JPH01239855A - 半導体装置のシーリング方法 - Google Patents
半導体装置のシーリング方法Info
- Publication number
- JPH01239855A JPH01239855A JP6664288A JP6664288A JPH01239855A JP H01239855 A JPH01239855 A JP H01239855A JP 6664288 A JP6664288 A JP 6664288A JP 6664288 A JP6664288 A JP 6664288A JP H01239855 A JPH01239855 A JP H01239855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- chip
- shield
- lead frame
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 10
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 abstract description 5
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体チップを、その表面部分に構成されてい
る回路を保護し、しかもこの半導体チップの一部分を露
出さぜた状態でのシールする方法に関するものである。
る回路を保護し、しかもこの半導体チップの一部分を露
出さぜた状態でのシールする方法に関するものである。
従来の技術
従来の半導体装置のシーリング方法には、トランスファ
ー成型、射出成型、押し出し成型、およびボッティング
によるシーリング方法などがある。
ー成型、射出成型、押し出し成型、およびボッティング
によるシーリング方法などがある。
以下に従来のトランスファー成型法について説明する。
第3図はこの従来法を説明するための要部破断斜視図、
第4図はこの方法の一工稈を示す要部断面図である。
第4図はこの方法の一工稈を示す要部断面図である。
図において、2はリードフレーム、3は所定回路を備え
ているシリコンチップ、4はリードフレームとシリコン
チップ3の電極とを接続する細線、6はシーリング樹脂
、7は上金型、8は下金型である。
ているシリコンチップ、4はリードフレームとシリコン
チップ3の電極とを接続する細線、6はシーリング樹脂
、7は上金型、8は下金型である。
まず、リードフレーム2にシリコンチップ3をダイボン
ディングし、細線4によりリードフレーム2とシリコン
チップ3の電極上をワイヤーボンディングしてから、そ
れを下金型S上に装着する。
ディングし、細線4によりリードフレーム2とシリコン
チップ3の電極上をワイヤーボンディングしてから、そ
れを下金型S上に装着する。
次に、下金型8と上金型7とを型締めし、シーリング樹
脂など6を注入して所定の形状に固化させることにより
成型されるものである。
脂など6を注入して所定の形状に固化させることにより
成型されるものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、」二足従来の方法では、露出させたい部
分、つまりシリコンチップ3の上面が上金型によって押
さえ付けらるので、されが破壊されたり、あるいは細線
4が変形を起こしたりする。
分、つまりシリコンチップ3の上面が上金型によって押
さえ付けらるので、されが破壊されたり、あるいは細線
4が変形を起こしたりする。
また、金型7,8を完全に締め付けておかないと、金型
7,8とシリコンチップ3との間隙にシーリング樹脂が
流入して、露出させたいシリコンチップ3上面をも被覆
してしまう。
7,8とシリコンチップ3との間隙にシーリング樹脂が
流入して、露出させたいシリコンチップ3上面をも被覆
してしまう。
このような問題は他のシーリング方法においても生じて
いる。
いる。
本発明は上記従来の問題を解決するもので、半導体チッ
プ上に構成されている回路を保護し、しかも半導体チッ
プの表面の一部分を露出させた状態でシールする方法を
提供することを目的とする。
プ上に構成されている回路を保護し、しかも半導体チッ
プの表面の一部分を露出させた状態でシールする方法を
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明のシーリング方法は、
リードフレーム上に半導体チップと細線とがボンディン
グされて装着されている中空パッケージの一部分を遮蔽
物により覆い、リードフレームと中空パッケージと遮蔽
物とによって囲まれた空間内にシーリング剤を充填する
ことにより、半導体チップの一部分を露出させるもので
ある。
リードフレーム上に半導体チップと細線とがボンディン
グされて装着されている中空パッケージの一部分を遮蔽
物により覆い、リードフレームと中空パッケージと遮蔽
物とによって囲まれた空間内にシーリング剤を充填する
ことにより、半導体チップの一部分を露出させるもので
ある。
作用
この構成によって、半導体チップチップ上の回路が保護
され、しかもその一部分を露出させた状態でシールされ
る。
され、しかもその一部分を露出させた状態でシールされ
る。
実施例
以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。
する。
第1図は本発明の一実施例を示す要部斜視図、第2図は
その構成を示す要部破断斜視図である。
その構成を示す要部破断斜視図である。
図において、1はあらかじめ所定形に成型されている中
空パッケージ、2はリードフレーム、3は半導体チップ
たとえばシリコンチップ、4は細線、5は中空パッケー
ジ1の一部を覆うプラスデックフィルム、6は中空パッ
ケージ1とフィルム5にリードフレーム2とによって囲
まれた空間に充填されたシーリング樹脂であり、これら
によって半導体装置が構成されている。
空パッケージ、2はリードフレーム、3は半導体チップ
たとえばシリコンチップ、4は細線、5は中空パッケー
ジ1の一部を覆うプラスデックフィルム、6は中空パッ
ケージ1とフィルム5にリードフレーム2とによって囲
まれた空間に充填されたシーリング樹脂であり、これら
によって半導体装置が構成されている。
まず、リードフレーム2にシリコンチップ3と細線4と
をボンディングしたものに中空パッケージ1を装着して
おいて、中空パッケージ1の一部分を覆い、シリコンチ
ップ3の露出面を被覆する所定位置にプラスチックフィ
ルム5を貼着する。
をボンディングしたものに中空パッケージ1を装着して
おいて、中空パッケージ1の一部分を覆い、シリコンチ
ップ3の露出面を被覆する所定位置にプラスチックフィ
ルム5を貼着する。
次に、中空パッケージ1とリードフレーム2とプラスチ
ックフィルム5とによって囲まれた空間内に液状のシー
リング樹脂6を注入して固化させる。
ックフィルム5とによって囲まれた空間内に液状のシー
リング樹脂6を注入して固化させる。
このとき、シリコンチップ3の一部分はシーリング樹脂
6内に埋もれるが、露出すべき面まではシーリング樹脂
が流出せずに残りの部分が露出する。
6内に埋もれるが、露出すべき面まではシーリング樹脂
が流出せずに残りの部分が露出する。
シーリング樹脂6が固化してから、プラスチックフィル
ム5を剥がし、シーリングを完了する。
ム5を剥がし、シーリングを完了する。
発明の効果
本発明の方法によれば、中空パッケージ内に配置されて
いる半導体チップの表面を遮蔽物で選択的に覆ってから
、シーリング剤を充填するので、半導体チップの破壊や
その電極とリードフレームとを接続する細線の変形を起
こすことなく、半導体チップの希望する一部分を露出さ
せてシールすることができる。
いる半導体チップの表面を遮蔽物で選択的に覆ってから
、シーリング剤を充填するので、半導体チップの破壊や
その電極とリードフレームとを接続する細線の変形を起
こすことなく、半導体チップの希望する一部分を露出さ
せてシールすることができる。
第1図は本発明の一実施例における半導体装置のシーリ
ング方法を示す要部斜視図、第2図はシーリング後の半
導体装置の要部破断斜視図、第3図は従来のシーリング
方法を示す要部破断斜視図、第4図はその成型の工程を
示す要部断面図である。 ■・・・・・・中空パッケージ、2・・・・・・リード
フレーム、3・・・・・・シリコンチップ、4・・・・
・・細線、5・・・・・・プラスチックフィルム、6・
・・・・・シーリング樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名1−伸ψ勺
でヅグーじ 4−卸腺 第 2 図 6−
−シーリングお1月i第3図
ング方法を示す要部斜視図、第2図はシーリング後の半
導体装置の要部破断斜視図、第3図は従来のシーリング
方法を示す要部破断斜視図、第4図はその成型の工程を
示す要部断面図である。 ■・・・・・・中空パッケージ、2・・・・・・リード
フレーム、3・・・・・・シリコンチップ、4・・・・
・・細線、5・・・・・・プラスチックフィルム、6・
・・・・・シーリング樹脂。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名1−伸ψ勺
でヅグーじ 4−卸腺 第 2 図 6−
−シーリングお1月i第3図
Claims (1)
- リードフレーム上に半導体チップと細線とがボンディ
ングされて装着されている中空パッケージの一部分を遮
蔽物により覆い、前記リードフレームと前記中空パッケ
ージと前記遮蔽物とによって囲まれた空間内にシーリン
グ剤を充填することにより、前記半導体チップの一部を
露出させたままシールすることを特徴とする半導体装置
のシーリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6664288A JPH01239855A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置のシーリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6664288A JPH01239855A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置のシーリング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01239855A true JPH01239855A (ja) | 1989-09-25 |
Family
ID=13321755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6664288A Pending JPH01239855A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置のシーリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01239855A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06507525A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-08-25 | モトローラ・インコーポレイテッド | モールド・リング集積回路パッケージ |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6664288A patent/JPH01239855A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06507525A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-08-25 | モトローラ・インコーポレイテッド | モールド・リング集積回路パッケージ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07321139A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US5252783A (en) | Semiconductor package | |
JPH1022309A (ja) | 半導体素子の樹脂封止金型 | |
US5853771A (en) | Molding die set and mold package | |
JPS6151425B2 (ja) | ||
JPH01239855A (ja) | 半導体装置のシーリング方法 | |
JPH05243301A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
JPH10270606A (ja) | パッケージ型半導体装置の構造 | |
JP3212527B2 (ja) | 光照射窓を有するbga型中空半導体パッケージ | |
JPS60180126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0745765A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止法 | |
JP3023303B2 (ja) | 半導体装置の成形方法 | |
JPS6144430Y2 (ja) | ||
JP2522304B2 (ja) | 半導体素子収納パッケ−ジの製造方法 | |
JP2555931B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2838948B2 (ja) | リードフレーム | |
JPH10209192A (ja) | 中空型半導体パッケージ成形方法 | |
JPS639140A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPS5827326A (ja) | Icチツプの樹脂封止方法 | |
KR100230520B1 (ko) | 반도체 소자 패키지 베이스의 제조방법 | |
JPH05326587A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法及びその装置 | |
JP3233990B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH03157943A (ja) | 樹脂封止型半導体集積回路の製造方法 | |
JPS6296847U (ja) | ||
JPH0590315A (ja) | 樹脂封止金型 |