JPH03250635A - 半導体装置の製造方法およびモールド装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびモールド装置Info
- Publication number
- JPH03250635A JPH03250635A JP4545090A JP4545090A JPH03250635A JP H03250635 A JPH03250635 A JP H03250635A JP 4545090 A JP4545090 A JP 4545090A JP 4545090 A JP4545090 A JP 4545090A JP H03250635 A JPH03250635 A JP H03250635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- gate
- lead
- gates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000000465 moulding Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造技術、特にトランスファモー
ルドによってパッケージを製造する半導体装置に関する
ものである。
ルドによってパッケージを製造する半導体装置に関する
ものである。
半導体チップを取り付はワイヤボンディングが完了した
リードフレームをセットしたのち、モールド金型の上型
と下型との間に挾んで型締めした後、上型のほぼ中央部
に設けたポット内にタブレット型に成形した粉末樹脂を
投入する。そしてプランジャをポットの内壁面にそって
下降させて溶けたレジンを上下型によって形成されたラ
ンナーおよびゲートを介してキャビティ内に送りこみ、
キャビティ内に位置するリードフレーム部分をレジンで
覆うようにしている。
リードフレームをセットしたのち、モールド金型の上型
と下型との間に挾んで型締めした後、上型のほぼ中央部
に設けたポット内にタブレット型に成形した粉末樹脂を
投入する。そしてプランジャをポットの内壁面にそって
下降させて溶けたレジンを上下型によって形成されたラ
ンナーおよびゲートを介してキャビティ内に送りこみ、
キャビティ内に位置するリードフレーム部分をレジンで
覆うようにしている。
ところが、上述のようなモールド装置にあっては、長い
ランナーがあるためレジンの使用効率が極めて悪く、ま
た電子材料別冊1987年版超LSI製造・試験装置ガ
イドブック工業調査会発行p160〜165等に記載さ
れているように自動化が可能なマルチプランジャモール
ド金型が採用されるようになってきた。マルチプランジ
ャは長いランナーがなく直接ゲートを介して2〜4個の
キャビティ内にレジンを注入するように成っている。
ランナーがあるためレジンの使用効率が極めて悪く、ま
た電子材料別冊1987年版超LSI製造・試験装置ガ
イドブック工業調査会発行p160〜165等に記載さ
れているように自動化が可能なマルチプランジャモール
ド金型が採用されるようになってきた。マルチプランジ
ャは長いランナーがなく直接ゲートを介して2〜4個の
キャビティ内にレジンを注入するように成っている。
第6図は上述のマルチプランジャモールド金型の下型平
面図、第7図はレジン注入時の状態説明図、第8図及び
第9図はそれぞれIV−4’線及び■−V線断面図であ
る。
面図、第7図はレジン注入時の状態説明図、第8図及び
第9図はそれぞれIV−4’線及び■−V線断面図であ
る。
1は下型であり、その表面にはタブレット状に成形した
レジン(図示せず)を載せるカル(上型に設けたポット
に対応している)が形成され、このカル2を挾んでゲー
ト3,3が設けられている。
レジン(図示せず)を載せるカル(上型に設けたポット
に対応している)が形成され、このカル2を挾んでゲー
ト3,3が設けられている。
4.4は半導体装置のパッケージを形作るキャビティと
なる溝であり各ゲート3,3は上記溝に連通して形成さ
れている。
なる溝であり各ゲート3,3は上記溝に連通して形成さ
れている。
5は各カル間を連結する連結部であり、カル2に置いた
タブレット状レジンを溶融した状態でゲート3.3を介
してキャビティ4,4内に圧入する際の空気の抜は道と
して形成されている。
タブレット状レジンを溶融した状態でゲート3.3を介
してキャビティ4,4内に圧入する際の空気の抜は道と
して形成されている。
第7図にて示すIV−IV線及び■−■線に、レジン6
の断面を観測すると、第8図及び第9図にて分かるよう
に連結部5だけでなく、キャビティ4゜4側のレジンに
も空気(ボイド)7が巻き込まれており、ボイドの原因
となることが多々あり、今後ますます軽薄短小化の進む
半導体装置にあっては、よりボイドの発生を低減させる
必要があった。
の断面を観測すると、第8図及び第9図にて分かるよう
に連結部5だけでなく、キャビティ4゜4側のレジンに
も空気(ボイド)7が巻き込まれており、ボイドの原因
となることが多々あり、今後ますます軽薄短小化の進む
半導体装置にあっては、よりボイドの発生を低減させる
必要があった。
本発明の目的は、パッケージ内のボイド発生を抑制でき
るモールド技術を提供するものである。
るモールド技術を提供するものである。
本発明の他の目的は、マルチプランジャ型のモールド装
置におけるモールド製品の品質向上を達成するものであ
る。
置におけるモールド製品の品質向上を達成するものであ
る。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち上下型表面に形成した溝で構成される各キャビ
ティに連通ずる各々ゲートにレジン引込路を形成するも
のである。
ティに連通ずる各々ゲートにレジン引込路を形成するも
のである。
上記した手段によれば、キャビティ内にレジンが流入す
る直前で、空気を巻き込んでいる流動レジン先端部及び
側面部をレジン引込路内に引込み、キャビティへは空気
を巻き込んでいないレジンを注入することができ、ボイ
ドのないパッケージが得られるものである。
る直前で、空気を巻き込んでいる流動レジン先端部及び
側面部をレジン引込路内に引込み、キャビティへは空気
を巻き込んでいないレジンを注入することができ、ボイ
ドのないパッケージが得られるものである。
第1図は、本発明の一実施例であるモールド装置の下型
平面図、第2図は第1図のモールド装置部分拡大図、第
3図及び第4図はそれぞれ第2図の1−1線および■−
■線断面図、第5図は、第1図のモールド装置を■−■
線で切断した際の断面構成図である。
平面図、第2図は第1図のモールド装置部分拡大図、第
3図及び第4図はそれぞれ第2図の1−1線および■−
■線断面図、第5図は、第1図のモールド装置を■−■
線で切断した際の断面構成図である。
以下、図に従い詳細に説明する。なお、第6図にて説明
した構成と同一構成部分については同符号を付し、その
部名を省略する。
した構成と同一構成部分については同符号を付し、その
部名を省略する。
図示するように下型10の表面にはポット11に対抗し
てカル2,2が複数直列に配置されている。また、上記
カル2,2を挾んで両側にはカル2.2の配列方向と直
行する方向にゲート3,3が一対形成されており、かつ
各々ゲート3,3には半導体装置(図示せず)のキャビ
ティを構成する溝4,4が形成されている。12.12
のゲート3,3に連通するレジン引込路で、本実施例で
はカル2,2に対して同方向側に位置するゲート3.3
に共通して形成されている。
てカル2,2が複数直列に配置されている。また、上記
カル2,2を挾んで両側にはカル2.2の配列方向と直
行する方向にゲート3,3が一対形成されており、かつ
各々ゲート3,3には半導体装置(図示せず)のキャビ
ティを構成する溝4,4が形成されている。12.12
のゲート3,3に連通するレジン引込路で、本実施例で
はカル2,2に対して同方向側に位置するゲート3.3
に共通して形成されている。
次に半導体装置の製造方法について説明する。
今、各キャビティを構成する下型10の溝4,4には半
導体チップを搭載したリードフレーム(図示せず)をセ
ットしたのち上下両型を油圧等の圧力を利用して型締め
した状態とする。この状態でボット11内にタブレット
状に成形したレジン13を投入して加熱し溶融する。次
にポット11の内壁面に沿ってプランジャ14を下降さ
せ上記レジン13を圧縮すると溶融したレジンはカル2
の側面2Aに沿ってゲート3,3に流入していく。
導体チップを搭載したリードフレーム(図示せず)をセ
ットしたのち上下両型を油圧等の圧力を利用して型締め
した状態とする。この状態でボット11内にタブレット
状に成形したレジン13を投入して加熱し溶融する。次
にポット11の内壁面に沿ってプランジャ14を下降さ
せ上記レジン13を圧縮すると溶融したレジンはカル2
の側面2Aに沿ってゲート3,3に流入していく。
このとき、レジン中に巻き込まれた空気の大部分はゲー
ト3の側面に沿って流れるが、途中レジンの先端部及び
ゲート3の側面に沿って流れているレジンはレジン引込
路12に流入する。ずなわち、空気が巻き込まれ易いレ
ジン流動先端部及びゲート側面近傍を流れるレジンはレ
ジン引込路12に流れていき、空気の巻き込んでいない
ゲート中央部を流れるレジンがキャビティ4,4に注入
されていくことになる。従って、第4図で示すようにレ
ジン引込路12にはレジン内に空気15が巻き込まれて
いるが、キャビティ4に注入されたレジンには空気が存
在していない。従って、ボイドのない半導体装置が得え
られることになる。
ト3の側面に沿って流れるが、途中レジンの先端部及び
ゲート3の側面に沿って流れているレジンはレジン引込
路12に流入する。ずなわち、空気が巻き込まれ易いレ
ジン流動先端部及びゲート側面近傍を流れるレジンはレ
ジン引込路12に流れていき、空気の巻き込んでいない
ゲート中央部を流れるレジンがキャビティ4,4に注入
されていくことになる。従って、第4図で示すようにレ
ジン引込路12にはレジン内に空気15が巻き込まれて
いるが、キャビティ4に注入されたレジンには空気が存
在していない。従って、ボイドのない半導体装置が得え
られることになる。
次に本実施例の作用及び効果について説明する。
(1)各ゲートにレジン引込路を形成することにより、
カル壁面のどの領域で巻き込んだ空気であっても、かな
らずゲートの側面に沿って流れていくためレジン引込路
へと引込まれていき、空気の巻き込んでいない、すなわ
ちゲートの中央部分を流れるレジンがキャビティ内へと
充填されていく。
カル壁面のどの領域で巻き込んだ空気であっても、かな
らずゲートの側面に沿って流れていくためレジン引込路
へと引込まれていき、空気の巻き込んでいない、すなわ
ちゲートの中央部分を流れるレジンがキャビティ内へと
充填されていく。
そのためボイドのない耐湿性良好な半導体が得られるも
のである。
のである。
(2)上記により、モールドにおける品質歩留を飛躍的
に向上させることができるという効果が得られる。
に向上させることができるという効果が得られる。
(3)同方向に延在するゲートに対して共通したレジン
引込路を設けることにより、より簡単に型を製作できる
と共にモールド完了後不要となったレジンを型から取り
出す際に各ゲートに共通したレジン引込路内いのレジン
を一体に取り出す事が可能となるものである。
引込路を設けることにより、より簡単に型を製作できる
と共にモールド完了後不要となったレジンを型から取り
出す際に各ゲートに共通したレジン引込路内いのレジン
を一体に取り出す事が可能となるものである。
なお、このとき、各ゲート間にはレジン引込路に連通し
た空気の逃げ道(エアーベント)が形成されている。
た空気の逃げ道(エアーベント)が形成されている。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例にもとづ
き説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなくその要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である
ことはいうまでもない。たとえば、レジン引込路は直線
状でなく曲線状であっても良い。
き説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなくその要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である
ことはいうまでもない。たとえば、レジン引込路は直線
状でなく曲線状であっても良い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置のモール
ド技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば、1ポツト型のモールド
装置にも適用することができる。
をその背景となった利用分野である半導体装置のモール
ド技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば、1ポツト型のモールド
装置にも適用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
すなわち、キャビティ内にレジンが注入される直前に位
置するゲートにレジン引込路を設け、ゲート側面に沿っ
て流動している空気を含んでいるレジンをレジン引込路
中に取り込みボイドのないモールド製品を得ることがで
きるものである。
置するゲートにレジン引込路を設け、ゲート側面に沿っ
て流動している空気を含んでいるレジンをレジン引込路
中に取り込みボイドのないモールド製品を得ることがで
きるものである。
第1図は、本発明の一実施例であるマルチプランジャ方
式のモールド装置の下型平面図、第2図は、第1図のモ
ールド装置におけるレジン注入状態図、 第3図、第4図はそれぞれ第2図の1−1線及びn−n
線断面図、 第5図は、第1図のモールド装置のIV−IV線におけ
る断面説明図、 第6図は、従来のモールド装置の下型平面図、第7図は
、第6図のモールド装置に折れるレジン注入状態図、 第8図、第9図はそれぞれ第7図のIV−IV線及びV
−V線断面図である。 2・・・カル、3・・・ゲート、4・・溝、1o・・・
下型、11・・・ポット、12・・・レジン引込路、1
3・・・タブレット状レジン、14・・・プランジャ、
15・・・空気。 第 図 第 図 第 図 第 図 5 第 図 第 図
式のモールド装置の下型平面図、第2図は、第1図のモ
ールド装置におけるレジン注入状態図、 第3図、第4図はそれぞれ第2図の1−1線及びn−n
線断面図、 第5図は、第1図のモールド装置のIV−IV線におけ
る断面説明図、 第6図は、従来のモールド装置の下型平面図、第7図は
、第6図のモールド装置に折れるレジン注入状態図、 第8図、第9図はそれぞれ第7図のIV−IV線及びV
−V線断面図である。 2・・・カル、3・・・ゲート、4・・溝、1o・・・
下型、11・・・ポット、12・・・レジン引込路、1
3・・・タブレット状レジン、14・・・プランジャ、
15・・・空気。 第 図 第 図 第 図 第 図 5 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、リードフレームに直接または絶縁基板等を介して間
接的に半導体チップを取り付け、かつ上記半導体チップ
上の電極とリードフレームの所望部とを電気的に接続す
る組立工程と、上記リードフレームを下型および上型か
らなるモールド型に型締めした後、前記下型あるいは上
型の表面に形成された複数本のゲートを介して溶融した
レジンを上記両型面に形成した溝によって構成されるキ
ャビティ内に圧入して上記リードフレームの所定部分を
レジンにて覆うモールド工程とを有する半導体装置の製
造方法であって、上記ゲートに連通したレジン引込路に
流動するレジンの先端部を引き込み、封止を行なうこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 2、上型または下型に形成されたタブレット状に成型さ
れたレジンを投入するための複数のポットと、上記ポッ
トに沿って移動しポット内に投入したタブレット状のレ
ジンを圧縮するためのプランジャと、上記両型面の片方
に形成され、かつ上記ポットを挾んで両側の位置に形成
されたゲートと、各ゲートにそれぞれ対応して配置され
、両型面にて形成されているキャビティと隣接するゲー
トに連通して設けられたレジン引込路が形成されている
ことを特徴とするモールド装置。 3、上型または下型に形成されたタブレットを投入する
ための複数のポットを一列に配置していると共に、各ポ
ットに対して両側に上型または下型に形成しているゲー
トと、各ゲートにそれぞれ対応して配置され、両型面に
形成した溝で構成されているキャビティと各ゲートと連
結して設けられたレジン引込路を有し、かつ上記レジン
引込路は複数本のゲートに共通して形成されていること
を特徴とするモールド装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2045450A JP2834257B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体装置の製造方法およびモールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2045450A JP2834257B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体装置の製造方法およびモールド装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03250635A true JPH03250635A (ja) | 1991-11-08 |
JP2834257B2 JP2834257B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=12719680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2045450A Expired - Fee Related JP2834257B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体装置の製造方法およびモールド装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2834257B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5624691A (en) * | 1994-06-21 | 1997-04-29 | Texas Instruments Incorporated | Transfer mold design |
US6257857B1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-07-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Molding apparatus for flexible substrate based package |
US6696006B2 (en) * | 2000-05-22 | 2004-02-24 | Stmicroelectronics S.A. | Mold for flashless injection molding to encapsulate an integrated circuit chip |
US7247267B2 (en) * | 2003-08-12 | 2007-07-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Mold and method of molding semiconductor devices |
US7682140B2 (en) * | 2006-03-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | Mold for resin molding, resin molding apparatus, and semiconductor device manufacture method |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2045450A patent/JP2834257B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5624691A (en) * | 1994-06-21 | 1997-04-29 | Texas Instruments Incorporated | Transfer mold design |
US5744083A (en) * | 1994-06-21 | 1998-04-28 | Texas Instruments Incorporated | Method for molding semiconductor packages |
US6257857B1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-07-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Molding apparatus for flexible substrate based package |
US6465277B2 (en) | 2000-01-31 | 2002-10-15 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Molding apparatus and molding method for flexible substrate based package |
US6696006B2 (en) * | 2000-05-22 | 2004-02-24 | Stmicroelectronics S.A. | Mold for flashless injection molding to encapsulate an integrated circuit chip |
US7247267B2 (en) * | 2003-08-12 | 2007-07-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Mold and method of molding semiconductor devices |
US7682140B2 (en) * | 2006-03-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | Mold for resin molding, resin molding apparatus, and semiconductor device manufacture method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2834257B2 (ja) | 1998-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH1126489A (ja) | ゲートスロットを有するサブストレートならびに半導体パッケージ成形用の金型および成形方法 | |
JPS62122136A (ja) | レジンモールド半導体の製造方法および装置 | |
JP2008047573A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造装置、樹脂封止型半導体装置の製造方法、および樹脂封止型半導体装置 | |
KR20010001885U (ko) | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 | |
JPH04147814A (ja) | 樹脂封入成形用金型 | |
US5563103A (en) | Method for manufacturing thermoplastic resin molded semiconductor | |
JPH03250635A (ja) | 半導体装置の製造方法およびモールド装置 | |
JP3139981B2 (ja) | チップサイズパッケージの樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
JPH05175396A (ja) | リードフレーム及びモールド方法 | |
KR20070035725A (ko) | 2단 게이트 구조를 갖는 몰딩용 다이 | |
JP2844239B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2644551B2 (ja) | 半導体装置製造方法及びその実施装置 | |
JP2730873B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6144430Y2 (ja) | ||
JPS6029227B2 (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPH05293846A (ja) | 成形装置 | |
JPH08191083A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH09167782A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6197955A (ja) | リ−ドフレ−ム | |
JPH06151645A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPH03264322A (ja) | 樹脂封止用金型装置 | |
JP3499269B2 (ja) | カバーフレームと樹脂封止方法 | |
JP2003203935A (ja) | 半導体装置の封止方法およびそれに用いる封止装置 | |
JPH09239790A (ja) | 成形方法および成形装置 | |
JPH0794542A (ja) | 成形方法および成形装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071002 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081002 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081002 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091002 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |