JPH08191083A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH08191083A JPH08191083A JP1873395A JP1873395A JPH08191083A JP H08191083 A JPH08191083 A JP H08191083A JP 1873395 A JP1873395 A JP 1873395A JP 1873395 A JP1873395 A JP 1873395A JP H08191083 A JPH08191083 A JP H08191083A
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- Japan
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- resin
- tablet
- lead frame
- cavities
- molding
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- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多列型リードフレームを使った半導体装置の
樹脂封止の過程で、成型金型の各キャビティへの樹脂の
注入を均等に行うことができる半導体装置の製造方法を
提供する。 【構成】 長辺に沿って各半導体素子が複数列に配列さ
れる構造の多列型リードフレーム１を成型金型内にセッ
トし、この成型金型の各キャビティに成型用樹脂を注入
して、各半導体素子を封止するパッケージ本体を形成す
る半導体装置の製造方法において、前記成型金型にセッ
トされたリードフレーム１上であって、かつ複数個の樹
脂充填用空所（キャビティ）１１1 〜１１4 に対して樹
脂流通路５がほぼ均等になる位置に樹脂タブレット３を
配置し、その樹脂タブレット３をプランジャ４で加圧す
ることにより、その樹脂タブレット３の周辺のキャビテ
ィ１１1 〜１１4 に成型用樹脂を注入する。
樹脂封止の過程で、成型金型の各キャビティへの樹脂の
注入を均等に行うことができる半導体装置の製造方法を
提供する。 【構成】 長辺に沿って各半導体素子が複数列に配列さ
れる構造の多列型リードフレーム１を成型金型内にセッ
トし、この成型金型の各キャビティに成型用樹脂を注入
して、各半導体素子を封止するパッケージ本体を形成す
る半導体装置の製造方法において、前記成型金型にセッ
トされたリードフレーム１上であって、かつ複数個の樹
脂充填用空所（キャビティ）１１1 〜１１4 に対して樹
脂流通路５がほぼ均等になる位置に樹脂タブレット３を
配置し、その樹脂タブレット３をプランジャ４で加圧す
ることにより、その樹脂タブレット３の周辺のキャビテ
ィ１１1 〜１１4 に成型用樹脂を注入する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り、特に、リードフレームの長辺に沿って各半導体素
子が複数列に配列される構造のリードフレーム（以下、
多列型リードフレームと称する）を用いて、各半導体素
子を樹脂封止する技術に関する。
係り、特に、リードフレームの長辺に沿って各半導体素
子が複数列に配列される構造のリードフレーム（以下、
多列型リードフレームと称する）を用いて、各半導体素
子を樹脂封止する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、半導体素子をエポキシ樹
脂等で樹脂封止するにあたり、低圧トランスファモール
ド法と呼ばれる成型手法が用いられている。特に、最近
では樹脂の利用効率が高く、また成型性に優れたマルチ
プランジャ方式と呼ばれる手法が主流になっている。こ
の手法は、リードフレームがセットされた成型金型に、
成型用樹脂を投入するための複数個のポットが設けられ
ており、各ポットに投入された樹脂タブレットを独立駆
動される複数個のプランジャでそれぞれ加圧して、成型
金型内の各キャビティに樹脂を注入するものである。こ
のようなマルチプランジャ方式を用いた成型手法で、上
記多列型リードフレーム内の各半導体素子を樹脂封止す
る手法として、従来、次のような二つの方法が知られて
いる。
脂等で樹脂封止するにあたり、低圧トランスファモール
ド法と呼ばれる成型手法が用いられている。特に、最近
では樹脂の利用効率が高く、また成型性に優れたマルチ
プランジャ方式と呼ばれる手法が主流になっている。こ
の手法は、リードフレームがセットされた成型金型に、
成型用樹脂を投入するための複数個のポットが設けられ
ており、各ポットに投入された樹脂タブレットを独立駆
動される複数個のプランジャでそれぞれ加圧して、成型
金型内の各キャビティに樹脂を注入するものである。こ
のようなマルチプランジャ方式を用いた成型手法で、上
記多列型リードフレーム内の各半導体素子を樹脂封止す
る手法として、従来、次のような二つの方法が知られて
いる。
【０００３】（第１従来例）以下、図４を参照して説明
する。図４は、第１従来例に係る成型法を示す斜視図で
ある。なお、同図では作図の便宜のために成型用金型の
図示を省略してある。
する。図４は、第１従来例に係る成型法を示す斜視図で
ある。なお、同図では作図の便宜のために成型用金型の
図示を省略してある。
【０００４】リードフレーム１は上述した多列型リード
フレームであって、その長辺に沿って各半導体素子が２
列に配列される構造になっている。なお、図４では各半
導体素子は、樹脂成型されたパッケージ本体２1 ，２2
内にある。各パッケージ本体２1 ，２2 は、成型金型内
の各キャビティに相当する。このようなリードフレーム
１が成型金型にセットされた状態で、リードフレーム１
の長辺に沿った外側に複数個の樹脂タブレット３が配置
される（具体的には、成型金型の複数個のポットに樹脂
タブレット３がそれぞれ投入される）。各樹脂タブレッ
ト３は各々独立駆動されるプランジャ４で加圧される。
加熱溶融した樹脂はプランジャ４で加圧されることによ
り、成型金型のランナ（樹脂流通路）５を流れ、このラ
ンナ５から分岐しているゲート（樹脂注入口）６1 ，６
2 を介して各キャビティに流れ込み、パッケージ本体２
1 ，２2 が形成される。
フレームであって、その長辺に沿って各半導体素子が２
列に配列される構造になっている。なお、図４では各半
導体素子は、樹脂成型されたパッケージ本体２1 ，２2
内にある。各パッケージ本体２1 ，２2 は、成型金型内
の各キャビティに相当する。このようなリードフレーム
１が成型金型にセットされた状態で、リードフレーム１
の長辺に沿った外側に複数個の樹脂タブレット３が配置
される（具体的には、成型金型の複数個のポットに樹脂
タブレット３がそれぞれ投入される）。各樹脂タブレッ
ト３は各々独立駆動されるプランジャ４で加圧される。
加熱溶融した樹脂はプランジャ４で加圧されることによ
り、成型金型のランナ（樹脂流通路）５を流れ、このラ
ンナ５から分岐しているゲート（樹脂注入口）６1 ，６
2 を介して各キャビティに流れ込み、パッケージ本体２
1 ，２2 が形成される。
【０００５】（第２従来例）以下、図５を参照して説明
する。図５は、第２従来例に係る成型法を示す斜視図で
あり、上記と同様に成型用金型の図示を省略してある。
する。図５は、第２従来例に係る成型法を示す斜視図で
あり、上記と同様に成型用金型の図示を省略してある。
【０００６】この手法も第１従来例と同様に多列型リー
ドフレーム１の長辺に沿った外側に複数個の樹脂タブレ
ット３が配置され、各樹脂タブレット３が複数個のプラ
ンジャ４で個別に加圧される。加熱溶融した樹脂はプラ
ンジャ４で加圧されることにより、成型金型のランナ７
を流れ、このランナ５に連なるゲート８1 を介してパッ
ケージ本体２1 の第１キャビティに流れ込む。続いて、
隣接キャビティ間を連通しているスルーゲート８2 を介
して、パッケージ本体２2 の第２キャビティに流れ込
み、各パッケージ本体２1 ，２2 が形成される。
ドフレーム１の長辺に沿った外側に複数個の樹脂タブレ
ット３が配置され、各樹脂タブレット３が複数個のプラ
ンジャ４で個別に加圧される。加熱溶融した樹脂はプラ
ンジャ４で加圧されることにより、成型金型のランナ７
を流れ、このランナ５に連なるゲート８1 を介してパッ
ケージ本体２1 の第１キャビティに流れ込む。続いて、
隣接キャビティ間を連通しているスルーゲート８2 を介
して、パッケージ本体２2 の第２キャビティに流れ込
み、各パッケージ本体２1 ，２2 が形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たいずれの従来例によって次のような問題点がある。す
なわち、樹脂成型時に成型金型内に投入された各樹脂タ
ブレット３から各パッケージ本体２1 ，２2 に相当する
各キャビティまでの距離が著しく異なるので、各キャビ
ティに成型用樹脂が注入されるまでに大きな時間差が生
じる。その結果、熱硬化が進んで粘度が上がった成型樹
脂が注入されるキャビティでは、成型樹脂とリードフレ
ームとの密着性が低下したり、半導体素子とインナーリ
ードとを接続する金属細線が粘度の高い樹脂の流れに押
されて変形したりする等の種々の不都合を生じる。
たいずれの従来例によって次のような問題点がある。す
なわち、樹脂成型時に成型金型内に投入された各樹脂タ
ブレット３から各パッケージ本体２1 ，２2 に相当する
各キャビティまでの距離が著しく異なるので、各キャビ
ティに成型用樹脂が注入されるまでに大きな時間差が生
じる。その結果、熱硬化が進んで粘度が上がった成型樹
脂が注入されるキャビティでは、成型樹脂とリードフレ
ームとの密着性が低下したり、半導体素子とインナーリ
ードとを接続する金属細線が粘度の高い樹脂の流れに押
されて変形したりする等の種々の不都合を生じる。
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、多列型リードフレームを使った半導体
装置の樹脂封止の過程で、成型金型の各キャビティへの
樹脂の注入を均等に行うことができる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
たものであって、多列型リードフレームを使った半導体
装置の樹脂封止の過程で、成型金型の各キャビティへの
樹脂の注入を均等に行うことができる半導体装置の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明は、リードフレームの長辺に沿って各半導体
素子が複数列に配列される構造のリードフレームを成型
金型にセットし、この成型金型の各キャビティに成型用
樹脂を注入して、各半導体素子を封止するパッケージ本
体を形成する半導体装置の製造方法において、前記成型
金型にセットされたリードフレーム上であって、かつ複
数個の樹脂充填用空所（キャビティ）に対して樹脂流通
路の長さがほぼ均等になる位置に樹脂タブレットを配置
し、その樹脂タブレットを加圧することにより、その樹
脂タブレットの周辺のキャビティに成型用樹脂を注入す
ることを特徴とする。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、本発明は、リードフレームの長辺に沿って各半導体
素子が複数列に配列される構造のリードフレームを成型
金型にセットし、この成型金型の各キャビティに成型用
樹脂を注入して、各半導体素子を封止するパッケージ本
体を形成する半導体装置の製造方法において、前記成型
金型にセットされたリードフレーム上であって、かつ複
数個の樹脂充填用空所（キャビティ）に対して樹脂流通
路の長さがほぼ均等になる位置に樹脂タブレットを配置
し、その樹脂タブレットを加圧することにより、その樹
脂タブレットの周辺のキャビティに成型用樹脂を注入す
ることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明の作用は次のとおりである。すなわち、
本発明によれば、成型金型にセットされたリードフレー
ム上であって、かつ複数個の樹脂充填用空所（キャビテ
ィ）に対して樹脂流通路の長さがほぼ均等になる位置に
樹脂タブレットを配置しているので、その樹脂タブレッ
トをプランジャで加圧することにより、樹脂タブレット
周辺の各キャビティがほぼ同時的に成型用樹脂で充填さ
れる。
本発明によれば、成型金型にセットされたリードフレー
ム上であって、かつ複数個の樹脂充填用空所（キャビテ
ィ）に対して樹脂流通路の長さがほぼ均等になる位置に
樹脂タブレットを配置しているので、その樹脂タブレッ
トをプランジャで加圧することにより、樹脂タブレット
周辺の各キャビティがほぼ同時的に成型用樹脂で充填さ
れる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。図１は本発明に係る半導体装置の製造方法の一
実施例を示す斜視図、図２はその断面図である。ただ
し、図１は作図の便宜のために成型用金型の図示を省略
している。
明する。図１は本発明に係る半導体装置の製造方法の一
実施例を示す斜視図、図２はその断面図である。ただ
し、図１は作図の便宜のために成型用金型の図示を省略
している。
【００１２】リードフレーム１は、その長辺に沿って半
導体素子を２列に配列して組み立てることができる構造
を備えた多列型のリードフレームであって、特に、矩形
状のパッケージ本体２（２1 ，２2 ，２3 ，２4 ，…）
の各側辺からそれぞれリード端子１ａが導出される、い
わゆるＱＦＰ（Quad Flat Package ）を組み立てるため
のものである。パッケージ本体２内には、図示しない多
数のインナーリードとの間を金属細線で接続された半導
体素子が封止されている。
導体素子を２列に配列して組み立てることができる構造
を備えた多列型のリードフレームであって、特に、矩形
状のパッケージ本体２（２1 ，２2 ，２3 ，２4 ，…）
の各側辺からそれぞれリード端子１ａが導出される、い
わゆるＱＦＰ（Quad Flat Package ）を組み立てるため
のものである。パッケージ本体２内には、図示しない多
数のインナーリードとの間を金属細線で接続された半導
体素子が封止されている。
【００１３】図２に示すように、リードフレーム１は成
型用金型１０の上型１０U と下型１０L との間にセット
され、上下金型１０L ，１０U で形成されたキャビティ
１１内に成型用樹脂が充填されてパッケージ本体２が形
成される。上型１０U には、樹脂タブレット３を投入す
るための孔（ポット）１２が設けれている。ポット１２
の位置、つまり樹脂タブレット３が配置される位置は、
リードフレーム１上であって、かつ４個のパッケージ本
体２1 〜２4 に対応する各キャビティ１１1 〜１１4 に
対してランナ（樹脂流通路）５の長さがほぼ均等になる
位置に設定されている。
型用金型１０の上型１０U と下型１０L との間にセット
され、上下金型１０L ，１０U で形成されたキャビティ
１１内に成型用樹脂が充填されてパッケージ本体２が形
成される。上型１０U には、樹脂タブレット３を投入す
るための孔（ポット）１２が設けれている。ポット１２
の位置、つまり樹脂タブレット３が配置される位置は、
リードフレーム１上であって、かつ４個のパッケージ本
体２1 〜２4 に対応する各キャビティ１１1 〜１１4 に
対してランナ（樹脂流通路）５の長さがほぼ均等になる
位置に設定されている。
【００１４】図２に示すように、各ランナ５は成型用上
型１０U のポット１２から放射上に延びて、それぞれが
ゲート６を介して各キャビティ１１1 〜１１4 のコーナ
ー部に連通している。なお、本実施例では、ゲート６は
上型１０U のキャビティ１１に連通しているが、ランナ
５をリードフレーム１の裏面側に導いて、下型１０Lの
キャビティ１１に連通させてもよい。図２の状態で半導
体素子がリードフレーム１の上面に組み込まれている場
合は、後者のように下型１０L にゲート６を設ける方
が、注入された樹脂が半導体素子や金属細線に直接に当
たらないので好ましい。
型１０U のポット１２から放射上に延びて、それぞれが
ゲート６を介して各キャビティ１１1 〜１１4 のコーナ
ー部に連通している。なお、本実施例では、ゲート６は
上型１０U のキャビティ１１に連通しているが、ランナ
５をリードフレーム１の裏面側に導いて、下型１０Lの
キャビティ１１に連通させてもよい。図２の状態で半導
体素子がリードフレーム１の上面に組み込まれている場
合は、後者のように下型１０L にゲート６を設ける方
が、注入された樹脂が半導体素子や金属細線に直接に当
たらないので好ましい。
【００１５】以上のように、上記の実施例によれば、所
定温度に加熱された成型用金型１０のポット１２に樹脂
タブレット３が投入された後、プランジャ４が下降され
て樹脂タブレット３が加圧される。加熱溶融された樹脂
はプランジャ４で加圧されることにより、各ランナ５を
通って放射上に流れ、各キャビティ１１1 〜１１4 に均
等に注入される。
定温度に加熱された成型用金型１０のポット１２に樹脂
タブレット３が投入された後、プランジャ４が下降され
て樹脂タブレット３が加圧される。加熱溶融された樹脂
はプランジャ４で加圧されることにより、各ランナ５を
通って放射上に流れ、各キャビティ１１1 〜１１4 に均
等に注入される。
【００１６】上記の実施例では、長辺に沿って半導体素
子を２列に配列して組み立てる構造の多列型のリードフ
レームを例に採って説明したが、本発明これに限らず、
例えば図３に示すように、長辺に沿って半導体素子を４
列に配列して組み立てる構造の多列型のリードフレーム
１にも適用することができる。この例によれば、リード
フレーム１上に配置された樹脂タブレット３の周辺にあ
るパッケージ本体２1〜２8 に対応する各キャビティ１
１1 〜１１8 に対して、成型用樹脂がほぼ均等に注入さ
れる。なお、樹脂タブレット３に近いキャビティ１
１2 ，１１3 ，１１6 ，１１7 と、他のキャビティ１１
1 ，１１4 ，１１5 ，１１8 とは、必ずも同時に成型用
樹脂が注入されるわけではないが、従来例のようにリー
ドフレームの外側に樹脂タブレットを配置したものに比
べて、各キャビティへのランナ５の長さの差が少なくな
るので、それだけ注入条件（樹脂の粘度等）を均等にす
ることができる。
子を２列に配列して組み立てる構造の多列型のリードフ
レームを例に採って説明したが、本発明これに限らず、
例えば図３に示すように、長辺に沿って半導体素子を４
列に配列して組み立てる構造の多列型のリードフレーム
１にも適用することができる。この例によれば、リード
フレーム１上に配置された樹脂タブレット３の周辺にあ
るパッケージ本体２1〜２8 に対応する各キャビティ１
１1 〜１１8 に対して、成型用樹脂がほぼ均等に注入さ
れる。なお、樹脂タブレット３に近いキャビティ１
１2 ，１１3 ，１１6 ，１１7 と、他のキャビティ１１
1 ，１１4 ，１１5 ，１１8 とは、必ずも同時に成型用
樹脂が注入されるわけではないが、従来例のようにリー
ドフレームの外側に樹脂タブレットを配置したものに比
べて、各キャビティへのランナ５の長さの差が少なくな
るので、それだけ注入条件（樹脂の粘度等）を均等にす
ることができる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、成型金型にセットされたリードフレーム上で
あって、かつ複数個のキャビティに対して樹脂流通路の
長さがほぼ均等になる位置に樹脂タブレットを配置し、
その樹脂タブレット周辺のキャビティに成型用樹脂を注
入しているので、各キャビティへの樹脂の注入の時間差
が少なくなり、ほぼ同一の条件で樹脂注入を行なうこと
ができる。その結果、特定のキャビティに注入される樹
脂の粘度が上がるといった不都合を回避できるので、樹
脂とリードフレームとの密着性の低下や、金属配線の変
形を防止することができる。
によれば、成型金型にセットされたリードフレーム上で
あって、かつ複数個のキャビティに対して樹脂流通路の
長さがほぼ均等になる位置に樹脂タブレットを配置し、
その樹脂タブレット周辺のキャビティに成型用樹脂を注
入しているので、各キャビティへの樹脂の注入の時間差
が少なくなり、ほぼ同一の条件で樹脂注入を行なうこと
ができる。その結果、特定のキャビティに注入される樹
脂の粘度が上がるといった不都合を回避できるので、樹
脂とリードフレームとの密着性の低下や、金属配線の変
形を防止することができる。
【００１８】また、配置された樹脂タブレットと各キャ
ビティ間の樹脂流通路の長さが短くなるので、硬化時間
の短い成型用樹脂を使用することが可能で、それだけ生
産性が向上する。さらに、長い樹脂流通路を必要としな
いので、成型用樹脂の利用効率が上がる。
ビティ間の樹脂流通路の長さが短くなるので、硬化時間
の短い成型用樹脂を使用することが可能で、それだけ生
産性が向上する。さらに、長い樹脂流通路を必要としな
いので、成型用樹脂の利用効率が上がる。
【図１】本発明方法の一実施例に係る成型手法を示した
斜視図である。
斜視図である。
【図２】実施例に係る成型手法の説明に供する断面図で
ある。
ある。
【図３】別実施例の成型手法を示した斜視図である。
【図４】第１従来例の説明に供する斜視図である。
【図５】第２従来例の説明に供する斜視図である。
１…（多列型）リードフレーム ２（２1 〜２4 ）…パッケージ本体 ３…樹脂タブレット ４…プランジャ ５…ランナ（樹脂流通路） ６…ゲート（樹脂注入口） １０…成型用金型 １１（１１1 〜１１4 ）…キャビティ １２…ポット
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームの長辺に沿って各半導体
素子が複数列に配列される構造のリードフレームを成型
金型にセットし、この成型金型の各キャビティに成型用
樹脂を注入して、各半導体素子を封止するパッケージ本
体を形成する半導体装置の製造方法において、前記成型
金型にセットされたリードフレーム上であって、かつ複
数個の樹脂充填用空所（キャビティ）に対して樹脂流通
路の長さがほぼ均等になる位置に樹脂タブレットを配置
し、その樹脂タブレットを加圧することにより、その樹
脂タブレットの周辺のキャビティに成型用樹脂を注入す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1873395A JPH08191083A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
| US08/584,449 US5672550A (en) | 1995-01-10 | 1996-01-10 | Method of encapsulating semiconductor devices using a lead frame with resin tablets arranged on lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1873395A JPH08191083A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08191083A true JPH08191083A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11979879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1873395A Pending JPH08191083A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08191083A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09181105A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Nec Corp | 半導体樹脂封止用金型 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110945A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置製造方法及びその実施装置 |
| JPH02252514A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-11 | Yamada Seisakusho:Kk | 成形用金型 |
-
1995
- 1995-01-10 JP JP1873395A patent/JPH08191083A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110945A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Hitachi Ltd | 半導体装置製造方法及びその実施装置 |
| JPH02252514A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-11 | Yamada Seisakusho:Kk | 成形用金型 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09181105A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Nec Corp | 半導体樹脂封止用金型 |
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