JP2644551B2 - 半導体装置製造方法及びその実施装置 - Google Patents
半導体装置製造方法及びその実施装置Info
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- JP2644551B2 JP2644551B2 JP63264703A JP26470388A JP2644551B2 JP 2644551 B2 JP2644551 B2 JP 2644551B2 JP 63264703 A JP63264703 A JP 63264703A JP 26470388 A JP26470388 A JP 26470388A JP 2644551 B2 JP2644551 B2 JP 2644551B2
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- Japan
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- resin
- lead frame
- semiconductor chip
- semiconductor device
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子部品の製造技術に関し、特に樹脂によ
って封止されてなる半導体装置の製造に適用して有効な
技術に関するものである。
って封止されてなる半導体装置の製造に適用して有効な
技術に関するものである。
樹脂封止型半導体装置のモールド工程において、その
効率を上げるために、近年、マルチポット成形方法が広
まっている。これは、例えば、特公昭57−35576号公報
に記載のように、１つのモールド金型内に複数個のポッ
トと各ポットに互いに独立したランナとを設け、これら
のランナを通してモールド樹脂を各キャビティ内に押圧
供給することにより、従来の１ポット方法に比べてモー
ルド樹脂使用効率の向上及びモールド成形時間の短縮を
はかるようにしたものである。
効率を上げるために、近年、マルチポット成形方法が広
まっている。これは、例えば、特公昭57−35576号公報
に記載のように、１つのモールド金型内に複数個のポッ
トと各ポットに互いに独立したランナとを設け、これら
のランナを通してモールド樹脂を各キャビティ内に押圧
供給することにより、従来の１ポット方法に比べてモー
ルド樹脂使用効率の向上及びモールド成形時間の短縮を
はかるようにしたものである。
また、実開昭56−154074号公報に記載されるように、
１つのポットからランナを伸ばし、ランナの直角方向に
複数個のキャビティを設けて従来の１ポット方法に比べ
てモールド樹脂使用効率の向上及びモールド成形時間の
短縮をはかるようにしたものである。
１つのポットからランナを伸ばし、ランナの直角方向に
複数個のキャビティを設けて従来の１ポット方法に比べ
てモールド樹脂使用効率の向上及びモールド成形時間の
短縮をはかるようにしたものである。
しかしながら、前記特公昭57−35576号公報に記載さ
れる技術では、キャビティは各ランナに分岐して並列に
配置されており、金型流路レイアウトの制約上から、キ
ャビティ部レジン量とポット，ランナ部を含むトータル
レジン量の比を向上するには限界があった。また、各ポ
ット内に投入されるタブレットには重量ばらつきがあ
り、レジンを金型内に移送する各成形機の駆動源が直接
に接続された場合には、各プランジャが同一の移動を行
なうので、ポット内のレジン量によって、各ポット内に
加わるレジン圧力が大幅に変動するという問題があっ
た。すなわち、タブレット重量の多いポット内には高圧
が加わり、電子部品の変形やバリの発生が起こり、一
方、タブレット重量の少いポット内には低圧しか加わら
ず、レジンの未充填、成形品中のボイド不良を発生する
という問題があった。
れる技術では、キャビティは各ランナに分岐して並列に
配置されており、金型流路レイアウトの制約上から、キ
ャビティ部レジン量とポット，ランナ部を含むトータル
レジン量の比を向上するには限界があった。また、各ポ
ット内に投入されるタブレットには重量ばらつきがあ
り、レジンを金型内に移送する各成形機の駆動源が直接
に接続された場合には、各プランジャが同一の移動を行
なうので、ポット内のレジン量によって、各ポット内に
加わるレジン圧力が大幅に変動するという問題があっ
た。すなわち、タブレット重量の多いポット内には高圧
が加わり、電子部品の変形やバリの発生が起こり、一
方、タブレット重量の少いポット内には低圧しか加わら
ず、レジンの未充填、成形品中のボイド不良を発生する
という問題があった。
また、前記実開昭56−154074号公報に記載される技術
では、モールド金型内のポットは１つであり、ここから
長いランナを通して、ランナと直角方向に配置された多
数のキャビティ内にレジンを充填するため、ランナ内の
レジン流量が非常に大きくなり、流動抵抗による圧力損
失が増大するという問題があった。
では、モールド金型内のポットは１つであり、ここから
長いランナを通して、ランナと直角方向に配置された多
数のキャビティ内にレジンを充填するため、ランナ内の
レジン流量が非常に大きくなり、流動抵抗による圧力損
失が増大するという問題があった。
本発明の目的は、レジンの未充填、成形品中のボイド
不良を防止することができる技術を提供することにあ
る。
不良を防止することができる技術を提供することにあ
る。
本発明の他の目的は、レジンの流路の流動抵抗をほぼ
均一にすることができる技術を提供することにある。
均一にすることができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書に記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
本明細書に記述及び添付図面によって明らかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
半導体チップをリードフレームに接続した半導体チッ
プ・リードユニットを、モールド金型に装填し、モール
ド金型内に樹脂を押圧供給し、半導体チップを封止する
半導体装置製造において、前記モールド金型内に、複数
列のキャビティ部を有する連続した一体のリードフレー
ム配置領域を形成し、このリードフレーム配置領域内に
樹脂を供給するポットを複数設け、各ポットはキャビテ
ィ部相互間に配置し、前記リードフレーム配置領域に複
数個の前記半導体チップ・リードユニットを互いに接触
させて配置し、このポットからモールド樹脂を各キャビ
ティ部に押圧供給するものである。
プ・リードユニットを、モールド金型に装填し、モール
ド金型内に樹脂を押圧供給し、半導体チップを封止する
半導体装置製造において、前記モールド金型内に、複数
列のキャビティ部を有する連続した一体のリードフレー
ム配置領域を形成し、このリードフレーム配置領域内に
樹脂を供給するポットを複数設け、各ポットはキャビテ
ィ部相互間に配置し、前記リードフレーム配置領域に複
数個の前記半導体チップ・リードユニットを互いに接触
させて配置し、このポットからモールド樹脂を各キャビ
ティ部に押圧供給するものである。
前記手段によれば、前記モールド金型内に、複数個の
前記半導体チップ・リードフレームユニットをそれぞれ
のリードフレームを接触させて配列し、前記リードフレ
ームの存在する所からモールド樹脂を押圧供給するの
で、レジンの流路の流動抵抗をほぼ均一にすることがで
きる。これにより、レジンの未充填、成形品中のボイド
不良を防止することができる。
前記半導体チップ・リードフレームユニットをそれぞれ
のリードフレームを接触させて配列し、前記リードフレ
ームの存在する所からモールド樹脂を押圧供給するの
で、レジンの流路の流動抵抗をほぼ均一にすることがで
きる。これにより、レジンの未充填、成形品中のボイド
不良を防止することができる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明
する。
する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明
は省略する。
［実施例Ｉ］ 第１図は、本発明の実施例Ｉの半導体装置の製造方法
及びその実施装置の概略構成を説明するためのモールド
金型の下金型平面図である。
及びその実施装置の概略構成を説明するためのモールド
金型の下金型平面図である。
第２図は、リードフレームを上金型と下金型との間に
装着した状態における第１図のII−II線で切った断面図
である。
装着した状態における第１図のII−II線で切った断面図
である。
第１図及び第２図において、１はモールド金型の下金
型、２はモールド樹脂（レジン）を押圧供給するための
ポットであり、半導体装置のリードフレームの存在する
所に複数個設けられている。３は前記各ポット２に設け
られているランナである。ランナ３の先端にはモールド
ゲート４が設けられており、このモールドゲート４に接
続してキャビティ５が設けられている。
型、２はモールド樹脂（レジン）を押圧供給するための
ポットであり、半導体装置のリードフレームの存在する
所に複数個設けられている。３は前記各ポット２に設け
られているランナである。ランナ３の先端にはモールド
ゲート４が設けられており、このモールドゲート４に接
続してキャビティ５が設けられている。
そして、第２図に示すように、リードフレーム６に半
導体チップ７が搭載され、リードフレーム６と半導体チ
ップ７が金線等のボンディングワイヤ８で電気的に接続
されて半導体チップ・リードフレームユニット20が構成
されている。この半導体チップ・リードフレームユニッ
ト20は、半導体チップ７がキャビティ５に閉じ込められ
るように、前記下金型１と上金型９とにより挟み込ま
れ、成形機（図示していない）に装着される。
導体チップ７が搭載され、リードフレーム６と半導体チ
ップ７が金線等のボンディングワイヤ８で電気的に接続
されて半導体チップ・リードフレームユニット20が構成
されている。この半導体チップ・リードフレームユニッ
ト20は、半導体チップ７がキャビティ５に閉じ込められ
るように、前記下金型１と上金型９とにより挟み込ま
れ、成形機（図示していない）に装着される。
第３図は、前記リードフレーム６の概略構成を説明す
るための図であり、61はリード部、62は外枠部、63は内
枠部、64はダイボンデング部、65は治具孔、66はモール
ドゲート位置である。
るための図であり、61はリード部、62は外枠部、63は内
枠部、64はダイボンデング部、65は治具孔、66はモール
ドゲート位置である。
次に、本実施例１の半導体装置の製造方法を説明す
る。
る。
第4A図は、ポット２内に投入されたモールド樹脂10を
プランジャ11で押圧し、金型流路内に移行している状態
を示したものである。
プランジャ11で押圧し、金型流路内に移行している状態
を示したものである。
モールド樹脂10は、ランナ3,モールドゲート４を通過
してキャビティ５に供給される。
してキャビティ５に供給される。
第4B図は、モールド樹脂10がキャビティ５に充填を完
了し、プランジャ11が押圧動作を停止した状態を示して
いる。
了し、プランジャ11が押圧動作を停止した状態を示して
いる。
この状態で所定時間経過すると、モールド樹脂10は、
硬化し、プランジャ11が下降するとともに上金型９と下
金型１が開き、成形品12がモールド金型から取り出され
る。その後、ランナ3,モールドゲート４等に相当する製
品にとって不用な硬化したモールド樹脂が除去されると
ともに、リードフレーム６の切断工程、折り曲げ工程な
どを経て、モールド半導体装置が完成する。
硬化し、プランジャ11が下降するとともに上金型９と下
金型１が開き、成形品12がモールド金型から取り出され
る。その後、ランナ3,モールドゲート４等に相当する製
品にとって不用な硬化したモールド樹脂が除去されると
ともに、リードフレーム６の切断工程、折り曲げ工程な
どを経て、モールド半導体装置が完成する。
以上の説明からわかるように、本実施例Ｉによれば、
モールド金型内に、複数個の前記半導体チップ・リード
フレームユニット20をそれぞれのリードフレーム６を接
触させて配列することによって、これらのリードフレー
ム６が複数列のキャビティ部を有する連続した一体のリ
ードフレーム領域を形成し、このリードフレーム領域内
のキャビティ部相互の間からモールド樹脂10を押圧供給
することにより、モールド樹脂10の流入経路を短縮し、
かつモールド樹脂10を押圧供給することにより、モール
ド樹脂（レジン）10の流路の流動抵抗をほぼ均一にする
ことができる。これにより、モールド樹脂（レジン）10
の未充填、成形品中のボイド不良を防止することができ
る。
モールド金型内に、複数個の前記半導体チップ・リード
フレームユニット20をそれぞれのリードフレーム６を接
触させて配列することによって、これらのリードフレー
ム６が複数列のキャビティ部を有する連続した一体のリ
ードフレーム領域を形成し、このリードフレーム領域内
のキャビティ部相互の間からモールド樹脂10を押圧供給
することにより、モールド樹脂10の流入経路を短縮し、
かつモールド樹脂10を押圧供給することにより、モール
ド樹脂（レジン）10の流路の流動抵抗をほぼ均一にする
ことができる。これにより、モールド樹脂（レジン）10
の未充填、成形品中のボイド不良を防止することができ
る。
［実施例II］ 第５図は、本発明の実施例IIの半導体装置製造方法を
説明するための図である。
説明するための図である。
前記第１図に示すキャビティ５の一方の端にも、モー
ルド樹脂の流路を他の金型のキャビティ５と接続するた
めのランナ３が設けられている下金型1Aを複数個用意す
る。
ルド樹脂の流路を他の金型のキャビティ５と接続するた
めのランナ３が設けられている下金型1Aを複数個用意す
る。
リードフレームも前記リードフレーム６の他に、第６
図に示すように、前記リードフレーム６（第３図）のモ
ールドゲート部分66に対向してモールドゲート部分66A
をさらに設けたリードフレーム6Aを用意する。
図に示すように、前記リードフレーム６（第３図）のモ
ールドゲート部分66に対向してモールドゲート部分66A
をさらに設けたリードフレーム6Aを用意する。
本実施例IIの半導体装置製造方法は、第５図に示すよ
うに、下金型1Aのランナ３と下金型1Aにランナ３とが連
結されるように下金型1Aを配置し、リードフレーム6Aと
リードフレーム6Aが接続されるように並べて、それぞれ
の半導体チップ・リードフレームユニット20をモールド
金型内に装着して、前記実施例Ｉの半導体装置製造方法
と同様のプロセスで樹脂モールドを行う。
うに、下金型1Aのランナ３と下金型1Aにランナ３とが連
結されるように下金型1Aを配置し、リードフレーム6Aと
リードフレーム6Aが接続されるように並べて、それぞれ
の半導体チップ・リードフレームユニット20をモールド
金型内に装着して、前記実施例Ｉの半導体装置製造方法
と同様のプロセスで樹脂モールドを行う。
［実施例III］ 第７図は、本発明の実施例IIIの半導体装置の製造方
法を説明するための図である。第７図に示すように、前
記第１図に示した両方のキャビティ５のポット２と接続
されていない端にも、モールド樹脂の流路を他の金型を
キャビティ５と接続するためのランナ３が設けられてい
る金型1Bを用意する。そして、下金型1,下金型1A,下金
型1Bを種々に組合せる。例えば、下金型1A,下金型1B,下
金型1B,下金型1Aの順に配置し、リードフレーム6,リー
ドフレーム6A,リードフレーム6A,リードフレーム６の順
に配置することにより、前記実施例Ｉの半導体装置と同
様の半導体装置の任意の数の樹脂モールドが可能とな
る。
法を説明するための図である。第７図に示すように、前
記第１図に示した両方のキャビティ５のポット２と接続
されていない端にも、モールド樹脂の流路を他の金型を
キャビティ５と接続するためのランナ３が設けられてい
る金型1Bを用意する。そして、下金型1,下金型1A,下金
型1Bを種々に組合せる。例えば、下金型1A,下金型1B,下
金型1B,下金型1Aの順に配置し、リードフレーム6,リー
ドフレーム6A,リードフレーム6A,リードフレーム６の順
に配置することにより、前記実施例Ｉの半導体装置と同
様の半導体装置の任意の数の樹脂モールドが可能とな
る。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明した
が、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である
ことは言うまでもない。
が、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である
ことは言うまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりで
ある。
モールド樹脂（レジン）の流路の流動抵抗をほぼ均一
にすることができるので、モールド樹脂（レジン）の未
充填、成形品中のボイド不良を防止することができる。
にすることができるので、モールド樹脂（レジン）の未
充填、成形品中のボイド不良を防止することができる。
第１図は、本発明の実施例Ｉの半導体装置の製造方法及
びその実施装置の概略構成を説明するためのモールド金
型の下金型平面図、 第２図は、リードフレームを上金型と下金型との間に装
着した状態における第１図のII−II線で切った断面図、 第３図は、第２図に示すリードフレームの概略構成を説
明するための図、 第4A図は、第１図に示すポット内に投入されたモールド
樹脂をプランジャで押圧し、金型流路内に移行している
状態を示す図、 第4B図は、第4A図に示すモールド樹脂がキャビティに充
填を完了し、プランジャが押圧動作を停止した状態を示
す図、 第５図は、本発明の実施例IIの半導体装置製造方法を説
明するための図、 第６図は、第５図に示す実施例IIの半導体装置製造方法
に用いるリードフレームの概略構成を示す図である。 第７図は、本発明の実施例IIIの半導体装置の製造方法
を説明するための図である。 図中、１……モールド金型の下金型、２……ポット、３
……ランナ、４……モールドゲート、５……キャビテ
ィ、６……リードフレーム、７……半導体チップ、８…
…ボンディングワイヤ、９……モールド金型の上金型、
10……モールド樹脂（レジン）、11……プランジャ、20
……半導体チップ・リードフレームユニット。
びその実施装置の概略構成を説明するためのモールド金
型の下金型平面図、 第２図は、リードフレームを上金型と下金型との間に装
着した状態における第１図のII−II線で切った断面図、 第３図は、第２図に示すリードフレームの概略構成を説
明するための図、 第4A図は、第１図に示すポット内に投入されたモールド
樹脂をプランジャで押圧し、金型流路内に移行している
状態を示す図、 第4B図は、第4A図に示すモールド樹脂がキャビティに充
填を完了し、プランジャが押圧動作を停止した状態を示
す図、 第５図は、本発明の実施例IIの半導体装置製造方法を説
明するための図、 第６図は、第５図に示す実施例IIの半導体装置製造方法
に用いるリードフレームの概略構成を示す図である。 第７図は、本発明の実施例IIIの半導体装置の製造方法
を説明するための図である。 図中、１……モールド金型の下金型、２……ポット、３
……ランナ、４……モールドゲート、５……キャビテ
ィ、６……リードフレーム、７……半導体チップ、８…
…ボンディングワイヤ、９……モールド金型の上金型、
10……モールド樹脂（レジン）、11……プランジャ、20
……半導体チップ・リードフレームユニット。
Claims (6)
- 【請求項１】半導体チップをリードフレームに接続した
半導体チップ・リードユニットを、モールド金型に装填
し、モールド金型内に樹脂を押圧供給し、半導体チップ
を封止する半導体装置製造方法において、 前記モールド金型内に、複数列のキャビティ部を有する
連続した一体のリードフレーム配置領域を形成し、この
リードフレーム配置領域内に樹脂を供給するポットを複
数設け、各ポットはキャビティ部相互間に配置し、前記
リードフレーム配置領域に複数個の前記半導体チップ・
リードユニットを互いに接触させて配置し、このポット
からモールド樹脂を各キャビティ部に押圧供給すること
を特徴とする半導体装置製造方法。 - 【請求項２】半導体チップをリードフレームに接続した
半導体チップ・リードユニットを、モールド金型に装填
し、モールド金型内に樹脂を押圧供給し、半導体チップ
を封止する半導体装置製造方法において、 前記モールド金型内に、複数列のキャビティ部を有する
連続した一体のリードフレーム配置領域を形成し、この
リードフレーム配置領域内に樹脂を供給するポットを複
数設け、各ポットはキャビティ部相互間に配置し、各ポ
ットと隣接する夫々のキャビティ部とは夫々個別の樹脂
流路によって接続されており、前記リードフレーム配置
領域に複数個の前記半導体チップ・リードユニットを互
いに接触させて配置し、このポットからモールド樹脂を
各キャビティ部に押圧供給することを特徴とする半導体
装置製造方法。 - 【請求項３】前記キャビティ部は、一端が前記ポットと
接続され、他端が他のキャビティ部と接続されているこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装
置製造方法。 - 【請求項４】半導体チップをリードフレームに接続した
半導体チップ・リードユニットを、モールド金型に装填
し、モールド金型内に樹脂を押圧供給し、半導体チップ
を封止する半導体装置の製造方法において、 前記モールド金型内に、複数列のキャビティ部を有する
連続した一体のリードフレーム配置領域を形成し、この
リードフレーム配置領域内に樹脂を供給するポットを複
数設け、各ポットはキャビティ部相互間に配置されてい
ることを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項５】半導体チップをリードフレームに接続した
半導体チップ・リードユニットを、モールド金型に装填
し、モールド金型内に樹脂を押圧供給し、半導体チップ
を封止する半導体装置の製造方法において、 前記モールド金型内に、複数列のキャビティ部を有する
連続した一体のリードフレーム配置領域を形成し、この
リードフレーム配置領域内に樹脂を供給するポットを複
数設け、各ポットはキャビティ部相互間に配置し、各ポ
ットと隣接する夫々のキャビティ部とは夫々個別の樹脂
流路によって接続されていることを特徴とする半導体装
置の製造装置。 - 【請求項６】前記キャビティ部は、一端が前記ポットと
接続され、他端が他のキャビティ部と接続されているこ
とを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装
置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264703A JP2644551B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 半導体装置製造方法及びその実施装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63264703A JP2644551B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 半導体装置製造方法及びその実施装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110945A JPH02110945A (ja) | 1990-04-24 |
| JP2644551B2 true JP2644551B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17407009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63264703A Expired - Fee Related JP2644551B2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 半導体装置製造方法及びその実施装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2644551B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08191083A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-07-23 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH09181105A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Nec Corp | 半導体樹脂封止用金型 |
| US6856006B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-02-15 | Siliconix Taiwan Ltd | Encapsulation method and leadframe for leadless semiconductor packages |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57187945A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-18 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP63264703A patent/JP2644551B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02110945A (ja) | 1990-04-24 |
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