JPH01192154A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH01192154A JPH01192154A JP63015858A JP1585888A JPH01192154A JP H01192154 A JPH01192154 A JP H01192154A JP 63015858 A JP63015858 A JP 63015858A JP 1585888 A JP1585888 A JP 1585888A JP H01192154 A JPH01192154 A JP H01192154A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 42
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野］
本発明は、リードフレームに関し、例えば半導体集積回
路装置に使用され半導体素子を樹脂封止した場合におけ
る樹脂欠如すなわちボイド９発生を防止することが可能
なリードフレームに関する。
路装置に使用され半導体素子を樹脂封止した場合におけ
る樹脂欠如すなわちボイド９発生を防止することが可能
なリードフレームに関する。
［従来の技術］
第５図（ａ）および（ｂ）は、半導体集積回路装置に使
用されている従来のリードフレーム１の形状を示す。こ
のリードフレーム１は、半導体回路素子（チップ）が載
置されるベース部３と、インナリード部５と、インナリ
ード部５とつながっているアウタリード部７と、外郭フ
レーム部９とを備えている。
用されている従来のリードフレーム１の形状を示す。こ
のリードフレーム１は、半導体回路素子（チップ）が載
置されるベース部３と、インナリード部５と、インナリ
ード部５とつながっているアウタリード部７と、外郭フ
レーム部９とを備えている。
このようなリードフレーム１においては、ベース部３の
上に半導体チップが取付られかっこの半導体チップの各
ポンディングパッドと対応するインナリード先端部とが
ボンディングワイヤによって接続された後、図示しない
金型等を使用して樹脂モールドが行なわれる。第５図（
ａ）の−点鎖線はこの場合に使用される金型のキャビテ
ィ部１１およびこのキャビティ部１１に樹脂を注入する
ためのゲート部１３を示す。また、このゲート部１３お
よびキャビティ部１１は第５図（ｂ）に示す断面形状を
有している。そして、前記半導体チップが取付られたリ
ードフレーム１がこの金型内にセットされた後ゲート部
１３を介して樹脂が注入される。
上に半導体チップが取付られかっこの半導体チップの各
ポンディングパッドと対応するインナリード先端部とが
ボンディングワイヤによって接続された後、図示しない
金型等を使用して樹脂モールドが行なわれる。第５図（
ａ）の−点鎖線はこの場合に使用される金型のキャビテ
ィ部１１およびこのキャビティ部１１に樹脂を注入する
ためのゲート部１３を示す。また、このゲート部１３お
よびキャビティ部１１は第５図（ｂ）に示す断面形状を
有している。そして、前記半導体チップが取付られたリ
ードフレーム１がこの金型内にセットされた後ゲート部
１３を介して樹脂が注入される。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、このような従来のリードフレームにおいては
、ゲートからインナリードまでの距離が離れているため
成形樹脂が比較的スムーズに流れ、成形樹脂がゲート部
を通過した時にエアーを巻き込みやすいため、およびゲ
ート部出口付近に近い金型キャビティのコーナ部分への
圧力伝達効率が悪いこと等のため、該コーナ部分付近等
に樹脂の欠落部（ボイド）を生じやすいという不都合が
あった。このようなボイドは、成形樹脂のトランスファ
速度および圧力を高くしかつトランスファ成形装置の樹
脂通路の形状の工夫等によっである程度は改善されるが
、これらの措置によっても完全にボイドをふせぐことは
不可能であるとともに、これらの措置によって他の不都
合、例えばトランスファ速度をあまりに速くするとイン
ナリードのワイヤ流れを生じ、またトランスファ圧力を
高くしすぎるといわゆるモールドフラッシュを発生しや
すくなるおそれがあった。
、ゲートからインナリードまでの距離が離れているため
成形樹脂が比較的スムーズに流れ、成形樹脂がゲート部
を通過した時にエアーを巻き込みやすいため、およびゲ
ート部出口付近に近い金型キャビティのコーナ部分への
圧力伝達効率が悪いこと等のため、該コーナ部分付近等
に樹脂の欠落部（ボイド）を生じやすいという不都合が
あった。このようなボイドは、成形樹脂のトランスファ
速度および圧力を高くしかつトランスファ成形装置の樹
脂通路の形状の工夫等によっである程度は改善されるが
、これらの措置によっても完全にボイドをふせぐことは
不可能であるとともに、これらの措置によって他の不都
合、例えばトランスファ速度をあまりに速くするとイン
ナリードのワイヤ流れを生じ、またトランスファ圧力を
高くしすぎるといわゆるモールドフラッシュを発生しや
すくなるおそれがあった。
本発明の目的は、前述の従来形における問題点にかんが
み、半導体集積回路装置等における樹脂モールドパッケ
ージのボイドの発生を防止して適切な樹脂封止が行なわ
れるようにするとともに、良好な外観形状が得られるよ
うにすることにある。
み、半導体集積回路装置等における樹脂モールドパッケ
ージのボイドの発生を防止して適切な樹脂封止が行なわ
れるようにするとともに、良好な外観形状が得られるよ
うにすることにある。
［課題を解決するための手段］
上述の目的を達成するため本発明に係るリードフレーム
は、内部素子に電気的に接続されかつ該内部素子ととも
に金型キャビティ内に収められて樹脂成形されるインナ
リード部と、該インナリード部につながるアウタリード
部とを具備し、前記インナリード部に樹脂成形のための
前記金型のゲートを通過した樹脂流が衝突する突出部を
備えている。また、前記内部素子は例えば半導体集積回
路チップとされる。
は、内部素子に電気的に接続されかつ該内部素子ととも
に金型キャビティ内に収められて樹脂成形されるインナ
リード部と、該インナリード部につながるアウタリード
部とを具備し、前記インナリード部に樹脂成形のための
前記金型のゲートを通過した樹脂流が衝突する突出部を
備えている。また、前記内部素子は例えば半導体集積回
路チップとされる。
［作 用］
上述の構成においては、金型のゲート部を通過した樹脂
流はキャビティの入口付近でまずインナリードの前記突
出部にぶつかる。このため、キャビティの入口付近のコ
ーナ部のエアーが追出され、該コーナ部付近への圧力伝
達効率がよくなり、成形樹脂が該コーナ部にも完全に充
填され、パッケージ内部のボイドおよび外観ボイドが適
格に防止されることになる。
流はキャビティの入口付近でまずインナリードの前記突
出部にぶつかる。このため、キャビティの入口付近のコ
ーナ部のエアーが追出され、該コーナ部付近への圧力伝
達効率がよくなり、成形樹脂が該コーナ部にも完全に充
填され、パッケージ内部のボイドおよび外観ボイドが適
格に防止されることになる。
［実 施 例］
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は、本発明の１実施例に係る
リードフレーム１０の形状を示す。このリードフレーム
１０も、第５図に示すものと同様に、半導体回路素子（
チップ）が載置されるベース部３と、インナリード部１
５と、インナリード部１５とつながっているアウタリー
ド部７と、外郭フレーム部９とを備えているが、インナ
リード部１５の形状が第５図に示すものと異なる。すな
わち、第１図（ａ）に示されるように、インナリード部
１５の内、ゲート部１３に近い部分に突出部が設けられ
ている。なお、第１図においては、該突出部はインナリ
ード部の各外側の４か所のインナリードに設けられてい
るが、該突出部はゲート部に対応する箇所等のみに設け
ることも可能である。また、同図において、点線は第５
図（ａ）に示される従来のリードフレーム１のインナリ
ードの形状を示している。
リードフレーム１０の形状を示す。このリードフレーム
１０も、第５図に示すものと同様に、半導体回路素子（
チップ）が載置されるベース部３と、インナリード部１
５と、インナリード部１５とつながっているアウタリー
ド部７と、外郭フレーム部９とを備えているが、インナ
リード部１５の形状が第５図に示すものと異なる。すな
わち、第１図（ａ）に示されるように、インナリード部
１５の内、ゲート部１３に近い部分に突出部が設けられ
ている。なお、第１図においては、該突出部はインナリ
ード部の各外側の４か所のインナリードに設けられてい
るが、該突出部はゲート部に対応する箇所等のみに設け
ることも可能である。また、同図において、点線は第５
図（ａ）に示される従来のリードフレーム１のインナリ
ードの形状を示している。
このようなリードフレーム１０はそのベース部３に半導
体チップが取付けられかつこの半導体チップのポンディ
ングパッドとインナリード部１５の各インナリードの先
端部とがボンディングワイヤによって接続された後、第
１図（Ｌ）に１点鎖線で示す金型キャビティ１１に収め
られて樹脂成型される。この場合、第１図（ｂ）に示す
ようにゲート部１３から注入された樹脂流はキャビティ
の入口付近でリードフレームのインナリード部１５の突
出部にぶつかる。このため、点線矢印で示すように、樹
脂流がゲート出口付近に近いキャビティのコーナ部のエ
アーを追出すように流れ、樹脂がキャビティコーナまで
完全に充填される。
体チップが取付けられかつこの半導体チップのポンディ
ングパッドとインナリード部１５の各インナリードの先
端部とがボンディングワイヤによって接続された後、第
１図（Ｌ）に１点鎖線で示す金型キャビティ１１に収め
られて樹脂成型される。この場合、第１図（ｂ）に示す
ようにゲート部１３から注入された樹脂流はキャビティ
の入口付近でリードフレームのインナリード部１５の突
出部にぶつかる。このため、点線矢印で示すように、樹
脂流がゲート出口付近に近いキャビティのコーナ部のエ
アーを追出すように流れ、樹脂がキャビティコーナまで
完全に充填される。
第２図は上述のリードフレームを使用した半導体集積回
路装置の樹脂封止工程を示す。この工程においては、ま
ず第２図（ａ）に示すように、モールド金型に前述のよ
うにして半導体チップがマラントされかつワイヤーボン
ディングされたリードフレームがセットされる。このモ
ールド金型は同図の斜線部で示す上金型２１および下金
型２３を有し、上金型２１には上キャビティ２５とプラ
ンジャ２７が挿入されるポット２９が設けられている。
路装置の樹脂封止工程を示す。この工程においては、ま
ず第２図（ａ）に示すように、モールド金型に前述のよ
うにして半導体チップがマラントされかつワイヤーボン
ディングされたリードフレームがセットされる。このモ
ールド金型は同図の斜線部で示す上金型２１および下金
型２３を有し、上金型２１には上キャビティ２５とプラ
ンジャ２７が挿入されるポット２９が設けられている。
また、上キャビティ２５と後述する下キャビティ３３の
出口には空気抜きのためのエアーベント３１が設けられ
ている。下金型２３には下キャビティ３３の他にこの下
キャビティ３３に通じるゲート３５およびこのゲート３
５にランナ３７を介して連通するカル部３９が設けられ
ている。
出口には空気抜きのためのエアーベント３１が設けられ
ている。下金型２３には下キャビティ３３の他にこの下
キャビティ３３に通じるゲート３５およびこのゲート３
５にランナ３７を介して連通するカル部３９が設けられ
ている。
次に、第２図（ｂ）に示すように、上金型２１と下金型
２３とがクランプされた後、第２図（Ｃ）に示すように
成形用樹脂４１がポット内に入れられる。そして、第２
図（ｄ）のようにモールドブレスのシリンダによってプ
ランジャ２７が動かされ樹脂をキャビティに注入する。
２３とがクランプされた後、第２図（Ｃ）に示すように
成形用樹脂４１がポット内に入れられる。そして、第２
図（ｄ）のようにモールドブレスのシリンダによってプ
ランジャ２７が動かされ樹脂をキャビティに注入する。
樹脂は通常例えばエポキシ樹脂が使用され、この樹脂は
縞硬化型であるため第２図（ｅ）のように金型内で所定
時間加熱することによって硬化する。このようにして硬
化が終了すると金型のクランプが解除され第２図（ｆ）
のように被成形品が取出される。
縞硬化型であるため第２図（ｅ）のように金型内で所定
時間加熱することによって硬化する。このようにして硬
化が終了すると金型のクランプが解除され第２図（ｆ）
のように被成形品が取出される。
第３図は、本発明に係るリードフレームを用いて半導体
デバイスの樹脂成形を行なうために使用されるトランス
ファ成形用の金型の全体構成を示す。この金型は成形用
樹脂がセットされるカル部３９と、このカル部３９に連
通するランナ３７と、さらにこのランナ３７にゲートを
介して連通ずる多数のキャビティ４３を有する。各キャ
ビティ４３は半導体集積回路装置の本体となる部分を形
成するための凹部である。通常１個の金型には１０から
２０枚のリードフレーム１０のセットが可能な大きさと
なっている。
デバイスの樹脂成形を行なうために使用されるトランス
ファ成形用の金型の全体構成を示す。この金型は成形用
樹脂がセットされるカル部３９と、このカル部３９に連
通するランナ３７と、さらにこのランナ３７にゲートを
介して連通ずる多数のキャビティ４３を有する。各キャ
ビティ４３は半導体集積回路装置の本体となる部分を形
成するための凹部である。通常１個の金型には１０から
２０枚のリードフレーム１０のセットが可能な大きさと
なっている。
このような構成において、前述のように半導体チップを
マウントしかつワイヤボンディングしたリードフレーム
１０をモールド金型にセットした後、ポットから樹脂を
各キャビティ４３に注入する。
マウントしかつワイヤボンディングしたリードフレーム
１０をモールド金型にセットした後、ポットから樹脂を
各キャビティ４３に注入する。
これにより、第３図Ｃ部に対応して第４図に示すように
リードフレームのインナリード部以内の部分が樹脂モー
ルドされた半完成品が得られる。
リードフレームのインナリード部以内の部分が樹脂モー
ルドされた半完成品が得られる。
このようにして得られた半完成品の外郭リード部および
アウタリード間の金属部分の切除等を行なうことにより
半導体製品が完成する。
アウタリード間の金属部分の切除等を行なうことにより
半導体製品が完成する。
なお、上述の実施例においては各ゲートがパッケージ下
側に設けられる下ゲート構造とされているが、本発明は
これに限らず例えば上ゲート構造とすることも可能であ
る。上ゲート構造とした場合には外観ボイドは特にキャ
ビティ入口の上部コーナ付近に発生する可能性があるが
、本発明に係るリードフレームを使用することによって
このような場合にもボイドの発生を効果的に防止するこ
とが可能になる。
側に設けられる下ゲート構造とされているが、本発明は
これに限らず例えば上ゲート構造とすることも可能であ
る。上ゲート構造とした場合には外観ボイドは特にキャ
ビティ入口の上部コーナ付近に発生する可能性があるが
、本発明に係るリードフレームを使用することによって
このような場合にもボイドの発生を効果的に防止するこ
とが可能になる。
［発明の効果コ
以上のように、本発明によれば、きわめて簡単な構造で
半導体集積回路等のモールドパッケージにおける樹脂欠
除すなわちボイドの発生を防止し、的確な樹脂封止を可
能にするとともに、長野な外観形状をも提供する。
半導体集積回路等のモールドパッケージにおける樹脂欠
除すなわちボイドの発生を防止し、的確な樹脂封止を可
能にするとともに、長野な外観形状をも提供する。
第１図（ａ）および第１図（ｂ）はそれぞれ、本発明の
一実施例に係るリードフレームの構造を示す平面図およ
びＡ−Ａ線からみた断面図、第２図（ａ）から第２図（
ｆ）までは、第１図のリードフレームを使用した半導体
集積回路装置の樹脂封止工程を示す説明図、 第３図は、第２図の工程に使用されている金型の全体構
成を示す平面図、 第４図（ａ）、第４図（ｂ）、および第４図（Ｃ）はそ
れぞれ、樹脂モールドされたリードフレームを示す平面
図、側面図、および正面図、そして 第５図（ａ）および第５図（ｂ）はそれぞれ、従来のリ
ードフレームの形状を示す平面図およびＢ−Ｂ線からみ
た断面図である。 １、ＩＣ）：リードフレーム、 ３：ベース部、５．
１５：インナリード部、 ７：アウターリード部、 ９：外郭フレーム、１１：キ
ャビティ、 １３：ゲート部、２１：上金型、 ２３
：下金型、 ２５：上キャビティ、 ２７：ブランジャ、２９：ポッ
ト、 ３１：エアーベント、３３：下キャビティ、
３５：ゲート、３７：ランチ、 ３９：カル部、 ４１：樹脂、 ４３：キャビティ。
一実施例に係るリードフレームの構造を示す平面図およ
びＡ−Ａ線からみた断面図、第２図（ａ）から第２図（
ｆ）までは、第１図のリードフレームを使用した半導体
集積回路装置の樹脂封止工程を示す説明図、 第３図は、第２図の工程に使用されている金型の全体構
成を示す平面図、 第４図（ａ）、第４図（ｂ）、および第４図（Ｃ）はそ
れぞれ、樹脂モールドされたリードフレームを示す平面
図、側面図、および正面図、そして 第５図（ａ）および第５図（ｂ）はそれぞれ、従来のリ
ードフレームの形状を示す平面図およびＢ−Ｂ線からみ
た断面図である。 １、ＩＣ）：リードフレーム、 ３：ベース部、５．
１５：インナリード部、 ７：アウターリード部、 ９：外郭フレーム、１１：キ
ャビティ、 １３：ゲート部、２１：上金型、 ２３
：下金型、 ２５：上キャビティ、 ２７：ブランジャ、２９：ポッ
ト、 ３１：エアーベント、３３：下キャビティ、
３５：ゲート、３７：ランチ、 ３９：カル部、 ４１：樹脂、 ４３：キャビティ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部素子に電気的に接続されかつ該内部素子ととも
に金型キャビティ内に収められて樹脂成形されるインナ
リード部と、該インナリード部につながるアウタリード
部とを具備し、前記インナリード部に樹脂成形のための
前記金型のゲートを通過した樹脂流が衝突する突出部を
設けたことを特徴とするリードフレーム。 ２、前記内部素子は半導体集積回路チップである特許請
求の範囲第１項に記載のリードフレーム。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015858A JPH01192154A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | リードフレーム |
| US07/282,646 US4894704A (en) | 1988-01-28 | 1988-12-12 | Lead frame having projections for resin molding |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63015858A JPH01192154A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01192154A true JPH01192154A (ja) | 1989-08-02 |
Family
ID=11900499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63015858A Pending JPH01192154A (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | リードフレーム |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4894704A (ja) |
| JP (1) | JPH01192154A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW199235B (en) * | 1991-05-27 | 1993-02-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | Method to enclose semiconductor devices in resin and semiconductor apparatuses |
| US5197183A (en) * | 1991-11-05 | 1993-03-30 | Lsi Logic Corporation | Modified lead frame for reducing wire wash in transfer molding of IC packages |
| US5275546A (en) * | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Fierkens Richard H J | Plastic encapsulation apparatus for an integrated circuit lead frame and method therefor |
| JPH06177303A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-06-24 | Texas Instr Inc <Ti> | 集積回路用のリード・フレーム及びその熱放散の最適化方法 |
| US5293065A (en) * | 1992-08-27 | 1994-03-08 | Texas Instruments, Incorporated | Lead frame having an outlet with a larger cross sectional area than the inlet |
| US5384487A (en) * | 1993-05-05 | 1995-01-24 | Lsi Logic Corporation | Off-axis power branches for interior bond pad arrangements |
| US5567655A (en) * | 1993-05-05 | 1996-10-22 | Lsi Logic Corporation | Method for forming interior bond pads having zig-zag linear arrangement |
| US5453583A (en) * | 1993-05-05 | 1995-09-26 | Lsi Logic Corporation | Interior bond pad arrangements for alleviating thermal stresses |
| JP2912134B2 (ja) * | 1993-09-20 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0888308A (ja) * | 1994-09-15 | 1996-04-02 | Toshiba Corp | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
| JP2871591B2 (ja) * | 1996-05-14 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 高周波用電子部品および高周波用電子部品の製造方法 |
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