JPH06151645A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH06151645A JPH06151645A JP32467092A JP32467092A JPH06151645A JP H06151645 A JPH06151645 A JP H06151645A JP 32467092 A JP32467092 A JP 32467092A JP 32467092 A JP32467092 A JP 32467092A JP H06151645 A JPH06151645 A JP H06151645A
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- JP
- Japan
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- die pad
- resin
- leads
- semiconductor chip
- cavity
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂モールドによるボンディング細線の変形
の小さい半導体装置とその製造方法を提供する。 【構成】 ダイパッド及びリードの内側先端部を含むリ
ードフレーム平面領域の裏面に絶縁シートを貼着した。
の小さい半導体装置とその製造方法を提供する。 【構成】 ダイパッド及びリードの内側先端部を含むリ
ードフレーム平面領域の裏面に絶縁シートを貼着した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂モールドによるボン
ディング細線の変形の小さい半導体装置とその製造方法
に関する。
ディング細線の変形の小さい半導体装置とその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置１は通常、図２に示すよう
に、ダイパッド２と、該ダイパッド２の周辺から外方に
延びる多数のリード３及びこれらパッド２及びリード３
を支持するフレーム部とが一体に形成されるリードフレ
ーム４を用い、ダイパッド２上に半導体チップ５を搭載
し、該半導体チップ５上の電極と前記リード３の内側先
端とをボンディング細線６で電気的に接続し、これを上
金型７と下金型８からなる樹脂成形機に供して熱硬化性
樹脂により、前記ダイパッド２、半導体チップ５、ボン
ディング細線６及びリード３の内側先端部を含む空間的
領域をモールドした後、フレーム部を切断除去して製造
される。
に、ダイパッド２と、該ダイパッド２の周辺から外方に
延びる多数のリード３及びこれらパッド２及びリード３
を支持するフレーム部とが一体に形成されるリードフレ
ーム４を用い、ダイパッド２上に半導体チップ５を搭載
し、該半導体チップ５上の電極と前記リード３の内側先
端とをボンディング細線６で電気的に接続し、これを上
金型７と下金型８からなる樹脂成形機に供して熱硬化性
樹脂により、前記ダイパッド２、半導体チップ５、ボン
ディング細線６及びリード３の内側先端部を含む空間的
領域をモールドした後、フレーム部を切断除去して製造
される。
【０００３】前記成形金型はキャビティ９を成形した上
金型７と、ランナ１０、ゲート１１及びキャビティ９を
形成した下金型８からなり、ボンディングされたリード
フレーム４を下金型８のキャビティ９に位置合せして並
べ、上下金型７，８を閉じ、タブレット状の樹脂１２を
金型ポット１３内に投入すれば、金型はヒーター１４に
より加熱されていて樹脂１２は溶融を開始し、トランス
ファ成形機のプランジャー１５を降下させるとポット１
３内の樹脂はランナ１０及びゲート１１を通ってキャビ
ティ９内に注入される。所定時間経過して樹脂が硬化後
の金型７，８を開き、成形品１６を取出す。
金型７と、ランナ１０、ゲート１１及びキャビティ９を
形成した下金型８からなり、ボンディングされたリード
フレーム４を下金型８のキャビティ９に位置合せして並
べ、上下金型７，８を閉じ、タブレット状の樹脂１２を
金型ポット１３内に投入すれば、金型はヒーター１４に
より加熱されていて樹脂１２は溶融を開始し、トランス
ファ成形機のプランジャー１５を降下させるとポット１
３内の樹脂はランナ１０及びゲート１１を通ってキャビ
ティ９内に注入される。所定時間経過して樹脂が硬化後
の金型７，８を開き、成形品１６を取出す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記従来モー
ルディングプロセスはいくつかの欠点を有する。これを
図３を用いて説明する。図３は上金型７と下金型８で構
成されるキャビティ９内に、ダイパッド３、半導体チッ
プ４、多数のリード５の内側先端部及びボンディング細
線６を閉じ込めてあり、このキャビティ９に樹脂がゲー
ト１１から注入されてどのような経路で流入し、先端さ
れて行くかを（Ａ）〜（Ｅ）に模式的に示してある。
ルディングプロセスはいくつかの欠点を有する。これを
図３を用いて説明する。図３は上金型７と下金型８で構
成されるキャビティ９内に、ダイパッド３、半導体チッ
プ４、多数のリード５の内側先端部及びボンディング細
線６を閉じ込めてあり、このキャビティ９に樹脂がゲー
ト１１から注入されてどのような経路で流入し、先端さ
れて行くかを（Ａ）〜（Ｅ）に模式的に示してある。
【０００５】図３において樹脂は（Ａ）先ず下金型８側
のキャビティにより多く流れ込み、（Ｂ）ゲート１１に
近いダイパッド３とリード５の間から、又リード５とリ
ード５の間から上方に向う流れも生じ、（Ｃ）勢いの強
いこの上昇流によりボンディング細線６を押し上げて変
形したり、ボンディング部を剥離したり、断線に至らし
めることもある。同様のことは（Ｄ）ゲート１１から離
れても起こり得るし、（Ｅ）半導体チップ上方で樹脂が
合流した際に空気が閉じ込められ、ボイドになる恐れも
ある。
のキャビティにより多く流れ込み、（Ｂ）ゲート１１に
近いダイパッド３とリード５の間から、又リード５とリ
ード５の間から上方に向う流れも生じ、（Ｃ）勢いの強
いこの上昇流によりボンディング細線６を押し上げて変
形したり、ボンディング部を剥離したり、断線に至らし
めることもある。同様のことは（Ｄ）ゲート１１から離
れても起こり得るし、（Ｅ）半導体チップ上方で樹脂が
合流した際に空気が閉じ込められ、ボイドになる恐れも
ある。
【０００６】本発明の目的は上記欠点を解消し、モール
ディングによるボンディング細線への悪影響を小さくで
きる構造の半導体装置とその製造方法を提供することに
ある。
ディングによるボンディング細線への悪影響を小さくで
きる構造の半導体装置とその製造方法を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体装置は、ダイパッド及び多数のリードの
内側先端部を含む平面領域の裏面に絶縁性シートを貼着
せしめた点に特徴がある。又、この半導体装置の製造方
法は、ダイパッド及び多数のリードの内側先端部を含む
平面領域の裏面に絶縁性シートを貼着したリードフレー
ムに半導体チップを搭載し、ボンディング細線で接続
し、これを樹脂モールディングに供して半導体チップ、
ダイパッド、ボンディング細線及び多数の内側先端部を
含む空間的領域に熱硬化性樹脂を上下ほぼ等速度で注入
して前記領域をモールドした後、リードフレームのフレ
ーム部を切断除去する点に特徴がある。
本発明の半導体装置は、ダイパッド及び多数のリードの
内側先端部を含む平面領域の裏面に絶縁性シートを貼着
せしめた点に特徴がある。又、この半導体装置の製造方
法は、ダイパッド及び多数のリードの内側先端部を含む
平面領域の裏面に絶縁性シートを貼着したリードフレー
ムに半導体チップを搭載し、ボンディング細線で接続
し、これを樹脂モールディングに供して半導体チップ、
ダイパッド、ボンディング細線及び多数の内側先端部を
含む空間的領域に熱硬化性樹脂を上下ほぼ等速度で注入
して前記領域をモールドした後、リードフレームのフレ
ーム部を切断除去する点に特徴がある。
【０００８】
【作用】図１は本発明法によるモールドプロセス及び本
発明の半導体装置構造を模式的に説明するための図であ
る。図１において、上金型７と下金型８で構成されるキ
ャビティ９内に、ダイパッド２及び多数のリード３の内
側先端を含む平面領域の裏面に絶縁性シート１７が貼着
されたリードフレーム部分が閉じられ、樹脂は（Ａ）右
端のゲート１１から上下にほぼ等速度で注入される。
（Ｂ）樹脂は上記絶縁性シート１７で上下に仕切られて
いるので、キャビティ９内を上昇したり、下降したりす
ることなく、そのまま前進し、（Ｃ）上下ほぼ同様のタ
イミングで左端へ達し、キャビティ９内の最後の残留空
気はリードと金型の隙間から排出され、（Ｄ）樹脂が硬
化した後、金型を開いてモールドが完了する。
発明の半導体装置構造を模式的に説明するための図であ
る。図１において、上金型７と下金型８で構成されるキ
ャビティ９内に、ダイパッド２及び多数のリード３の内
側先端を含む平面領域の裏面に絶縁性シート１７が貼着
されたリードフレーム部分が閉じられ、樹脂は（Ａ）右
端のゲート１１から上下にほぼ等速度で注入される。
（Ｂ）樹脂は上記絶縁性シート１７で上下に仕切られて
いるので、キャビティ９内を上昇したり、下降したりす
ることなく、そのまま前進し、（Ｃ）上下ほぼ同様のタ
イミングで左端へ達し、キャビティ９内の最後の残留空
気はリードと金型の隙間から排出され、（Ｄ）樹脂が硬
化した後、金型を開いてモールドが完了する。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、樹脂はリードとダイパ
ッドとの間又はリードとリードの内から勢い良く出るこ
とはなくなり、ボンディング細線に悪影響を及ぼすこと
がなくなる。又、樹脂の上下の流れがほぼ等速度とな
り、樹脂注入側の他端で合流するのでボイドが形成され
にくいという利点もある。
ッドとの間又はリードとリードの内から勢い良く出るこ
とはなくなり、ボンディング細線に悪影響を及ぼすこと
がなくなる。又、樹脂の上下の流れがほぼ等速度とな
り、樹脂注入側の他端で合流するのでボイドが形成され
にくいという利点もある。
【図１】本発明法におけるモールド金型中の樹脂の流れ
方を模式的に示す断面図である。
方を模式的に示す断面図である。
【図２】従来のモールドプロセスを説明する図である。
【図３】従来法におけるモールド金型中の樹脂の流れ方
を模式的に示す断面図である。
を模式的に示す断面図である。
２ ダイパッド ３ リード ５ 半導体チップ ６ ボンディング細線 ７ 上金型 ８ 下金型 ９ キャビティ １１ ゲート １７ 絶縁性シート
Claims (2)
- 【請求項１】 ダイパッド上に半導体チップが搭載さ
れ、該半導体チップ上の電極と前記ダイパッドの周辺か
ら外方に延びる多数のリードの内側先端とがボンディン
グ細線で電気的に接続され、これら半導体チップ、ダイ
パッド、ボンディング細線及び多数のリードの内側先端
部を含む空間的領域が熱硬化性樹脂によりモールドされ
た半導体装置において、前記ダイパッド及び多数のリー
ドの内側先端部を含む平面領域の裏面に絶縁性シートが
貼着されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 ダイパッドと、該ダイパッドの周辺から
外方に延びる多数のリード及びこれらパッド、リードを
外側で支持するフレーム部とが一体に形成されたリード
フレームの、該ダイパッド及び多数のリードの内側先端
部を含む平面領域の裏面に絶縁性シートを貼着し、該ダ
イパッド上に半導体チップを搭載し、該半導体チップ上
の電極と多数のリードの内側先端部とをボンディング細
線で電気的に接続し、これを樹脂モールド金型に供して
半導体チップ、ダイパッド、ボンディング細線及び多数
のリードの内側先端部を含む空間的領域に、熱硬化性樹
脂を上下ほぼ等速度で注入して前記領域をモールドした
後、リードフレームのフレーム部を切断除去することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32467092A JPH06151645A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32467092A JPH06151645A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06151645A true JPH06151645A (ja) | 1994-05-31 |
Family
ID=18168426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32467092A Pending JPH06151645A (ja) | 1992-11-11 | 1992-11-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06151645A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395578B1 (en) * | 1999-05-20 | 2002-05-28 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and method for fabricating the same |
| US7067963B2 (en) * | 2000-10-24 | 2006-06-27 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US9768124B2 (en) | 2007-02-21 | 2017-09-19 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package in package |
-
1992
- 1992-11-11 JP JP32467092A patent/JPH06151645A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395578B1 (en) * | 1999-05-20 | 2002-05-28 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and method for fabricating the same |
| US7067963B2 (en) * | 2000-10-24 | 2006-06-27 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US9768124B2 (en) | 2007-02-21 | 2017-09-19 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package in package |
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