JPH0671020B2 - 樹脂封止型電子装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型電子装置の製造方法Info
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- JPH0671020B2 JPH0671020B2 JP63029833A JP2983388A JPH0671020B2 JP H0671020 B2 JPH0671020 B2 JP H0671020B2 JP 63029833 A JP63029833 A JP 63029833A JP 2983388 A JP2983388 A JP 2983388A JP H0671020 B2 JPH0671020 B2 JP H0671020B2
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は両主面に樹脂層を有する樹脂封止型パワートラ
ンジスタや樹脂封止型電力用センタタツプダイオードな
どの樹脂封止型電子装置の製造方法に関する。
ンジスタや樹脂封止型電力用センタタツプダイオードな
どの樹脂封止型電子装置の製造方法に関する。
支持板の略全面を樹脂封止体にて被覆した樹脂封止型半
導体装置がある。この種の半導体装置は放熱体等への取
り付けの際に絶縁シートを必要としない。しかし、支持
板の下面側にも樹脂封止体の一部が形成されるため、支
持板の下面が露出したタイプの樹脂封止型半導体装置よ
り放熱性の点で不利である。従つて、支持板の下面側の
樹脂封止体を厚さ0.5mm程度の薄い層にすることによ
り、この不利を少なくしている。
導体装置がある。この種の半導体装置は放熱体等への取
り付けの際に絶縁シートを必要としない。しかし、支持
板の下面側にも樹脂封止体の一部が形成されるため、支
持板の下面が露出したタイプの樹脂封止型半導体装置よ
り放熱性の点で不利である。従つて、支持板の下面側の
樹脂封止体を厚さ0.5mm程度の薄い層にすることによ
り、この不利を少なくしている。
しかし、パワートランジスタ等の大電流で使用する樹脂
封止型半導体装置では放熱性を少しでも向上させる必要
がある。このため、樹脂層を薄く形成するだけでは不十
分である。また、樹脂層を薄く形成するにも強度と成形
性の点から限界がある。
封止型半導体装置では放熱性を少しでも向上させる必要
がある。このため、樹脂層を薄く形成するだけでは不十
分である。また、樹脂層を薄く形成するにも強度と成形
性の点から限界がある。
そこで、従来では放熱性（熱伝導性）に優れた封止樹脂
を使用することで、上記の要求に応えていた。しかし、
この種の封止樹脂はコストが高いという欠点を有し、
又、熱伝導性を向上させるための結晶シリカ等の硬質の
物質を多量に含有しているため、金型、特に封止樹脂が
圧力をかけて注入されるゲート部分を著しく摩耗させ、
高価な金型の耐用期間を短くするという欠点を有する。
を使用することで、上記の要求に応えていた。しかし、
この種の封止樹脂はコストが高いという欠点を有し、
又、熱伝導性を向上させるための結晶シリカ等の硬質の
物質を多量に含有しているため、金型、特に封止樹脂が
圧力をかけて注入されるゲート部分を著しく摩耗させ、
高価な金型の耐用期間を短くするという欠点を有する。
そこで、本発明の目的は、放熱性に優れている樹脂封止
型電子装置を容易且つ低コストに製造することができる
方法を提供することにある。
型電子装置を容易且つ低コストに製造することができる
方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明は、リードフレームの
支持板の一方の主面に電子素子及び／又は回路基板が固
着されているリードフレーム組立体を用意する工程と、
前記支持板の一方の主面側と他方の主面側との両方を樹
脂封止するための成形空所を有し、且つ第１及び第２の
樹脂注入口を有し、前記第１の樹脂注入口は前記支持板
の一方の主面よりも下側に配設され、前記第２の樹脂注
入口は前記支持板の一方の主面よりも上側に配設された
成形用型を用意すると共に、前記第１の樹脂注入口に熱
伝導性の優れた第１の封止樹脂を供給するための第１の
ポット及び前記第２の樹脂注入口に前記第１の封止樹脂
より熱伝導性の低い第２の封止樹脂を供給するための第
２のポットを用意する工程と、前記支持板の他方の主面
とこれに対向する前記成形空所の壁面との間隔が前記支
持板の一方の主面とこれに対向する前記成形空所の壁面
との間隔よりも小さくなるように前記リードフレーム組
立体を前記成形用型に配置する工程と、前記第１のポッ
トから流動化した前記第１の封止樹脂を前記第１の樹脂
注入口に供給し、前記第１の樹脂注入口から前記成形用
型の前記成形空所における前記支持板の他方の主面側に
前記第１の封止樹脂を押圧注入し、前記第２のポットか
ら流動化した前記第２の封止樹脂を前記第２の樹脂注入
口に供給し、前記第２の樹脂注入口から前記第２の封止
樹脂を押圧注入して樹脂封止体を形成する工程とを有す
る樹脂封止型電子装置の製造方法に係わるものである。
支持板の一方の主面に電子素子及び／又は回路基板が固
着されているリードフレーム組立体を用意する工程と、
前記支持板の一方の主面側と他方の主面側との両方を樹
脂封止するための成形空所を有し、且つ第１及び第２の
樹脂注入口を有し、前記第１の樹脂注入口は前記支持板
の一方の主面よりも下側に配設され、前記第２の樹脂注
入口は前記支持板の一方の主面よりも上側に配設された
成形用型を用意すると共に、前記第１の樹脂注入口に熱
伝導性の優れた第１の封止樹脂を供給するための第１の
ポット及び前記第２の樹脂注入口に前記第１の封止樹脂
より熱伝導性の低い第２の封止樹脂を供給するための第
２のポットを用意する工程と、前記支持板の他方の主面
とこれに対向する前記成形空所の壁面との間隔が前記支
持板の一方の主面とこれに対向する前記成形空所の壁面
との間隔よりも小さくなるように前記リードフレーム組
立体を前記成形用型に配置する工程と、前記第１のポッ
トから流動化した前記第１の封止樹脂を前記第１の樹脂
注入口に供給し、前記第１の樹脂注入口から前記成形用
型の前記成形空所における前記支持板の他方の主面側に
前記第１の封止樹脂を押圧注入し、前記第２のポットか
ら流動化した前記第２の封止樹脂を前記第２の樹脂注入
口に供給し、前記第２の樹脂注入口から前記第２の封止
樹脂を押圧注入して樹脂封止体を形成する工程とを有す
る樹脂封止型電子装置の製造方法に係わるものである。
［発明の作用及び効果］ 本発明は次の作用効果を有する。
（イ）１つの成形用型に第１及び第２の樹脂注入口を設
け、第１の樹脂注入口を支持板の一方の主面よりも下側
に配設し、第２の樹脂注入口を支持板の一方の主面より
も上側に配設し、第１の樹脂注入口より熱伝導性の優れ
た第１の封止樹脂を注入し、第２の樹脂注入口より熱伝
導性が第１の封止樹脂よりも低い第２の封止樹脂を注入
するので、１つの成形用型を使用して第１及び第２の封
止樹脂から成る樹脂封止体を容易に形成することができ
る。
け、第１の樹脂注入口を支持板の一方の主面よりも下側
に配設し、第２の樹脂注入口を支持板の一方の主面より
も上側に配設し、第１の樹脂注入口より熱伝導性の優れ
た第１の封止樹脂を注入し、第２の樹脂注入口より熱伝
導性が第１の封止樹脂よりも低い第２の封止樹脂を注入
するので、１つの成形用型を使用して第１及び第２の封
止樹脂から成る樹脂封止体を容易に形成することができ
る。
（ロ）第１及び第２の封止樹脂を第１及び第２のポット
から分けて供給するので、樹脂量のコントロールを正確
且つ容易に達成することができる。
から分けて供給するので、樹脂量のコントロールを正確
且つ容易に達成することができる。
第１図〜第６図を参照して本発明の一実施例に係わる樹
脂封止型パワートランジスタの製造方法を説明する。第
５図に示すリードフレーム１は放熱機能を有する支持板
２と、この支持板２の一端に連結された位置決めリード
３と、支持板２の他端に配置された外部リード４を有し
ている。実際のリードフレーム１は複数個の支持板２を
有する多素子取り用のリードフレームとなつている。リ
ードフレーム１の支持板２上にはパワートランジスタチ
ップ５が半田（図示せず）にて固着され、かつパワート
ランジスタチップ５と外部リード４がリード細線６にて
電気的に接続されてチップ・リードフレーム組立体７
（以下リードフレーム組立体と呼ぶ）が形成されてい
る。
脂封止型パワートランジスタの製造方法を説明する。第
５図に示すリードフレーム１は放熱機能を有する支持板
２と、この支持板２の一端に連結された位置決めリード
３と、支持板２の他端に配置された外部リード４を有し
ている。実際のリードフレーム１は複数個の支持板２を
有する多素子取り用のリードフレームとなつている。リ
ードフレーム１の支持板２上にはパワートランジスタチ
ップ５が半田（図示せず）にて固着され、かつパワート
ランジスタチップ５と外部リード４がリード細線６にて
電気的に接続されてチップ・リードフレーム組立体７
（以下リードフレーム組立体と呼ぶ）が形成されてい
る。
リードフレーム組立体７に第５図で点線で示すように、
樹脂封止体８を形成する時には、第１図に示すようにリ
ードフレーム組立体７を周知のトランスフアモールド用
の成形用の金型９に配置する。第１図の金型９は上型10
と下型11から成り、上型10には円柱状の凸部12が形成さ
れている。凸部12は支持板２に形成された取付用孔2aに
挿入されている。但し、凸部12は取付用孔2aの内周面と
は離間している。従つて、取付用孔2aの内周面は露出せ
ず樹脂封止体８の一部により被覆される。下型11には位
置決めリード３及び外部リード４が収められる溝部が形
成されている。上記構造は従来と何ら変わるところはな
い。本実施例の特徴は、第３図に示すように、下型11と
上型10のそれぞれに第１の樹脂注入口としての第１のゲ
ート13及び第２の樹脂注入口としての第２のゲート14が
設けられていることにある。第１及び第２のゲート13、
14はそれぞれ上型10と下型11の境界面に形成されてい
る。図示から明らかなように第２のゲート14は第１のゲ
ート13の左右に位置し、第１のゲート13と第２のゲート
14は互いに分離して設けられている。又、第１のゲート
13につながる第１のランナ（第１の樹脂流通路）15と、
第２のゲート14につながる第２のランナ（第２の樹脂流
通路）16も互いに分離して設けられている。
樹脂封止体８を形成する時には、第１図に示すようにリ
ードフレーム組立体７を周知のトランスフアモールド用
の成形用の金型９に配置する。第１図の金型９は上型10
と下型11から成り、上型10には円柱状の凸部12が形成さ
れている。凸部12は支持板２に形成された取付用孔2aに
挿入されている。但し、凸部12は取付用孔2aの内周面と
は離間している。従つて、取付用孔2aの内周面は露出せ
ず樹脂封止体８の一部により被覆される。下型11には位
置決めリード３及び外部リード４が収められる溝部が形
成されている。上記構造は従来と何ら変わるところはな
い。本実施例の特徴は、第３図に示すように、下型11と
上型10のそれぞれに第１の樹脂注入口としての第１のゲ
ート13及び第２の樹脂注入口としての第２のゲート14が
設けられていることにある。第１及び第２のゲート13、
14はそれぞれ上型10と下型11の境界面に形成されてい
る。図示から明らかなように第２のゲート14は第１のゲ
ート13の左右に位置し、第１のゲート13と第２のゲート
14は互いに分離して設けられている。又、第１のゲート
13につながる第１のランナ（第１の樹脂流通路）15と、
第２のゲート14につながる第２のランナ（第２の樹脂流
通路）16も互いに分離して設けられている。
第４図に金型９の成形空所17と、第１及び第２のランナ
15、16と、第１及び第２のゲート13、14と、第１及び第
２のポット（樹脂投入口）18、19の配置関係を示す。第
１のランナ15と第２のランナ16はそれぞれ異るポット1
8、19につながつている。即ち、第１のポット18からは
２本の第１のランナ15が延びており、２素子分の成形空
所17へと通じている。又、第２のポット19からは４本の
第２のランナ16が延びており、４素子分の成形空所17へ
と通じている。第１及び第２のポット18、19はそれぞれ
金型９に多数個づつ設けられている。
15、16と、第１及び第２のゲート13、14と、第１及び第
２のポット（樹脂投入口）18、19の配置関係を示す。第
１のランナ15と第２のランナ16はそれぞれ異るポット1
8、19につながつている。即ち、第１のポット18からは
２本の第１のランナ15が延びており、２素子分の成形空
所17へと通じている。又、第２のポット19からは４本の
第２のランナ16が延びており、４素子分の成形空所17へ
と通じている。第１及び第２のポット18、19はそれぞれ
金型９に多数個づつ設けられている。
次に、成形空所17内に流動化した封止用樹脂を押圧注入
し、固化することで樹脂封止体８を形成する。ここで、
従来と異る点は支持板２の上面側と下面側とで封止用樹
脂の種類を変えたことにある。つまり、本実施例では本
発明に従い、支持板２の下面側には熱伝導性にすぐれた
第１の封止用樹脂（結晶シリカ等の硬質物質を含むエポ
キシ系樹脂）を充填し、支持面２の上面側には第１の封
止用樹脂より熱伝導性が劣るがコストの安く、かつ、金
型を摩耗させることの少ない第２の封止用樹脂（結晶シ
リカ等の硬質物質を含まない又は少し含むエポキシ系樹
脂）を充填する。本実施例では、第１図〜第３図から明
らかなように、第１のゲート13は支持板２の上面よりも
下方に位置し、第２のゲート14は支持板２の上面よりも
上方に位置する。このため、第１のゲート13から注入さ
れる封止用樹脂はその大部分が支持板２の下面側へと流
れ、支持板２の上面側へと流れる樹脂は少量である。
又、第２のゲート14から注入される封止用樹脂はその大
部分が支持板２の上面側へと流れ、支持板２の下面側へ
と流れる樹脂は少量である。そこで、本実施例では、第
１のゲート13に通じる第１のポット18に熱伝導性に優れ
た第１の封止用樹脂を投入し、第２のゲート14に通じる
第２のポット19に低コスト、かつ低摩耗性の第２の封止
用樹脂を投入し、第１の封止用樹脂と第２の封止用樹脂
を同時に成形空所17内に注入して樹脂成形した。第１の
ゲート13と第２のゲート14が上記のような位置関係にあ
り、かつ支持板２の下面側の空所は上面側の空所に比べ
て十分に小さいため、支持板２の下面側は略全体にわた
つて第１の封止用樹脂が充填され、支持板２の上面側は
第２の封止用樹脂と少量の第１の封止用樹脂が充填され
る。成形空所17に注入された第１及び第２の封止用樹脂
は短時間で硬化し、樹脂封止体８が形成される。この樹
脂封止体８は従来と同様に支持板２の上面のみならず下
面も被覆している。なお、位置決めリード３は樹脂封止
体８の形成後、所定の工程を経た後に小断面積部3aにて
引張り破断される。このため、位置決めリード３の破断
面は樹脂封止体８の内部に位置し、絶縁耐圧に優れた樹
脂封止型半導体装置を提供できる。
し、固化することで樹脂封止体８を形成する。ここで、
従来と異る点は支持板２の上面側と下面側とで封止用樹
脂の種類を変えたことにある。つまり、本実施例では本
発明に従い、支持板２の下面側には熱伝導性にすぐれた
第１の封止用樹脂（結晶シリカ等の硬質物質を含むエポ
キシ系樹脂）を充填し、支持面２の上面側には第１の封
止用樹脂より熱伝導性が劣るがコストの安く、かつ、金
型を摩耗させることの少ない第２の封止用樹脂（結晶シ
リカ等の硬質物質を含まない又は少し含むエポキシ系樹
脂）を充填する。本実施例では、第１図〜第３図から明
らかなように、第１のゲート13は支持板２の上面よりも
下方に位置し、第２のゲート14は支持板２の上面よりも
上方に位置する。このため、第１のゲート13から注入さ
れる封止用樹脂はその大部分が支持板２の下面側へと流
れ、支持板２の上面側へと流れる樹脂は少量である。
又、第２のゲート14から注入される封止用樹脂はその大
部分が支持板２の上面側へと流れ、支持板２の下面側へ
と流れる樹脂は少量である。そこで、本実施例では、第
１のゲート13に通じる第１のポット18に熱伝導性に優れ
た第１の封止用樹脂を投入し、第２のゲート14に通じる
第２のポット19に低コスト、かつ低摩耗性の第２の封止
用樹脂を投入し、第１の封止用樹脂と第２の封止用樹脂
を同時に成形空所17内に注入して樹脂成形した。第１の
ゲート13と第２のゲート14が上記のような位置関係にあ
り、かつ支持板２の下面側の空所は上面側の空所に比べ
て十分に小さいため、支持板２の下面側は略全体にわた
つて第１の封止用樹脂が充填され、支持板２の上面側は
第２の封止用樹脂と少量の第１の封止用樹脂が充填され
る。成形空所17に注入された第１及び第２の封止用樹脂
は短時間で硬化し、樹脂封止体８が形成される。この樹
脂封止体８は従来と同様に支持板２の上面のみならず下
面も被覆している。なお、位置決めリード３は樹脂封止
体８の形成後、所定の工程を経た後に小断面積部3aにて
引張り破断される。このため、位置決めリード３の破断
面は樹脂封止体８の内部に位置し、絶縁耐圧に優れた樹
脂封止型半導体装置を提供できる。
完成した樹脂封止型半導体装置は第６図に示す如く、支
持板２の下面側にほぼ第１の封止樹脂（熱伝導性に優れ
た樹脂）のみから成る第１の樹脂層21を有し、支持板２
の上面側には主として第２の封止樹脂（低コストかつ低
摩耗性の樹脂）から成る第２の樹脂層22を有する。第１
の封止樹脂と第２の封止樹脂は共にエポキシ系樹脂であ
り、第１の樹脂層21と第２の樹脂層22は互いに密着して
樹脂封止体８を形成している。なお、位置決めリード３
の破断面23は樹脂封止体８の内部に位置している。
持板２の下面側にほぼ第１の封止樹脂（熱伝導性に優れ
た樹脂）のみから成る第１の樹脂層21を有し、支持板２
の上面側には主として第２の封止樹脂（低コストかつ低
摩耗性の樹脂）から成る第２の樹脂層22を有する。第１
の封止樹脂と第２の封止樹脂は共にエポキシ系樹脂であ
り、第１の樹脂層21と第２の樹脂層22は互いに密着して
樹脂封止体８を形成している。なお、位置決めリード３
の破断面23は樹脂封止体８の内部に位置している。
本実施例は以下の効果を有する。
（１）第１の封止樹脂用のランナ15及びゲート13と第２
の封止樹脂用のランナ16及びゲート14とが互いに分離さ
れており、かつ第１の封止樹脂用のゲート13が支持板２
の上面より下方に位置し、第２の封止樹脂用のゲート14
が支持板２の上面より上方に位置する。このため、第１
の封止樹脂を熱伝導性に優れた樹脂とし、第２の封止樹
脂を低コストの樹脂とすることで、支持板２の下面側に
放熱性の優れた樹脂層を形成でき、かつコストの高い熱
伝導性に優れた樹脂の使用量を削減できる。これによ
り、従来のように樹脂封止体の全体をコストの高い熱伝
導性に優れた樹脂にて形成した場合よりもコストを低く
することができる。また、半導体素子の発熱の大部分は
支持板２と支持板２の下面側の樹脂層を通じて外部に放
熱される。つまり、支持板２の下面側の樹脂層が放熱に
大きく関与し、支持板２の上面側の樹脂は放熱にさほど
関与しない。本実施例では、支持板２の下面側の樹脂層
は従来と同様に放熱性に優れた樹脂から成るので、従来
と同等の放熱効果を得ることができる。又、従来の放熱
性が優れていると言われている樹脂よりも更に放熱性が
優れている樹脂によつて支持板２の裏面側の樹脂層を形
成して、より放熱性を向上させることも可能である。
の封止樹脂用のランナ16及びゲート14とが互いに分離さ
れており、かつ第１の封止樹脂用のゲート13が支持板２
の上面より下方に位置し、第２の封止樹脂用のゲート14
が支持板２の上面より上方に位置する。このため、第１
の封止樹脂を熱伝導性に優れた樹脂とし、第２の封止樹
脂を低コストの樹脂とすることで、支持板２の下面側に
放熱性の優れた樹脂層を形成でき、かつコストの高い熱
伝導性に優れた樹脂の使用量を削減できる。これによ
り、従来のように樹脂封止体の全体をコストの高い熱伝
導性に優れた樹脂にて形成した場合よりもコストを低く
することができる。また、半導体素子の発熱の大部分は
支持板２と支持板２の下面側の樹脂層を通じて外部に放
熱される。つまり、支持板２の下面側の樹脂層が放熱に
大きく関与し、支持板２の上面側の樹脂は放熱にさほど
関与しない。本実施例では、支持板２の下面側の樹脂層
は従来と同様に放熱性に優れた樹脂から成るので、従来
と同等の放熱効果を得ることができる。又、従来の放熱
性が優れていると言われている樹脂よりも更に放熱性が
優れている樹脂によつて支持板２の裏面側の樹脂層を形
成して、より放熱性を向上させることも可能である。
（２）放熱性を良くするために硬質物質（シリカ等）を
混入した樹脂にて全部を被覆せずに一部のみを被覆する
ので、硬質物質を混入した樹脂の使用量が減少し、高価
な金型９の摩耗が少なくなり、金型９の耐用期間が長く
なる。
混入した樹脂にて全部を被覆せずに一部のみを被覆する
ので、硬質物質を混入した樹脂の使用量が減少し、高価
な金型９の摩耗が少なくなり、金型９の耐用期間が長く
なる。
（３）支持板２の上面よりも下方に位置し且つ第１のポ
ット18につながつている第１のゲート13と、支持板２の
上面よりも上方に位置し且つ第１のポット18とは別の第
２のポット19につながつている第２のゲート14とを有す
るので、支持板２の上面側と下面側に異なる樹脂層を容
易に形成することができる。
ット18につながつている第１のゲート13と、支持板２の
上面よりも上方に位置し且つ第１のポット18とは別の第
２のポット19につながつている第２のゲート14とを有す
るので、支持板２の上面側と下面側に異なる樹脂層を容
易に形成することができる。
（４）第１のゲート13が支持板２の上面の下方に位置す
るため支持板２の下面側に樹脂が流れ易い。このため、
未充填が発生し易かつた下面側の樹脂層を良好に形成で
き、絶縁耐圧、信頼性に優れた樹脂封止型トランジスタ
を提供できる。
るため支持板２の下面側に樹脂が流れ易い。このため、
未充填が発生し易かつた下面側の樹脂層を良好に形成で
き、絶縁耐圧、信頼性に優れた樹脂封止型トランジスタ
を提供できる。
（５）第１の封止樹脂と第２の封止樹脂を別々のポット
18、19に投入するため、第１の封止樹脂と第２の封止樹
脂の割合を任意に設定できる。
18、19に投入するため、第１の封止樹脂と第２の封止樹
脂の割合を任意に設定できる。
（６）同一の第１のポット18から２つの成形空所17に延
びる２つの第１のランナ15の長さが等しくなつている。
従つて、２つの成形空所17に注入される第１の封止樹脂
の量は略等しくなる。このため、成形空所17によつて注
入される第１の封止樹脂の量にバラツキが生じることが
なく、素子によつて放熱特性等にバラツキが生じること
がない。なお、第２の封止樹脂についても同様である。
びる２つの第１のランナ15の長さが等しくなつている。
従つて、２つの成形空所17に注入される第１の封止樹脂
の量は略等しくなる。このため、成形空所17によつて注
入される第１の封止樹脂の量にバラツキが生じることが
なく、素子によつて放熱特性等にバラツキが生じること
がない。なお、第２の封止樹脂についても同様である。
本発明は上述の実施例に限定されるものでなく、例えば
次の変形が可能なものである。
次の変形が可能なものである。
（１）第１のゲート13と第２のゲート14の位置は設計上
種々変形が可能である。例えば、支持板２の上方に位置
する第２のゲート14を中央として、支持板２の下方に位
置する第１のゲート13を実施例の第２のゲート14のよう
に左右に位置させてもよい。又、第１のゲート13と第２
のゲート14を成形空所を挾んで設けてもよい。
種々変形が可能である。例えば、支持板２の上方に位置
する第２のゲート14を中央として、支持板２の下方に位
置する第１のゲート13を実施例の第２のゲート14のよう
に左右に位置させてもよい。又、第１のゲート13と第２
のゲート14を成形空所を挾んで設けてもよい。
（２）第１の封止樹脂と第２の封止樹脂の注入するタイ
ミングをずらし、例えば第１の封止樹脂の注入開始を第
２の封止樹脂の注入開始よりも少し早くしてもよい。
又、第１の封止樹脂の注入が終つてから第２の封止樹脂
を注入してもよい。
ミングをずらし、例えば第１の封止樹脂の注入開始を第
２の封止樹脂の注入開始よりも少し早くしてもよい。
又、第１の封止樹脂の注入が終つてから第２の封止樹脂
を注入してもよい。
（３）実施例では支持板２の上面側の略全体が第２の封
止樹脂で充填された例を示したが、上面側の1/2程度が
第１の封止樹脂で充填されていてもよい。但し、コスト
の面から上面側の第１の封止樹脂の割合は1/2以下であ
ることが望ましく、1/3以下であることが一層望まし
い。
止樹脂で充填された例を示したが、上面側の1/2程度が
第１の封止樹脂で充填されていてもよい。但し、コスト
の面から上面側の第１の封止樹脂の割合は1/2以下であ
ることが望ましく、1/3以下であることが一層望まし
い。
（４）第７図のように、上型10と下型11のゲート13、14
の設けられた面を平坦として、その境界面にゲート13、
14を設けてもよい。又、第８図のように上型51と下型52
の間にさらに第３の金型53を設けて、上型51と第３の金
型53の間に第２のゲート14を形成し、下型52と第３の金
型53との間に第１のゲート13を形成してもよい。
の設けられた面を平坦として、その境界面にゲート13、
14を設けてもよい。又、第８図のように上型51と下型52
の間にさらに第３の金型53を設けて、上型51と第３の金
型53の間に第２のゲート14を形成し、下型52と第３の金
型53との間に第１のゲート13を形成してもよい。
（５）第９図及び第10図に示すように、上型の第１のゲ
ート13の上方に位置する箇所に突出部55を設けてもよ
い。この場合、第１のゲート13から注入された第１の封
止樹脂は突出部55により上方への流れが抑制され、より
確実に支持板２の下面へと流れ易くなる。
ート13の上方に位置する箇所に突出部55を設けてもよ
い。この場合、第１のゲート13から注入された第１の封
止樹脂は突出部55により上方への流れが抑制され、より
確実に支持板２の下面へと流れ易くなる。
（６）第１の封止樹脂と第２の封止樹脂が注入されるゲ
ートを分離せずに１つのゲートとしてもよい。この場
合、封止樹脂を分離し、先に熱伝導性に優れた第１の封
止樹脂、次に第１の封止樹脂より熱伝導性に劣る第２の
封止樹脂を注入する。支持板の下面側と上面側とに封止
樹脂を分けるには、例えば上型に対して進退可能なスラ
イド型を使用し、スライド型にて、上側に流れる樹脂を
抑制する。
ートを分離せずに１つのゲートとしてもよい。この場
合、封止樹脂を分離し、先に熱伝導性に優れた第１の封
止樹脂、次に第１の封止樹脂より熱伝導性に劣る第２の
封止樹脂を注入する。支持板の下面側と上面側とに封止
樹脂を分けるには、例えば上型に対して進退可能なスラ
イド型を使用し、スライド型にて、上側に流れる樹脂を
抑制する。
（７）第１及び第２の封止樹脂はエポキシ樹脂等の熱硬
化性樹脂に限らず、熱可塑性樹脂であつてもよい。
化性樹脂に限らず、熱可塑性樹脂であつてもよい。
（８）トランジスタに限ることなく、ダイオード、複合
半導体素子、集積回路等の電子装置の製造にも適用でき
る。即ち、支持板に固着する電子素子及び／又は回路基
板から成る電子装置構成体は、種々の半導体チップ又は
電子回路基板等にすることができる。
半導体素子、集積回路等の電子装置の製造にも適用でき
る。即ち、支持板に固着する電子素子及び／又は回路基
板から成る電子装置構成体は、種々の半導体チップ又は
電子回路基板等にすることができる。
第１図は本発明の実施例に係わる樹脂封止型トランジス
タの製造に使用する金型とチップ・リードフレーム組立
体との関係を第５図のI-I線に対応する部分で示す断面
図、 第２図は第１図の金型とチップ・リードフレーム組立体
とを第５図のII-II線に対応する部分で示す断面図、 第３図は第１図のIII-III線部分を示す断面図、 第４図は第１図の金型における成形空所とポットとの関
係を原理的に示す平面図、 第５図はチップ・リードフレーム組立体の一部を示す平
面図、 第６図は完成した樹脂封止型トランジスタを第５図のVI
-VI線に対応する部分で示す一部切欠断面図、 第７図は金型の変形例を示す第３図に対応する部分の断
面図、 第８図は金型の別の変形例を示す第３図に対応する部分
の断面図、 第９図は金型の更に別の変形例を示す第１図に対応する
部分の断面図、 第10図は第９図のX-X線を示す断面図である。 ２……支持板、４……外部リード、５……チップ、９…
…金型、10……上型、11……下型、13……第１のゲー
ト、14……第２のゲート、17……成形空所。
タの製造に使用する金型とチップ・リードフレーム組立
体との関係を第５図のI-I線に対応する部分で示す断面
図、 第２図は第１図の金型とチップ・リードフレーム組立体
とを第５図のII-II線に対応する部分で示す断面図、 第３図は第１図のIII-III線部分を示す断面図、 第４図は第１図の金型における成形空所とポットとの関
係を原理的に示す平面図、 第５図はチップ・リードフレーム組立体の一部を示す平
面図、 第６図は完成した樹脂封止型トランジスタを第５図のVI
-VI線に対応する部分で示す一部切欠断面図、 第７図は金型の変形例を示す第３図に対応する部分の断
面図、 第８図は金型の別の変形例を示す第３図に対応する部分
の断面図、 第９図は金型の更に別の変形例を示す第１図に対応する
部分の断面図、 第10図は第９図のX-X線を示す断面図である。 ２……支持板、４……外部リード、５……チップ、９…
…金型、10……上型、11……下型、13……第１のゲー
ト、14……第２のゲート、17……成形空所。
Claims (1)
- 【請求項１】リードフレームの支持板の一方の主面に電
子素子及び／又は回路基板が固着されているリードフレ
ーム組立体を用意する工程と、 前記支持板の一方の主面側と他方の主面側との両方を樹
脂封止するための成形空所を有し、且つ第１及び第２の
樹脂注入口を有し、前記第１の樹脂注入口は前記支持板
の一方の主面よりも下側に配設され、前記第２の樹脂注
入口は前記支持板の一方の主面よりも上側に配設された
成形用型を用意すると共に、前記第１の樹脂注入口に熱
伝導性の優れた第１の封止樹脂を供給するための第１の
ポット及び前記第２の樹脂注入口に前記第１の封止樹脂
より熱伝導性の低い第２の封止樹脂を供給するための第
２のポットを用意する工程と、 前記支持板の他方の主面とこれに対向する前記成形空所
の壁面との間隔が前記支持板の一方の主面とこれに対向
する前記成形空所の壁面との間隔よりも小さくなるよう
に前記リードフレーム組立体を前記成形用型に配置する
工程と、 前記第１のポットから流動化した前記第１の封止樹脂を
前記第１の樹脂注入口に供給し、前記第１の樹脂注入口
から前記成形用型の前記成形空所における前記支持板の
他方の主面側に前記第１の封止樹脂を押圧注入し、前記
第２のポットから流動化した前記第２の封止樹脂を前記
第２の樹脂注入口に供給し、前記第２の樹脂注入口から
前記第２の封止樹脂を押圧注入して樹脂封止体を形成す
る工程と を有する樹脂封止型電子装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63029833A JPH0671020B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63029833A JPH0671020B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01205431A JPH01205431A (ja) | 1989-08-17 |
| JPH0671020B2 true JPH0671020B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=12287022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63029833A Expired - Lifetime JPH0671020B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0671020B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0671021B2 (ja) * | 1988-02-16 | 1994-09-07 | サンケン電気株式会社 | 樹脂封止型電子装置の製造方法 |
| CN112259513B (zh) * | 2020-10-22 | 2023-09-26 | 湖南国芯半导体科技有限公司 | 一种双面散热功率模块及其封装方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54111768A (en) * | 1978-02-22 | 1979-09-01 | Hitachi Ltd | Semiconductor device of resin sealing type |
| JPS62219642A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-26 | Hitachi Ltd | レジンパツケ−ジ型電子部品 |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP63029833A patent/JPH0671020B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01205431A (ja) | 1989-08-17 |
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