JPH1022309A - 半導体素子の樹脂封止金型 - Google Patents
半導体素子の樹脂封止金型Info
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- JPH1022309A JPH1022309A JP8173156A JP17315696A JPH1022309A JP H1022309 A JPH1022309 A JP H1022309A JP 8173156 A JP8173156 A JP 8173156A JP 17315696 A JP17315696 A JP 17315696A JP H1022309 A JPH1022309 A JP H1022309A
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 63
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 22
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
- B29C45/2708—Gates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体素子を樹脂封止する成形金型におい
て、ゲート底辺の傾斜面の頂部中央に溝を設けることに
より、上下のキャビティ内を樹脂が均等に流入、充填す
ることができる半導体素子の樹脂封止金型を提供する。 【解決手段】 半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成形す
る金型において、モールドパッケージを形成するための
上下キャビティ内へ樹脂を注入するゲートの底辺の傾斜
面の頂部に傾斜底面３１、水平底面３２、テーパ側面３
３からなる凹形溝３４を形成する。
て、ゲート底辺の傾斜面の頂部中央に溝を設けることに
より、上下のキャビティ内を樹脂が均等に流入、充填す
ることができる半導体素子の樹脂封止金型を提供する。 【解決手段】 半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成形す
る金型において、モールドパッケージを形成するための
上下キャビティ内へ樹脂を注入するゲートの底辺の傾斜
面の頂部に傾斜底面３１、水平底面３２、テーパ側面３
３からなる凹形溝３４を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いる半導体素子の樹脂封止金型に関するものであ
る。
に用いる半導体素子の樹脂封止金型に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】器機の軽薄短小化に伴って、半導体素子
が樹脂封止されたモールドパッケージの厚さも薄形化が
進んでいる。従来、この種の熱硬化性樹脂による封止成
形は、金型を用いて行われている。その金型は、上型と
下型とで構成されているが、上型には、半導体素子を封
止しモールドパッケージを形成する上キャビティ、熱硬
化樹脂を加熱し可塑化させるカル部、下型には、そのタ
ブレット樹脂を余熱するポット、可塑化された樹脂を移
送するランナー、ゲート部、および、下キャビティが設
けられている。
が樹脂封止されたモールドパッケージの厚さも薄形化が
進んでいる。従来、この種の熱硬化性樹脂による封止成
形は、金型を用いて行われている。その金型は、上型と
下型とで構成されているが、上型には、半導体素子を封
止しモールドパッケージを形成する上キャビティ、熱硬
化樹脂を加熱し可塑化させるカル部、下型には、そのタ
ブレット樹脂を余熱するポット、可塑化された樹脂を移
送するランナー、ゲート部、および、下キャビティが設
けられている。
【０００３】そして、リードフレームは前工程でアイラ
ンドの上に素子がボンティングされ、ワイヤーで各リー
ド端子と配線されている。まず、そのリードフレームが
下型にセットされ、上型とで押さえられる。そして、可
塑化された樹脂は、ランナーを通ってゲートから上下キ
ャビティ内へ注入、充填されると共に、保圧され、樹脂
が硬化して封止成形が完了する。
ンドの上に素子がボンティングされ、ワイヤーで各リー
ド端子と配線されている。まず、そのリードフレームが
下型にセットされ、上型とで押さえられる。そして、可
塑化された樹脂は、ランナーを通ってゲートから上下キ
ャビティ内へ注入、充填されると共に、保圧され、樹脂
が硬化して封止成形が完了する。
【０００４】その後、金型よりリードフレームが取り出
され、固着したランナー、カルの樹脂をゲートから除去
し、図１０に示すような樹脂封止型半導体装置の成形品
を完成させる。図１０（ａ）はその半導体装置の平面
図、図１０（ｂ）はその半導体装置の正面図である。こ
れらの図において、１はリードフレーム、２はモールド
パッケージを示している。
され、固着したランナー、カルの樹脂をゲートから除去
し、図１０に示すような樹脂封止型半導体装置の成形品
を完成させる。図１０（ａ）はその半導体装置の平面
図、図１０（ｂ）はその半導体装置の正面図である。こ
れらの図において、１はリードフレーム、２はモールド
パッケージを示している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の成形金型では、ゲート部の断面が逆台形状で、
その底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かって
傾斜をなす構造となっている。このため、ゲートから注
入された樹脂は、下キャビティより上キャビティが早く
流入、充填されることとなる。よって、その上キャビテ
ィに流入した樹脂圧で素子が沈降され、結果として、モ
ールドパッケージ裏面にアイランドの底面が露出した成
形品となってしまうという問題点があった。
た従来の成形金型では、ゲート部の断面が逆台形状で、
その底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かって
傾斜をなす構造となっている。このため、ゲートから注
入された樹脂は、下キャビティより上キャビティが早く
流入、充填されることとなる。よって、その上キャビテ
ィに流入した樹脂圧で素子が沈降され、結果として、モ
ールドパッケージ裏面にアイランドの底面が露出した成
形品となってしまうという問題点があった。
【０００６】本発明は、以上述べた問題点を除去するた
めに、半導体素子を樹脂封止する成形金型において、ゲ
ート底辺の傾斜面の頂部中央に溝を設けることにより、
上下のキャビティ内を樹脂が均等に流入、充填すること
ができる半導体素子の樹脂封止金型を提供することを目
的とする。
めに、半導体素子を樹脂封止する成形金型において、ゲ
ート底辺の傾斜面の頂部中央に溝を設けることにより、
上下のキャビティ内を樹脂が均等に流入、充填すること
ができる半導体素子の樹脂封止金型を提供することを目
的とする。
【０００７】
〔１〕半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成形する金型に
おいて、モールドパッケージを形成するための上下キャ
ビティ内へ樹脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部
に溝を形成するようにしたものである。このように、成
形金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に溝を形成する
ようにしたので、上下のキャビティ内を樹脂が均等に流
入、充填することができ、良好な樹脂封止型半導体装置
を形成することができ、信頼性の確保を図ることができ
る。
おいて、モールドパッケージを形成するための上下キャ
ビティ内へ樹脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部
に溝を形成するようにしたものである。このように、成
形金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に溝を形成する
ようにしたので、上下のキャビティ内を樹脂が均等に流
入、充填することができ、良好な樹脂封止型半導体装置
を形成することができ、信頼性の確保を図ることができ
る。
【０００８】〔２〕上記〔１〕記載の半導体素子の樹脂
封止金型において、前記溝はテーパ側面と水平底面とか
らなる凹形溝である。このように、成形金型のゲート底
辺の傾斜面の頂部中央に水平底面とテーパ側面を有する
凹形溝を形成するようにしたので、樹脂の注入方向をバ
ランスさせることができ、上記した凹形溝が形成されて
いない、可塑化された樹脂は、従来のように半導体素子
が下方に強く押しつけられた状態で、流入、充填される
ことにより、モールドパッケージの裏面にアイランドの
底面が露出するということはなくなり、良好な樹脂封止
型半導体装置を形成することができ、信頼性の確保を図
ることができる。
封止金型において、前記溝はテーパ側面と水平底面とか
らなる凹形溝である。このように、成形金型のゲート底
辺の傾斜面の頂部中央に水平底面とテーパ側面を有する
凹形溝を形成するようにしたので、樹脂の注入方向をバ
ランスさせることができ、上記した凹形溝が形成されて
いない、可塑化された樹脂は、従来のように半導体素子
が下方に強く押しつけられた状態で、流入、充填される
ことにより、モールドパッケージの裏面にアイランドの
底面が露出するということはなくなり、良好な樹脂封止
型半導体装置を形成することができ、信頼性の確保を図
ることができる。
【０００９】〔３〕上記〔１〕記載の半導体素子の樹脂
封止金型において、前記溝はＶ字側面からなるＶ字溝で
ある。このように、成形金型のゲート底辺の傾斜面の頂
部中央にＶ字状の溝を形成することにより、ゲート底辺
の傾斜面の幅が狭いものにも適用できるとともに、上記
〔１〕と同等の作用効果を奏することができる。
封止金型において、前記溝はＶ字側面からなるＶ字溝で
ある。このように、成形金型のゲート底辺の傾斜面の頂
部中央にＶ字状の溝を形成することにより、ゲート底辺
の傾斜面の幅が狭いものにも適用できるとともに、上記
〔１〕と同等の作用効果を奏することができる。
【００１０】〔４〕上記〔１〕記載の半導体素子の樹脂
封止金型において、前記溝はテーパ側面とキャビテイ側
が低い逆傾斜底面とからなる逆傾斜凹形溝である。この
ように、成形金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に逆
傾斜凹形溝を形成することにより、ゲート底辺の傾斜面
の頂部より反キャビティ側となることから、成形後のカ
ル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去する際、モールド
パッケージのコーナーを折損することが無くなるととも
に、上記〔１〕と同様の作用効果を奏することができ
る。
封止金型において、前記溝はテーパ側面とキャビテイ側
が低い逆傾斜底面とからなる逆傾斜凹形溝である。この
ように、成形金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に逆
傾斜凹形溝を形成することにより、ゲート底辺の傾斜面
の頂部より反キャビティ側となることから、成形後のカ
ル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去する際、モールド
パッケージのコーナーを折損することが無くなるととも
に、上記〔１〕と同様の作用効果を奏することができ
る。
【００１１】〔５〕上記〔１〕記載の半導体素子の樹脂
封止金型において、前記溝はＶ字側面からなる逆傾斜Ｖ
字溝である。このように、成形金型のゲート底辺の傾斜
面の頂部中央に逆傾斜Ｖ字溝を形成することにより、ゲ
ート底辺の傾斜面の幅が狭いものにも適用でき、また、
逆傾斜Ｖ字溝の頂部は、ゲート底辺の傾斜面の頂部より
反キャビティ側となることから、成形後のカル、ランナ
ー、ゲート部の樹脂を除去する際、モールドパッケージ
のコーナーを折損することが無くなるとともに、上記
〔１〕と同様の作用効果を奏することができる。
封止金型において、前記溝はＶ字側面からなる逆傾斜Ｖ
字溝である。このように、成形金型のゲート底辺の傾斜
面の頂部中央に逆傾斜Ｖ字溝を形成することにより、ゲ
ート底辺の傾斜面の幅が狭いものにも適用でき、また、
逆傾斜Ｖ字溝の頂部は、ゲート底辺の傾斜面の頂部より
反キャビティ側となることから、成形後のカル、ランナ
ー、ゲート部の樹脂を除去する際、モールドパッケージ
のコーナーを折損することが無くなるとともに、上記
〔１〕と同様の作用効果を奏することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１実施例を示す樹脂封止金型のゲート部の斜視図、図
２はその樹脂封止金型のゲート部をキャビテイ側より見
た図、図３はその金型による樹脂封止型半導体装置の成
形工程を示す図である。
て図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の
第１実施例を示す樹脂封止金型のゲート部の斜視図、図
２はその樹脂封止金型のゲート部をキャビテイ側より見
た図、図３はその金型による樹脂封止型半導体装置の成
形工程を示す図である。
【００１３】図３において、１１は半導体素子を封止し
モールドパッケージを形成する上キャビティ、１２は熱
硬化性樹脂タブレット１８を加熱し可塑化させるカル部
であり、その上キャビティ１１とカル部１２は上型に設
けられている。また、１３はタブレットを加熱するポッ
ト、１４はランナー、１５はゲート、１６は下キャビテ
ィであり、上記ポット１３、ランナー１４、ゲート１
５、下キャビティ１６は下型に設けられている。また、
１７はプランジャーであり、成形装置に具備されてい
る。
モールドパッケージを形成する上キャビティ、１２は熱
硬化性樹脂タブレット１８を加熱し可塑化させるカル部
であり、その上キャビティ１１とカル部１２は上型に設
けられている。また、１３はタブレットを加熱するポッ
ト、１４はランナー、１５はゲート、１６は下キャビテ
ィであり、上記ポット１３、ランナー１４、ゲート１
５、下キャビティ１６は下型に設けられている。また、
１７はプランジャーであり、成形装置に具備されてい
る。
【００１４】ここで、図１に示すように、ゲート１５
は、断面が逆台形でその底辺はパーティング面（上キャ
ビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面３１、その傾斜
面の頂部中央に水平底面３２、硬化した樹脂を容易に離
型するためテーパー側面３３を備え、凹形溝３４を設け
た２段構造になっている。また、図３において、１８は
熱硬化性樹脂タブレット、１９はリードフレーム、２０
はモールドパッケージの薄形対応にダウンセットされた
アイランド、２１はそのアイランドの上面にボンディン
グされた半導体素子、２２は半導体素子２１とリード端
子との配線ワイヤーである。
は、断面が逆台形でその底辺はパーティング面（上キャ
ビティ）に向かって傾斜をなす傾斜底面３１、その傾斜
面の頂部中央に水平底面３２、硬化した樹脂を容易に離
型するためテーパー側面３３を備え、凹形溝３４を設け
た２段構造になっている。また、図３において、１８は
熱硬化性樹脂タブレット、１９はリードフレーム、２０
はモールドパッケージの薄形対応にダウンセットされた
アイランド、２１はそのアイランドの上面にボンディン
グされた半導体素子、２２は半導体素子２１とリード端
子との配線ワイヤーである。
【００１５】以下、本発明の金型を用いた樹脂封止型半
導体装置の成形工程について図３を参照しながら説明す
る。まず、図３（ａ）に示すように、リードフレーム１
９が下型にセットされると共に、ポット１３内に、熱硬
化性樹脂タブレット１８が投入される。そして、金型上
下が閉じられる。
導体装置の成形工程について図３を参照しながら説明す
る。まず、図３（ａ）に示すように、リードフレーム１
９が下型にセットされると共に、ポット１３内に、熱硬
化性樹脂タブレット１８が投入される。そして、金型上
下が閉じられる。
【００１６】この状態で、図３（ｂ）に示すように、加
熱された熱硬化性樹脂タブレット１８は、プランジャー
１７により加圧される。カル部１２で加熱、可塑化され
た樹脂１８´は、ランナー１４を通って、ゲート１５か
ら、上下キャビティ１１，１６内へ注入される。ここ
で、可塑化された樹脂１８´は、図１に示すように、ゲ
ート１５において、傾斜底面３１、水平底面３２、テー
パ側面３３からなる凹形溝３４により、注入方向が変わ
り、上下キャビティ１１，１６内へバランスよく流入、
充填される。
熱された熱硬化性樹脂タブレット１８は、プランジャー
１７により加圧される。カル部１２で加熱、可塑化され
た樹脂１８´は、ランナー１４を通って、ゲート１５か
ら、上下キャビティ１１，１６内へ注入される。ここ
で、可塑化された樹脂１８´は、図１に示すように、ゲ
ート１５において、傾斜底面３１、水平底面３２、テー
パ側面３３からなる凹形溝３４により、注入方向が変わ
り、上下キャビティ１１，１６内へバランスよく流入、
充填される。
【００１７】更に、可塑化された樹脂１８´が流入し、
図３（ｃ）に示すように、上下キャビティ１１，１６内
の全てに充填されると保圧される。そして、可塑化され
た樹脂１８´は硬化し、半導体素子の封止成形が完了す
る。以上のように、第１実施例によれば、成形金型のゲ
ート１５底辺の傾斜面の頂部中央に水平底面３２とテー
パ側面３３を有する凹形溝３４を形成するようにしたの
で、樹脂の注入方向をバランスさせることができ、従来
の問題点で示したように、モールドパッケージの裏面に
アイランドの底面が露出するということはなくなり、良
好な樹脂封止型半導体装置を形成することができ、信頼
性の確保を図ることができる。
図３（ｃ）に示すように、上下キャビティ１１，１６内
の全てに充填されると保圧される。そして、可塑化され
た樹脂１８´は硬化し、半導体素子の封止成形が完了す
る。以上のように、第１実施例によれば、成形金型のゲ
ート１５底辺の傾斜面の頂部中央に水平底面３２とテー
パ側面３３を有する凹形溝３４を形成するようにしたの
で、樹脂の注入方向をバランスさせることができ、従来
の問題点で示したように、モールドパッケージの裏面に
アイランドの底面が露出するということはなくなり、良
好な樹脂封止型半導体装置を形成することができ、信頼
性の確保を図ることができる。
【００１８】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図４は本発明の第２実施例を示す樹脂封止金型のゲ
ート部の斜視図、図５はその樹脂封止金型のゲート部を
キャビテイ側より見た図である。この実施例では、図４
に示すように、ゲート１５は、断面が略逆台形状で、そ
の底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かって傾
斜をなす傾斜底面４１、その傾斜面の頂部中央にＶ字側
面４２が形成されるＶ字溝４３を設けた２段構造になっ
ている。
る。図４は本発明の第２実施例を示す樹脂封止金型のゲ
ート部の斜視図、図５はその樹脂封止金型のゲート部を
キャビテイ側より見た図である。この実施例では、図４
に示すように、ゲート１５は、断面が略逆台形状で、そ
の底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かって傾
斜をなす傾斜底面４１、その傾斜面の頂部中央にＶ字側
面４２が形成されるＶ字溝４３を設けた２段構造になっ
ている。
【００１９】そこで、ゲート１５において、可塑化され
た樹脂１８´は、傾斜底面４１とＶ字側面４２が形成さ
れるＶ字溝４３により注入方向が変わり、上下キャビテ
ィ１１、１６内へバランスよく流入、充填される。この
ように、第２実施例によれば、成形金型のゲート１５底
辺の傾斜面の頂部中央にＶ字溝４３を形成することによ
り、ゲートの傾斜底面４１の幅が狭いものにも適用で
き、第１実施例と同様の効果が期待できる。
た樹脂１８´は、傾斜底面４１とＶ字側面４２が形成さ
れるＶ字溝４３により注入方向が変わり、上下キャビテ
ィ１１、１６内へバランスよく流入、充填される。この
ように、第２実施例によれば、成形金型のゲート１５底
辺の傾斜面の頂部中央にＶ字溝４３を形成することによ
り、ゲートの傾斜底面４１の幅が狭いものにも適用で
き、第１実施例と同様の効果が期待できる。
【００２０】次に、本発明の第３実施例について説明す
る。図６は本発明の第３実施例を示す樹脂封止金型のゲ
ート部の斜視図、図７はその樹脂封止金型のゲート部を
キャビテイ側より見た図である。この実施例では、図６
に示すように、ゲート１５は、断面が略逆台形状でその
底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かって傾斜
をなす傾斜底面５１、その傾斜面の頂部中央にキャビテ
ィ側下向きの逆傾斜底面５２、硬化した樹脂を容易に離
型するためテーパー側面５３を有する逆傾斜凹形溝５４
を設けた２段構造になっている。
る。図６は本発明の第３実施例を示す樹脂封止金型のゲ
ート部の斜視図、図７はその樹脂封止金型のゲート部を
キャビテイ側より見た図である。この実施例では、図６
に示すように、ゲート１５は、断面が略逆台形状でその
底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かって傾斜
をなす傾斜底面５１、その傾斜面の頂部中央にキャビテ
ィ側下向きの逆傾斜底面５２、硬化した樹脂を容易に離
型するためテーパー側面５３を有する逆傾斜凹形溝５４
を設けた２段構造になっている。
【００２１】ここで、ゲート１５において、可塑化され
た樹脂１８´は、傾斜底面５１とキャビティ側下向きの
逆傾斜底面５２とテーパー側面５３を有する逆傾斜凹形
溝５４により注入方向が変わり、上下キャビティ１１，
１６内へバランスよく流入、充填される。このように、
第３実施例によれば、成形金型のゲート１５底辺の傾斜
面の頂部中央に逆傾斜凹形溝５４を形成することによ
り、ゲート底辺の傾斜面の頂部より反キャビティ側とな
ることから、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹脂
を除去する際、モールドパッケージのコーナーを折損す
ることが無くなると共に、第１実施例と同様の効果が期
待できる。
た樹脂１８´は、傾斜底面５１とキャビティ側下向きの
逆傾斜底面５２とテーパー側面５３を有する逆傾斜凹形
溝５４により注入方向が変わり、上下キャビティ１１，
１６内へバランスよく流入、充填される。このように、
第３実施例によれば、成形金型のゲート１５底辺の傾斜
面の頂部中央に逆傾斜凹形溝５４を形成することによ
り、ゲート底辺の傾斜面の頂部より反キャビティ側とな
ることから、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹脂
を除去する際、モールドパッケージのコーナーを折損す
ることが無くなると共に、第１実施例と同様の効果が期
待できる。
【００２２】図８は本発明の第４実施例を示す樹脂封止
金型のゲート部の斜視図、図９はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図である。この実施例
は、図８に示すように、ゲート１５は、断面が逆台形状
でその底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かっ
て傾斜をなす傾斜底面６１、その傾斜面の頂部中央にキ
ャビティ側下向きのＶ字傾斜側面６２を有する逆傾斜Ｖ
字溝６３を設けた２段構造になっている。
金型のゲート部の斜視図、図９はその樹脂封止金型のゲ
ート部をキャビテイ側より見た図である。この実施例
は、図８に示すように、ゲート１５は、断面が逆台形状
でその底辺はパーティング面（上キャビティ）に向かっ
て傾斜をなす傾斜底面６１、その傾斜面の頂部中央にキ
ャビティ側下向きのＶ字傾斜側面６２を有する逆傾斜Ｖ
字溝６３を設けた２段構造になっている。
【００２３】そこで、ゲート１５において、可塑化され
た樹脂１８´は、傾斜底面６１とキャビティ側下向きの
Ｖ字傾斜側面６２を有する逆傾斜Ｖ字溝６３により注入
方向が変わり、上下キャビティ１１，１６内へバランス
よく流入、充填される。このように、第４実施例によれ
ば、成形金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜
Ｖ字溝６３を形成することにより、ゲート底辺の傾斜面
の幅が狭いものにも適用でき、また、逆傾斜Ｖ字溝の頂
部は、ゲート底辺の傾斜面の頂辺より反キャビティ側と
なることから、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹
脂を除去する際、モールドパッケージのコーナーを折損
することが無くなると共に、第１実施例と同様の効果が
期待できる。
た樹脂１８´は、傾斜底面６１とキャビティ側下向きの
Ｖ字傾斜側面６２を有する逆傾斜Ｖ字溝６３により注入
方向が変わり、上下キャビティ１１，１６内へバランス
よく流入、充填される。このように、第４実施例によれ
ば、成形金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜
Ｖ字溝６３を形成することにより、ゲート底辺の傾斜面
の幅が狭いものにも適用でき、また、逆傾斜Ｖ字溝の頂
部は、ゲート底辺の傾斜面の頂辺より反キャビティ側と
なることから、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹
脂を除去する際、モールドパッケージのコーナーを折損
することが無くなると共に、第１実施例と同様の効果が
期待できる。
【００２４】更に、本発明は、次のような利用形態を有
する。上記した実施例では、ゲートの形状は、凹形溝、
Ｖ字溝、逆傾斜凹形溝又は逆傾斜Ｖ字溝が形成された場
合について説明したが、上下キャビティ内への樹脂の注
入バランス及び成形後下キャビティの樹脂流入口から、
カル、ランナー、ゲート部の硬化した樹脂を除去する際
に、パッケージコーナー部の折損が生じないよう考慮
し、ゲート底辺の傾斜面に沿って、または、その傾斜面
頂部近傍から種々の形状の溝を設けることができる、例
えば、それぞれの溝の低部を円弧状にするなど変形例も
可能である。
する。上記した実施例では、ゲートの形状は、凹形溝、
Ｖ字溝、逆傾斜凹形溝又は逆傾斜Ｖ字溝が形成された場
合について説明したが、上下キャビティ内への樹脂の注
入バランス及び成形後下キャビティの樹脂流入口から、
カル、ランナー、ゲート部の硬化した樹脂を除去する際
に、パッケージコーナー部の折損が生じないよう考慮
し、ゲート底辺の傾斜面に沿って、または、その傾斜面
頂部近傍から種々の形状の溝を設けることができる、例
えば、それぞれの溝の低部を円弧状にするなど変形例も
可能である。
【００２５】また、半導体装置の樹脂成形に適用した
が、他の電子部品の成形金型にも適用できる。更に、上
記実施例においては、ゲートの傾斜面の頂部には１個の
溝を形成するようにしたが、複数の溝を形成するように
してもよい。なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
が、他の電子部品の成形金型にも適用できる。更に、上
記実施例においては、ゲートの傾斜面の頂部には１個の
溝を形成するようにしたが、複数の溝を形成するように
してもよい。なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００２６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 〔１〕請求項１記載の発明によれば、成形金型のゲート
底辺の傾斜面の頂部中央に溝を形成するようにしたの
で、上下のキャビティ内を樹脂が均等に流入、充填する
ことができ、良好な樹脂封止型半導体装置を形成するこ
とができ、信頼性の確保を図ることができる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 〔１〕請求項１記載の発明によれば、成形金型のゲート
底辺の傾斜面の頂部中央に溝を形成するようにしたの
で、上下のキャビティ内を樹脂が均等に流入、充填する
ことができ、良好な樹脂封止型半導体装置を形成するこ
とができ、信頼性の確保を図ることができる。
【００２７】〔２〕請求項２記載の発明によれば、成形
金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に水平底面とテー
パ側面を有する凹形溝を形成するようにしたので、樹脂
の注入方向をバランスさせることができ、従来の問題点
で示したように、モールドパッケージの裏面にアイラン
ドの底面が露出するということはなくなる。よって、良
好な樹脂封止型半導体装置を形成することができ、信頼
性の確保を図ることができる。
金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に水平底面とテー
パ側面を有する凹形溝を形成するようにしたので、樹脂
の注入方向をバランスさせることができ、従来の問題点
で示したように、モールドパッケージの裏面にアイラン
ドの底面が露出するということはなくなる。よって、良
好な樹脂封止型半導体装置を形成することができ、信頼
性の確保を図ることができる。
【００２８】〔３〕請求項３記載の発明によれば、成形
金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央にＶ字状の溝を形
成することにより、ゲート底辺の傾斜面の幅が狭いもの
にも適用できるとともに、上記〔１〕と同等の作用効果
を奏することができる。 〔４〕請求項４記載の発明によれば、成形金型のゲート
底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜凹形溝を形成すること
により、ゲート底辺の傾斜面の頂部より反キャビティ側
となることから、成形後のカル、ランナー、ゲート部の
樹脂を除去する際、モールドパッケージのコーナーを折
損することが無くなるとともに、上記〔１〕と同様の作
用効果を奏することができる。
金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央にＶ字状の溝を形
成することにより、ゲート底辺の傾斜面の幅が狭いもの
にも適用できるとともに、上記〔１〕と同等の作用効果
を奏することができる。 〔４〕請求項４記載の発明によれば、成形金型のゲート
底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜凹形溝を形成すること
により、ゲート底辺の傾斜面の頂部より反キャビティ側
となることから、成形後のカル、ランナー、ゲート部の
樹脂を除去する際、モールドパッケージのコーナーを折
損することが無くなるとともに、上記〔１〕と同様の作
用効果を奏することができる。
【００２９】〔５〕請求項５記載の発明によれば、成形
金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜Ｖ字溝を
形成することにより、ゲート底辺の傾斜面の幅が狭いも
のにも適用でき、また、逆傾斜Ｖ字溝の頂部は、ゲート
底辺の傾斜面の頂部より反キャビティ側となることか
ら、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去す
る際、モールドパッケージのコーナーを折損することが
無くなるとともに、上記〔１〕と同様の作用効果を奏す
ることができる。
金型のゲート底辺の傾斜面の頂部中央に逆傾斜Ｖ字溝を
形成することにより、ゲート底辺の傾斜面の幅が狭いも
のにも適用でき、また、逆傾斜Ｖ字溝の頂部は、ゲート
底辺の傾斜面の頂部より反キャビティ側となることか
ら、成形後のカル、ランナー、ゲート部の樹脂を除去す
る際、モールドパッケージのコーナーを折損することが
無くなるとともに、上記〔１〕と同様の作用効果を奏す
ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部の斜視図である。
ト部の斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部をキャビテイ側より見た図である。
ト部をキャビテイ側より見た図である。
【図３】本発明の第１実施例を示す樹脂封止金型による
樹脂封止型半導体装置の成形工程を示す図である。
樹脂封止型半導体装置の成形工程を示す図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部の斜視図である。
ト部の斜視図である。
【図５】本発明の第２実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部をキャビテイ側より見た図である。
ト部をキャビテイ側より見た図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部の斜視図である。
ト部の斜視図である。
【図７】本発明の第３実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部をキャビテイ側より見た図である。
ト部をキャビテイ側より見た図である。
【図８】本発明の第４実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部の斜視図である。
ト部の斜視図である。
【図９】本発明の第４実施例を示す樹脂封止金型のゲー
ト部をキャビテイ側より見た図である。
ト部をキャビテイ側より見た図である。
【図１０】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図であ
る。
る。
１１ 上キャビティ １２ カル部 １３ ポット １４ ランナー １５ ゲート １６ 下キャビティ １７ プランジャー １８ 熱硬化性樹脂タブレット １８´ 可塑化された樹脂 １９ リードフレーム ２０ アイランド ２１ 半導体素子 ２２ 配線ワイヤー ３１，４１，５１，６１ 傾斜底面 ３２ 水平底面 ３３，５３ テーパー側面 ３４ 凹形溝 ４２ Ｖ字側面 ４３ Ｖ字溝 ５２ 逆傾斜底面 ５４ 逆傾斜凹形溝 ６２ Ｖ字傾斜側面 ６３ 逆傾斜Ｖ字溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体素子を熱硬化性樹脂で封止成形す
る金型において、 モールドパッケージを形成するための上下キャビティ内
へ樹脂を注入するゲートの底辺の傾斜面の頂部に溝を形
成することを特徴とする半導体素子の樹脂封止金型。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体素子の樹脂封止金
型において、前記溝はテーパ側面と水平底面とからなる
凹形溝である半導体素子の樹脂封止金型。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体素子の樹脂封止金
型において、前記溝はＶ字側面からなるＶ字溝である半
導体素子の樹脂封止金型。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体素子の樹脂封止金
型において、前記溝はテーパ側面とキャビテイ側が低い
逆傾斜底面とからなる逆傾斜凹形溝である半導体素子の
樹脂封止金型。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体素子の樹脂封止金
型において、前記溝はＶ字側面からなる逆傾斜Ｖ字溝で
ある半導体素子の樹脂封止金型。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17315696A JP3411448B2 (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 |
| US08/798,153 US5723156A (en) | 1996-07-03 | 1997-02-10 | Mold for molding a semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17315696A JP3411448B2 (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022309A true JPH1022309A (ja) | 1998-01-23 |
| JP3411448B2 JP3411448B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=15955147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17315696A Expired - Lifetime JP3411448B2 (ja) | 1996-07-03 | 1996-07-03 | 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5723156A (ja) |
| JP (1) | JP3411448B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6491785B1 (en) | 1999-06-16 | 2002-12-10 | Ultex Corporation | Ultrasonic vibration bonding machine |
| JP2006093510A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Fujitsu Ltd | 携帯型電子装置 |
| JP2008068582A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Bridgestone Corp | 発泡形成型及びシート用パッドの製造方法 |
| JP2013202954A (ja) * | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Honda Motor Co Ltd | 射出成形装置 |
| JP2016049751A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-11 | 株式会社デンソー | 樹脂成形品 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6090327A (en) * | 1997-10-09 | 2000-07-18 | Churchwell; Richard | Method for molding hardenable material |
| JP3552613B2 (ja) * | 1999-10-28 | 2004-08-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | モールド装置及びモールディング方法 |
| US6576496B1 (en) | 2000-08-21 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for encapsulating a multi-chip substrate array |
| US20020043389A1 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-18 | Selvarajan Murugan | Virtual gate design for thin packages |
| US7169345B2 (en) * | 2003-08-27 | 2007-01-30 | Texas Instruments Incorporated | Method for integrated circuit packaging |
| JP5211131B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2013-06-12 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | バックライト装置及び液晶表示装置 |
| US10020211B2 (en) | 2014-06-12 | 2018-07-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer-level molding chase design |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029227B2 (ja) * | 1977-08-22 | 1985-07-09 | 株式会社日立製作所 | リ−ドフレ−ム |
| JPH04147814A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-21 | Daiichi Seiko Kk | 樹脂封入成形用金型 |
| TW199235B (en) * | 1991-05-27 | 1993-02-01 | Hitachi Seisakusyo Kk | Method to enclose semiconductor devices in resin and semiconductor apparatuses |
| US5275546A (en) * | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Fierkens Richard H J | Plastic encapsulation apparatus for an integrated circuit lead frame and method therefor |
-
1996
- 1996-07-03 JP JP17315696A patent/JP3411448B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-02-10 US US08/798,153 patent/US5723156A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6491785B1 (en) | 1999-06-16 | 2002-12-10 | Ultex Corporation | Ultrasonic vibration bonding machine |
| JP2006093510A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Fujitsu Ltd | 携帯型電子装置 |
| JP4486461B2 (ja) * | 2004-09-27 | 2010-06-23 | 富士通株式会社 | 携帯型電子装置 |
| JP2008068582A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Bridgestone Corp | 発泡形成型及びシート用パッドの製造方法 |
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| JP2016049751A (ja) * | 2014-09-02 | 2016-04-11 | 株式会社デンソー | 樹脂成形品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5723156A (en) | 1998-03-03 |
| JP3411448B2 (ja) | 2003-06-03 |
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