JP2555497B2 - 中空型樹脂封止半導体圧力センサ - Google Patents
中空型樹脂封止半導体圧力センサInfo
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- H01L2924/1815—Shape
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、中空型樹脂封止半導
体圧力センサの構造に関するものである。
体圧力センサの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は従来の中空型樹脂封止半導体圧
力センサの構造を示す断面図であり、図において、１は
圧力を感知する半導体素子を含むインサート、２はその
圧力感知部、３は本センサと外部回路の電気的コンタク
トをとるリード、４は上記インサート１とリード３を電
気的に結ぶワイヤ、５は全体を封止する樹脂である。図
１２は従来の圧力センサの製造方法を示すもので、図に
おいて、６、７は成形用の上金型と下金型、８は中空部
作成用上ピン、９はインサートの変位をおさえる下ピン
である。
力センサの構造を示す断面図であり、図において、１は
圧力を感知する半導体素子を含むインサート、２はその
圧力感知部、３は本センサと外部回路の電気的コンタク
トをとるリード、４は上記インサート１とリード３を電
気的に結ぶワイヤ、５は全体を封止する樹脂である。図
１２は従来の圧力センサの製造方法を示すもので、図に
おいて、６、７は成形用の上金型と下金型、８は中空部
作成用上ピン、９はインサートの変位をおさえる下ピン
である。
【０００３】次に動作について説明する。インサート１
の圧力感知部２において感知された圧力変動は、インサ
ート１内にて電気信号に変換され、ワイヤ４、リード３
を通じて外部回路へ出力される。
の圧力感知部２において感知された圧力変動は、インサ
ート１内にて電気信号に変換され、ワイヤ４、リード３
を通じて外部回路へ出力される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の中空型樹脂封止
半導体圧力センサは以上のように構成され、かつ成型さ
れていたので、上下金型内にインサートをセットして型
締する際、インサートの高さ方向の寸法がバラツクと、
上ピンと下ピン間のクリアランスが一定のためインサー
ト部を破壊したり、樹脂のもれによって成形不良を生じ
る等の問題点があった。
半導体圧力センサは以上のように構成され、かつ成型さ
れていたので、上下金型内にインサートをセットして型
締する際、インサートの高さ方向の寸法がバラツクと、
上ピンと下ピン間のクリアランスが一定のためインサー
ト部を破壊したり、樹脂のもれによって成形不良を生じ
る等の問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、成形時の不良を生じない、高歩
留の中空型半導体圧力センサを得ることを目的とする。
ためになされたもので、成形時の不良を生じない、高歩
留の中空型半導体圧力センサを得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る中空型樹
脂封止半導体圧力センサは、インサート下部に凹部を設
けて、この凹部にインサートより低くかつ樹脂注入時の
応力よりも高い硬度を持つ物質を充填したものである。
脂封止半導体圧力センサは、インサート下部に凹部を設
けて、この凹部にインサートより低くかつ樹脂注入時の
応力よりも高い硬度を持つ物質を充填したものである。
【０００７】
【作用】この発明におけるインサート下部の凹部内の物
質は、高さ方向の寸法にバラツキを持つインサートを、
上下金型出型締めする際、バラツキを機械的な変形によ
って吸収する。
質は、高さ方向の寸法にバラツキを持つインサートを、
上下金型出型締めする際、バラツキを機械的な変形によ
って吸収する。
【０００８】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、１〜５は上記従来例と同様のもの
であり、１０はインサート１の下面に設けられた凹部、
１１はこの凹部１０の中に充填された適切な硬度を持つ
固体物質で、この充填物質１１はインサートより低く、
かつ樹脂注入時の応力よりも高い硬度を持つ物質が用い
られる。
する。図１において、１〜５は上記従来例と同様のもの
であり、１０はインサート１の下面に設けられた凹部、
１１はこの凹部１０の中に充填された適切な硬度を持つ
固体物質で、この充填物質１１はインサートより低く、
かつ樹脂注入時の応力よりも高い硬度を持つ物質が用い
られる。
【０００９】図２は封止する際の型締時における断面図
を示すもので、図２において、上金型６と下金型７によ
ってインサート１、リード３が型締めされる際、インサ
ート１は上ピン８と下ピン９によって挟み込まれるが、
その際、下ピン９はインサート下面の凹部１０に充填さ
れた、インサートよりも低い硬度を持つ固体物質１１の
中に押し込まれるようになり、このことによって、イン
サートの高さ方向のバラツキを吸収し、インサートの破
損を防ぐことができる。また、この固体物質１１の硬度
を樹脂注入時の応力より高くしているので、樹脂がまわ
り込むことはない。
を示すもので、図２において、上金型６と下金型７によ
ってインサート１、リード３が型締めされる際、インサ
ート１は上ピン８と下ピン９によって挟み込まれるが、
その際、下ピン９はインサート下面の凹部１０に充填さ
れた、インサートよりも低い硬度を持つ固体物質１１の
中に押し込まれるようになり、このことによって、イン
サートの高さ方向のバラツキを吸収し、インサートの破
損を防ぐことができる。また、この固体物質１１の硬度
を樹脂注入時の応力より高くしているので、樹脂がまわ
り込むことはない。
【００１０】実施例２．実施例２を示す図３乃至図６に
おいて、１は圧力を感知する半導体素子１ａ及びこれを
載置するダイパッド１ｂからなるインサート、２は圧力
感知部、３は本センサと外部回路の電気的接続をするリ
ード、４は上記インサート１とリード３とを電気的に結
ぶワイヤ、５は全体を封止する樹脂である。１４はダイ
パッド１ｂ上面に設けられた凹部、１５はこの凹部１４
内に充填されたダイボンド樹脂である。
おいて、１は圧力を感知する半導体素子１ａ及びこれを
載置するダイパッド１ｂからなるインサート、２は圧力
感知部、３は本センサと外部回路の電気的接続をするリ
ード、４は上記インサート１とリード３とを電気的に結
ぶワイヤ、５は全体を封止する樹脂である。１４はダイ
パッド１ｂ上面に設けられた凹部、１５はこの凹部１４
内に充填されたダイボンド樹脂である。
【００１１】このようなものにおいて、ダイボンド樹脂
１５は半導体素子１ａとダイパッド１ｂを固定してイン
サート１を形成すると共に、金型による圧力を受けたと
きは、機械的に歪んでインサート全体（ダイパッド１ｂ
下面から素子１ａ上面）の高さに自由度を持たせること
ができ、半導体素子厚やダイパッド厚にバラツキがあっ
ても、全体としてのバラツキを減少させ、成形不良を防
止できる。
１５は半導体素子１ａとダイパッド１ｂを固定してイン
サート１を形成すると共に、金型による圧力を受けたと
きは、機械的に歪んでインサート全体（ダイパッド１ｂ
下面から素子１ａ上面）の高さに自由度を持たせること
ができ、半導体素子厚やダイパッド厚にバラツキがあっ
ても、全体としてのバラツキを減少させ、成形不良を防
止できる。
【００１２】また、ダイパッド１ｂの下面から半導体素
子１ａの上端までの寸法を、上金型６と下金型７のクラ
ンプ時における上ピン８と押えピン９の間のクリアラン
スより大きく設定しておくと、型締時には上ピン８と押
えピン９によってインサート１が押えられ、樹脂１５が
歪み、インサート１が固定される。樹脂１５がない場合
には、インサート高さが一定寸法範囲をはずれるとイン
サート１が固定されず、中空部が成形されなかったり、
インサート１内に過度の歪みが発生し、破損に至るが、
樹脂１５が緩衝剤として働き、上記成形不良を防ぐ。
子１ａの上端までの寸法を、上金型６と下金型７のクラ
ンプ時における上ピン８と押えピン９の間のクリアラン
スより大きく設定しておくと、型締時には上ピン８と押
えピン９によってインサート１が押えられ、樹脂１５が
歪み、インサート１が固定される。樹脂１５がない場合
には、インサート高さが一定寸法範囲をはずれるとイン
サート１が固定されず、中空部が成形されなかったり、
インサート１内に過度の歪みが発生し、破損に至るが、
樹脂１５が緩衝剤として働き、上記成形不良を防ぐ。
【００１３】実施例３．次に実施例３を示す図７乃至図
９において、１乃至９は実施例２で説明したものと同様
のものなので、説明を省略する。１６はダイパッド１ｂ
の下面に設けられた凹部で、これは下金型７のインサー
ト変位をおさえるダイパッド押えピン９より大きな面積
を有する。１１は上記凹部１６に充填された固体物質
で、これはインサート１より硬度が低く、モールド用樹
脂５の注入時の応力に耐える硬度の樹脂が用いられる。
９において、１乃至９は実施例２で説明したものと同様
のものなので、説明を省略する。１６はダイパッド１ｂ
の下面に設けられた凹部で、これは下金型７のインサー
ト変位をおさえるダイパッド押えピン９より大きな面積
を有する。１１は上記凹部１６に充填された固体物質
で、これはインサート１より硬度が低く、モールド用樹
脂５の注入時の応力に耐える硬度の樹脂が用いられる。
【００１４】製造時には、図７に示すように、ダイパッ
ド１ｂ上に半導体素子１０を載置したインサート１を上
金型６と下金型７とで挟み、モールド用の樹脂５を型内
に流し込み、一体モールドする。この上下金型による型
締時に、インサート高さがずれていても、充填物質１１
の機械的歪みで型の圧力を吸収し、インサートの破損を
防止する。
ド１ｂ上に半導体素子１０を載置したインサート１を上
金型６と下金型７とで挟み、モールド用の樹脂５を型内
に流し込み、一体モールドする。この上下金型による型
締時に、インサート高さがずれていても、充填物質１１
の機械的歪みで型の圧力を吸収し、インサートの破損を
防止する。
【００１５】実施例４．上記実施例１乃至３は型締時
に、半導体素子１ａを上ピン８にて直接押さえて中空部
を形成するタイプについて述べたが、半導体素子１ａに
ダムを設け、このダムを介して半導体素子１ａを押さ
え、中空部を形成するようにしてもよい。この場合、ダ
ム部もインサートの一部とみなす。このダム付タイプの
構造を図１０に示す。図１０において、１８は半導体素
子１ａ上に形成されたダム部である。
に、半導体素子１ａを上ピン８にて直接押さえて中空部
を形成するタイプについて述べたが、半導体素子１ａに
ダムを設け、このダムを介して半導体素子１ａを押さ
え、中空部を形成するようにしてもよい。この場合、ダ
ム部もインサートの一部とみなす。このダム付タイプの
構造を図１０に示す。図１０において、１８は半導体素
子１ａ上に形成されたダム部である。
【００１６】
【発明の効果】以上のようにこの発明は、インサート下
面に凹部を設け、この凹部にインサートより低く、樹脂
注入時の応力より高い硬度を持つ固体物質を充填したも
ので、これにより上下金型による型締時におけるインサ
ート高さのバラツキに起因したインサートの破損を防
ぎ、高歩留の製品が得られる効果がある。
面に凹部を設け、この凹部にインサートより低く、樹脂
注入時の応力より高い硬度を持つ固体物質を充填したも
ので、これにより上下金型による型締時におけるインサ
ート高さのバラツキに起因したインサートの破損を防
ぎ、高歩留の製品が得られる効果がある。
【００１７】また、半導体素子の下面にダイパッドを設
けてインサートを形成し、ダイパッド上面に凹部を設
け、この凹部にダイボンド樹脂を充填したものでは、ダ
イボンド樹脂の流出を防ぐことができる。
けてインサートを形成し、ダイパッド上面に凹部を設
け、この凹部にダイボンド樹脂を充填したものでは、ダ
イボンド樹脂の流出を防ぐことができる。
【００１８】また、ダイパッドを用いたものは、ダイパ
ッド凹部に樹脂を充填したものを半導体素子と別に製作
しておくことができるため、加工に伴う半導体素子の汚
損も防ぐことができる。
ッド凹部に樹脂を充填したものを半導体素子と別に製作
しておくことができるため、加工に伴う半導体素子の汚
損も防ぐことができる。
【図１】この発明の一実施例による中空型樹脂封止半導
体圧力センサの断面図である。
体圧力センサの断面図である。
【図２】図１のものを封止する際の上下金型にて型締さ
れた状態の断面図である。
れた状態の断面図である。
【図３】この発明の他の実施例による中空型樹脂封止半
導体圧力センサの断面図である。
導体圧力センサの断面図である。
【図４】図３のものを封止する際の上下金型にて型締さ
れた状態の断面図である。
れた状態の断面図である。
【図５】図３のものに使用されるダイパッドの平面図で
ある。
ある。
【図６】図５の正面断面図である。
【図７】この発明の他の実施例による中空型樹脂封止半
導体圧力センサを封止する際の上下金型にて型締された
状態の断面図である。
導体圧力センサを封止する際の上下金型にて型締された
状態の断面図である。
【図８】図７のものに使用されるダイパッドの平面図で
ある。
ある。
【図９】図８の正面断面図である。
【図１０】この発明の他の実施例による中空型樹脂封止
半導体圧力センサの断面図である。
半導体圧力センサの断面図である。
【図１１】従来の中空型樹脂封止半導体圧力センサの断
面図である。
面図である。
【図１２】図１１のものを封止する際の上下金型にて型
締された状態の断面図である。
締された状態の断面図である。
１ インサート １ａ 半導体素子 １ｂ ダイパッド ２ 圧力感知部 ３ リード ４ ワイヤ ５ 樹脂 ６ 上金型 ７ 下金型 ８ 上ピン ９ 下ピン １０ 凹部 １１ 充填物質 １４ 凹部 １５ ダイボンド樹脂 １６ 凹部 １８ ダム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/84 Ｈ０１Ｌ 29/84 Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子を含むインサートの上面に半
導体素子と大気を直接接触する貫通穴を設けた中空型樹
脂封止半導体圧力センサにおいて、上記インサートの下
面に凹部を設け、この凹部内に硬度が上記インサートよ
り低く、かつ樹脂注入時の応力よりも高い物質を充填し
たことを特徴とする中空型樹脂封止半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 ダイパット上に半導体素子をのせたイン
サートの上面に半導体素子と大気を直接接触させる貫通
穴を設けた中空型樹脂封止半導体圧力センサにおいて、
上記ダイパッド上面に開口部面積が上記半導体素子より
大きい凹部を設け、その内部に上記インサートより硬度
が低く、かつモールド用の樹脂注入時の応力に耐えるダ
イボンド樹脂を充填したことを特徴とする中空型樹脂封
止半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 ダイパット上に半導体素子をのせたイン
サートの上面に半導体素子と大気を直接接触させる貫通
穴を設けた中空型樹脂封止半導体圧力センサにおいて、
上記ダイパッド下面に凹部を設け、その内部に、上記イ
ンサートより硬度が低く、かつモールド用の樹脂注入時
の応力に耐える物質を充填したことを特徴とする中空型
樹脂封止半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33777391A JP2555497B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-26 | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33717690 | 1990-11-30 | ||
| JP2-337176 | 1990-11-30 | ||
| JP33777391A JP2555497B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-26 | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH085473A JPH085473A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2555497B2 true JP2555497B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=26575692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33777391A Expired - Lifetime JP2555497B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-26 | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2555497B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762077B2 (en) | 2001-05-11 | 2004-07-13 | Melexis Nv | Integrated sensor packages and methods of making the same |
| US7060216B2 (en) * | 2001-05-11 | 2006-06-13 | Melexis, Nv | Tire pressure sensors and methods of making the same |
| EP2051298B1 (en) * | 2007-10-18 | 2012-09-19 | Sencio B.V. | Integrated Circuit Package |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP33777391A patent/JP2555497B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH085473A (ja) | 1996-01-12 |
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