JPH0328067B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0328067B2 JPH0328067B2 JP60060390A JP6039085A JPH0328067B2 JP H0328067 B2 JPH0328067 B2 JP H0328067B2 JP 60060390 A JP60060390 A JP 60060390A JP 6039085 A JP6039085 A JP 6039085A JP H0328067 B2 JPH0328067 B2 JP H0328067B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- support plate
- protrusion
- semiconductor chip
- flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 93
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 93
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 17
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱支持板の半導体チツプを固着す
る方の面のみならず、これと反対側の面にも成形
樹脂体層を設ける例えば電力用トランジスタ等の
電力用樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
る方の面のみならず、これと反対側の面にも成形
樹脂体層を設ける例えば電力用トランジスタ等の
電力用樹脂封止型半導体装置の製造方法に関す
る。
半導体チツプを固着した放熱支持板の裏面にも
薄い樹脂層（厚さ数百μｍ）を形成し、外部放熱
体等への取付けに際してマイカ薄板のような絶縁
板を使用する必要をなくした樹脂封止型半導体装
置が例えば特開昭57−147260号公報に開示されて
いる。
薄い樹脂層（厚さ数百μｍ）を形成し、外部放熱
体等への取付けに際してマイカ薄板のような絶縁
板を使用する必要をなくした樹脂封止型半導体装
置が例えば特開昭57−147260号公報に開示されて
いる。
また、この種の樹脂封止型半導体装置における
放熱支持板の裏面側に薄い樹脂層を良好に形成す
るために、第２０図に示す様な金型を使用するこ
とは、本件出願人に係わる特願昭59−114018号で
提案されている。第２０図において、１は放熱支
持板、２はリード、３はパワートランジスタチツ
プ、４は内部リード、５は保護樹脂、６は成形樹
脂、７は上部金型、８は下部金型、７ａは樹脂の
流れを抑制する仕切りの突出部、７ｂは上部金型
７から下部金型８に至るように延びている取付孔
形成用の円筒状ピン、９は樹脂注入孔、１０は金
型が型締めされることによつて形成される成形用
空所である。この装置において、樹脂注入孔９か
ら粘液状態の樹脂を加熱されている金型７，８の
中に注入すると、放熱支持板１の上と下に樹脂が
流れ込む。この時、上側に樹脂の流れが突出部７
ａで制限され、放熱支持板１の下側の樹脂の流れ
が相対的に強められる。この結果、放熱支持板１
の裏面いに薄い樹脂層を良好に形成することが出
来る。
放熱支持板の裏面側に薄い樹脂層を良好に形成す
るために、第２０図に示す様な金型を使用するこ
とは、本件出願人に係わる特願昭59−114018号で
提案されている。第２０図において、１は放熱支
持板、２はリード、３はパワートランジスタチツ
プ、４は内部リード、５は保護樹脂、６は成形樹
脂、７は上部金型、８は下部金型、７ａは樹脂の
流れを抑制する仕切りの突出部、７ｂは上部金型
７から下部金型８に至るように延びている取付孔
形成用の円筒状ピン、９は樹脂注入孔、１０は金
型が型締めされることによつて形成される成形用
空所である。この装置において、樹脂注入孔９か
ら粘液状態の樹脂を加熱されている金型７，８の
中に注入すると、放熱支持板１の上と下に樹脂が
流れ込む。この時、上側に樹脂の流れが突出部７
ａで制限され、放熱支持板１の下側の樹脂の流れ
が相対的に強められる。この結果、放熱支持板１
の裏面いに薄い樹脂層を良好に形成することが出
来る。
ところで、成形樹脂６の流れは第２１図で斜線
で説明的に示す如く支持板１の上側の流れＵと下
側の流れＬに大別される。空所１０に対する成形
樹脂６の充填は、支持板１の上下において注入孔
９側から開始され、リード２側端部で終了するこ
とが好ましい。突出部７ａは、この様な充填を達
成するため設けられている。
で説明的に示す如く支持板１の上側の流れＵと下
側の流れＬに大別される。空所１０に対する成形
樹脂６の充填は、支持板１の上下において注入孔
９側から開始され、リード２側端部で終了するこ
とが好ましい。突出部７ａは、この様な充填を達
成するため設けられている。
しかし、支持板１のチツプ３の上部の相対的に
厚い樹脂層６ａの充填状態に問題のあることが判
明した。即ち、第２１図に模式的に示すように、
樹脂の下側の流れＬは、樹脂の基本的な流動方向
である支持板１のリード側端部に向つて進む下側
のみの流れL1と、支持板１の側面を通つて支持
板１の上側に回り込む流れL2，L3に分かれる。
樹脂の下側の流れＬが強められている結果、支持
板１の上側の点Ａにおいては、まず樹脂の流れ
L2，L3がぶつかり、その後で樹脂の流れＵが到
達するという過程を経る。このような樹脂充填状
態では、点Ｂ近傍の空気が樹脂の流れＵ，L2，
L3に囲まれることによつて逃げ道を失い、最終
的にはチツプ３の上部近傍において樹脂層６ａに
未充填部分を残すことになる。
厚い樹脂層６ａの充填状態に問題のあることが判
明した。即ち、第２１図に模式的に示すように、
樹脂の下側の流れＬは、樹脂の基本的な流動方向
である支持板１のリード側端部に向つて進む下側
のみの流れL1と、支持板１の側面を通つて支持
板１の上側に回り込む流れL2，L3に分かれる。
樹脂の下側の流れＬが強められている結果、支持
板１の上側の点Ａにおいては、まず樹脂の流れ
L2，L3がぶつかり、その後で樹脂の流れＵが到
達するという過程を経る。このような樹脂充填状
態では、点Ｂ近傍の空気が樹脂の流れＵ，L2，
L3に囲まれることによつて逃げ道を失い、最終
的にはチツプ３の上部近傍において樹脂層６ａに
未充填部分を残すことになる。
この様な問題は、取付孔形成用のピン７ｂが設
けられている場合に顕著に生じる。ピン７ｂが設
けられている場合に、ピン７ｂで樹脂の流れが制
限された分を補うことを目的として突出部７ａの
中央部の突出量を小さくすることが考えられる
が、単に突出量を小さくしても樹脂の流を良好に
制御することが困難であつた。
けられている場合に顕著に生じる。ピン７ｂが設
けられている場合に、ピン７ｂで樹脂の流れが制
限された分を補うことを目的として突出部７ａの
中央部の突出量を小さくすることが考えられる
が、単に突出量を小さくしても樹脂の流を良好に
制御することが困難であつた。
そこで、本発明の目的は、支持板の裏面側に対
する樹脂の不完全な充填を防止すると共に、支持
板の表面側（チツプ固着側）における不完全な樹
脂の充填を防止することが出来る製造方法を提供
することにある。
する樹脂の不完全な充填を防止すると共に、支持
板の表面側（チツプ固着側）における不完全な樹
脂の充填を防止することが出来る製造方法を提供
することにある。
上述の目的を達成するための本発明は、実施例
を示す図面の符号を参照して説明すると、放熱機
能及び電気伝導機能を有するように形成され、且
つその一端部近傍に取付孔形成用の切欠部又は孔
を有している支持板と、前記支持板の一方の主表
面上に固着された半導体チツプと、前記支持板に
接続された支持板接続用外部リードと、前記半導
体チツプの支持板固着側表面と反対の表面に電気
的に接続されている少なくとも１本のチツプ接続
用外部リードと、前記支持板接続用及び前記チツ
プ接続用外部リードの支持板側の一部、前記半導
体チツプ、及び前記支持板を被覆する成形樹脂体
とを具備し、且つ前記支持板の一方の主表面側の
樹脂層が他方の主表面側の樹脂層よりも厚くなる
ように前記成形樹脂体が形成されている半導体装
置の製造方法において、前記支持板１２の前記一
端部側に樹脂注入孔２６を有し、前記切欠部又は
孔と前記半導体チツプ１９との間に樹脂の流れを
制限するための突出部２３ｃを有し、この突出部
２３ｃが前記樹脂注入孔２６の延長方向に交差す
るように配設され、この突出部２３ｃの中央部に
凹部２３ｄが設けられ、この凹部２３ｄがその中
央から前記突出部２３ｃの両端部に向つて傾斜状
又は階段状に深さが浅くなるように形成されてい
るか、又は前記樹脂注入孔２６の延長方向に沿つ
て末広がりに形成されている樹脂封止用型２３，
２４を用意し、前記樹脂封止用型２３，２４の成
形空所２５内に前記半導体チツプ１９を固着した
前記支持板１２を配置し、前記樹脂注入孔２６か
ら液状の樹脂を注入することによつて前記成形樹
脂体２８を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法に係わるものである。
を示す図面の符号を参照して説明すると、放熱機
能及び電気伝導機能を有するように形成され、且
つその一端部近傍に取付孔形成用の切欠部又は孔
を有している支持板と、前記支持板の一方の主表
面上に固着された半導体チツプと、前記支持板に
接続された支持板接続用外部リードと、前記半導
体チツプの支持板固着側表面と反対の表面に電気
的に接続されている少なくとも１本のチツプ接続
用外部リードと、前記支持板接続用及び前記チツ
プ接続用外部リードの支持板側の一部、前記半導
体チツプ、及び前記支持板を被覆する成形樹脂体
とを具備し、且つ前記支持板の一方の主表面側の
樹脂層が他方の主表面側の樹脂層よりも厚くなる
ように前記成形樹脂体が形成されている半導体装
置の製造方法において、前記支持板１２の前記一
端部側に樹脂注入孔２６を有し、前記切欠部又は
孔と前記半導体チツプ１９との間に樹脂の流れを
制限するための突出部２３ｃを有し、この突出部
２３ｃが前記樹脂注入孔２６の延長方向に交差す
るように配設され、この突出部２３ｃの中央部に
凹部２３ｄが設けられ、この凹部２３ｄがその中
央から前記突出部２３ｃの両端部に向つて傾斜状
又は階段状に深さが浅くなるように形成されてい
るか、又は前記樹脂注入孔２６の延長方向に沿つ
て末広がりに形成されている樹脂封止用型２３，
２４を用意し、前記樹脂封止用型２３，２４の成
形空所２５内に前記半導体チツプ１９を固着した
前記支持板１２を配置し、前記樹脂注入孔２６か
ら液状の樹脂を注入することによつて前記成形樹
脂体２８を形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法に係わるものである。
上述の如き凹部２３ｄを設けると、支持板１２
のチツプ固着面上において一端部から他端部に向
う樹脂の流れが、中央部で強く、且つその両側に
拡がりを有するようになり、支持板１２の裏面側
から表面側に回り込む流れと、表面側の流れとの
バランスが良くなり、樹脂の中に空気が閉じ込め
られる現象を防ぐことが出来る。これにより、製
造歩留りの向上及び品質の向上が達成される。
のチツプ固着面上において一端部から他端部に向
う樹脂の流れが、中央部で強く、且つその両側に
拡がりを有するようになり、支持板１２の裏面側
から表面側に回り込む流れと、表面側の流れとの
バランスが良くなり、樹脂の中に空気が閉じ込め
られる現象を防ぐことが出来る。これにより、製
造歩留りの向上及び品質の向上が達成される。
実施例 １
次に、第１図〜第９図に基づいて本発明の第１
の実施例に係わる樹脂封止型パワートランジスタ
の製造方法について説明する。
の実施例に係わる樹脂封止型パワートランジスタ
の製造方法について説明する。
まず、第１図に示すリードフレーム１１を用意
する。図ではトランジスタ１個分を示している
が、実際には多数個分（例えば10個分）が並列配
置されている。１２はNi被覆Cu板から成る放熱
機能と電気伝導機能を合わせ持つた支持板であ
る。１４は支持板１２に接続された支持板接続用
外部リードであり、コレクタリードとして機能す
る。１３，１５はチツプ接続用外部リードであ
り、それぞれベースリード、エミツタリードとし
て機能する。各外部リード１３，１４，１５は、
支持板１２と同一の材料で形成されている。１６
は外部リード同志を橋絡するタイバー、１７は外
部リード端を共通して連結する細条である。支持
板１２の先端部即ち一端部には、Ｕ字状切欠部１
８及び支持板１２の肉薄部１２ｂが形成されてい
る。１２ａは支持板１２の肉厚部である。１９は
シリコンパワートランジスタで、その下面はコレ
クタ電極（図示せず）となつており、支持板１２
の一方の主表面上に半田（図示せず）により固着
されている。チツプ１９の上面には、ベース電極
及びエミツタ電極（図示せず）が形成されてお
り、これらの電極と外部リード１３，１５の間が
Al線から成る内部リード２０，２１で接続され
ている。２２はシリコン樹脂から成るチツプ保護
用樹脂である。
する。図ではトランジスタ１個分を示している
が、実際には多数個分（例えば10個分）が並列配
置されている。１２はNi被覆Cu板から成る放熱
機能と電気伝導機能を合わせ持つた支持板であ
る。１４は支持板１２に接続された支持板接続用
外部リードであり、コレクタリードとして機能す
る。１３，１５はチツプ接続用外部リードであ
り、それぞれベースリード、エミツタリードとし
て機能する。各外部リード１３，１４，１５は、
支持板１２と同一の材料で形成されている。１６
は外部リード同志を橋絡するタイバー、１７は外
部リード端を共通して連結する細条である。支持
板１２の先端部即ち一端部には、Ｕ字状切欠部１
８及び支持板１２の肉薄部１２ｂが形成されてい
る。１２ａは支持板１２の肉厚部である。１９は
シリコンパワートランジスタで、その下面はコレ
クタ電極（図示せず）となつており、支持板１２
の一方の主表面上に半田（図示せず）により固着
されている。チツプ１９の上面には、ベース電極
及びエミツタ電極（図示せず）が形成されてお
り、これらの電極と外部リード１３，１５の間が
Al線から成る内部リード２０，２１で接続され
ている。２２はシリコン樹脂から成るチツプ保護
用樹脂である。
一方、第１図のチツプ１９が固着されたリード
フレーム１１を樹脂封止するために、第２図〜第
５図に示す上下の金型２３，２４を用意する。こ
の上下の金型２３，２４は、これを組み合せるこ
とによつて第４図及び第５図に示す如き成形空所
２５を得るものであり、支持板の肉薄部１２ｂを
挾持するための一対の円錐台状ピン２３ａと、取
付孔を得るための円筒状ピン２３ｂと、支持板１
２のチツプ１９が固着されている上面（一方の主
表面側）における樹脂の流れを妨げるための仕切
り状突出部２３ｃとを有する。仕切り状突出部２
３ｃの中央には、樹脂の流れを制限し緩和するた
めの凹部２３ｄが設けられている。この凹部２３
ｄは単純に垂直に切り込まれたものではなく、樹
脂の流れに交差する方向に延びている突出部２３
ｃの中央部において突出量が零になり、両端部に
向つて突出量が徐々に傾斜を有して増大するよう
に形成されている。なお、仕切り状突出部２３ｃ
に設ける凹部２３ｄは、円筒状ピン２３ｂによつ
て生じる樹脂の流れの制限を考慮して決定されて
いる。下部金型２４は、支持板を挾持するための
一対の円錐台状ピン２４ａ、リード配置用溝２４
ｂ、樹脂注入孔２６を有する。注入孔２６は支持
板１２の一端近傍に配置され、支持板１２の一端
から他端に向う方向即ち突出部２３ｃに交差する
方向に延びている。
フレーム１１を樹脂封止するために、第２図〜第
５図に示す上下の金型２３，２４を用意する。こ
の上下の金型２３，２４は、これを組み合せるこ
とによつて第４図及び第５図に示す如き成形空所
２５を得るものであり、支持板の肉薄部１２ｂを
挾持するための一対の円錐台状ピン２３ａと、取
付孔を得るための円筒状ピン２３ｂと、支持板１
２のチツプ１９が固着されている上面（一方の主
表面側）における樹脂の流れを妨げるための仕切
り状突出部２３ｃとを有する。仕切り状突出部２
３ｃの中央には、樹脂の流れを制限し緩和するた
めの凹部２３ｄが設けられている。この凹部２３
ｄは単純に垂直に切り込まれたものではなく、樹
脂の流れに交差する方向に延びている突出部２３
ｃの中央部において突出量が零になり、両端部に
向つて突出量が徐々に傾斜を有して増大するよう
に形成されている。なお、仕切り状突出部２３ｃ
に設ける凹部２３ｄは、円筒状ピン２３ｂによつ
て生じる樹脂の流れの制限を考慮して決定されて
いる。下部金型２４は、支持板を挾持するための
一対の円錐台状ピン２４ａ、リード配置用溝２４
ｂ、樹脂注入孔２６を有する。注入孔２６は支持
板１２の一端近傍に配置され、支持板１２の一端
から他端に向う方向即ち突出部２３ｃに交差する
方向に延びている。
次に、第１図に示すチツプ１９が固着されたリ
ードフレーム１１を金型２３，２４の成形空所２
５に第４図及び第５図に示す如く配置し、一対の
金型２３，２４の型締めをなす。これにより、リ
ード１３〜１５が上下の金型２３，２４で挾持さ
れると共に、上下のピン２３ａ，２４ａによつて
支持板１２の肉薄部１２ｂが挾持される。円筒状
ピン２３ｂは支持板１２の切欠部１８を通つて下
部金型２４に接する。仕切り状突出部２３ｃは樹
脂注入孔２６とチツプ１９との間に位置する。チ
ツプ１２を配置すると、上下の金型２３，２４の
中に、支持板１２の上方の上部空所２５ａと、支
持板１２の下方の下部空所２５ｂとが生じる。下
部空所２５ｂは極めて薄く、例えば、支持板肉厚
部１２ａと下部金型２４との間隔が約0.5mmであ
る。第３図に示す突出部２３ｃにおける断面から
明らかな如く、この部分には中央部で最も樹脂が
流れ易く、両側に向うに従つて流れにくい空所即
ち樹脂通路が生じる。なお、第３図の点線２７は
円筒状ピン２３ｂが設けられている部分の上部金
型２３の下面位置を示す。
ードフレーム１１を金型２３，２４の成形空所２
５に第４図及び第５図に示す如く配置し、一対の
金型２３，２４の型締めをなす。これにより、リ
ード１３〜１５が上下の金型２３，２４で挾持さ
れると共に、上下のピン２３ａ，２４ａによつて
支持板１２の肉薄部１２ｂが挾持される。円筒状
ピン２３ｂは支持板１２の切欠部１８を通つて下
部金型２４に接する。仕切り状突出部２３ｃは樹
脂注入孔２６とチツプ１９との間に位置する。チ
ツプ１２を配置すると、上下の金型２３，２４の
中に、支持板１２の上方の上部空所２５ａと、支
持板１２の下方の下部空所２５ｂとが生じる。下
部空所２５ｂは極めて薄く、例えば、支持板肉厚
部１２ａと下部金型２４との間隔が約0.5mmであ
る。第３図に示す突出部２３ｃにおける断面から
明らかな如く、この部分には中央部で最も樹脂が
流れ易く、両側に向うに従つて流れにくい空所即
ち樹脂通路が生じる。なお、第３図の点線２７は
円筒状ピン２３ｂが設けられている部分の上部金
型２３の下面位置を示す。
次に、第６図及び第７図に示すように、公知の
トランスフアモールド法に基づいて、加熱されて
いつたん粘液状となつたエポキシ樹脂を注入孔２
６から空所２５に加圧注入する。金型２３，２４
は約180℃に加熱されているので、空所２５に充
填されたエポキシ樹脂は数分以内に熱硬化し、成
形樹脂体２８となる。この成形樹脂体２８を得る
ための樹脂注入時に、金型の仕切り状突出部２３
ｃは第２０図の突出部７ａと同じく上部空所２５
ａへの樹脂の流れを抑制して相対的に下部空所２
５ｂへの樹脂の流れを強める。このため、下部空
所２５ｂに樹脂の未充填部分が生じることが防止
され、薄い樹脂層３７ｂが良好に形成される。こ
の時、支持板１２の側方を通つて支持板１２の下
面側から上面側に樹脂が流れ込もうとするが、仕
切り状突出部２３ｃの中央に凹部２３ｄが形成さ
れ、且つこの凹部２３ｄが中央部で最も深く両側
に向うに従つて徐々に浅くなつているので、樹脂
の流れもこれに対応して断面形状略円弧状とな
り、支持板１２の上側の樹脂の流れが、支持板１
２の下側から上側に回り込もうとする樹脂を良好
に抑制しながら進み、第２１図に示した下側から
の回り込む流れL2，L3が合流しようとする点Ａ
に、上側の流れＵが下側からの流れL2，L3より
も先又は同時に到達するようになり、樹脂の流れ
Ｕ，L2，L3の合流によつて空気が閉じ込められ
る問題が解消される。仕切り状突出部２３ｃの中
央に一定の深さの凹部を設けても、支持板１２の
中央部で流れが強くなるが、本実施例の如く凹部
２３ｄの形状を決定した方が各部の流れの合流の
状態が良くなり、空気が閉じ込められる問題が発
生し難くなり、上部空所２５ａにおけるチツプ１
９の上部近傍に樹脂の未充填部分が発生すること
が防止され、厚い樹脂層２８ａも良好に形成され
る。また、仕切り状突出部２３ｃの働きで、支持
板１２の下側に薄い樹脂層２８ｂが良好に形成さ
れる。
トランスフアモールド法に基づいて、加熱されて
いつたん粘液状となつたエポキシ樹脂を注入孔２
６から空所２５に加圧注入する。金型２３，２４
は約180℃に加熱されているので、空所２５に充
填されたエポキシ樹脂は数分以内に熱硬化し、成
形樹脂体２８となる。この成形樹脂体２８を得る
ための樹脂注入時に、金型の仕切り状突出部２３
ｃは第２０図の突出部７ａと同じく上部空所２５
ａへの樹脂の流れを抑制して相対的に下部空所２
５ｂへの樹脂の流れを強める。このため、下部空
所２５ｂに樹脂の未充填部分が生じることが防止
され、薄い樹脂層３７ｂが良好に形成される。こ
の時、支持板１２の側方を通つて支持板１２の下
面側から上面側に樹脂が流れ込もうとするが、仕
切り状突出部２３ｃの中央に凹部２３ｄが形成さ
れ、且つこの凹部２３ｄが中央部で最も深く両側
に向うに従つて徐々に浅くなつているので、樹脂
の流れもこれに対応して断面形状略円弧状とな
り、支持板１２の上側の樹脂の流れが、支持板１
２の下側から上側に回り込もうとする樹脂を良好
に抑制しながら進み、第２１図に示した下側から
の回り込む流れL2，L3が合流しようとする点Ａ
に、上側の流れＵが下側からの流れL2，L3より
も先又は同時に到達するようになり、樹脂の流れ
Ｕ，L2，L3の合流によつて空気が閉じ込められ
る問題が解消される。仕切り状突出部２３ｃの中
央に一定の深さの凹部を設けても、支持板１２の
中央部で流れが強くなるが、本実施例の如く凹部
２３ｄの形状を決定した方が各部の流れの合流の
状態が良くなり、空気が閉じ込められる問題が発
生し難くなり、上部空所２５ａにおけるチツプ１
９の上部近傍に樹脂の未充填部分が発生すること
が防止され、厚い樹脂層２８ａも良好に形成され
る。また、仕切り状突出部２３ｃの働きで、支持
板１２の下側に薄い樹脂層２８ｂが良好に形成さ
れる。
次に、金型２３，２４の型締めを解いてリード
フレーム１１を取り出し、成形樹脂体２８を完全
に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を行
う。続いてタイバー１６および細条１７をプレス
加工により切断で除去し、第８図及び第９図に示
すパワートランジスタとする。凹所２９，３０
は、それぞれ金型の円錐台状ピン２３ａ，２４ａ
に対応して形成されるものである。３１は外部放
熱体に取付けるときにネジ等を通すための取付孔
であり、金型の円筒状ピン２３ｂに対応して形成
されたものである。凹所３２は、それぞれ金型の
突出部２３ｃに対応して形成されたものであり、
ここには他の部分よりも薄い樹脂層が形成されて
いる。
フレーム１１を取り出し、成形樹脂体２８を完全
に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を行
う。続いてタイバー１６および細条１７をプレス
加工により切断で除去し、第８図及び第９図に示
すパワートランジスタとする。凹所２９，３０
は、それぞれ金型の円錐台状ピン２３ａ，２４ａ
に対応して形成されるものである。３１は外部放
熱体に取付けるときにネジ等を通すための取付孔
であり、金型の円筒状ピン２３ｂに対応して形成
されたものである。凹所３２は、それぞれ金型の
突出部２３ｃに対応して形成されたものであり、
ここには他の部分よりも薄い樹脂層が形成されて
いる。
実施例 ２
次に、第１２図〜第１７図を参照して本発明の
第２の実施例に係わるパワートランジスタの製造
方法について説明する。但し、第１２図〜第１７
図に示すものは、第１図〜第１１図に示すものと
比較し、突出部２３ｃの形状を除いて同一構成で
あり、且つ同一工程で形成されるので、共通する
部分に同一の符号を付してその説明を省略する。
第２の実施例に係わるパワートランジスタの製造
方法について説明する。但し、第１２図〜第１７
図に示すものは、第１図〜第１１図に示すものと
比較し、突出部２３ｃの形状を除いて同一構成で
あり、且つ同一工程で形成されるので、共通する
部分に同一の符号を付してその説明を省略する。
この例では第１０図の上部金型２３ｃから明ら
かな如く、突出部２３ｃにおける凹部２３ｄが樹
脂の基本的な流れの方向に沿つて末広がりに形成
されている。凹部２３ｄをこの様に形成すると、
樹脂の支持板１２の上面における基本的流動方向
即ち注入孔２６の延長方向に沿つて扇状に拡がつ
た樹脂の流れが生じ、第２１図に示す上側の流れ
Ｕと下から上に回り込む流れL2，L3との相性が
良くなり、空気が閉じ込められるような充填が生
じ難くなる。
かな如く、突出部２３ｃにおける凹部２３ｄが樹
脂の基本的な流れの方向に沿つて末広がりに形成
されている。凹部２３ｄをこの様に形成すると、
樹脂の支持板１２の上面における基本的流動方向
即ち注入孔２６の延長方向に沿つて扇状に拡がつ
た樹脂の流れが生じ、第２１図に示す上側の流れ
Ｕと下から上に回り込む流れL2，L3との相性が
良くなり、空気が閉じ込められるような充填が生
じ難くなる。
本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形例が可能なものである。
く、例えば次の変形例が可能なものである。
(A) 第１９図に示す如く、凹部３２の中央部が取
付孔３１の近傍の樹脂層表面よりも僅かに低く
なるようにしてもよい。即ち、第１０図の凹部
２３ｄの部分に突出量の小さい突出部２３ｃを
設けるようにしてもよい。
付孔３１の近傍の樹脂層表面よりも僅かに低く
なるようにしてもよい。即ち、第１０図の凹部
２３ｄの部分に突出量の小さい突出部２３ｃを
設けるようにしてもよい。
(B) 第３図の突出部２３ｃの代りに、第１９図に
示す如く、支持板１２の中央部においても樹脂
の流れを抑制するような突出部２３ｃを形成し
てもよい。また、突出部２３ｃの中央から両側
に向つて階段状に突出量が変化するようにして
もよい。
示す如く、支持板１２の中央部においても樹脂
の流れを抑制するような突出部２３ｃを形成し
てもよい。また、突出部２３ｃの中央から両側
に向つて階段状に突出量が変化するようにして
もよい。
(C) 切欠部１８を貫通孔とし、ここに取付孔３１
を設けるようにしてもよい。
を設けるようにしてもよい。
(D) 金型２３，２４を２分割よりも多い分割数に
構成してもよい。
構成してもよい。
第１図は本発明の実施例に係わるリードフレー
ムを示す斜視図、第２図は本発明の第１の実施例
に係わる金型の一部を示す分解斜視図、第３図は
金型の一部を示す断面図、第４図は第１図のリー
ド１４に沿う部分に対応する金型とリードフレー
ムとの断面図、第５図は第１図のリード１３に沿
う部分に対応する金型とリードフレームとの断面
図、第６図及び第７図は成形樹脂体を形成したも
のを示す第４図及び第５図に対応する断面図、第
８図は完成したトランジスタの斜視図、第９図は
第８図のトランジスタの平面図、第１０図は本発
明の第２の実施例の金型の分解斜視図、第１１図
は金型の一部を示す断面図、第１２図、第１３
図、第１４図、及び第１５図は第２の実施例の金
型を使用して樹脂封止する場合における第４図、
第５図、第６図及び第７図に対応する部分を夫々
示す断面図、第１６図は第２の実施例のトランジ
スタの斜視図、第１７図は第１６図のトランジス
タの平面図、第１８図は変形例のトランジスタを
示す斜視図、第１９図は変形例の金型を示す断面
図、第２０図は従来の金型及びトランジスタを示
す断面図、第２１図は樹脂の流れを説明するため
のリードフレームの斜視図である。 １２……支持板、１３，１４，１５……リー
ド、１９……チツプ、２３……上部金型、２３ｃ
……仕切り状突出部、２３ｄ……凹部、２４……
下部金型。
ムを示す斜視図、第２図は本発明の第１の実施例
に係わる金型の一部を示す分解斜視図、第３図は
金型の一部を示す断面図、第４図は第１図のリー
ド１４に沿う部分に対応する金型とリードフレー
ムとの断面図、第５図は第１図のリード１３に沿
う部分に対応する金型とリードフレームとの断面
図、第６図及び第７図は成形樹脂体を形成したも
のを示す第４図及び第５図に対応する断面図、第
８図は完成したトランジスタの斜視図、第９図は
第８図のトランジスタの平面図、第１０図は本発
明の第２の実施例の金型の分解斜視図、第１１図
は金型の一部を示す断面図、第１２図、第１３
図、第１４図、及び第１５図は第２の実施例の金
型を使用して樹脂封止する場合における第４図、
第５図、第６図及び第７図に対応する部分を夫々
示す断面図、第１６図は第２の実施例のトランジ
スタの斜視図、第１７図は第１６図のトランジス
タの平面図、第１８図は変形例のトランジスタを
示す斜視図、第１９図は変形例の金型を示す断面
図、第２０図は従来の金型及びトランジスタを示
す断面図、第２１図は樹脂の流れを説明するため
のリードフレームの斜視図である。 １２……支持板、１３，１４，１５……リー
ド、１９……チツプ、２３……上部金型、２３ｃ
……仕切り状突出部、２３ｄ……凹部、２４……
下部金型。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 放熱機能及び電気伝導機能を有するように形
成され、且つその一端部近傍に取付孔形成用の切
欠部又は孔を有している支持板と、前記支持板の
一方の主表面上に固着された半導体チツプと、前
記支持板に接続された支持板接続用外部リード
と、前記半導体チツプの支持板固着側表面と反対
の表面に電気的に接続されている少なくとも１本
のチツプ接続用外部リードと、前記支持板接続用
及び前記チツプ接続用外部リードの支持板側の一
部、前記半導体チツプ、及び前記支持板を被覆す
る成形樹脂体とを具備し、且つ前記支持板の一方
の主表面側の樹脂層が他方の主表面側の樹脂層よ
りも厚くなるように前記成形樹脂体が形成されて
いる半導体装置の製造方法において、 前記支持板１２の前記一端部側に樹脂注入孔２
６を有し、前記切欠部又は孔と前記半導体チツプ
１９との間に樹脂の流れを制限するための突出部
２３ｃを有し、この突出部２３ｃが前記樹脂注入
孔２６の延長方向に交差するように配設され、こ
の突出部２３ｃの中央部に凹部２３ｄが設けら
れ、この凹部２３ｄがその中央から前記突出部２
３ｃの両端部に向つて傾斜状又は階段状に深さが
浅くなるように形成されているか、又は前記樹脂
注入孔２６の延長方向に沿つて末広がりに形成さ
れている樹脂封止用型２３，２４を用意し、 前前記樹脂封止用型２３，２４の成形空所２５
内に前記半導体チツプ１９を固着した前記支持板
１２を配置し、 前記樹脂注入孔２６から液状の樹脂を注入する
ことによつて前記成形樹脂体２８を形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060390A JPS61219144A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060390A JPS61219144A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61219144A JPS61219144A (ja) | 1986-09-29 |
| JPH0328067B2 true JPH0328067B2 (ja) | 1991-04-17 |
Family
ID=13140772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60060390A Granted JPS61219144A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61219144A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1252624B (it) * | 1991-12-05 | 1995-06-19 | Cons Ric Microelettronica | Dispositivo semiconduttore incapsulato in resina e elettricamente isolato di migliorate caratteristiche di isolamento,e relativo processo di fabbricazione |
| GB9221935D0 (en) * | 1992-10-19 | 1992-12-02 | Int Rectifier Co Ltd | Electronics module |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP60060390A patent/JPS61219144A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61219144A (ja) | 1986-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7586180B2 (en) | Semiconductor packaging device comprising a semiconductor chip including a MOSFET | |
| US5935502A (en) | Method for manufacturing plastic package for electronic device having a fully insulated dissipator | |
| EP0069390B1 (en) | Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device | |
| KR100222349B1 (ko) | 반도체 칩 패키징 | |
| JPH0328067B2 (ja) | ||
| JPH01158756A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JP2517691B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0378779B2 (ja) | ||
| JPH0244147B2 (ja) | ||
| JPH0213462B2 (ja) | ||
| JP2817815B2 (ja) | 樹脂封止型電子部品の製造方法 | |
| JPH04729A (ja) | 樹脂封止形電子部品の製造方法 | |
| JP3185354B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置 | |
| JP2802966B2 (ja) | 樹脂封止型電子部品の製造方法 | |
| JPS647496B2 (ja) | ||
| JP2001217371A (ja) | 樹脂パッケージ型半導体装置 | |
| JPH05109795A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0514423B2 (ja) | ||
| JPS62219642A (ja) | レジンパツケ−ジ型電子部品 | |
| JPH0521648A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0254666B2 (ja) | ||
| JPH0353551A (ja) | 絶縁型半導体装置用放熱板 | |
| JPH0456235A (ja) | 樹脂封止型電子部品の製造方法 | |
| JPH0578177B2 (ja) | ||
| JPH0432538B2 (ja) |