JP2639232B2 - 中空型樹脂封止半導体圧力センサ - Google Patents
中空型樹脂封止半導体圧力センサInfo
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- JP2639232B2 JP2639232B2 JP6018091A JP6018091A JP2639232B2 JP 2639232 B2 JP2639232 B2 JP 2639232B2 JP 6018091 A JP6018091 A JP 6018091A JP 6018091 A JP6018091 A JP 6018091A JP 2639232 B2 JP2639232 B2 JP 2639232B2
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- Japan
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- resin
- pressure sensor
- semiconductor element
- die pad
- hollow
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体素子の上面圧
力感知部に中空部を形成し、樹脂で封止するようにした
中空型樹脂封止半導体圧力センサの構造に関するもので
ある。
力感知部に中空部を形成し、樹脂で封止するようにした
中空型樹脂封止半導体圧力センサの構造に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図３はこの種従来の中空型樹脂封止半導
体圧力センサの構造を示す断面図である。図において、
１はダイパッド、２はこのダイパッド１上に接合された
半導体素子で、上面に圧力感知部2aが形成されている。
３はワイヤ４を介して外部装置（図示せず）との接続を
とるためのリード、５は半導体素子２の圧力感知部2aと
対応する部分に中空部5aを形成し、ダイパッド１、半導
体素子２、リード３の一部およびワイヤ４を覆って封止
する樹脂である。
体圧力センサの構造を示す断面図である。図において、
１はダイパッド、２はこのダイパッド１上に接合された
半導体素子で、上面に圧力感知部2aが形成されている。
３はワイヤ４を介して外部装置（図示せず）との接続を
とるためのリード、５は半導体素子２の圧力感知部2aと
対応する部分に中空部5aを形成し、ダイパッド１、半導
体素子２、リード３の一部およびワイヤ４を覆って封止
する樹脂である。
【０００３】次に、上記のように構成された従来の中空
型樹脂封止半導体圧力センサの動作について説明する。
まず、半導体素子２の圧力感知部2aにおいて感知された
圧力変動は、半導体素子２内で電気信号に変換され、ワ
イヤ４、リード３を通じて外部装置に取り出され処理さ
れる。
型樹脂封止半導体圧力センサの動作について説明する。
まず、半導体素子２の圧力感知部2aにおいて感知された
圧力変動は、半導体素子２内で電気信号に変換され、ワ
イヤ４、リード３を通じて外部装置に取り出され処理さ
れる。
【０００４】又、樹脂５の成形時には、図４に示すよう
に、予めダイパッド１上に載置された半導体素子２にワ
イヤ４を介して接続されたリード３を金型６、７で挟持
し、それぞれ金型６、７のほぼ中央部に形成された突起
部6aおよび7aで、半導体素子２の上面およびダイパッド
１の下面をそれぞれ保持し、この状態で両金型６、７間
に形成される空間８に封止樹脂を流し込み、図３におけ
る樹脂５が成形される。この際、金型６の突起6aによっ
て半導体素子２の圧力感知部2aに対応する部分には中空
部5aが形成される。
に、予めダイパッド１上に載置された半導体素子２にワ
イヤ４を介して接続されたリード３を金型６、７で挟持
し、それぞれ金型６、７のほぼ中央部に形成された突起
部6aおよび7aで、半導体素子２の上面およびダイパッド
１の下面をそれぞれ保持し、この状態で両金型６、７間
に形成される空間８に封止樹脂を流し込み、図３におけ
る樹脂５が成形される。この際、金型６の突起6aによっ
て半導体素子２の圧力感知部2aに対応する部分には中空
部5aが形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の中空型樹脂封止
半導体圧力センサは以上のように構成されているので、
両金型６、７内にダイパッド１および半導体素子２をセ
ットし型締めをする際に、両金型６、７の両突起6a、7a
間の間隔が一定であるため、ダイパッド１および半導体
素子２の高さ方向のトータル寸法にバラツキがあると、
半導体素子２を破壊したり、封止樹脂が両金型６、７間
から漏れて、不良品が発生して製品の歩留りが悪いとい
う問題点があった。
半導体圧力センサは以上のように構成されているので、
両金型６、７内にダイパッド１および半導体素子２をセ
ットし型締めをする際に、両金型６、７の両突起6a、7a
間の間隔が一定であるため、ダイパッド１および半導体
素子２の高さ方向のトータル寸法にバラツキがあると、
半導体素子２を破壊したり、封止樹脂が両金型６、７間
から漏れて、不良品が発生して製品の歩留りが悪いとい
う問題点があった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、樹脂の成形時に不良が発生する
ことなく、歩留りの高い中空型樹脂封止半導体圧力セン
サを提供することを目的とするものである。
ためになされたもので、樹脂の成形時に不良が発生する
ことなく、歩留りの高い中空型樹脂封止半導体圧力セン
サを提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る中空型樹
脂封止半導体圧力センサは、半導体素子とダイパッドと
の間に、半導体素子をダイパッド上に載置して型締めす
る際の締付圧力よりも低く且つ樹脂を封止する際の樹脂
封入圧力よりも高い硬度を有する充填材を充填するよう
にしたものである。
脂封止半導体圧力センサは、半導体素子とダイパッドと
の間に、半導体素子をダイパッド上に載置して型締めす
る際の締付圧力よりも低く且つ樹脂を封止する際の樹脂
封入圧力よりも高い硬度を有する充填材を充填するよう
にしたものである。
【０００８】
【作用】この発明における中空型樹脂封止半導体圧力セ
ンサの充填材は、半導体素子とダイパッドとの間で、型
締めの際に変形することにより、半導体素子およびダイ
パッドの高さ方向のトータル寸法のバラツキを吸収す
る。
ンサの充填材は、半導体素子とダイパッドとの間で、型
締めの際に変形することにより、半導体素子およびダイ
パッドの高さ方向のトータル寸法のバラツキを吸収す
る。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例における中空型樹脂封
止半導体圧力センサの構成を示す断面図である。図にお
いて、半導体素子２、圧力感知部2a、リード３、ワイヤ
４、樹脂５および中空部5aは、図３に示す従来の圧力セ
ンサのものと同様である。９は上面に半導体素子２が上
面を占有する面積より若干大きな面積に形成された凹部
9aを有するダイパッド、10はこのダイパッド９の凹部に
充填され、ダイパッド９と半導体素子２との間に介装さ
れる充填材であり、後述する、樹脂５を成形する際の型
締めの締付圧力よりも低く、封入樹脂を封止する際の樹
脂封入圧力よりも高い硬度を有している。
する。図１はこの発明の一実施例における中空型樹脂封
止半導体圧力センサの構成を示す断面図である。図にお
いて、半導体素子２、圧力感知部2a、リード３、ワイヤ
４、樹脂５および中空部5aは、図３に示す従来の圧力セ
ンサのものと同様である。９は上面に半導体素子２が上
面を占有する面積より若干大きな面積に形成された凹部
9aを有するダイパッド、10はこのダイパッド９の凹部に
充填され、ダイパッド９と半導体素子２との間に介装さ
れる充填材であり、後述する、樹脂５を成形する際の型
締めの締付圧力よりも低く、封入樹脂を封止する際の樹
脂封入圧力よりも高い硬度を有している。
【００１０】上記のように構成されたこの発明の一実施
例における中空型樹脂封止半導体圧力センサにおいて
は、従来の圧力センサと同様に、まず、半導体素子２の
圧力感知部2aにおいて感知された圧力変動は、半導体素
子２内で電気信号に変換され、ワイヤ４およびリード３
を通じて外部装置に取り出され処理される。
例における中空型樹脂封止半導体圧力センサにおいて
は、従来の圧力センサと同様に、まず、半導体素子２の
圧力感知部2aにおいて感知された圧力変動は、半導体素
子２内で電気信号に変換され、ワイヤ４およびリード３
を通じて外部装置に取り出され処理される。
【００１１】又、樹脂５の成形時には、図２に示すよう
に、ダイパッド９の凹部9aに充填材10を充填する。そし
て、予めワイヤ４を介してリード３が接続された半導体
素子２をこの充填材10の上に載置し、両金型６、７でリ
ード３を挟持するとともに、両金型６、７のほぼ中央に
形成された突起部6a、7aで、それぞれ半導体素子２の上
面およびダイパッド１の下面を保持する。この状態で両
金型６、７間に形成される空間８に封止樹脂を流し込
み、図２における樹脂５が成形される。この際、金型６
の突起6aによって半導体素子２の圧力感知部2aに対応す
る部分には中空部5aが形成される。
に、ダイパッド９の凹部9aに充填材10を充填する。そし
て、予めワイヤ４を介してリード３が接続された半導体
素子２をこの充填材10の上に載置し、両金型６、７でリ
ード３を挟持するとともに、両金型６、７のほぼ中央に
形成された突起部6a、7aで、それぞれ半導体素子２の上
面およびダイパッド１の下面を保持する。この状態で両
金型６、７間に形成される空間８に封止樹脂を流し込
み、図２における樹脂５が成形される。この際、金型６
の突起6aによって半導体素子２の圧力感知部2aに対応す
る部分には中空部5aが形成される。
【００１２】上記のように構成されたこの発明の一実施
例における中空型樹脂封止半導体圧力センサは、半導体
素子２とダイパッド９との間に充填材10が充填されてい
るので、もし、半導体素子２およびダイパッド９の高さ
方向のトータル寸法が標準高さより高い場合には、型締
めの際に、充填材10はその硬度が型締めの締付圧力より
低いため弾性変形して、半導体素子２が、充填材10中に
埋没するような恰好になって標準高さに修正される。
又、充填材10の硬度は樹脂封止時の樹脂封入圧力より高
いため、図２に示す状態で樹脂を封入した場合にも、充
填材10は変形することなく修正された標準高さの状態を
維持するので何ら支障はない。
例における中空型樹脂封止半導体圧力センサは、半導体
素子２とダイパッド９との間に充填材10が充填されてい
るので、もし、半導体素子２およびダイパッド９の高さ
方向のトータル寸法が標準高さより高い場合には、型締
めの際に、充填材10はその硬度が型締めの締付圧力より
低いため弾性変形して、半導体素子２が、充填材10中に
埋没するような恰好になって標準高さに修正される。
又、充填材10の硬度は樹脂封止時の樹脂封入圧力より高
いため、図２に示す状態で樹脂を封入した場合にも、充
填材10は変形することなく修正された標準高さの状態を
維持するので何ら支障はない。
【００１３】尚、上記一実施例における充填材10は、ダ
イパッド９上に形成された凹部9aに充填されているが、
充填材10の充填量を適当にすることにより凹部9aが無く
ても充分にこの発明の目的は達せられる。又、充填材と
してはシリコンゴム等が使用され、型締めの際の締付圧
力およじ樹脂封止の際の樹脂封入圧力に応じて硬度は適
宣選定される。
イパッド９上に形成された凹部9aに充填されているが、
充填材10の充填量を適当にすることにより凹部9aが無く
ても充分にこの発明の目的は達せられる。又、充填材と
してはシリコンゴム等が使用され、型締めの際の締付圧
力およじ樹脂封止の際の樹脂封入圧力に応じて硬度は適
宣選定される。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば半導体
素子とダイパッドとの間に、半導体素子をダイパッド上
に載置して型締めする際の締付圧力よりも低く、且つ樹
脂を封止する際の樹脂封入圧力よりも高い硬度を有する
充填材を充填するようにしたので、樹脂の成形時に不良
が発生することもなくなり、歩留りの高い中空型樹脂封
止半導体圧力センサを提供することができる。
素子とダイパッドとの間に、半導体素子をダイパッド上
に載置して型締めする際の締付圧力よりも低く、且つ樹
脂を封止する際の樹脂封入圧力よりも高い硬度を有する
充填材を充填するようにしたので、樹脂の成形時に不良
が発生することもなくなり、歩留りの高い中空型樹脂封
止半導体圧力センサを提供することができる。
【図１】この発明の一実施例における中空型樹脂封止半
導体圧力センサの構成を示す断面図である。
導体圧力センサの構成を示す断面図である。
【図２】図１における中空型樹脂封止半導体圧力センサ
を樹脂封止する場合の金型で型締めされた状態を示す断
面図である。
を樹脂封止する場合の金型で型締めされた状態を示す断
面図である。
【図３】従来の中空型樹脂封止半導体圧力センサの構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】図３における中空型樹脂封止半導体圧力センサ
を樹脂封止する場合の金型で型締めされた状態を示す断
面図である。
を樹脂封止する場合の金型で型締めされた状態を示す断
面図である。
【符号の説明】 ２ 半導体素子 2a 圧力感知部 ５ 樹脂 5a 中空部 ９ ダイパッド 10 充填材
Claims (1)
- 【請求項１】 ダイパッド上に載置された半導体素子の
上面圧力感知部に中空部を形成して樹脂で封止するよう
にした中空型樹脂封止半導体圧力センサにおいて、上記
半導体素子と上記ダイパッドとの間に上記半導体素子を
上記ダイパッド上に載置して型締めする際の締付圧力よ
りも低く且つ樹脂を封止する際の樹脂封入圧力よりも高
い硬度を有する充填材を充填したことを特徴とする中空
型樹脂封止半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6018091A JP2639232B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6018091A JP2639232B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313036A JPH04313036A (ja) | 1992-11-05 |
| JP2639232B2 true JP2639232B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=13134704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6018091A Expired - Lifetime JP2639232B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 中空型樹脂封止半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2639232B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19929026B4 (de) * | 1999-06-25 | 2011-02-24 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Drucksensors |
| JP5378781B2 (ja) | 2008-12-26 | 2013-12-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| DE102010039599A1 (de) | 2010-08-20 | 2012-02-23 | Robert Bosch Gmbh | Sensormodul zur Aufnahme eines Drucksensorchips und zur Montage in einem Sensorgehäuse |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP6018091A patent/JP2639232B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04313036A (ja) | 1992-11-05 |
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