JPH0888308A - リードフレーム及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

リードフレーム及び半導体装置の製造方法

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JPH0888308A
JPH0888308A JP6246928A JP24692894A JPH0888308A JP H0888308 A JPH0888308 A JP H0888308A JP 6246928 A JP6246928 A JP 6246928A JP 24692894 A JP24692894 A JP 24692894A JP H0888308 A JPH0888308 A JP H0888308A
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resin
cavity
flow control
gate
control body
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Tsutomu Nakazawa
勉 仲澤
Hiromi Inoue
裕美 井上
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Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 薄型の樹脂封止パッケージにおいて内部に位
置する半導体チップの傾き、浮き、沈みを抑えるための
構造を有する樹脂封止型パッケージを形成するリードフ
レーム及び半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 リードフレーム２は、外枠２１に支持されイ
ンナーリード２３とアウターリード２４とから構成され
た複数のリードと、外枠の間に配置され、インナーリー
ドの先端が近接して対向しているダイパッド２と、外枠
と向い合うように取り付けられた樹脂流動制御体７と、
外枠と樹脂流動制御体とで形成される空間部６とを備え
ている。樹脂流動制御体はゲート５及びこのゲートに連
続的に接続しているキャビティ４を有する樹脂封止体成
型用金型に装着される際にキャビティ内に配置され、空
間部はゲートとキャビティの間に配置されるようにす
る。注入口に位置する部分にキャビティ内部へくい込む
位置に配置された空間部と樹脂流動制御体とを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装置
のリードフレーム及びこのリードフレームを用いた、特
に薄型のパッケージを有する樹脂封止型半導体装置の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩなどの樹脂封止型半導体装
置は、ウェーハに形成された半導体チップを個々に分割
するダイシング工程、分割された個々の半導体チップを
リードフレームに搭載するダイボンディング工程、半導
体チップ上の電極パッドとリードフレームの内部リード
とをＡｕ線やＡｌ線などの細線を用いて結線するワイヤ
ボンディング工程、半導体チップ及びこれに付随する細
線や内部リードを樹脂封止するパッケージング工程等を
経て形成される。半導体チップを樹脂封止するには、通
常トランスファ成形法が用いられる。
【０００３】従来のトランスファ成形（射出成形）によ
って製造される樹脂封止型半導体装置のパッケージング
工程を図２３及び図２４を参照して説明する。まず、リ
ードフレーム２のダイパッドに半導体チップ１を搭載
し、ボンディングワイヤ３により半導体チップ１とリー
ドフレーム２とを接続する。この半導体チップ１を搭載
したリードフレーム２をモールド金型９のキャビティ４
にセットして上下の金型９１、９２をプレスする（図２
３（ａ））。次に、予めエポキシ樹脂などの樹脂タブレ
ット７０を高周波プリヒータにより予備加熱しておき、
この樹脂タブレット７を金型のポット２０に供給する
（図２３（ｂ））。次に、プランジャ４０により樹脂タ
ブレット７０を押しだし、樹脂を流動させてキャビティ
４へ注入する（図２４（ａ））。注入されたキャビティ
４内の樹脂がある程度硬化してから上下の金型９１、９
２を解放し、樹脂封止体７１に被覆された成形品を取り
出す（図２４（ｂ））。成形品に付着しているカル８０
やランナー９０などの余分な部分を取り外し、樹脂封止
体７１に被覆された半導体チップを形成する（図２４
（ｃ））。
【０００４】次に、図２５及び図２６を参照して従来の
樹脂封止時のリードフレームの状態を説明する。図２５
は、金型に搭載したリードフレームの平面図、図２６
は、金型のキャビティに配置されたリードフレームの断
面図であり、図２５のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図で
ある。リードフレームは、シート材やコイル材等の素材
のエッチングや打ち抜きなどにより成形されてなる。素
材に形成されたレジストパターンに従ってエッチング
し、表面をＡｕメッキやＡｇメッキで表面処理を施して
完成させる。同様に打ち抜き法でもプレス金型により素
材をリードフレームの形状にパターニングする。素材
は、Ｆｅ−４２Ｎｉ合金やＣｕ合金から構成されてい
る。リードフレーム２は、外枠２１、半導体チップ１を
搭載するダイパッド２２、樹脂封止体に封止されるイン
ナーリード２３及び樹脂封止体から導出するアウターリ
ード２４より構成されており、これらを１単位として繰
り返し形成されている長尺状体である。半導体チップ１
はダイパッド２２に接着され、ボンディングワイヤ３に
よって半導体チップ１のパッド電極（図示せず）とイン
ナーリード２３とは接続されている。リードフレーム２
が樹脂封止用金型９にセットされた状態では、上金型９
１と下金型９２の凹部で構成されるキャビティ４（図２
５の点線で示す領域）内にリードフレーム２のインナー
リード２３、ダイパッド２２及びダイパッドを支持する
つりピン２５が収納されている。
【０００５】そして、このキャビティ４中に樹脂封止体
となる樹脂が充填される。樹脂をキャビティ４に注入す
る入り口のゲート５は、長方形のキャビティ４の短辺の
中央に形成されている。これは図２５のＡ−Ａ′線に沿
う部分に配置されている。半導体装置の樹脂封止パッケ
ージは、半導体チップが高密度化して大きくなる傾向に
反してあまり変化は少ない。したがって、樹脂封止体内
における半導体チップの樹脂封止体に占める割合は、お
おきくなる一方である。特に薄型パッケージを用いる半
導体装置では、均一に樹脂を封止することは非常に難し
くなってきている。ところで、樹脂封止をトランスファ
モールドで行う際、樹脂はリードフレーム２を挟持する
上金型９１及び下金型９２から構成されたキャビティ４
内に向かって下金型９２の上部に設けられたゲート５か
ら勢い良く流入する。しかし、ゲートは、一般に上金型
又は下金型のの表面部分に設けられる。したがって、こ
の場合もゲート５はリードフレーム２の１面に位置する
ことになり、流入する樹脂はゲート５に最も近いリード
フレーム２の部分（図ではつりピン２５）に対して斜方
向に衝突する。この結果リードフレーム２の１面（図で
は上面）側に流れの影ができて樹脂封止後この位置にボ
イドが発生する。このボイドは水分の侵入の原因とな
り、半導体装置の耐湿性の低下を招くという問題があっ
た。
【０００６】次に、図２７及び図２８を参照して薄型の
樹脂封止体を均一に形成する従来の方法を説明する。図
２７は、金型に搭載したリードフレームの平面図、図２
８は金型のキャビティに配置されたリードフレームの断
面図であり、図２７のＡ−Ａ′線に沿う部分の断面図で
ある。リードフレーム２の構成は図２５の従来例と同じ
である。半導体チップ１は、ダイパッド２２に接着さ
れ、ボンディングワイヤ３によって半導体チップ１のパ
ッド電極（図示せず）とインナーリード２３とは接続さ
れている。リードフレーム２が樹脂封止用金型９にセッ
トされた状態では上金型９１と下金型９２の凹部で構成
されるキャビティ４（図２７の点線で示す領域）内にリ
ードフレーム２のインナーリード２３、ダイパッド２２
及びダイパッドを支持するつりピン２５が収納されてい
る。そして、このキャビティ４中に樹脂封止体となる樹
脂が充填される。樹脂をキャビティ４に注入する入り口
のゲート５は、長方形のキャビティ４の短辺の中央に形
成されている。これは図２７のＡ−Ａ′線に沿う部分に
配置されている。この図の従来例では、リードフレーム
２の外枠２１に切り込み２６を形成し、この切り込み２
６を金型９のゲート５に当たるように配置する。
【０００７】パッケージの厚さが薄くなるに従い、ゲー
ト５を厚さ（Ｔ）方向に大きくとれなくなって来ている
ので、リードフレーム２の外枠２１に切れ込み２６を設
けることによりゲートの厚さを確保するようにしてい
る。ゲート５の厚さＴは、現在２５０μｍであるが、パ
ッケージ厚さが３５０μｍ程度に薄膜化するとゲート５
の厚さは、１５０μｍ程度しか期待できなくなるので、
この様な切り込み２６が必要になってくる。この様に外
枠２１に切れ込み２６を形成しているのでゲート５から
キャビティ４内に流入する方向はリードフレーム２のリ
ードの側面に当たるようになっている。したがって樹脂
はゲート５から均一に流入しボイドの発生が少なくな
る。次に、図２９を参照して従来の正方形のパッケージ
に対するリードフレームを説明する。リードが樹脂封止
体の四方から導出してる半導体装置であり、正方形の半
導体チップを通常搭載している。正方形のパッケージで
は樹脂注入はコーナー部分より行われる。即ち、金型の
ゲート５は、リードフレーム２のコーナー部に配置され
ている。図は、金型のキャビティ４に載置されたリード
フレームの断面図である。リードフレーム２の構成は図
２５の従来例と同じである。半導体チップは、ダイパッ
ド２２に接着され、ボンディングワイヤによって半導体
チップのパッド電極とインナーリード２３とは接続され
ている。
【０００８】リードフレーム２が樹脂封止用金型９にセ
ットされた状態では、上金型９１と下金型９２の凹部で
構成されるキャビティ４（図２７の点線で示す領域）内
にリードフレーム２のインナーリード２３、ダイパッド
２２及びダイパッドを支持するつりピン２５が含まれて
おり、これらはすべて樹脂封止される。したがって、こ
のキャビティ４中に樹脂封止体となる樹脂が充填され
る。樹脂をキャビティ４に注入する入り口のゲート５
は、正方形のキャビティ４の１つのコーナー部に形成さ
れている。樹脂パッケージはこのように樹脂モールド形
成用金型のキャビティ４に形成される。キャビティ４に
流動化する樹脂を注入する注入口のゲート５は、キャビ
ティ４の１辺に形成されている場合とそのコーナー部に
形成される場合とがある。図３０は、金型の概略平面図
であり、ポット２０からカル８０を通り、ランナー９０
を介してゲート５に通じている。そしてキャビティ４が
正方形の場合（即ちここで形成される樹脂封止体が正方
形の場合）には、ゲート５はキャビティ４のコーナー部
に形成され（図３０（ａ））、キャビティ４が長方形の
場合（即ちここで形成される樹脂封止体が長方形の場
合）には、ゲート５はキャビティ４の短辺の中央に形成
される（図３０（ｂ））。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図３１を参照して従来
のトランスファーモールド法における成形時の樹脂の流
れを説明する。図は樹脂封止体成型用金型の主要部分の
断面図である。ポット２０に供給された樹脂タブレット
７０は、流動化され、プランジャ４０の降下によりカル
（図示せず）を通り、カルからランナー９０を通ってゲ
ート５に流され、ゲート５からキャビティ４に注入され
る。ゲート５からキャビティ４への樹脂の注入に際し、
半導体チップ１を搭載したリードフレーム２のダイパッ
ド２１は注入時の上下のバランスにより傾いたり、浮い
たり沈んだりする。特に薄型のパッケージにとっては僅
かな傾きでもパッケージの外にダイパッドやチップが露
出してしまうことになる。リードフレームの外枠に設け
た切れ込みの存在によってキャビティに流入する樹脂は
比較的均一に流入するようになるが、リードフレーム２
のキャビティ４内での多少の位置の変化によって微妙に
樹脂の流れが変わり、樹脂のキャビティの上下に均一に
流れなくなって上記のような結果になる。本発明は、こ
の様な事情によりなされたものであり、薄型の樹脂封止
パッケージにおいて内部に位置する半導体チップの傾
き、浮き、沈みを抑えるための構造を有する樹脂封止型
パッケージを形成するリードフレーム及び半導体装置の
製造方法を提供することを目的にしている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに本発明のリードフレームは、外枠と、前記外枠に支
持され、インナーリードとアウターリードとから構成さ
れた複数のリードと、前記外枠の間に配置され、前記イ
ンナーリードの先端が近接して対向しているダイパッド
と、前記外枠に取り付けられ、この外枠と向かい合うよ
うに形成された樹脂流動制御体と、前記外枠と前記樹脂
流動制御体とで形成される空間部とを備え、この樹脂流
動制御体は、ゲート及びこのゲートに連続的に接続して
いるキャビティを有する樹脂封止体成型用金型に装着さ
れる際に前記キャビティ内に配置され、前記空間部は、
前記ゲートと前記キャビティの間に配置されることを第
１の特徴とする。また本発明のリードフレームは、外枠
と、前記外枠に支持され、インナーリードとアウターリ
ードとから構成された複数のリードと、前記外枠に取り
付けられ、この外枠と向かい合うように形成された樹脂
流動制御体と、前記外枠と前記樹脂流動制御体とで形成
される空間部とを備え、この樹脂流動制御体は、ゲート
及びこのゲートに連続的に接続しているキャビティを有
する樹脂封止体成型用金型に装着される際に、前記キャ
ビティ内に配置され、前記空間部は、前記ゲートと前記
キャビティの間に配置されることを第２の特徴とする。
【００１１】前記外枠の前記樹脂流動制御体と向い合う
部分に切り込み部が形成されるようにしても良い。前記
樹脂流動制御体には半導体チップを保持する支持体が取
り付けられているようにしても良い。前記樹脂流動制御
体は平面形状が半円形でもよい。前記樹脂流動制御体に
は、前記ダイパッドが接続され、このダイパッドを支持
するつりピンが取り付けられている用にしても良い。前
記樹脂流動制御体には隣接する前記インナーリードが接
続されているようにしても良い。前記樹脂流動制御体の
前記外枠と対向する部分は角部分が面取りされていても
良い。前記リードフレームを前記樹脂封止体成型用金型
の上金型及び下金型に挟持する際に前記樹脂流動制御体
は、前記キャビティの上下方向の中心になるように配置
しても良い。本発明の半導体装置の製造方法は、外枠に
取り付けられ、この外枠と向かい合うように形成された
樹脂流動制御体と前記外枠とこの樹脂流動制御体とで形
成される空間部を有し、半導体チップを搭載したリード
フレームをゲート及びこのゲートに連続的に接続するキ
ャビティを有する樹脂封止体成型用金型の上金型及び下
金型に挟持させ、この樹脂流動制御体はキャビティ内に
配置し、前記空間部は前記ゲートと前記キャビティの間
に配置する工程と、前記ゲートから流動化した樹脂を前
記キャビティ内に注入してリードフレームと半導体チッ
プを被覆する樹脂封止体を形成する工程とを備え、前記
樹脂は、前記ゲートから前記キャビティ内に注入される
際に前記樹脂流動制御体によって上下に均一に充填され
るようにしたことを特徴とする。
【００１２】
【作用】樹脂封止型半導体装置を形成するリードフレー
ムにおいて、トランスファ成形時の樹脂注入のための入
り口部分に位置する部分にキャビティ内部へくい込む位
置に配置された空間部と樹脂流動制御体とを設け、キャ
ビティ部分（樹脂外形を形成する部分）への樹脂の注入
を安定させ、キャビティ内で最初に樹脂の流動を受ける
部分を強化すると共に樹脂流動制御体がキャビティ内の
上下に均一に樹脂流動が生じるようにする。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。まず、図１及び図２を参照して第１の実施例を説
明する。図１は、樹脂封止体成型用金型に装着されたリ
ードフレームの平面図、図２は、前図のＡ−Ａ′線に沿
う部分の断面図であり、前記金型のゲート及びキャビテ
ィ内に装着されたリードフレームの断面図である。リー
ドフレーム２は、シート材やコイル材等の素材のエッチ
ングや打ち抜きなどにより成形されてなる。素材に形成
されたレジストパターンに従ってエッチングし、表面を
ＡｕメッキやＡｇメッキで表面処理を施して完成させ
る。同様に打ち抜き法でもプレス金型により素材をリー
ドフレームの形状にパターニングする。素材は、Ｆｅ−
４２Ｎｉ合金やＣｕ合金から構成されている。リードフ
レーム２は、外枠２１、半導体チップ１を搭載するダイ
パッド２２、樹脂封止体に封止されるインナーリード２
３及び樹脂封止体から導出するアウターリード２４より
構成されており、これらを１単位として繰り返し形成さ
れている長尺状体である。半導体チップ１はダイパッド
２２に接着され、ボンディングワイヤ３によって半導体
チップ１のパッド電極（図示せず）とインナーリード２
３とは接続されている。
【００１４】リードフレーム２が樹脂封止用金型９にセ
ットされた状態では、上金型９１と下金型９２の凹部で
構成されるキャビティ４（図１の点線で示す領域）内に
リードフレーム２のインナーリード２３、ダイパッド２
２及びダイパッド２２を支持するつりピン２５が収納さ
れている。そして、このキャビティ４中に樹脂封止体と
なる樹脂が充填される。樹脂をキャビティ４に注入する
入り口のゲート５は、長方形のキャビティ４の短辺の中
央に形成されている。これは図１のＡ−Ａ′線に沿う部
分に配置されている。樹脂はゲート５を通って矢印のよ
うにキャビティ４内に注入される。このゲート５に配置
されている外枠２１は、ゲート５先端のキャビティ４と
の境界近傍にまで配置されているが、この部分の外枠５
には、ゲート５よりも幅が大きめの切り込み部２６が形
成されている。そして、さらにキャビティ４内に突出す
るように外枠２１から樹脂流動制御体７が形成されてい
る。この樹脂流動制御体７は、前記切り込み部２６を囲
むように形成されており、切り込み部２６と樹脂流動制
御体７とで空間部６が形成されている。外枠２１から突
出した樹脂流動制御体７は、平面形状が４角の環状体で
ある。
【００１５】樹脂流動制御体７の位置は、キャビティ４
の上下方向の実質的に中心に配置されているので、流動
化した多量の樹脂は、ゲート５から空間部６を通って真
っ直ぐに樹脂流動制御体７に当たって均一に上下に分割
流動する。この空間部６と樹脂流動制御体７は、この様
にゲート部分での樹脂流動を安定させる。この空間部６
及びリードフレーム２の外枠２１につながることにより
強固に形成された樹脂流動制御体７により半導体チップ
１への注入時の樹脂の影響は緩やかになり流動傾きが抑
えられる。また、上下に均等に樹脂が流動することによ
りチップの浮き沈みが抑えられる。半導体装置の樹脂封
止パッケージは、半導体チップが高密度化して大きくな
る傾向に反してあまり変化は少ない。したがって、樹脂
封止体内における半導体チップの樹脂封止体に占める割
合は、おおきくなる一方である。特に薄型パッケージを
用いる半導体装置では、均一に樹脂を封止することは非
常に難しくなってきている。本発明はこの様な薄型樹脂
封止体の形成に有効である。
【００１６】次に、図３及び図４を参照して第２の実施
例を説明する。図３は樹脂封止体成型用金型に装着され
たリードフレームの平面図、図４は前図のＡ−Ａ′線に
沿う部分の断面図であり、前記金型のゲート及びキャビ
ティ内に装着されたリードフレームの断面図である。リ
ードフレーム２の成型法や素材は、前実施例と同じであ
る。リードフレーム２は、外枠２１、半導体チップ１を
搭載するダイパッド２２、樹脂封止体に封止されるイン
ナーリード２３及び樹脂封止体から導出するアウターリ
ード２４より構成されており、これらを１単位として繰
り返し形成されている長尺状体である。半導体チップ１
はダイパッド２２に接着され、ボンディングワイヤ３に
よって半導体チップ１のパッド電極（図示せず）とイン
ナーリード２３とは接続されている。リードフレーム２
が樹脂封止用金型９にセットされた状態では上金型９１
と下金型９２の凹部で構成されるキャビティ４（図３の
点線で示す領域）内にリードフレーム２のインナーリー
ド２３、ダイパッド２２及びダイパッド２２を支持する
つりピン２５などが収納されている。そしてこのキャビ
ティ４中に樹脂封止体となる樹脂が充填される。樹脂を
キャビティ４に注入する入り口のゲート５は長方形のキ
ャビティ４の短辺の中央に形成されている。これは図３
のＡ−Ａ′線に沿う部分に配置されている。
【００１７】樹脂はゲート５を通って矢印のようにキャ
ビティ４内に注入される。このゲート５に配置されてい
る外枠２１は、ゲート５先端のキャビティ４との境界近
傍にまで配置されているが、この部分の外枠２１には、
ゲート５よりも幅が大きめの切り込み部２６とキャビテ
ィ４内に突出するように樹脂流動制御体７が形成されて
いる。この樹脂流動制御体７は、前記切り込み部２６を
囲むように形成されており、切り込み部２６と樹脂流動
制御体７とで空間部６が形成されている。外枠２１から
突出した樹脂流動制御体７は、平面形状が４角の環状体
であるが、環状体の内部コーナー部に角み切り（面取
り）が施してあるので、その部分は、流入された樹脂の
流れ方向と垂直に対向している。したがって、樹脂流動
が安定化する。樹脂流動制御体７の位置は、キャビティ
４の上下方向の実質的に中心に配置されているので、流
動化した多量の樹脂は、ゲート５から空間部６を通って
真っ直ぐに樹脂流動制御体７に当たって均一に上下に分
割流動する。この空間部６と樹脂流動制御体７は、この
様にゲート部分での樹脂流動を安定させる。この空間部
６及びリードフレーム２の外枠２１につながることによ
り強固に形成された樹脂流動制御体７により半導体チッ
プ１への注入時の樹脂の影響は緩やかになり流動傾きが
抑えられる。また、上下に均等に樹脂が流動することに
よりチップの浮き沈みが抑えられる。
【００１８】次に、図５及び図６を参照して第３の実施
例を説明する。図５は樹脂封止体成型用金型に装着され
たリードフレームの平面図、図６は前図のＡ−Ａ′線に
沿う部分の断面図であり、前記金型のゲート及びキャビ
ティ内に装着されたリードフレームの断面図である。リ
ードフレーム２の成型法や素材は、前実施例と同じであ
る。リードフレーム２は、外枠２１、半導体チップ１を
搭載するダイパッド２２、樹脂封止体に封止されるイン
ナーリード２３及び樹脂封止体から導出するアウターリ
ード２４より構成されており、これらを１単位として繰
り返し形成されている長尺状体である。半導体チップ１
はダイパッド２２に接着され、ボンディングワイヤ３に
よって半導体チップ１のパッド電極（図示せず）とイン
ナーリード２３とは接続されている。リードフレーム２
が樹脂封止体成型用金型９にセットされた状態では、
上、下金型９１、９２の凹部で構成されるキャビティ４
内にリードフレーム２のインナーリード２３、ダイパッ
ド２２及びダイパッド２２を支持するつりピン２５など
が収納されている。そして、このキャビティ４中に樹脂
封止体となる樹脂が充填される。樹脂をキャビティ４に
注入する入り口のゲート５は長方形のキャビティ４の短
辺の中央に形成されている。これは図５のＡ−Ａ′線に
沿う部分に配置されている。
【００１９】樹脂は、ゲート５を通ってキャビティ４内
に注入される。このゲート５に配置されている外枠２１
は、ゲート５先端のキャビティ４との境界近傍にまで配
置されているが、この部分の外枠２１には、ゲート５よ
りも幅が大きめの切り込み部２６とキャビティ４内に突
出するように樹脂流動制御体７が形成されている。この
樹脂流動制御体７は、前記切り込み部２６を囲むように
形成されており、切り込み部２６と樹脂流動制御体７と
で空間部６が形成されている。外枠２１から突出した樹
脂流動制御体７は、平面形状が半円形状の環状体である
ので、どの部分も流入された樹脂の流れ方向と垂直に対
向している。したがって樹脂流動が安定化する。樹脂流
動制御体７の位置は、キャビティ４の上下方向の実質的
に中心に配置されているので、流動化した多量の樹脂は
ゲート５から矢印のように空間部６を通って真っ直ぐに
樹脂流動制御体７に当たって均一に上下に分割流動す
る。この空間部６と樹脂流動制御体７は、この様にゲー
ト部分での樹脂流動を安定させる。この空間部６及びリ
ードフレーム２の外枠２１につながることにより強固に
形成された樹脂流動制御体７により半導体チップ１への
注入時の樹脂の影響は緩やかになり流動傾きが抑えられ
る。また、上下に均等に樹脂が流動することによりチッ
プの浮き沈みが抑えられる。
【００２０】次に、図７及び図８を参照して第４の実施
例を説明する。図７は、樹脂封止体成型用金型に装着さ
れたリードフレームの平面図、図８は前図のＡ−Ａ′線
に沿う部分の断面図であり、前記金型のゲート及びキャ
ビティ内に装着されたリードフレームの断面図である。
リードフレーム２の成型法や素材は、前実施例と同じで
ある。リードフレーム２は、外枠２１、半導体チップ１
を搭載するダイパッド２２、樹脂封止体に封止されるイ
ンナーリード２３及び樹脂封止体から導出するアウター
リード２４より構成されており、これらを１単位として
繰り返し形成されている長尺状体である。半導体チップ
１はダイパッド２２に接着され、ボンディングワイヤ３
によって半導体チップ１のパッド電極（図示せず）とイ
ンナーリード２３とは接続されている。リードフレーム
２が樹脂封止用金型９にセットされた状態では、上、下
金型９１、９２の凹部で構成されるキャビティ４内にリ
ードフレーム２のインナーリード２３、ダイパッド２２
及びダイパッド２２を支持するつりピン２５などが収納
されている。そして、このキャビティ４中に樹脂封止体
となる樹脂が充填される。樹脂をキャビティ４に注入す
る入り口のゲート５は長方形のキャビティ４の短辺の中
央に形成されている。ゲート５は図７のＡ−Ａ′線に沿
う部分に配置されている。
【００２１】樹脂は、矢印のようにゲート５を通ってキ
ャビティ４内に注入される。このゲート５に配置されて
いる外枠２１は、ゲート５先端のキャビティ４との境界
近傍にまで配置されているが、この部分の外枠２１に
は、ゲート５よりも幅が大きめの切り込み部２６とキャ
ビティ４内に突出するように樹脂流動制御体７が形成さ
れている。この樹脂流動制御体７は、前記切り込み部２
６を囲むように形成されており、切り込み部２６と樹脂
流動制御体７とで空間部６が形成されている。外枠２１
から突出した樹脂流動制御体７は、平面形状が４角の環
状体である。そして、この樹脂流動制御体７とこの樹脂
流動制御体に対向するダイパッド２２の部分とはつりピ
ン２５で接続されている。したがって樹脂流動制御体７
及びダイパッド２２の機械的な強度が同時に向上する。
樹脂流動制御体７の位置は、キャビティ４の上下方向の
実質的に中心に配置されているので、流動化した多量の
樹脂は、ゲート５から空間部６を通って真直ぐに樹脂流
動制御体７に当たって均一に上下に分割流動する。この
空間部６と樹脂流動制御体７は、この様にゲート部分で
の樹脂流動を安定させる。この空間部６と外枠２１につ
ながることによって強固に形成された樹脂流動制御体７
とにより半導体チップ１への注入時の樹脂の影響は緩や
かになり流動傾きが抑えられる。また、上下に均等に樹
脂が流動することにより半導体チップの浮き沈みが抑え
られる。
【００２２】次に、図９を参照して第５の実施例を説明
する。図は、樹脂封止体成型用金型に装着されたリード
フレームの平面図であり、前記金型のゲート及びキャビ
ティ内に装着されている。リードフレーム２の成型法や
素材は、前の実施例と同じである。前実施例は、リード
が２方向から導出される長方形の半導体チップを有する
樹脂封止型半導体装置に関するものであるが、この実施
例では、４方向からリードが導出される実質的に正方形
の半導体チップを有する樹脂封止型半導体装置に適用さ
れる。この様な樹脂封止型半導体装置はリードフレーム
を前記金型のキャビティに配置するときに図３０（ａ）
に示すようにキャビティ４のコーナー部のゲート５から
樹脂が注入されるようになっている。ここでは、前記金
型に装着したリードフレームのみを示し、搭載する半導
体チップは表示しない。リードフレーム２は、外枠２
１、半導体チップを搭載するダイパッド２２、樹脂封止
体に封止されるインナーリード２３及び樹脂封止体から
導出するアウターリード２４より構成されており、これ
らを１単位として繰り返し形成されている長尺状体であ
る。リードフレーム２が樹脂封止用金型９にセットされ
た状態では上、下金型（図示せず）の凹部で構成される
キャビティ４内にリードフレーム２のインナーリード２
３、ダイパッド２２及びダイパッド２２を支持するつり
ピン２５などが収納されている。そして、このキャビテ
ィ４中に樹脂封止体となる樹脂が充填される。樹脂をキ
ャビティ４に注入する入り口のゲート５は正方形のキャ
ビティ４のコーナー部の１つに形成されている。
【００２３】樹脂は、ゲート５を通ってキャビティ４内
に注入される。このゲート５が配置されている外枠２１
は、ゲート５先端のキャビティ４との境界近傍にまで配
置されているが、この部分の外枠２１には、ゲート５よ
りも幅が大きめの切り込み部２６とキャビティ４内に突
出するように樹脂流動制御体７が形成されている。この
樹脂流動制御体７は、前記切り込み部２６を囲むように
形成されており、切り込み部２６と樹脂流動制御体７と
で空間部６が形成されている。外枠２１から突出した樹
脂流動制御体７は、平面形状が４角の環状体である。そ
して、この樹脂流動制御体７とこの樹脂流動制御体に対
向するダイパッド２２の部分とはつりピン２５で接続さ
れている。したがって樹脂流動制御体７及びダイパッド
２２の機械的な強度が同時に向上する。つりピン２５
は、他の３つのコーナー部にも形成されている。樹脂流
動制御体７の位置は、キャビティ４の上下方向の実質的
に中心に配置されているので、流動化した多量の樹脂
は、ゲート５から空間部６を通って真直ぐに樹脂流動制
御体７に当たって均一に上下に分割流動する。この空間
部６と樹脂流動制御体７は、この様にゲート部分での樹
脂流動を安定させる。この空間部６及びリードフレーム
２の外枠２１につながることにより強固に形成された樹
脂流動制御体７により半導体チップへの注入時の樹脂の
影響は緩やかになり流動傾きが抑えられる。また、上下
に均等に樹脂が流動することにより半導体チップの浮き
沈みが抑えられる。
【００２４】次に、図１０を参照して第６の実施例を説
明する。図は、樹脂封止体成型用金型に装着されたリー
ドフレームの平面図であり、前記金型のゲート及びキャ
ビティ内に装着されている。リードフレーム２の成型法
や素材は、前の実施例と同じである。この実施例では、
第５の実施例と同じ様に４方向からリードが導出される
実質的に正方形の半導体チップを有する樹脂封止型半導
体装置に適用される。この様な樹脂封止型半導体装置は
リードフレームを前記金型のキャビティに配置するとき
にキャビティ４のコーナー部のゲート５から樹脂が注入
されるようになっている。ここでは、前記金型に装着し
たリードフレームのみを示し、搭載する半導体チップは
表示しない。リードフレーム２は、外枠２１、半導体チ
ップを搭載するダイパッド２２、樹脂封止体に封止され
るインナーリード２３及び樹脂封止体から導出するアウ
ターリード２４より構成されており、これらを１単位と
して繰り返し形成されている長尺状体である。リードフ
レーム２が樹脂封止用金型９にセットされた状態では
上、下金型（図示せず）の凹部で構成されるキャビティ
４内にリードフレーム２のインナーリード２３、ダイパ
ッド２２及びダイパッド２２を支持するつりピン２５な
どが収納されている。そして、このキャビティ４中に樹
脂封止体となる樹脂が充填される。樹脂をキャビティ４
に注入する入り口のゲート５は正方形のキャビティ４の
コーナー部の１つに形成されている。
【００２５】樹脂は、ゲート５を通ってキャビティ４内
に注入される。このゲート５が配置されている外枠２１
は、ゲート５先端のキャビティ４との境界近傍にまで配
置されているが、この部分の外枠２１には、ゲート５よ
りも幅が大きめの切り込み部２６とキャビティ４内に突
出するように樹脂流動制御体７が形成されている。この
樹脂流動制御体７は、前記切り込み部２６を囲むように
形成されており、切り込み部２６と樹脂流動制御体７と
で空間部６が形成されている。外枠２１から突出した樹
脂流動制御体７は、隣接するリードフレーム２のインナ
ーリード２３に連結されることにより、より強度を増し
ている。つりピン２５は他の３つのコーナー部に形成さ
れている。樹脂流動制御体７の位置は、キャビティ４の
上下方向の実質的に中心に配置されているので、流動化
した多量の樹脂は、ゲート５から空間部６を通って真直
ぐに樹脂流動制御体７に当たって均一に上下に分割流動
する。この空間部６と樹脂流動制御体７は、この様にゲ
ート部分での樹脂流動を安定させる。この空間部６及び
リードフレーム２の外枠２１につながることにより強固
に形成された樹脂流動制御体７により半導体チップへの
注入時の樹脂の影響は緩やかになり流動傾きが抑えられ
る。また、上下に均等に樹脂が流動することにより半導
体チップの浮き沈みが抑えられる。
【００２６】次に、図１１を参照して第７の実施例を説
明する。図は、樹脂封止体成型用金型に装着されたリー
ドフレームの平面図であり、前記金型のゲート及びキャ
ビティ内に装着されている。リードフレーム２の成型法
や素材は、前の実施例と同じである。この実施例では、
第５の実施例と同じ様に４方向からリードが導出される
実質的に正方形の半導体チップを有する樹脂封止型半導
体装置に適用される。この様な樹脂封止型半導体装置は
リードフレームを前記金型のキャビティに配置するとき
にキャビティ４のコーナー部のゲート５から樹脂が注入
されるようになっている。ここでは、前記金型に装着し
たリードフレームのみを示し、搭載する半導体チップは
表示しない。リードフレーム２は、外枠２１、半導体チ
ップを搭載するダイパッド２２、樹脂封止体に封止され
るインナーリード２３及び樹脂封止体から導出するアウ
ターリード２４より構成されており、これらを１単位と
して繰り返し形成されている長尺状体である。リードフ
レーム２が樹脂封止用金型９にセットされた状態では
上、下金型（図示せず）の凹部で構成されるキャビティ
４内にリードフレーム２のインナーリード２３、ダイパ
ッド２２及びダイパッド２２を支持するつりピン２５な
どが収納されている。そして、このキャビティ４中に樹
脂封止体となる樹脂が充填される。樹脂をキャビティ４
に注入する入り口のゲート５は正方形のキャビティ４の
コーナー部の１つに形成されている。
【００２７】樹脂は、ゲート５を通ってキャビティ４内
に注入される。このゲート５が配置されている外枠２１
は、ゲート５先端のキャビティ４との境界近傍にまで配
置されているが、この部分の外枠２１には、ゲート５よ
りも幅が大きめの切り込み部２６とキャビティ４内に突
出するように樹脂流動制御体７が形成されている。この
樹脂流動制御体７は、前記切り込み部２６を囲むように
形成されており、切り込み部２６と樹脂流動制御体７と
で空間部６が形成されている。外枠２１から突出した樹
脂流動制御体７は、隣接するリードフレーム２のインナ
ーリード２３とその先端がダイパッド２２に連結される
ことにより、より強度を増している。つりピン２５は他
の３つのコーナー部に形成されている。樹脂流動制御体
７の位置は、キャビティ４の上下方向の実質的に中心に
配置されているので、流動化した多量の樹脂は、ゲート
５から空間部６を通って真直ぐに樹脂流動制御体７に当
たって均一に上下に分割流動する。この空間部６と樹脂
流動制御体７は、この様にゲート部分での樹脂流動を安
定させる。この空間部６及びリードフレーム２の外枠２
１につながることにより強固に形成された樹脂流動制御
体７により半導体チップへの注入時の樹脂の影響は緩や
かになり流動傾きが抑えられる。また、上下に均等に樹
脂が流動することにより半導体チップの浮き沈みが抑え
られる。
【００２８】次に、図１２を参照して第８の実施例を説
明する。図は、樹脂封止体成型用金型に装着されたリー
ドフレームの平面図であり、前記金型のゲート及びキャ
ビティ内に装着されている。リードフレーム２の成型法
や素材は、前の実施例と同じである。この実施例では、
第５の実施例と同じ様に４方向からリードが導出される
実質的に正方形の半導体チップを有する樹脂封止型半導
体装置に適用される。この様な樹脂封止型半導体装置は
リードフレームを前記金型のキャビティに配置するとき
にキャビティ４のコーナー部のゲート５から樹脂が注入
されるようになっている。この実施例では、リードフレ
ームには、半導体チップを支持するダイパッドを形成せ
ず、前実施例で形成されているダイパッドの部分は空間
になっている。リードフレーム２は、外枠２１、樹脂封
止体に封止されるインナーリード２３及び樹脂封止体か
ら導出するアウターリード２４より構成されており、こ
れらを１単位として繰り返し形成されている長尺状体で
ある。リードフレーム２が樹脂封止用金型９にセットさ
れた状態では上、下金型（図示せず）の凹部で構成され
るキャビティ４内にリードフレーム２のインナーリード
２３及びインナーリード２３先端と半導体チップ１の電
極パッドとを接続するボンディングワイヤ３などが収納
されている。そして、このキャビティ４中に樹脂封止体
となる樹脂が充填される。樹脂をキャビティ４に注入す
る入り口のゲート５は正方形のキャビティ４のコーナー
部の１つに形成されている。
【００２９】樹脂は、ゲート５を通ってキャビティ４内
に注入される。このゲート５が配置されている外枠２１
は、ゲート５先端のキャビティ４との境界近傍にまで配
置されているが、この部分の外枠２１には、ゲート５よ
りも幅が大きめの切り込み部２６とキャビティ４内に突
出するように樹脂流動制御体７が形成されている。この
樹脂流動制御体７は、前記切り込み部２６を囲むように
形成されており、切り込み部２６と樹脂流動制御体７と
で空間部６が形成されている。外枠２１から突出した樹
脂流動制御体７は、隣接するリードフレーム２のインナ
ーリード２３に連結されることにより、より強度を増し
ている。樹脂流動制御体７の位置は、キャビティ４の上
下方向の実質的に中心に配置されているので、流動化し
た多量の樹脂は、ゲート５から空間部６を通って真直ぐ
に樹脂流動制御体７に当たって均一に上下に分割流動す
る。この空間部６と樹脂流動制御体７は、この様にゲー
ト部分での樹脂流動を安定させる。この空間部６及びリ
ードフレーム２の外枠２１につながることにより強固に
形成された樹脂流動制御体７により半導体チップへの注
入時の樹脂の影響は緩やかになり流動傾きが抑えられ
る。また、上下に均等に樹脂が流動することにより半導
体チップの浮き沈みが抑えられる。
【００３０】次に、図１３及び図１４を参照して第９の
実施例を説明する。図１４は、樹脂封止体成型用金型に
装着されたリードフレームの平面図であり、前記金型の
ゲート及びキャビティ内に装着されている。図１４は、
前図のＡ−Ａ′線に沿う部分の樹脂封止型半導体装置の
断面図である。リードフレーム２の成型法や素材は、前
の実施例と同じである。この実施例では、第５の実施例
と同じ様に４方向からリードが導出される実質的に正方
形の半導体チップを有する樹脂封止型半導体装置に適用
される。この様な樹脂封止型半導体装置はリードフレー
ムを前記金型のキャビティに配置するときにキャビティ
４のコーナー部のゲート５から樹脂が注入されるように
なっている。この実施例では、リードフレームには、半
導体チップを支持するダイパッド部分が形成されていな
い。リードフレーム２は、外枠２１、樹脂封止体に封止
されるインナーリード２３及び樹脂封止体から導出する
アウターリード２４より構成されており、これらを１単
位として繰り返し形成されている長尺状体である。リー
ドフレーム２が樹脂封止用金型９にセットされた状態で
は上、下金型（図示せず）の凹部で構成されるキャビテ
ィ４内にリードフレーム２のインナーリード２３及びイ
ンナーリード２３先端と半導体チップ１の電極パッドと
を接続するＡｕ線などのボンディングワイヤ３などが収
納されている。そして、このキャビティ４中に樹脂封止
体となる樹脂が充填される。樹脂をキャビティ４に注入
する入り口のゲート５は正方形のキャビティ４のコーナ
ー部の１つに形成されている。
【００３１】樹脂は、ゲート５を通ってキャビティ４内
に注入される。このゲート５が配置されている外枠２１
は、ゲート５先端のキャビティ４との境界近傍にまで配
置されているが、この部分の外枠２１には、ゲート５よ
りも幅が大きめの切り込み部２６とキャビティ４内に突
出するように樹脂流動制御体７が形成されている。この
樹脂流動制御体７は、前記切り込み部２６を囲むように
形成されており、切り込み部２６と樹脂流動制御体７と
で空間部６が形成されている。外枠２１から突出した樹
脂流動制御体７は、隣接するリードフレーム２のインナ
ーリード２３に連結されることにより、より強度を増し
ている。この樹脂流動制御体７は、半導体チップ１を支
持する支持体２７を有し、その先端をチップコーナー部
に接続して半導体チップ１の支持強度を向上させてい
る。図１４は、この金型とリードフレームを用いた樹脂
封止型半導体装置の断面図である。インンナーリード２
３に囲まれた半導体チップ１は、ダイパッドに搭載する
のではないので、図の様に薄型の半導体装置が形成され
る。他の３つのコーナー部にも半導体チップを支持する
支持体２７が形成されている。樹脂封止体７１には半導
体チップ１、ボンディングワイヤ３及びインナーリード
２３が被覆されている。樹脂流動制御体７の位置は、キ
ャビティ４の上下方向の実質的に中心に配置されている
ので、流動化した多量の樹脂は、ゲート５から空間部６
を通って真直ぐに樹脂流動制御体７に当たって均一に上
下に分割流動する。この空間部６と樹脂流動制御体７
は、この様にゲート部分での樹脂流動を安定させる。こ
の空間部６及びリードフレーム２の外枠２１につながる
ことにより強固に形成された樹脂流動制御体７により半
導体チップへの注入時の樹脂の影響は緩やかになり流動
傾きが抑えられる。また、上下に均等に樹脂が流動する
ことにより半導体チップの浮き沈みが抑えられる。
【００３２】次に、図１５を参照して第１０の実施例を
説明する。図は、樹脂封止体成型金型にリードフレーム
を装着した時のゲートとキャビテイの境界部分を示す部
分断面図であり、樹脂封止時のリードフレームの状態を
示している。実施例では、第９の実施例の半導体チッ
プ、金型及びリードフレームを用いている。樹脂封止体
成型金型９のキャビティ４及びゲート５は、上金型９１
及び下金型９２の合せ面に形成される。キャビティ４内
にはリードフレームの樹脂封止される部分が配置されて
おり、ゲート５には、キャビティ４内に注入される流動
化された樹脂が供給される。そして、キャビティ４とゲ
ート５の境界部分に外枠２１の切り込み部と樹脂流動制
御体７で形成される空間部６が形成されている。この空
間部６が樹脂の移動を容易にしている。半導体チップ１
は、エポキシ樹脂などの接着剤８によりリードフレーム
の樹脂流動制御体７から続く半導体チップ支持体２７に
固定されている。半導体チップ１はキャビティ４の上下
方向の中心に位置するように配置されている。したがっ
て、ポットから前記金型に供給された樹脂は流動化さ
れ、ゲート５に供給された樹脂は、樹脂流動制御体７に
よって、キャビティ４に均一に供給される。この実施例
では、流動してきた樹脂を容易に上下均等に分けられる
ように樹脂流動制御体７の外枠２１に対向した側面１０
を鋭角状に加工している。そのためゲート５からの樹脂
は、矢印に示すように均一に２つの方向に別れて樹脂が
半導体チップ１の周囲に均一に被覆される。加工する側
面１０の傾斜角度はキャビティ４の側面の傾斜角度と等
しいかそれよりも大きくするとキャビティ４内への注入
が一層容易になる。
【００３３】次に、図１６を参照して第１１の実施例を
説明する。図は、樹脂封止体成型金型にリードフレーム
を装着した時のゲートとキャビテイの境界部分を示す部
分断面図であり、樹脂封止時のリードフレームの状態を
示している。樹脂封止体成型金型９のキャビティ４及び
ゲート５は、上金型９１及び下金型９２の合せ面に形成
される。キャビティ４内にはリードフレームの樹脂封止
される部分が配置されており、ゲート５には、キャビテ
ィ４内に注入される流動化された樹脂が供給される。そ
して、キャビティ４とゲート５の境界部分に外枠２１の
切り込み部と樹脂流動制御体７で形成される空間部６が
形成されている。この空間部６が樹脂の移動を容易にし
ている。半導体チップ１は、ポリイミド樹脂などの接着
剤８により樹脂流動制御体７から続く半導体チップ支持
体２７に固定されている。半導体チップ１はキャビティ
４の上下方向の中心に位置するように配置されている。
したがって、ポットから前記金型に供給された樹脂は流
動化され、ゲート５に供給された樹脂は、樹脂流動制御
体７によって、キャビティ４に均一に供給される。この
実施例では、流動化した樹脂を容易に上下均等に分けら
れるように樹脂流動制御体７の外枠２１に対向した側面
１０を流動してきた樹脂を上下に均等に分けるように上
下方向の中心部分を対象に僅かに角度をもたせている。
樹脂の流動性はその角度が大きい方が容易であるが、こ
の実施例では樹脂流動制御体７の強度が高いことを考慮
すれば（粘度の高い樹脂を想定し）それほど大きな角度
を必要としない。ゲート５からの樹脂は均一に２つの方
向に別れて樹脂が半導体チップ１の周囲に均一に被覆さ
れる。
【００３４】次に、図１７を参照して第１２の実施例を
説明する。図は、樹脂封止体成型金型にリードフレーム
を装着した時のゲートとキャビテイの境界部分を示す部
分断面図であり、樹脂封止時のリードフレームの状態を
示している。樹脂封止体成型金型９のキャビティ４及び
ゲート５は、上金型９１及び下金型９２の合せ面に形成
される。キャビティ４内にはリードフレームの樹脂封止
される部分が配置されており、ゲート５には、キャビテ
ィ４内に注入される流動化された樹脂が供給される。そ
して、キャビティ４とゲート５の境界部分に外枠２１の
切り込み部と樹脂流動制御体７で形成される空間部６が
形成されている。この空間部６が樹脂の移動を容易にし
ている。半導体チップ１は、ポリイミド樹脂などの接着
剤８により樹脂流動制御体７から続く半導体チップ支持
体２７に固定されている。半導体チップ１はキャビティ
４の上下方向の中心に位置するように配置されている。
したがって、ポットから前記金型に供給された樹脂は流
動化され、ゲート５に供給された樹脂は、樹脂流動制御
体７によって、キャビティ４に均一に供給される。この
実施例では、流動化した樹脂を容易に上下均等に分けら
れるように樹脂流動制御体７の外枠２１に対向した側面
１０を流動してきた樹脂を上下に均等に分けるように断
面が円形状に加工されている。流動性がさらに良くな
る。ゲート５からの樹脂は均一に２つの方向に別れて樹
脂が半導体チップ１の周囲に均一に被覆される。
【００３５】次に、図１８を参照して第１３の実施例を
説明する。図は、樹脂封止体成型金型にリードフレーム
を装着した時のゲートとキャビテイの境界部分を示す部
分断面図であり、樹脂封止時のリードフレームの状態を
示している。樹脂封止体成型金型９のキャビティ４及び
ゲート５は、上金型９１及び下金型９２の合せ面に形成
される。キャビティ４内にはリードフレームの樹脂封止
される部分が配置されており、ゲート５には、キャビテ
ィ４内に注入される流動化された樹脂が供給される。そ
して、キャビティ４とゲート５の境界部分に外枠２１の
切り込み部と樹脂流動制御体７で形成される空間部６が
形成されている。この空間部６が樹脂の移動を容易にし
ている。半導体チップ１は、ポリイミド樹脂などの接着
剤により樹脂流動制御体７から続く半導体チップ支持体
２７に固定されている。半導体チップ１はキャビティ４
の上下方向の中心に位置するように配置されている。し
たがって、ポットから前記金型に供給された樹脂は流動
化され、ゲート５に供給された樹脂は、樹脂流動制御体
７によって、キャビティ４に均一に供給される。この実
施例では、流動化した樹脂を容易に上下均等に分けられ
るように樹脂流動制御体７の外枠２１に対向した側面１
０の上下の辺を流動してきた樹脂を容易に流動させるよ
うに面取り加工する。簡単な処理で流動性が向上する。
ゲート５からの樹脂は容易に２つの方向に別れて樹脂が
半導体チップ１の周囲に均一に被覆される。
【００３６】次に、図１９を参照して第１４の実施例を
説明する。図は、樹脂封止体成型金型にリードフレーム
を装着した時のゲートとキャビテイの境界部分を示す部
分断面図であり、樹脂封止時のリードフレームの状態を
示している。樹脂封止体成型金型９のキャビティ４及び
ゲート５は、上金型９１及び下金型９２の合せ面に形成
される。キャビティ４内にはリードフレームの樹脂封止
される部分が配置されており、ゲート５には、キャビテ
ィ４内に注入される流動化された樹脂が供給される。そ
して、キャビティ４とゲート５の境界部分に外枠２１の
切り込み部と樹脂流動制御体７で形成される空間部６が
形成されている。この空間部６が樹脂の移動を容易にし
ている。半導体チップ１は、エポキシ樹脂などの接着剤
８により樹脂流動制御体７から続く半導体チップ支持体
２７に固定されている。半導体チップ１はキャビティ４
の上下方向の中心に位置するように配置されている。し
たがって、ポットから前記金型に供給された樹脂は流動
化され、ゲート５に供給された樹脂は、樹脂流動制御体
７によって、キャビティ４に均一に供給される。この実
施例では、流動化した樹脂を容易に上下均等に分けられ
るように樹脂流動制御体７の外枠２１に対向した側面１
０の上下の辺を流動してきた樹脂を容易に流動させるよ
うに角切りし、断面台形状に加工する。簡単な処理で流
動性が向上する。ゲート５からの樹脂は容易に２つの方
向に別れて樹脂が半導体チップ１の周囲に均一に被覆さ
れる。
【００３７】次に、図２０を参照して第１５の実施例を
説明する。図は、樹脂封止体成型金型にリードフレーム
を装着した時のゲートとキャビテイの境界部分を示す部
分断面図であり、樹脂封止時のリードフレームの状態を
示している。樹脂封止体成型金型９のキャビティ４及び
ゲート５は、上金型９１及び下金型９２の合せ面に形成
される。キャビティ４内にはリードフレームの樹脂封止
される部分が配置されており、ゲート５には、キャビテ
ィ４内に注入される流動化された樹脂が供給される。そ
して、キャビティ４とゲート５の境界部分に外枠２１の
切り込み部と樹脂流動制御体７で形成される空間部６が
形成されている。この空間部６が樹脂の移動を容易にし
ている。半導体チップ１は、エポキシ樹脂などの接着剤
８により樹脂流動制御体７から続く半導体チップ支持体
２７に固定されている。半導体チップ１はキャビティ４
の上下方向の中心に位置するように配置されている。し
たがって、ポットから前記金型に供給された樹脂は流動
化され、ゲート５に供給された樹脂は、樹脂流動制御体
７によって、キャビティ４に均一に供給される。この実
施例では、流動化した樹脂を容易に上下均等に分けられ
るように樹脂流動制御体７の外枠２１に対向した側面１
０の上下の辺を流動してきた樹脂を上下に均等に分ける
ようにエッチング処理し、側面中央部分に鋭角な先端を
形成する。簡単な処理で流動性が向上する。ゲート５か
らの樹脂は均一に２つの方向に別れて樹脂が半導体チッ
プ１の周囲に均一に被覆される。樹脂がキャビティ４に
注入されて樹脂封止体が形成されると、半導体チップ１
はパッケージの厚さの方向の中心に位置するように配置
する事が可能になる。
【００３８】次に、図２１を参照して第１６の実施例を
説明する。図は、樹脂封止体成型金型にリードフレーム
を装着した時のゲートとキャビテイの境界部分を示す部
分断面図であり、樹脂封止時のリードフレームの状態を
示している。樹脂封止体成型金型９のキャビティ４及び
ゲート５は、上金型９１及び下金型９２の合せ面に形成
される。キャビティ４内にはリードフレームの樹脂封止
される部分が配置されており、ゲート５には、キャビテ
ィ４内に注入される流動化された樹脂が供給される。そ
して、キャビティ４とゲート５の境界部分に外枠２１の
切り込み部と樹脂流動制御体７で形成される空間部６が
形成されている。この空間部６が樹脂の移動を容易にし
ている。半導体チップ１は、エポキシ樹脂などの接着剤
８により樹脂流動制御体７から続く半導体チップ支持体
２７に固定されている。半導体チップ１はキャビティ４
の上下方向の中心に位置するように配置されている。し
たがって、ポットから前記金型に供給された樹脂は流動
化され、ゲート５に供給された樹脂は、樹脂流動制御体
７によって、キャビティ４に均一に供給される。この実
施例では、流動化した樹脂を容易に上下均等に分けられ
るように樹脂流動制御体７の外枠２１に対向した側面１
０の上下の辺を流動してきた樹脂を上下に均等に分ける
ように角切りし、断面台形状に加工する。さらにこの樹
脂流動制御体７の側面１０をゲート５近傍に接近させる
事によって激しい樹脂の流動も容易に制御できるように
なる。第１０乃至第１５の実施例では、樹脂流動制御体
７の側面１０はゲート５端部から離れているが、この実
施例では、ゲート５に近接させており、樹脂の流れが均
一に２つに分かれて流れるようになっている。したがっ
てゲート５から注入された樹脂は均一に２つの方向に別
れて樹脂が半導体チップ１の周囲に均一に被覆される。
【００３９】次に、図２２を参照して第１７の実施例を
説明する。図は、樹脂封止体成型金型にリードフレーム
を装着した時のゲートとキャビテイの境界部分を示す部
分断面図であり、樹脂封止時のリードフレームの状態を
示している。樹脂封止体成型金型９のキャビティ４及び
ゲート５は、上金型９１及び下金型９２の合せ面に形成
される。キャビティ４内にはリードフレームの樹脂封止
される部分が配置されており、ゲート５には、キャビテ
ィ４内に注入される流動化された樹脂が供給される。そ
して、キャビティ４とゲート５の境界部分に外枠２１の
切り込み部と樹脂流動制御体７で形成される空間部６が
形成されている。この空間部６が樹脂の移動を容易にし
ている。半導体チップ１は、エポキシ樹脂などの接着剤
８により樹脂流動制御体７から続く半導体チップ支持体
２７に固定されている。半導体チップ１はキャビティ４
の上下方向の中心に位置するように配置されている。し
たがって、ポットから前記金型に供給された樹脂は流動
化され、ゲート５に供給された樹脂は、樹脂流動制御体
７によって、キャビティ４に均一に供給される。この実
施例では、流動化した樹脂を容易に上下均等に分けられ
るように樹脂流動制御体７の外枠２１に対向した側面１
０の上下の辺を流動してきた樹脂を上下に均等に分ける
ようにエッチング処理し、側面中央部分に鋭角な先端を
形成する。さらにこの先端は第１５の実施例とよりも鋭
角にしており、また、この先端をゲート４内に深く挿入
されているので、均一に樹脂の流れが分離する。その結
果ゲート５からの樹脂は均一に２つの方向に別れて樹脂
が半導体チップ１の周囲に均一に被覆される。
【００４０】以上各実施例に示したように、樹脂がキャ
ビティ４に注入されて樹脂封止体が形成されると、半導
体チップ１はパッケージの厚さの方向の中心に位置する
ように配置する事が可能になる。ゲートの厚さは、従来
２５０μｍ程度であったものが、本発明では１５０μｍ
にすることができるので、図１４に示すような薄型の樹
脂封止型半導体装置（厚さ０．１５〜１ｍｍ程度）に最
適である。この様なゲートの厚さのゲートを用いるとエ
ポキシ樹脂などの樹脂に添加されるフィラーは、樹脂の
流動を良くするために粒度の小さいものを選択する必要
がある。
【００４１】
【発明の効果】トランスファ成形時のゲート部分に位置
するリードフレームの外枠部分からパッケージ内部に至
る樹脂流動制御体と外枠の切り込み部で形成される空間
部分により安定したパッケージ内部への樹脂流動が可能
になる。これにより大幅に半導体チップの傾きが抑えら
れる。また、半導体チップを搭載するためのダイパッド
部分を持たないリードフレームを用いる場合には、半導
体チップはその側面でリードフレームの厚さ方向の中心
部分に固定されていて、半導体チップの上下に位置する
樹脂の厚さがほぼ等しくなるように構成され、その結果
半導体チップの浮き沈みも大幅に抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例のリードフレームの平面
図。
【図２】図１のＡ−Ａ′線に沿う部分のリードフレーム
と金型の断面図。
【図３】第２の実施例のリードフレームの平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ′線に沿う部分のリードフレーム
と金型の断面図。
【図５】第３の実施例のリードフレームの平面図。
【図６】図５のＡ−Ａ′線に沿う部分のリードフレーム
と金型の断面図。
【図７】第４の実施例のリードフレームの平面図。
【図８】図７のＡ−Ａ′線に沿う部分のリードフレーム
と金型の断面図。
【図９】第５の実施例のリードフレームの平面図。
【図１０】第６の実施例のリードフレームの平面図。
【図１１】第７の実施例のリードフレームの平面図。
【図１２】第８の実施例のリードフレームの平面図。
【図１３】第９の実施例のリードフレームの平面図。
【図１４】図１３のＡ−Ａ′線に沿う部分のリードフレ
ームと半導体装置の断面図。
【図１５】第１０の実施例のリードフレームと金型の断
面図。
【図１６】第１１の実施例のリードフレームと金型の断
面図。
【図１７】第１２の実施例のリードフレームと金型の断
面図。
【図１８】第１３の実施例のリードフレームと金型の断
面図。
【図１９】第１４の実施例のリードフレームと金型の断
面図。
【図２０】第１５の実施例のリードフレームと金型の断
面図。
【図２１】第１６の実施例のリードフレームと金型の断
面図。
【図２２】第１７の実施例リードフレームと金型の断面
図。
【図２３】従来の樹脂封止工程断面図。
【図２４】従来の樹脂封止工程断面図。
【図２５】従来のリードフレームの平面図。
【図２６】図２５のＡ−Ａ′線に沿う部分のリードフレ
ームと金型の断面図。
【図２７】従来のリードフレームの平面図。
【図２８】図７のＡ−Ａ′線に沿う部分のリードフレー
ムと金型の断面図。
【図２９】従来のリードフレームの平面図。
【図３０】樹脂封止体成型用金型の平面図。
【図３１】従来の樹脂封止体成型用金型の平面図。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ リードフレーム ３ ボンディングワイヤ ４ キャビティ ５ ゲート ６ 空間部 ７ 樹脂流動制御体 ８ 接着剤 ９ 樹脂封止体成型用金型 １０ 樹脂流動制御体の側面 ２０ ポット ２１ 外枠 ２２ ダイパッド ２３ インナーリード ２４ アウターリード ２５ つりピン ２６ 切り込み部 ４０ プランジャー ７０ 樹脂タブレット ７１ 樹脂封止体 ８０ カル ９０ ランナー ９１ 上金型 ９２ 下金型

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外枠と、 前記外枠に支持され、インナーリードとアウターリード
    とから構成された複数のリードと、 前記外枠の間に配置され、前記インナーリードの先端が
    近接して対向しているダイパッドと、 前記外枠に取り付けられ、この外枠と向かい合うように
    形成された樹脂流動制御体と、 前記外枠と前記樹脂流動制御体とで形成される空間部と
    を備え、 この樹脂流動制御体は、ゲート及びこのゲートに連続的
    に接続しているキャビティを有する樹脂封止体成型用金
    型に装着される際に前記キャビティ内に配置され、前記
    空間部は、前記ゲートと前記キャビティの間に配置され
    ることを特徴とするリードフレーム。
  2. 【請求項２】 外枠と、 前記外枠に支持され、インナーリードとアウターリード
    とから構成された複数のリードと、 前記外枠に取り付けられ、この外枠と向かい合うように
    形成された樹脂流動制御体と、 前記外枠と前記樹脂流動制御体とで形成される空間部と
    を備え、 この樹脂流動制御体は、ゲート及びこのゲートに連続的
    に接続しているキャビティを有する樹脂封止体成型用金
    型に装着される際に、前記キャビティ内に配置され、前
    記空間部は、前記ゲートと前記キャビティの間に配置さ
    れることを特徴とするリードフレーム。
  3. 【請求項３】 前記外枠の前記樹脂流動制御体と向い合
    う部分に切り込み部が形成されてなることを特徴とする
    請求項１又は請求項２に記載のリードフレーム。
  4. 【請求項４】 前記樹脂流動制御体には半導体チップを
    保持する支持体が取り付けられていることを特徴とする
    請求項２に記載のリードフレーム。
  5. 【請求項５】 前記樹脂流動制御体は、平面形状が半円
    形であることを特徴とする請求項３に記載のリードフレ
    ーム。
  6. 【請求項６】 前記樹脂流動制御体には前記ダイパッド
    が接続され、このダイパッドを支持するつりピンが取り
    付けられていることを特徴とする請求項１、請求項３及
    び請求項５のいづれかに記載のリードフレーム。
  7. 【請求項７】 前記樹脂流動制御体には、隣接する前記
    インナーリードが接続されていることを特徴とする請求
    項１乃至請求項６のいづれかに記載のリードフレーム。
  8. 【請求項８】 前記樹脂流動制御体の前記外枠と対向す
    る部分は角部分が面取りされていることを特徴とする請
    求項１乃至請求項７のいずれかに記載のリードフレー
    ム。
  9. 【請求項９】 前記リードフレームを前記樹脂封止体成
    型用金型の上金型及び下金型に挟持する際に前記樹脂流
    動制御体は、前記キャビティの上下方向の中心になるよ
    うに配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求
    項８のいづれかに記載のリードフレーム。
  10. 【請求項１０】 外枠に取り付けられ、この外枠と向か
    い合うように形成された樹脂流動制御体と前記外枠とこ
    の樹脂流動制御体とで形成される空間部を有し、半導体
    チップを搭載したリードフレームをゲート及びこのゲー
    トに連続的に接続するキャビティを有する樹脂封止体成
    型用金型の上金型及び下金型に挟持させ、この樹脂流動
    制御体はキャビティ内に配置し、前記空間部は前記ゲー
    トと前記キャビティの間に配置する工程と、 前記ゲートから流動化した樹脂を前記キャビティ内に注
    入してリードフレームと半導体チップを被覆する樹脂封
    止体を形成する工程とを備え、 前記樹脂は、前記ゲートから前記キャビティ内に注入さ
    れる際に前記樹脂流動制御体によって上下に均一に充填
    されるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
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