JPH0338864A - 集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 トランスファーモールド樹脂パッケージ型の集積回路装
置の構造に関し、 回路＆　板のボンディングパッドとリードフレームの内
端子とを接続するボンディングワイヤの接続の安定性を
高める樹脂封止構造を提供することを目的とし、 回路素子を搭載した回路基板の周縁部に配設されたボン
ティングバントと、前記回路基板を搭載したり一トフレ
ームの内端子とをボンディングワイヤで接続したのち、
モールド金型のキャビティ内に装填し、前記モールド金
型の樹脂注入ゲートから熔融樹脂を前記キャビティ内に
注入・固化して、前記回路基板（１）を樹脂封止したト
ランスファーモールド樹脂パッケージ型の集積回路装置
において、前記樹脂注入ゲートの出口とその近傍の前記
ボンディングワイヤ部との間に、前記ボンディングワイ
ヤへの前記溶融樹脂の直撃を防止する堰堤部を設υて集
積回路装置を構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は接続部にボンディングワイヤを用いた集積回路
装置の端子接続の安定化構造に関する。

近年、各種集積回路装置の集積度が増し、大規模化する
傾向がまずまず強くなってきた。ごれに伴い基板の大形
化とリード引出し端子数の増大および端子ピッチの狭小
化が迦んでいる。

とくに、混成集積回路装置においては大形セラミソク基
板にＩｃチップや各種回路素子を搭載し、基板周縁部に
配置したホンディングバットとりドフレームの内端子を
ボンディングワイヤで接続し、トランスファーモールド
により樹脂封止する場合が多いが、ワイヤの本数ｃａｔ
：　１（１０本前後に達することも稀れではなく、その
接続の安定性と信頼性の向上が強く求められている。

［従来の技術］ 第６図は従来のリードフレームと回路基板の搭載状態を
示す図である。同図（イ）は−に面図、同図（ロ）はＡ
−Ａ’断面図、同図（ハ）はＢ−Ｂ’断面図である。

図中、３はリードフレームでまたとえば、薄い銅板に′
Ｊｌ＋＜めっきしである。１４シＪステージで、たとえ
ば、ｄ隅でザポートハー１３．１３’でリードフレーム
３の両端の外枠に支持されている。４ば内端子でタイバ
ー１２により相互に連結され、タイバー１２の両端ばサ
ボー］・バー＋３．１．３”に接続されている。

さらに、内端子４はタイバー１２を挟んで外端子部とな
って延長されリードフレーム３の外枠部に接続されてい
る。ステージ１４は必要によりリードフレーム面から下
げておき、破線で示した回路基板１の表面と内端子４と
がはＸ同一レヘルになるようＣごされる。したがって、
同図（ハ）に示したより うにボンディングｌイヤ５は最短備前で、しかも、ボン
ディングマシンの溶接へツーの移動距離も少なく、安定
した加工と安定した接続ができる。

これは回路基板が大形で厚い時にとくに有利である。

また、図ではステージ１４の中央部に樹脂挿通孔２０が
設けられた例を示してあり、この樹脂挿通孔２０による
応力分布の集中を緩和する働きよって、大形回路基板使
用の場合に封止樹脂に生しるクランクを防止するのに有
効である。

回路基板１のステージ１４への搭載には、たとえば、エ
ポキシ樹脂接着剤なとを使用する。ボンディングワイヤ
５は、たとえば、Ａｕ線を用い回路基板１のホンディン
グバンド２およびリードフレム３の内端子４に熱圧着そ
の他適当なボンディング方法でそれぞれ接続する。

リードフレーム３に搭載され、ワイヤボンディングされ
た回路基板１は別に用意されたモールド金型のキャビテ
ィの中に装填され、一般にキャビティの一隅に設けられ
た樹脂注入ゲー［・から封止用樹脂を溶融状態で注入し
たのち固化させてキャビティから取り出し、タイバー１
２の切断、内端子４の延長部である外端子の切断１外端
子の曲げ加工１検査を行なって樹脂パッケージ型集積回
路装置を完成する。

〔発明力’　Ｍｌ決しようとする課題〕第５図１，１従
来例における溶融樹脂の流れを示す図である。図中、６
はモールド金型で上金型と下金型とからなり、図では上
金型をはずした下金型だけを示した。８は下金型の一隅
に設けられた樹脂注入チー１・で溶融樹脂９が圧入され
る湯口である。図に示した矢印は溶融樹脂９の流れを示
したものである。

回路基板１のサイズが大きくなると、封止用樹脂の量が
増加するので、通常、樹脂の注入圧力を高くする必要が
あり、いわゆる、高圧トランスファー・モールド法によ
り樹脂封止を行なわなければならない。このため樹脂注
入ゲート８の出口１０の近傍では溶融樹脂９の流速は著
しく大きくなり、その流れ乙こ近接して配置接続されて
いるボンディングワイヤ５は強い圧力で溶融樹脂に流さ
れ、場合によってはボンディング部分がはずれたり（５
ａ５ｂ　　５ｃ）　、はずれないまでも高密度端子にお
いては隣接端子間で短絡障害が発生ずるという重大な問
題があり、その解決が必要であった。

（課題を解決するための手段］ 上記の課題は、回路素子を搭載した回路基板１の周縁部
に配設されたボンディングバラ］・２と、前記回路基板
１を搭載したリードフレーム３の内端子４とをボンディ
ングワイヤ５で接続したのち、モールド金型６のキャビ
ティ７内に装填し、前記モール）°“金型６の樹脂注入
ゲー］・８から溶融樹脂９を前記キャビティ７内に注入
・固化して、前記回路基板１を樹脂封止したＩ・ランス
ファーモールド樹脂パノケージ型の集積回路装置におい
て、前記樹脂注入ゲート８の出口１０とその近傍の前記
ボンディングワイヤ部との間に、前記ボンディングワイ
ヤ５−の前記溶融相ｊ指９の直撃を防止する堰堤部ＩＩ
を設けて集積回路装置を構成することにより解決するこ
とができる。

（作用〕 本発明によれば、樹脂注入ゲート８の出口１０とその近
傍のボンディングワイヤ部との間に、堰堤部１１を設け
であるので、前記柑脂注入ゲート８から高速で注入され
る熔融樹脂９の流れの勢いを弱めることができ、前記樹
脂注入ゲート８の出口１０の近傍のボンブイイブワイヤ
５に対するボンディングはずれや隣接端子への短絡など
の障害の発生を防止することができる。

〔実施例］ 第１図は本発明の一実施例を示す図で、リードフレーム
３には、たとえば、厚さ０．２５ｍｍの調合金製の薄板
に銀メツキしたものを使用する。

図中、４は内端子で、タイバー１２を経由して外端子に
連なり、さらにリードフレーム３の外枠に接続されてい
る。１は回路基板で、たとえば、厚さ０．６５ｍｍ、大
きさ２８ｍ　ｍ　Ｘ２８ｍ　ｍのアルミナセラミック板
にＩＣチップや各種回路素子が搭載されている。２はボ
ンディングパッドで、たとえば、０．４ｍｍ角の厚膜金
導体膜を０．８ｍｍピッチで、回路基板１の周縁部に配
設し、全体で１０４端子を導出できるようになっている
。５はボンディングワイヤで３たとえば、２５μｍφの
金線を使用し、前記内端子４と前記ボンディングパッド
２との間を、たとえば、熱圧着ボンディングにより接続
している。６はモールＦ金型で、通常−１二金型と下金
型から構成されているが、図では分かり易くするために
下金型だけ、とくに樹脂注入ゲート８の近辺のみを示し
た。７は回路基板１が装填され樹脂パソケージ部の外形
を形成する金型のキャビティでクイバー１２の内縁部ま
でを占めている。９は７容融樹脂の流れ、１０は樹脂注
入ゲーＩ・８の出口、１１は堰堤部、１３．１３’はタ
イバー１２と回路基板１を搭載するステージを支えるサ
ポートバーである。

通常、樹脂注入グー１・８はコーナ一部分に設けられて
おり、サポートバー１３．１３”の両側と下部の隙間を
通して溶融樹脂９を注入できるように設計されている。

いま、溶融樹脂９が樹脂注入ゲート８から高圧でキャビ
ティ７に注入されると、その出口】Ｏでは高速の溶融樹
脂流となって回路基板１の上面および下面に沿って流れ
込んでくる。しかし、図示したように樹脂注入ゲート８
の出口１０とその近傍のボンディングワイヤ部との間に
、堰堤部１１を設けであるので、矢印で示したごとく回
路基板ｌの上面側では樹脂流の勢いが弱められ、その近
傍のボンディングワイヤ５でさえもボンディングはずれ
や極端なワイヤの流れは発生ずることがない。

第２図は本発明の一実施例の要部斜視図で、前記実施例
の堰堤部１１の部分を拡大して示したものである。本実
施例の堰堤部１１はリードフレーム３の一部に構成した
もので、クイバー１２の一つのコーナ一部分から張り出
させたリード辺の一部を上方に折り曲げプレス加工して
高さ約１ｍｍの堰堤部１１を形成したものである。この
場合には、前記従来例のリードフレームで説明したよう
に、回路基板ｌを搭載するステージ１４を支持するサポ
ートバー１３　　はリードフレーム３の主面から下がっ
て形成されているので、リードフレームを加工する上で
、堰堤部１１はその交叉部分で約０．５ｍｍの隙間があ
くことになるが、この程度の隙間は余り大きな問題には
ならない。

第３図は本発明の他の実施例を示す図で、前記０ 実施例のコーナ一部のサポートバー１３′　を取り外し
て、その代わりにステージ１４の辺部のコーナー寄りに
２木のサポートバー１３′”を設け、前記実施例と同様
位置に堰堤部１１’　を形成したもので、この例ではコ
ーナ一部にサポートバーがないので、堰堤部に隙間が生
しることばない。

第４図は本発明のさらに他の実施例を示す図で、この例
では堰堤部門”をリードフレーム３の一部としで設ける
のではなく、別部品として図示したごとき十字形の、た
とえば、色調性の金属部品を回路基板１の端面に、たと
えば、エポキシ系接着剤で基板面上に約１ｍｍはみだす
ように接着して堰堤部を構成した例である。

なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく
、樹脂注入ゲート日の出口１０とその近傍のボンディン
グワイヤ部との間に、堰堤部１１を設けるためのもので
あれば、他の方法を用いてもよいことは言うまでもない
。

また、上記実施例では主として混成集積回路について述
べたが、半導体集積回路にも適用できる■ ことは勿論である。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、樹脂注入ゲ−１−８
の出口１０とその近傍のボンディングワイヤ部との間に
、堰堤部１１を設けであるので、前記樹脂注入ゲート８
から高速で注入される熔融樹脂９の流れの勢いを弱める
ことができ、前記樹脂注入ゲート８の出口１０の近傍の
ボンブイイブワイヤ５に対するボンディングはずれや隣
接端子への短絡などの障害の発生を防止することが可能
となり、トランスファーモールド樹脂パッケージ型の集
積回路装置のリード接続の安定性と素子の信頼性の向上
に寄４するところが極めて大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す図、 第２図は本発明の一実施例の要部斜視図、第３図は、本
発明の他の実施例を示す図、第４図は本発明のさらに他
の実施例を示す図、第５図は従来例における熔融樹脂の
流れを示す図、 第６図は従来のリードフレームと回路基板の搭載状態を
示す図である。 図において、 １は回路基板、 ２はボンディングパッド、 ３はリードフレーム、 ４は内端子、 ５はボンディングワイヤ、 ６はモールド金型、７はキャビティ、 ８は樹脂注入ゲート、９は熔融樹脂、１０は出口、１１
、１１’　、　１１”は堰堤部、 １２はタイバー、 １３、１３°、　１３”はサポートバーである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 回路素子を搭載した回路基板（１）の周縁部に配設され
   たボンディングパッド（２）と、前記回路基板（１）を
   搭載したリードフレーム（３）の内端子（４）とをボン
   ディングワイヤ（５）で接続したのち、モールド金型（
   ６）のキャビティ（７）内に装填し、前記モールド金型
   （６）の樹脂注入ゲート（８）から溶融樹脂（９）を前
   記キャビティ（７）内に注入・固化して、前記回路基板
   （１）を樹脂封止したトランスファーモールド樹脂パッ
   ケージ型の集積回路装置において、 前記樹脂注入ゲート（８）の出口（１０）とその近傍の
   前記ボンディングワイヤ（５）部との間に、前記ボンデ
   ィングワイヤ（５）への前記溶融樹脂（９）の直撃を防
   止する堰堤部（１１）を設けたことを特徴とする集積回
   路装置。