とを有するリ
ードフレームを用意する工程と、 前記リードフレームの前記支持板の一方の主面に半導体
素子又は装置を固着し、前記半導体素子又は装置と前記
非連結外部リードとを内部リード部材で接続して半導体
・リードフレーム組立体を形成する工程と、 前記支持板と前記突出部と前記半導体素子又は装置と前
記内部リード部材と前記連結外部リード及び前記非連結
外部リードの一部とを含むように樹脂封止体を設けるた
めの成形空所を有し、且つ前記突出部の延長平面よりも
下方に樹脂注入孔を有する成形用型を用意し、前記成形
用型に前記半導体・リードフレーム組立体を配置し、前
記連結外部リードと前記位置決めリードとを前記成形用
型で挾持することによつて前記支持板の他方の主面を前
記成形空所の下面から浮かせた状態になし、前記樹脂注
入孔から前記成形空所に流動化した封止用樹脂を注入し
、固化させることによつて前記樹脂封止体を形成する工
程と を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317724A JPH01158756A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62317724A JPH01158756A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01158756A true JPH01158756A (ja) | 1989-06-21 |
| JPH0548955B2 JPH0548955B2 (ja) | 1993-07-22 |
Family
ID=18091334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317724A Granted JPH01158756A (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01158756A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH067255U (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-28 | シャープ株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0626268U (ja) * | 1992-09-04 | 1994-04-08 | シャープ株式会社 | 電力半導体装置 |
| US5920768A (en) * | 1996-12-19 | 1999-07-06 | Denso Corporation | Manufacturing method for a resin sealed semiconductor device |
| EP1408548A3 (de) * | 2002-10-11 | 2004-09-29 | Micronas GmbH | Elektronisches Bauelement mit einem Systemträger |
| US7776247B2 (en) | 2007-06-04 | 2010-08-17 | Denso Corporation | Method of manufacturing electronic device having resin-molded case and molding tool for forming resin-molded case |
| US9620391B2 (en) | 2002-10-11 | 2017-04-11 | Micronas Gmbh | Electronic component with a leadframe |
| JP2017071160A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 株式会社リコー | 液滴吐出部材、画像形成装置、液滴吐出部材の中間部品、及び、液滴吐出部材の製造方法 |
| CN107845575A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-27 | 浙江人和光伏科技有限公司 | 一种薄片二极管的生产方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5029672A (ja) * | 1973-07-17 | 1975-03-25 | ||
| JPS62180957U (ja) * | 1986-05-06 | 1987-11-17 |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP62317724A patent/JPH01158756A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5029672A (ja) * | 1973-07-17 | 1975-03-25 | ||
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| CN107845575A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-27 | 浙江人和光伏科技有限公司 | 一种薄片二极管的生产方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0548955B2 (ja) | 1993-07-22 |
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Legal Events
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