JPH03250635A - 半導体装置の製造方法およびモールド装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびモールド装置Info
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 64
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 1
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/27—Sprue channels ; Runner channels or runner nozzles
- B29C45/2701—Details not specific to hot or cold runner channels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造技術、特にトランスファモー
ルドによってパッケージを製造する半導体装置に関する
ものである。
ルドによってパッケージを製造する半導体装置に関する
ものである。
半導体チップを取り付はワイヤボンディングが完了した
リードフレームをセットしたのち、モールド金型の上型
と下型との間に挾んで型締めした後、上型のほぼ中央部
に設けたポット内にタブレット型に成形した粉末樹脂を
投入する。そしてプランジャをポットの内壁面にそって
下降させて溶けたレジンを上下型によって形成されたラ
ンナーおよびゲートを介してキャビティ内に送りこみ、
キャビティ内に位置するリードフレーム部分をレジンで
覆うようにしている。
リードフレームをセットしたのち、モールド金型の上型
と下型との間に挾んで型締めした後、上型のほぼ中央部
に設けたポット内にタブレット型に成形した粉末樹脂を
投入する。そしてプランジャをポットの内壁面にそって
下降させて溶けたレジンを上下型によって形成されたラ
ンナーおよびゲートを介してキャビティ内に送りこみ、
キャビティ内に位置するリードフレーム部分をレジンで
覆うようにしている。
ところが、上述のようなモールド装置にあっては、長い
ランナーがあるためレジンの使用効率が極めて悪く、ま
た電子材料別冊１９８７年版超ＬＳＩ製造・試験装置ガ
イドブック工業調査会発行ｐ１６０〜１６５等に記載さ
れているように自動化が可能なマルチプランジャモール
ド金型が採用されるようになってきた。マルチプランジ
ャは長いランナーがなく直接ゲートを介して２〜４個の
キャビティ内にレジンを注入するように成っている。
ランナーがあるためレジンの使用効率が極めて悪く、ま
た電子材料別冊１９８７年版超ＬＳＩ製造・試験装置ガ
イドブック工業調査会発行ｐ１６０〜１６５等に記載さ
れているように自動化が可能なマルチプランジャモール
ド金型が採用されるようになってきた。マルチプランジ
ャは長いランナーがなく直接ゲートを介して２〜４個の
キャビティ内にレジンを注入するように成っている。
第６図は上述のマルチプランジャモールド金型の下型平
面図、第７図はレジン注入時の状態説明図、第８図及び
第９図はそれぞれＩＶ−４’線及び■−Ｖ線断面図であ
る。
面図、第７図はレジン注入時の状態説明図、第８図及び
第９図はそれぞれＩＶ−４’線及び■−Ｖ線断面図であ
る。
１は下型であり、その表面にはタブレット状に成形した
レジン（図示せず）を載せるカル（上型に設けたポット
に対応している）が形成され、このカル２を挾んでゲー
ト３，３が設けられている。
レジン（図示せず）を載せるカル（上型に設けたポット
に対応している）が形成され、このカル２を挾んでゲー
ト３，３が設けられている。
４．４は半導体装置のパッケージを形作るキャビティと
なる溝であり各ゲート３，３は上記溝に連通して形成さ
れている。
なる溝であり各ゲート３，３は上記溝に連通して形成さ
れている。
５は各カル間を連結する連結部であり、カル２に置いた
タブレット状レジンを溶融した状態でゲート３．３を介
してキャビティ４，４内に圧入する際の空気の抜は道と
して形成されている。
タブレット状レジンを溶融した状態でゲート３．３を介
してキャビティ４，４内に圧入する際の空気の抜は道と
して形成されている。
第７図にて示すＩＶ−ＩＶ線及び■−■線に、レジン６
の断面を観測すると、第８図及び第９図にて分かるよう
に連結部５だけでなく、キャビティ４゜４側のレジンに
も空気（ボイド）７が巻き込まれており、ボイドの原因
となることが多々あり、今後ますます軽薄短小化の進む
半導体装置にあっては、よりボイドの発生を低減させる
必要があった。
の断面を観測すると、第８図及び第９図にて分かるよう
に連結部５だけでなく、キャビティ４゜４側のレジンに
も空気（ボイド）７が巻き込まれており、ボイドの原因
となることが多々あり、今後ますます軽薄短小化の進む
半導体装置にあっては、よりボイドの発生を低減させる
必要があった。
本発明の目的は、パッケージ内のボイド発生を抑制でき
るモールド技術を提供するものである。
るモールド技術を提供するものである。
本発明の他の目的は、マルチプランジャ型のモールド装
置におけるモールド製品の品質向上を達成するものであ
る。
置におけるモールド製品の品質向上を達成するものであ
る。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち上下型表面に形成した溝で構成される各キャビ
ティに連通ずる各々ゲートにレジン引込路を形成するも
のである。
ティに連通ずる各々ゲートにレジン引込路を形成するも
のである。
上記した手段によれば、キャビティ内にレジンが流入す
る直前で、空気を巻き込んでいる流動レジン先端部及び
側面部をレジン引込路内に引込み、キャビティへは空気
を巻き込んでいないレジンを注入することができ、ボイ
ドのないパッケージが得られるものである。
る直前で、空気を巻き込んでいる流動レジン先端部及び
側面部をレジン引込路内に引込み、キャビティへは空気
を巻き込んでいないレジンを注入することができ、ボイ
ドのないパッケージが得られるものである。
第１図は、本発明の一実施例であるモールド装置の下型
平面図、第２図は第１図のモールド装置部分拡大図、第
３図及び第４図はそれぞれ第２図の１−１線および■−
■線断面図、第５図は、第１図のモールド装置を■−■
線で切断した際の断面構成図である。
平面図、第２図は第１図のモールド装置部分拡大図、第
３図及び第４図はそれぞれ第２図の１−１線および■−
■線断面図、第５図は、第１図のモールド装置を■−■
線で切断した際の断面構成図である。
以下、図に従い詳細に説明する。なお、第６図にて説明
した構成と同一構成部分については同符号を付し、その
部名を省略する。
した構成と同一構成部分については同符号を付し、その
部名を省略する。
図示するように下型１０の表面にはポット１１に対抗し
てカル２，２が複数直列に配置されている。また、上記
カル２，２を挾んで両側にはカル２．２の配列方向と直
行する方向にゲート３，３が一対形成されており、かつ
各々ゲート３，３には半導体装置（図示せず）のキャビ
ティを構成する溝４，４が形成されている。１２．１２
のゲート３，３に連通するレジン引込路で、本実施例で
はカル２，２に対して同方向側に位置するゲート３．３
に共通して形成されている。
てカル２，２が複数直列に配置されている。また、上記
カル２，２を挾んで両側にはカル２．２の配列方向と直
行する方向にゲート３，３が一対形成されており、かつ
各々ゲート３，３には半導体装置（図示せず）のキャビ
ティを構成する溝４，４が形成されている。１２．１２
のゲート３，３に連通するレジン引込路で、本実施例で
はカル２，２に対して同方向側に位置するゲート３．３
に共通して形成されている。
次に半導体装置の製造方法について説明する。
今、各キャビティを構成する下型１０の溝４，４には半
導体チップを搭載したリードフレーム（図示せず）をセ
ットしたのち上下両型を油圧等の圧力を利用して型締め
した状態とする。この状態でボット１１内にタブレット
状に成形したレジン１３を投入して加熱し溶融する。次
にポット１１の内壁面に沿ってプランジャ１４を下降さ
せ上記レジン１３を圧縮すると溶融したレジンはカル２
の側面２Ａに沿ってゲート３，３に流入していく。
導体チップを搭載したリードフレーム（図示せず）をセ
ットしたのち上下両型を油圧等の圧力を利用して型締め
した状態とする。この状態でボット１１内にタブレット
状に成形したレジン１３を投入して加熱し溶融する。次
にポット１１の内壁面に沿ってプランジャ１４を下降さ
せ上記レジン１３を圧縮すると溶融したレジンはカル２
の側面２Ａに沿ってゲート３，３に流入していく。
このとき、レジン中に巻き込まれた空気の大部分はゲー
ト３の側面に沿って流れるが、途中レジンの先端部及び
ゲート３の側面に沿って流れているレジンはレジン引込
路１２に流入する。ずなわち、空気が巻き込まれ易いレ
ジン流動先端部及びゲート側面近傍を流れるレジンはレ
ジン引込路１２に流れていき、空気の巻き込んでいない
ゲート中央部を流れるレジンがキャビティ４，４に注入
されていくことになる。従って、第４図で示すようにレ
ジン引込路１２にはレジン内に空気１５が巻き込まれて
いるが、キャビティ４に注入されたレジンには空気が存
在していない。従って、ボイドのない半導体装置が得え
られることになる。
ト３の側面に沿って流れるが、途中レジンの先端部及び
ゲート３の側面に沿って流れているレジンはレジン引込
路１２に流入する。ずなわち、空気が巻き込まれ易いレ
ジン流動先端部及びゲート側面近傍を流れるレジンはレ
ジン引込路１２に流れていき、空気の巻き込んでいない
ゲート中央部を流れるレジンがキャビティ４，４に注入
されていくことになる。従って、第４図で示すようにレ
ジン引込路１２にはレジン内に空気１５が巻き込まれて
いるが、キャビティ４に注入されたレジンには空気が存
在していない。従って、ボイドのない半導体装置が得え
られることになる。
次に本実施例の作用及び効果について説明する。
（１）各ゲートにレジン引込路を形成することにより、
カル壁面のどの領域で巻き込んだ空気であっても、かな
らずゲートの側面に沿って流れていくためレジン引込路
へと引込まれていき、空気の巻き込んでいない、すなわ
ちゲートの中央部分を流れるレジンがキャビティ内へと
充填されていく。
カル壁面のどの領域で巻き込んだ空気であっても、かな
らずゲートの側面に沿って流れていくためレジン引込路
へと引込まれていき、空気の巻き込んでいない、すなわ
ちゲートの中央部分を流れるレジンがキャビティ内へと
充填されていく。
そのためボイドのない耐湿性良好な半導体が得られるも
のである。
のである。
（２）上記により、モールドにおける品質歩留を飛躍的
に向上させることができるという効果が得られる。
に向上させることができるという効果が得られる。
（３）同方向に延在するゲートに対して共通したレジン
引込路を設けることにより、より簡単に型を製作できる
と共にモールド完了後不要となったレジンを型から取り
出す際に各ゲートに共通したレジン引込路内いのレジン
を一体に取り出す事が可能となるものである。
引込路を設けることにより、より簡単に型を製作できる
と共にモールド完了後不要となったレジンを型から取り
出す際に各ゲートに共通したレジン引込路内いのレジン
を一体に取り出す事が可能となるものである。
なお、このとき、各ゲート間にはレジン引込路に連通し
た空気の逃げ道（エアーベント）が形成されている。
た空気の逃げ道（エアーベント）が形成されている。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例にもとづ
き説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなくその要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である
ことはいうまでもない。たとえば、レジン引込路は直線
状でなく曲線状であっても良い。
き説明したが、本発明は上記実施例に限定されるもので
はなくその要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である
ことはいうまでもない。たとえば、レジン引込路は直線
状でなく曲線状であっても良い。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置のモール
ド技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば、１ポツト型のモールド
装置にも適用することができる。
をその背景となった利用分野である半導体装置のモール
ド技術に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば、１ポツト型のモールド
装置にも適用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。
すなわち、キャビティ内にレジンが注入される直前に位
置するゲートにレジン引込路を設け、ゲート側面に沿っ
て流動している空気を含んでいるレジンをレジン引込路
中に取り込みボイドのないモールド製品を得ることがで
きるものである。
置するゲートにレジン引込路を設け、ゲート側面に沿っ
て流動している空気を含んでいるレジンをレジン引込路
中に取り込みボイドのないモールド製品を得ることがで
きるものである。
第１図は、本発明の一実施例であるマルチプランジャ方
式のモールド装置の下型平面図、第２図は、第１図のモ
ールド装置におけるレジン注入状態図、 第３図、第４図はそれぞれ第２図の１−１線及びｎ−ｎ
線断面図、 第５図は、第１図のモールド装置のＩＶ−ＩＶ線におけ
る断面説明図、 第６図は、従来のモールド装置の下型平面図、第７図は
、第６図のモールド装置に折れるレジン注入状態図、 第８図、第９図はそれぞれ第７図のＩＶ−ＩＶ線及びＶ
−Ｖ線断面図である。 ２・・・カル、３・・・ゲート、４・・溝、１ｏ・・・
下型、１１・・・ポット、１２・・・レジン引込路、１
３・・・タブレット状レジン、１４・・・プランジャ、
１５・・・空気。 第 図 第 図 第 図 第 図 ５ 第 図 第 図
式のモールド装置の下型平面図、第２図は、第１図のモ
ールド装置におけるレジン注入状態図、 第３図、第４図はそれぞれ第２図の１−１線及びｎ−ｎ
線断面図、 第５図は、第１図のモールド装置のＩＶ−ＩＶ線におけ
る断面説明図、 第６図は、従来のモールド装置の下型平面図、第７図は
、第６図のモールド装置に折れるレジン注入状態図、 第８図、第９図はそれぞれ第７図のＩＶ−ＩＶ線及びＶ
−Ｖ線断面図である。 ２・・・カル、３・・・ゲート、４・・溝、１ｏ・・・
下型、１１・・・ポット、１２・・・レジン引込路、１
３・・・タブレット状レジン、１４・・・プランジャ、
１５・・・空気。 第 図 第 図 第 図 第 図 ５ 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リードフレームに直接または絶縁基板等を介して間
接的に半導体チップを取り付け、かつ上記半導体チップ
上の電極とリードフレームの所望部とを電気的に接続す
る組立工程と、上記リードフレームを下型および上型か
らなるモールド型に型締めした後、前記下型あるいは上
型の表面に形成された複数本のゲートを介して溶融した
レジンを上記両型面に形成した溝によって構成されるキ
ャビティ内に圧入して上記リードフレームの所定部分を
レジンにて覆うモールド工程とを有する半導体装置の製
造方法であって、上記ゲートに連通したレジン引込路に
流動するレジンの先端部を引き込み、封止を行なうこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。 ２、上型または下型に形成されたタブレット状に成型さ
れたレジンを投入するための複数のポットと、上記ポッ
トに沿って移動しポット内に投入したタブレット状のレ
ジンを圧縮するためのプランジャと、上記両型面の片方
に形成され、かつ上記ポットを挾んで両側の位置に形成
されたゲートと、各ゲートにそれぞれ対応して配置され
、両型面にて形成されているキャビティと隣接するゲー
トに連通して設けられたレジン引込路が形成されている
ことを特徴とするモールド装置。 ３、上型または下型に形成されたタブレットを投入する
ための複数のポットを一列に配置していると共に、各ポ
ットに対して両側に上型または下型に形成しているゲー
トと、各ゲートにそれぞれ対応して配置され、両型面に
形成した溝で構成されているキャビティと各ゲートと連
結して設けられたレジン引込路を有し、かつ上記レジン
引込路は複数本のゲートに共通して形成されていること
を特徴とするモールド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045450A JP2834257B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体装置の製造方法およびモールド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045450A JP2834257B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体装置の製造方法およびモールド装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250635A true JPH03250635A (ja) | 1991-11-08 |
| JP2834257B2 JP2834257B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=12719680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2045450A Expired - Fee Related JP2834257B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 半導体装置の製造方法およびモールド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2834257B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624691A (en) * | 1994-06-21 | 1997-04-29 | Texas Instruments Incorporated | Transfer mold design |
| US6257857B1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-07-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Molding apparatus for flexible substrate based package |
| US6696006B2 (en) * | 2000-05-22 | 2004-02-24 | Stmicroelectronics S.A. | Mold for flashless injection molding to encapsulate an integrated circuit chip |
| US7247267B2 (en) * | 2003-08-12 | 2007-07-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Mold and method of molding semiconductor devices |
| US7682140B2 (en) * | 2006-03-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | Mold for resin molding, resin molding apparatus, and semiconductor device manufacture method |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2045450A patent/JP2834257B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624691A (en) * | 1994-06-21 | 1997-04-29 | Texas Instruments Incorporated | Transfer mold design |
| US5744083A (en) * | 1994-06-21 | 1998-04-28 | Texas Instruments Incorporated | Method for molding semiconductor packages |
| US6257857B1 (en) * | 2000-01-31 | 2001-07-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Molding apparatus for flexible substrate based package |
| US6465277B2 (en) | 2000-01-31 | 2002-10-15 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Molding apparatus and molding method for flexible substrate based package |
| US6696006B2 (en) * | 2000-05-22 | 2004-02-24 | Stmicroelectronics S.A. | Mold for flashless injection molding to encapsulate an integrated circuit chip |
| US7247267B2 (en) * | 2003-08-12 | 2007-07-24 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Mold and method of molding semiconductor devices |
| US7682140B2 (en) * | 2006-03-30 | 2010-03-23 | Fujitsu Microelectronics Limited | Mold for resin molding, resin molding apparatus, and semiconductor device manufacture method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2834257B2 (ja) | 1998-12-09 |
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Legal Events
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