JPH0360146A - 樹脂モールド型半導体装置及び樹脂モールド装置 - Google Patents
樹脂モールド型半導体装置及び樹脂モールド装置Info
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- JPH0360146A JPH0360146A JP19739889A JP19739889A JPH0360146A JP H0360146 A JPH0360146 A JP H0360146A JP 19739889 A JP19739889 A JP 19739889A JP 19739889 A JP19739889 A JP 19739889A JP H0360146 A JPH0360146 A JP H0360146A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱板を含めて全体を外装樹脂でモールドし
たパワートランジスタ等の樹脂封止型半導体装置と、そ
の製造に用いる樹脂モールド装置に関する。
たパワートランジスタ等の樹脂封止型半導体装置と、そ
の製造に用いる樹脂モールド装置に関する。
従来より、発熱量が大きいパワートランジスタ等の半導
体装置は、その放熱板を裏面に露出させて樹脂モールド
していた。けれども、このような半導体装置は、放熱板
を絶縁するためにマイカやシリコンゴムシートを介在さ
せてシャーシ等に実装する必要があるので、実装作業が
煩雑となり、部品点数も増加するという問題があった。
体装置は、その放熱板を裏面に露出させて樹脂モールド
していた。けれども、このような半導体装置は、放熱板
を絶縁するためにマイカやシリコンゴムシートを介在さ
せてシャーシ等に実装する必要があるので、実装作業が
煩雑となり、部品点数も増加するという問題があった。
そこで、第６図や第８図に示すように放熱板を含めて全
体を樹脂モールドした構造の樹脂封止型パワートランジ
スタが開発された。
体を樹脂モールドした構造の樹脂封止型パワートランジ
スタが開発された。
この第６図に示す樹脂封止型パワートランジスタは、リ
ード１００を有する放熱板１０１の上に半導体ベレット
１０２を半田１０３でマウントし、半導体ベレット表面
のエミッタ電極とベース電極を、放熱板のリード両側に
配設された２本のリド（図には表れていない〉にそれぞ
れ金属細線１０４でワイヤボンディングしてから、全体
を外装樹脂１０５でモールドしたものであり、放熱板１
０１の下側の外装樹脂の厚みは、放熱性が低下しないよ
うに０．３〜１．Ｏｍｍ程度に設定されている。
ード１００を有する放熱板１０１の上に半導体ベレット
１０２を半田１０３でマウントし、半導体ベレット表面
のエミッタ電極とベース電極を、放熱板のリード両側に
配設された２本のリド（図には表れていない〉にそれぞ
れ金属細線１０４でワイヤボンディングしてから、全体
を外装樹脂１０５でモールドしたものであり、放熱板１
０１の下側の外装樹脂の厚みは、放熱性が低下しないよ
うに０．３〜１．Ｏｍｍ程度に設定されている。
また、第８図に示す樹脂封止型パワートランジスタは、
放熱板１０１のリード１００と反対側の端部に吊りピン
１０６を設けた点を除いて、第６図のパワートランジス
タと同様に構成されたものである。
放熱板１０１のリード１００と反対側の端部に吊りピン
１０６を設けた点を除いて、第６図のパワートランジス
タと同様に構成されたものである。
しかしながら、第６図の樹脂封止型パワートランジスタ
の場合は、樹脂モールド工程において、第７図に示すよ
うに半導体ベレット１０２がマウントされた放熱板１０
１を樹脂モールド装置の上下金型１０７，１０８間のキ
ャビティ１０９にセットしたとき、放熱板１０１がリー
ド１００のところで片持ち支持の状態となり、仮想線で
示すように放熱板１０１が自重で傾斜しやすいため、ゲ
−）１１０から外装樹脂を射出してモールドすると、放
熱板下側の外装樹脂の厚みが設定値より薄くなって絶縁
耐圧が低下したり、極端な場合には放熱板１０１が部分
的に露出するという問題があった。
の場合は、樹脂モールド工程において、第７図に示すよ
うに半導体ベレット１０２がマウントされた放熱板１０
１を樹脂モールド装置の上下金型１０７，１０８間のキ
ャビティ１０９にセットしたとき、放熱板１０１がリー
ド１００のところで片持ち支持の状態となり、仮想線で
示すように放熱板１０１が自重で傾斜しやすいため、ゲ
−）１１０から外装樹脂を射出してモールドすると、放
熱板下側の外装樹脂の厚みが設定値より薄くなって絶縁
耐圧が低下したり、極端な場合には放熱板１０１が部分
的に露出するという問題があった。
これに対し、第８図の樹脂封止型パワートランジスタは
、樹脂モールドするとき、第９図に示すようにリード１
００と吊りピン１０６を上下金型１０７．１０８の間に
挟んで放熱板１０１をキャビティ１０９の底面と平行に
セットできるため、上記の問題は生じない。けれども、
このパワートランジスタは、金型から取り出した後、外
装樹脂１０５の側面から突出する吊りピン１０６の先端
を切断する必要があり、その切断面が外装樹脂１０５の
側面に露出するため、実装したときの沿面距離ｌが短く
、絶縁耐圧に劣るという問題があった。
、樹脂モールドするとき、第９図に示すようにリード１
００と吊りピン１０６を上下金型１０７．１０８の間に
挟んで放熱板１０１をキャビティ１０９の底面と平行に
セットできるため、上記の問題は生じない。けれども、
このパワートランジスタは、金型から取り出した後、外
装樹脂１０５の側面から突出する吊りピン１０６の先端
を切断する必要があり、その切断面が外装樹脂１０５の
側面に露出するため、実装したときの沿面距離ｌが短く
、絶縁耐圧に劣るという問題があった。
また、第６図及び第８図の樹脂封止型パワートランジス
タはいずれも、樹脂モー′ルド時の外装樹脂の流動抵抗
が放熱板１０１の下側で大きく上側で小さいため、第７
図及び第９図において矢印Ａで示すように上側の外装樹
脂が下側へ回りこんで下側の外装樹脂と接合することに
なる。このように放熱板上側の外装樹脂が放熱板下側へ
回りこむと、下側の空気が閉じ込められて脱気不充分と
なるため、外装樹脂の接合部分にピンホールや気泡が発
生しやすいという問題があった。
タはいずれも、樹脂モー′ルド時の外装樹脂の流動抵抗
が放熱板１０１の下側で大きく上側で小さいため、第７
図及び第９図において矢印Ａで示すように上側の外装樹
脂が下側へ回りこんで下側の外装樹脂と接合することに
なる。このように放熱板上側の外装樹脂が放熱板下側へ
回りこむと、下側の空気が閉じ込められて脱気不充分と
なるため、外装樹脂の接合部分にピンホールや気泡が発
生しやすいという問題があった。
（課題を解決するための手段）
上記の問題を解決するため、本発明の樹脂封止型半導体
装置は、放熱板上にマウントされた半導体ベレットとそ
の近傍に配設されたリードをワイヤーボンディングし、
外装樹脂で全体をモールドした半導体装置において、そ
の放熱板に、樹脂モールドの際に放熱板保持ピンを上方
から圧入するテーパ孔が形成され、外装樹脂に放熱板保
持ピンを抜き取ったあとの残孔が形成されていることを
特徴とするものである。
装置は、放熱板上にマウントされた半導体ベレットとそ
の近傍に配設されたリードをワイヤーボンディングし、
外装樹脂で全体をモールドした半導体装置において、そ
の放熱板に、樹脂モールドの際に放熱板保持ピンを上方
から圧入するテーパ孔が形成され、外装樹脂に放熱板保
持ピンを抜き取ったあとの残孔が形成されていることを
特徴とするものである。
そして、この樹脂封止型半導体装置の製造に用いる本発
明の樹脂モールド装置は、上下金型間のキャビティ内に
セットされた放熱板のテーパ孔に上方から圧入される放
熱板保持ピンを上金型に設け、放熱板保持ピンの圧入時
に放熱板を下方から支持する支持ピンを放熱板保持ピン
の真下に位置させて下金型に出没自在に設けたことを特
徴とするものである。
明の樹脂モールド装置は、上下金型間のキャビティ内に
セットされた放熱板のテーパ孔に上方から圧入される放
熱板保持ピンを上金型に設け、放熱板保持ピンの圧入時
に放熱板を下方から支持する支持ピンを放熱板保持ピン
の真下に位置させて下金型に出没自在に設けたことを特
徴とするものである。
本発明の樹脂封止型半導体装置のように、放熱板にテー
パ孔が形成されていると、本発明の樹脂モールド装置を
用いて樹脂モールドする際、放熱板のテーパ孔に上方か
ら圧入された上金型の放熱板保持ピンによって、放熱板
をキャビティ底面と平行に保持してセットできる。そし
て、上記のように放熱板保持ピンを上方から圧入した状
態でキャビティ内へ外装樹脂を射出すると、放熱板上側
の外装樹脂の流動抵抗が放熱板保持ピンによって増大し
、放熱板下側の外装樹脂の流動抵抗との差が少なくなる
ので、上側の外装樹脂が放熱板の下側へ回りこみにくく
なる。上記の放熱板保持ピンは脱型のときに抜き取られ
るので、放熱板上側の外装樹脂には放熱板のテーパ孔に
連なる残孔が形成されるが、このような残孔が存在して
も沿面距離が長いため絶縁耐圧の低下を招くことはない
。
パ孔が形成されていると、本発明の樹脂モールド装置を
用いて樹脂モールドする際、放熱板のテーパ孔に上方か
ら圧入された上金型の放熱板保持ピンによって、放熱板
をキャビティ底面と平行に保持してセットできる。そし
て、上記のように放熱板保持ピンを上方から圧入した状
態でキャビティ内へ外装樹脂を射出すると、放熱板上側
の外装樹脂の流動抵抗が放熱板保持ピンによって増大し
、放熱板下側の外装樹脂の流動抵抗との差が少なくなる
ので、上側の外装樹脂が放熱板の下側へ回りこみにくく
なる。上記の放熱板保持ピンは脱型のときに抜き取られ
るので、放熱板上側の外装樹脂には放熱板のテーパ孔に
連なる残孔が形成されるが、このような残孔が存在して
も沿面距離が長いため絶縁耐圧の低下を招くことはない
。
また、本発明の樹脂モールド装置のように、放熱板を下
方から支持する支持ピンを放熱板保持ピンの真下に位置
させて下金型に出没自在に設けであると、放熱板をキャ
ビティ底面と平行に支持した状態で放熱板保持ピンを放
熱板のテーパ孔に充分に圧入できるため、外装樹脂の射
出時に支持ピンを没入させて放熱板の支持を解除した状
態でも、放熱板は放熱板保持ピンから脱落することなく
キャビティ底面と平行に保持される。そして、上記のよ
うに支持ピンを没入させた状態で外装樹脂を射出すれば
、放熱板下側の外装樹脂の流動抵抗が増大したり、支持
ピンによる残孔が形成されたりすることもない。
方から支持する支持ピンを放熱板保持ピンの真下に位置
させて下金型に出没自在に設けであると、放熱板をキャ
ビティ底面と平行に支持した状態で放熱板保持ピンを放
熱板のテーパ孔に充分に圧入できるため、外装樹脂の射
出時に支持ピンを没入させて放熱板の支持を解除した状
態でも、放熱板は放熱板保持ピンから脱落することなく
キャビティ底面と平行に保持される。そして、上記のよ
うに支持ピンを没入させた状態で外装樹脂を射出すれば
、放熱板下側の外装樹脂の流動抵抗が増大したり、支持
ピンによる残孔が形成されたりすることもない。
以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳述する。
第１図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す平面図、第２図は第１図のＡ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ線
に沿った拡大断面図であって、パワートランジスタを例
示したものである。
す平面図、第２図は第１図のＡ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ線
に沿った拡大断面図であって、パワートランジスタを例
示したものである。
第１図及び第２図において、１は銅等の比較的柔らかい
金属製の放熱板であり、この放熱板１の一端にはリード
２が一体に設けられている。そして、この放熱板１の他
端寄りには、止具挿通孔３を形成するための丸孔４と、
樹脂モールドの際に放熱板保持ピンを圧入する上広がり
の二つのテーパ孔５が穿孔されている。
金属製の放熱板であり、この放熱板１の一端にはリード
２が一体に設けられている。そして、この放熱板１の他
端寄りには、止具挿通孔３を形成するための丸孔４と、
樹脂モールドの際に放熱板保持ピンを圧入する上広がり
の二つのテーパ孔５が穿孔されている。
この放熱板１の上面には、パワートランジスタ用の半導
体ペレット６が半田７を介してマウントされ、該ペレッ
ト下面のコレクタ電極と放熱板１がグイボンディングさ
れている。そして、この半導体ベレット６の上面に形成
された工夫ツタ電極及びベース電極と、放熱板１のリー
ド２の両側に配設された２本のリード８．９とがそれぞ
れ金属細線１０でワイヤーボンディングされ、全体がエ
ポキシ樹脂等の外装樹脂１１でモールドされて樹脂封止
型パワートランジスタが構成されている。
体ペレット６が半田７を介してマウントされ、該ペレッ
ト下面のコレクタ電極と放熱板１がグイボンディングさ
れている。そして、この半導体ベレット６の上面に形成
された工夫ツタ電極及びベース電極と、放熱板１のリー
ド２の両側に配設された２本のリード８．９とがそれぞ
れ金属細線１０でワイヤーボンディングされ、全体がエ
ポキシ樹脂等の外装樹脂１１でモールドされて樹脂封止
型パワートランジスタが構成されている。
この外装樹脂１１は、半導体ペレット６及び金属細線１
０を封止する部分が厚肉化された段付き直方体形状に底
形され、放熱板ｌ下側の外装樹脂の厚みは、良好な放熱
性を発揮できるように０゜３〜１．０ｍｍ程度に設定さ
れている。そして、この外装樹脂１１の薄肉下段部には
前記の止具挿通孔３が放熱板１の丸孔４と同心的に形成
され、更に、放熱板１のテーパ孔５の上方には、放熱板
保持ピンを抜き取ったあとの残孔１２が形成されている
。また、このテーパ孔５の下部には外装樹脂が入り込ん
で楔状突起１３が形成されている。
０を封止する部分が厚肉化された段付き直方体形状に底
形され、放熱板ｌ下側の外装樹脂の厚みは、良好な放熱
性を発揮できるように０゜３〜１．０ｍｍ程度に設定さ
れている。そして、この外装樹脂１１の薄肉下段部には
前記の止具挿通孔３が放熱板１の丸孔４と同心的に形成
され、更に、放熱板１のテーパ孔５の上方には、放熱板
保持ピンを抜き取ったあとの残孔１２が形成されている
。また、このテーパ孔５の下部には外装樹脂が入り込ん
で楔状突起１３が形成されている。
第３図は本発明の樹脂モールド装置の一実施例を示す部
分断面図で、この樹脂モールド装置は前記構成の樹脂封
止型パワートランジスタの製造に使用するものである。
分断面図で、この樹脂モールド装置は前記構成の樹脂封
止型パワートランジスタの製造に使用するものである。
即ち、この樹脂モールド装置は、上下の金型１４．１５
の間に段付き直方体形状のキャビティ１６が形成された
もので、このキャビティ１６には前記のように半導体ペ
レット６をマウントした放熱板１がセットされ、前記の
リード２．８．９が上下の金型１４．１５で挟持される
ようになっている。なお、これらのリード２．８．９は
、この樹脂モールドの段階では切断分離されてなく、リ
ードフレームのタイバーで互いに連結されたままである
。
の間に段付き直方体形状のキャビティ１６が形成された
もので、このキャビティ１６には前記のように半導体ペ
レット６をマウントした放熱板１がセットされ、前記の
リード２．８．９が上下の金型１４．１５で挟持される
ようになっている。なお、これらのリード２．８．９は
、この樹脂モールドの段階では切断分離されてなく、リ
ードフレームのタイバーで互いに連結されたままである
。
この上金型１４には、前記の止具挿通孔３を底形するた
めの円形ポール１７が下向きに突設され、更に、放熱板
１のテーパ孔５に圧入される２本の放熱板保持ピン１日
（但し、第３図では１本の放熱板保持ピンのみ表れてい
る）が該テーパ孔５の真上に位置して出没自在に設けら
れてい、る。この放熱板保持ピン１８は放熱板ｌより硬
い材質のピンで、その下端部１８ａがテーパ状に加工さ
れており、このテーパ状下端部１８ａをテーパ孔５に圧
入すると、放熱板ｌが仮着状態となり、脱落することな
く保持できるようになっている。
めの円形ポール１７が下向きに突設され、更に、放熱板
１のテーパ孔５に圧入される２本の放熱板保持ピン１日
（但し、第３図では１本の放熱板保持ピンのみ表れてい
る）が該テーパ孔５の真上に位置して出没自在に設けら
れてい、る。この放熱板保持ピン１８は放熱板ｌより硬
い材質のピンで、その下端部１８ａがテーパ状に加工さ
れており、このテーパ状下端部１８ａをテーパ孔５に圧
入すると、放熱板ｌが仮着状態となり、脱落することな
く保持できるようになっている。
一方、下金型１５には、放熱板ｌを下方から支持する２
本の支持ピン１９（但し、第３図では１本の支持ピンの
み表れている）が放熱板保持ピン１８の真下にそれぞれ
位置して出没自在に設けられており、ゲート２０から外
装樹脂をキャビティ１６内へ射出するときには、該支持
ピン１９の平坦な上面がキャビティ１６の底面と面一に
なるように下降して、放熱板ｌの支持を解除するように
なっている。
本の支持ピン１９（但し、第３図では１本の支持ピンの
み表れている）が放熱板保持ピン１８の真下にそれぞれ
位置して出没自在に設けられており、ゲート２０から外
装樹脂をキャビティ１６内へ射出するときには、該支持
ピン１９の平坦な上面がキャビティ１６の底面と面一に
なるように下降して、放熱板ｌの支持を解除するように
なっている。
上記のように構成された樹脂モールド装置によって樹脂
モールドを行う場合は、まず上金型１４を上昇させた状
態で、リード２．８．９を下金型１５に載置すると共に
、半導体ベレット６がマウントされた放熱板１を下金型
１５のキャビティに入れて支持ピン１９で下方から支持
させ、放熱板１をキャビティ底面と平行に僅かに浮かせ
た状態でセットする。なお、リード２，８．９は前述の
ようにタイバーで連結されてリードフレームに取付いた
ままである。
モールドを行う場合は、まず上金型１４を上昇させた状
態で、リード２．８．９を下金型１５に載置すると共に
、半導体ベレット６がマウントされた放熱板１を下金型
１５のキャビティに入れて支持ピン１９で下方から支持
させ、放熱板１をキャビティ底面と平行に僅かに浮かせ
た状態でセットする。なお、リード２，８．９は前述の
ようにタイバーで連結されてリードフレームに取付いた
ままである。
次いで、上金型１４を下降させ、第３図に示すようにリ
ード２．８．９を上下の金型１４，１５で挟持固定する
と共に、円形ポール１７を放熱板１の丸孔４に挿入する
。そして、これと同時に放熱板保持ピン１８を下降させ
、そのテーパ状下端部１８ａを放熱板１のテーパ孔５の
途中まで圧入してから、支持ピン１９をその上面がキャ
ビティ底面と面一となるように下降させる。このように
放熱板ｌを支持ピン１９で下方から支持して放熱板保持
ピン１８のテーパ状下端部１８ａをテーパ孔５に上方か
ら圧入すると、テーパ状下端部１８ａがテーパ孔５に食
い込んで仮着状態となるため、支持ピン１９を下降させ
て放熱板１の支持を解除しても、放熱板１はキャビティ
１６の底面から僅かに浮いた状態で平行に保持される。
ード２．８．９を上下の金型１４，１５で挟持固定する
と共に、円形ポール１７を放熱板１の丸孔４に挿入する
。そして、これと同時に放熱板保持ピン１８を下降させ
、そのテーパ状下端部１８ａを放熱板１のテーパ孔５の
途中まで圧入してから、支持ピン１９をその上面がキャ
ビティ底面と面一となるように下降させる。このように
放熱板ｌを支持ピン１９で下方から支持して放熱板保持
ピン１８のテーパ状下端部１８ａをテーパ孔５に上方か
ら圧入すると、テーパ状下端部１８ａがテーパ孔５に食
い込んで仮着状態となるため、支持ピン１９を下降させ
て放熱板１の支持を解除しても、放熱板１はキャビティ
１６の底面から僅かに浮いた状態で平行に保持される。
上記のようにして放熱板ｌの保持が完了すると、ゲート
２０から外装樹脂をキャビティ１６内へ射出して全体を
モールドする。このように外装樹脂を射出すると、放熱
板保持ピン１８があるため放熱板１上側の外装樹脂の流
動抵抗が増大し、放熱板１下側の外装樹脂の流動抵抗と
の差が小さくなる。従って、上側の外装樹脂が放熱板１
の下側へ回りこまないので空気の抜けが良くなり、従来
のように外装樹脂の接合部分にピンホールや気泡が発生
することはなくなる。また、放熱板１はキャビティ１６
の底面と平行に保持されているので、放熱板ｌの下側の
外装樹脂の厚みが一定となる。
２０から外装樹脂をキャビティ１６内へ射出して全体を
モールドする。このように外装樹脂を射出すると、放熱
板保持ピン１８があるため放熱板１上側の外装樹脂の流
動抵抗が増大し、放熱板１下側の外装樹脂の流動抵抗と
の差が小さくなる。従って、上側の外装樹脂が放熱板１
の下側へ回りこまないので空気の抜けが良くなり、従来
のように外装樹脂の接合部分にピンホールや気泡が発生
することはなくなる。また、放熱板１はキャビティ１６
の底面と平行に保持されているので、放熱板ｌの下側の
外装樹脂の厚みが一定となる。
樹脂モールドが終わると、放熱板保持ピン１８を上昇さ
せて抜き取ると共に、上金型１４を上昇させて下金型１
５から樹脂封止型パワートランジスタを取り出し、タイ
バーを切断してリード２゜８．９をリードフレームから
分離する。
せて抜き取ると共に、上金型１４を上昇させて下金型１
５から樹脂封止型パワートランジスタを取り出し、タイ
バーを切断してリード２゜８．９をリードフレームから
分離する。
このようにし、て得られた樹脂封止型パワートランジス
タは、前記のように放熱板保持ピン１８を抜き取ったあ
との成孔１２が形成されているが、この成孔１２は外装
樹脂１１の上面に開口しているので、シャーシ等に実装
したときの沿面距離が第８図の従来品よりも遥かに長く
なる。従って、従来品のように絶縁耐圧が低下すること
はない。
タは、前記のように放熱板保持ピン１８を抜き取ったあ
との成孔１２が形成されているが、この成孔１２は外装
樹脂１１の上面に開口しているので、シャーシ等に実装
したときの沿面距離が第８図の従来品よりも遥かに長く
なる。従って、従来品のように絶縁耐圧が低下すること
はない。
また、樹脂モールドの際、放熱板１が放熱板保持ピン１
８によってキャビティ１６の底面と平行に所定間隔をあ
けて保持されるので、放熱板１の下側の外装樹脂の厚み
が一定している。従って、第６図の従来品のように放熱
板が傾斜し、下側の外装樹脂の厚みが小さくなって絶縁
耐圧が低下したり、放熱板が露出するといった問題も解
消される。
８によってキャビティ１６の底面と平行に所定間隔をあ
けて保持されるので、放熱板１の下側の外装樹脂の厚み
が一定している。従って、第６図の従来品のように放熱
板が傾斜し、下側の外装樹脂の厚みが小さくなって絶縁
耐圧が低下したり、放熱板が露出するといった問題も解
消される。
また、第６図や第８図の従来品では、放熱板下側の外装
樹脂が剥離しやすいという問題もあるが、上記の樹脂封
止型パワートランジスタでは、外装樹脂が放熱板ｌのテ
ーパ孔５の下部に入り込んで楔状突起１３を形成してい
るので、放熱板下側の外装樹脂が剥離することもなくな
る。
樹脂が剥離しやすいという問題もあるが、上記の樹脂封
止型パワートランジスタでは、外装樹脂が放熱板ｌのテ
ーパ孔５の下部に入り込んで楔状突起１３を形成してい
るので、放熱板下側の外装樹脂が剥離することもなくな
る。
第４図は本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施例を
示す平面図で、放熱板として先端が二股状に形成された
放熱板１′を用いた樹脂封止型パワートランジスタを示
している。その他の構成は第１図及び第２図の樹脂封止
型パワートランジスタと同様であるので、第４図におい
て同一部材に同一符号を付し、説明を省略する。
示す平面図で、放熱板として先端が二股状に形成された
放熱板１′を用いた樹脂封止型パワートランジスタを示
している。その他の構成は第１図及び第２図の樹脂封止
型パワートランジスタと同様であるので、第４図におい
て同一部材に同一符号を付し、説明を省略する。
第５図（イ）は本発明の樹脂モールド装置の放熱保持ピ
ンの他の例を示す部分側面図、同図（ロ）は同図（イ〉
のＧ−Ｇ線断面図であって、この放熱板保持ピン１８′
は、そのテーパ状下端部１８ａ′の周囲に複数（４つ）
の食込み刃１８ｂ′を形成したものである。このような
食込み刃１８ｂ′が形成されていると、テーバ状下端部
１８３′を放熱板１のテーパ孔５に圧入したとき、食込
み刃１８ｂ′がテーパ孔５の周囲に食込み、放熱板１を
より確実に保持できる利点がある。
ンの他の例を示す部分側面図、同図（ロ）は同図（イ〉
のＧ−Ｇ線断面図であって、この放熱板保持ピン１８′
は、そのテーパ状下端部１８ａ′の周囲に複数（４つ）
の食込み刃１８ｂ′を形成したものである。このような
食込み刃１８ｂ′が形成されていると、テーバ状下端部
１８３′を放熱板１のテーパ孔５に圧入したとき、食込
み刃１８ｂ′がテーパ孔５の周囲に食込み、放熱板１を
より確実に保持できる利点がある。
以上、樹脂封止型パワートランジスタと該パワートラン
ジスタ用の樹脂モールド装置を例にとって本発明を説明
したが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではなく、例えばテーパ孔５や成孔１２の個数を１個又
は３個以上に変更したり、放熱板保持ピン１８を上金型
に固定して設けるなど、種々の変更を許容し得るもので
あり、また、パワートランジスタ以外の放熱板を有する
各種半導体装置に適用できるものである。
ジスタ用の樹脂モールド装置を例にとって本発明を説明
したが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではなく、例えばテーパ孔５や成孔１２の個数を１個又
は３個以上に変更したり、放熱板保持ピン１８を上金型
に固定して設けるなど、種々の変更を許容し得るもので
あり、また、パワートランジスタ以外の放熱板を有する
各種半導体装置に適用できるものである。
以上の説明から明らかなように、本発明の樹脂封止型半
導体装置は、樹脂モールドの際に放熱板下側の外装樹脂
にピンホールや気泡が発生せず、その厚みを一定にする
ことができ、しかも放熱板下側の外装樹脂が剥離しにく
く、シャーシ等に実装したとき放熱板のテーパ孔に至る
沿面距離も長いので、絶縁耐圧が大きく放熱性が良好な
信頼性の高い樹脂封止型半導体装置となる。
導体装置は、樹脂モールドの際に放熱板下側の外装樹脂
にピンホールや気泡が発生せず、その厚みを一定にする
ことができ、しかも放熱板下側の外装樹脂が剥離しにく
く、シャーシ等に実装したとき放熱板のテーパ孔に至る
沿面距離も長いので、絶縁耐圧が大きく放熱性が良好な
信頼性の高い樹脂封止型半導体装置となる。
また、本発明の樹脂モールド装置は、従来の樹脂モール
ド装置の上下金型に放熱板保持ピンと支持ピンを設ける
だけでよいから、改良が簡単で大幅なコスト増を招くこ
とがなく、しかも従来の樹脂モールド装置と殆ど変わら
ない作業インデックスで樹脂モールドすることができ、
不良品の発生率も減少するといった効果を奏する。
ド装置の上下金型に放熱板保持ピンと支持ピンを設ける
だけでよいから、改良が簡単で大幅なコスト増を招くこ
とがなく、しかも従来の樹脂モールド装置と殆ど変わら
ない作業インデックスで樹脂モールドすることができ、
不良品の発生率も減少するといった効果を奏する。
第１図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例を示
す平面図、第２図は第１図のＡ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ線
に沿った拡大断面図、第３図は本発明の樹脂モールド装
置の一実施例を示す部分断面図、第４図は本発明の樹脂
封止型半導体装置の他の実施例を示す平面図、第５図（
イ）は本発明の樹脂モールド装置の放熱板保持ピンの他
の例を示す部分側面図、同図（口〉は同図（イ）のＧ−
Ｇ線断面図である。 第６図は従来の樹脂被覆型半導体装置の断面図、第７図
は同半導体装置の製造に用いる樹脂モールド装置の断面
図、第８図は従来の他の樹脂被覆型半導体装置の断面図
、第９図は同半導体装置の製造に用いる樹脂モールド装
置の断面図である。 １．１′・・・放熱板、 ２、 ８． ９・・・リード、 ５・・・テーパ孔、 ６・・・半導体ペレット、 １０・・・金属細線、 １１・・・外装樹脂、 １２・・・成孔、 １４・・・上金型、 １５・・・下金型、 １６・・・キャビティ、 １８．１８”・・・放熱板保持ピン、 １９・・・支持ピン。
す平面図、第２図は第１図のＡ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ線
に沿った拡大断面図、第３図は本発明の樹脂モールド装
置の一実施例を示す部分断面図、第４図は本発明の樹脂
封止型半導体装置の他の実施例を示す平面図、第５図（
イ）は本発明の樹脂モールド装置の放熱板保持ピンの他
の例を示す部分側面図、同図（口〉は同図（イ）のＧ−
Ｇ線断面図である。 第６図は従来の樹脂被覆型半導体装置の断面図、第７図
は同半導体装置の製造に用いる樹脂モールド装置の断面
図、第８図は従来の他の樹脂被覆型半導体装置の断面図
、第９図は同半導体装置の製造に用いる樹脂モールド装
置の断面図である。 １．１′・・・放熱板、 ２、 ８． ９・・・リード、 ５・・・テーパ孔、 ６・・・半導体ペレット、 １０・・・金属細線、 １１・・・外装樹脂、 １２・・・成孔、 １４・・・上金型、 １５・・・下金型、 １６・・・キャビティ、 １８．１８”・・・放熱板保持ピン、 １９・・・支持ピン。
Claims (2)
- （１）放熱板上にマウントされた半導体ペレットとその
近傍に配設されたリードがワイヤーボンディングされ、
外装樹脂にて全体がモールドされた半導体装置において
、 前記放熱板に、樹脂モールドの際に放熱板保持ピンを上
方から圧入するテーパ孔が形成されており、前記外装樹
脂に、放熱板保持ピンを抜き取ったあとの残孔が形成さ
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （２）上下金型間のキャビティ内にセットした放熱板の
テーパ孔に上方から圧入される放熱板保持ピンが上金型
に設けられ、放熱板保持ピンの圧入時に放熱板を下方か
ら支持する支持ピンが放熱板保持ピンの真下に位置して
下金型に出没自在に設けられていることを特徴とする樹
脂モールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197398A JP2755440B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 樹脂モールド型半導体装置及び樹脂モールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1197398A JP2755440B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 樹脂モールド型半導体装置及び樹脂モールド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0360146A true JPH0360146A (ja) | 1991-03-15 |
| JP2755440B2 JP2755440B2 (ja) | 1998-05-20 |
Family
ID=16373848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1197398A Expired - Lifetime JP2755440B2 (ja) | 1989-07-28 | 1989-07-28 | 樹脂モールド型半導体装置及び樹脂モールド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2755440B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5266827A (en) * | 1992-04-16 | 1993-11-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor assembly having an improved package structure |
| US5514913A (en) * | 1991-12-05 | 1996-05-07 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Net Mezzogiorno | Resin-encapsulated semiconductor device having improved adhesion |
| KR100248498B1 (ko) * | 1997-10-22 | 2000-03-15 | 한효용 | 반도체팩키지 성형용 금형 및 이를 이용한 반도체팩키지의 성형방법 |
| US7091603B2 (en) * | 2003-12-24 | 2006-08-15 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| JP2009021630A (ja) * | 2008-09-24 | 2009-01-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2016047083A1 (ja) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法、及び電子装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130129A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法 |
| JPS6249243U (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-26 |
-
1989
- 1989-07-28 JP JP1197398A patent/JP2755440B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JPS60130129A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 絶縁型半導体素子の樹脂封止方法 |
| JPS6249243U (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-26 |
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| US5514913A (en) * | 1991-12-05 | 1996-05-07 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Net Mezzogiorno | Resin-encapsulated semiconductor device having improved adhesion |
| US5766985A (en) * | 1991-12-05 | 1998-06-16 | Consorzio Per La Ricerca Sulla Microelettronica Nel Mezzogiorno | Process for encapsulating a semiconductor device having a heat sink |
| US5266827A (en) * | 1992-04-16 | 1993-11-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor pressure sensor assembly having an improved package structure |
| KR100248498B1 (ko) * | 1997-10-22 | 2000-03-15 | 한효용 | 반도체팩키지 성형용 금형 및 이를 이용한 반도체팩키지의 성형방법 |
| US7091603B2 (en) * | 2003-12-24 | 2006-08-15 | Denso Corporation | Semiconductor device |
| JP2009021630A (ja) * | 2008-09-24 | 2009-01-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2016047083A1 (ja) * | 2014-09-22 | 2016-03-31 | 株式会社デンソー | 電子装置の製造方法、及び電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2755440B2 (ja) | 1998-05-20 |
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