JPH05145001A - リードフレームとそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレームとそれを用いた半導体装置の製造方法Info
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- JPH05145001A JPH05145001A JP33130391A JP33130391A JPH05145001A JP H05145001 A JPH05145001 A JP H05145001A JP 33130391 A JP33130391 A JP 33130391A JP 33130391 A JP33130391 A JP 33130391A JP H05145001 A JPH05145001 A JP H05145001A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ダイパッドが変形してもモールド樹脂を均一
に充填することができるリードフレームとそれを用いた
半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 ダイパッド１１をディプレスするための折り
曲げ部１１ｂ半導体素子２を一体封止するモールド樹脂
２０の外周面よりも外方の位置に設けたリードフレーム
１である。このリードフレーム１のダイパッド１１上に
半導体素子２を搭載し、半導体素子２とリード１２とを
ボンディングワイヤー３にて接続した後、リードフレー
ム１の折り曲げ部１１ｂを上型４と下型５との境界面に
設けられた段差部５ａで挟持して、モールド樹脂２０に
て一体封止する。
に充填することができるリードフレームとそれを用いた
半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 ダイパッド１１をディプレスするための折り
曲げ部１１ｂ半導体素子２を一体封止するモールド樹脂
２０の外周面よりも外方の位置に設けたリードフレーム
１である。このリードフレーム１のダイパッド１１上に
半導体素子２を搭載し、半導体素子２とリード１２とを
ボンディングワイヤー３にて接続した後、リードフレー
ム１の折り曲げ部１１ｂを上型４と下型５との境界面に
設けられた段差部５ａで挟持して、モールド樹脂２０に
て一体封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子を搭載する
ためのリードフレームと、このリードフレームを用いた
半導体装置の製造方法に関するものである。
ためのリードフレームと、このリードフレームを用いた
半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームのダイパッド上に半導体
素子を搭載し、この半導体素子とリードとをボンディン
グワイヤーにより接続して、これらをモールド樹脂にて
一体封止した半導体装置を図３の断面図に示す。このよ
うな半導体装置１０のリードフレーム１は、サポートバ
ー１１ａに保持されたダイパッド１１と、半導体素子２
と電気的に接続されるリード１２とから構成されてい
る。このダイパッド１１を保持するためのサポートバー
１１ａは、クランク状に折り曲げられた折り曲げ部１１
ｂを有しており、リード１２の位置より所定高さｈだけ
低位置にダイパッド１１が配置される、いわゆるディプ
レス加工が施されている。これにより、半導体素子２と
リード１２とを接続するボンディングワイヤー３のルー
プ高さを低くすることができるとともに、一体封止する
モールド樹脂２０の略中央部に半導体素子２を配置する
ことができるため、薄型の半導体装置を製造する場合に
適している。
素子を搭載し、この半導体素子とリードとをボンディン
グワイヤーにより接続して、これらをモールド樹脂にて
一体封止した半導体装置を図３の断面図に示す。このよ
うな半導体装置１０のリードフレーム１は、サポートバ
ー１１ａに保持されたダイパッド１１と、半導体素子２
と電気的に接続されるリード１２とから構成されてい
る。このダイパッド１１を保持するためのサポートバー
１１ａは、クランク状に折り曲げられた折り曲げ部１１
ｂを有しており、リード１２の位置より所定高さｈだけ
低位置にダイパッド１１が配置される、いわゆるディプ
レス加工が施されている。これにより、半導体素子２と
リード１２とを接続するボンディングワイヤー３のルー
プ高さを低くすることができるとともに、一体封止する
モールド樹脂２０の略中央部に半導体素子２を配置する
ことができるため、薄型の半導体装置を製造する場合に
適している。
【０００３】このリードフレーム１を用いて半導体装置
１０を製造するには、先ず、ダイパッド１１上に共晶接
合法等を用いて半導体素子２を搭載する。そして、この
半導体素子２とリード１２とをボンディングワイヤー３
により接続する。その後、このリードフレーム１を所定
形状のキャビティを有する金型に挟持して、このキャビ
ティ内の略中央部に半導体素子２を配置する。そして、
このキャビティ内にモールド樹脂２０を充填することに
より、半導体素子２とリード１２およびボンディングワ
イヤー３とを一体封止した半導体装置１０を製造する。
このリードフレーム１を用いて半導体装置１０を製造す
ることにより、半導体素子２の上方のモールド樹脂２０
の厚さと、下方のモールド樹脂２０の厚さがほぼ等しい
ものとなる。特に薄型のモールド樹脂２０により一体封
止する半導体装置１０を製造する際、モールド樹脂２０
が均一に充填されるとともに、熱歪みによる半導体装置
１０の変形を低減することができる。
１０を製造するには、先ず、ダイパッド１１上に共晶接
合法等を用いて半導体素子２を搭載する。そして、この
半導体素子２とリード１２とをボンディングワイヤー３
により接続する。その後、このリードフレーム１を所定
形状のキャビティを有する金型に挟持して、このキャビ
ティ内の略中央部に半導体素子２を配置する。そして、
このキャビティ内にモールド樹脂２０を充填することに
より、半導体素子２とリード１２およびボンディングワ
イヤー３とを一体封止した半導体装置１０を製造する。
このリードフレーム１を用いて半導体装置１０を製造す
ることにより、半導体素子２の上方のモールド樹脂２０
の厚さと、下方のモールド樹脂２０の厚さがほぼ等しい
ものとなる。特に薄型のモールド樹脂２０により一体封
止する半導体装置１０を製造する際、モールド樹脂２０
が均一に充填されるとともに、熱歪みによる半導体装置
１０の変形を低減することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなリードフレーム１とこれを用いた半導体装置１０の
製造方法には次のような問題がある。すなわち、リード
フレーム１を搬送する際、前述のディプレス加工の施さ
れたダイパッド１１に外力が加わると、サポートバー１
１ａが変形し、略水平に保たれていたダイパッド１１が
傾斜してしまう。このようなダイパッド１１上に半導体
素子２を搭載し、ボンディングワイヤー３を用いてリー
ド１２と接続して、モールド樹脂２０にて一体封止した
場合、このダイパッド１１の傾斜により、半導体素子２
の上方に流入するモールド樹脂２０と、半導体素子２の
下方に流入するモールド樹脂２０との流入圧力のバラン
スが崩れてしまう。これにより、ダイパッド１１がさら
に傾斜して、ボンディングワイヤー３が断線したり、半
導体素子２の破損に至る場合がある。さらに、製造され
た半導体装置１０は熱歪みにより変形を起こしたり、モ
ールド樹脂２０に亀裂（クラック）が発生する原因とな
る。このダイパッド１１の傾斜は、リードフレーム１の
搬送時ばかりでなく、ダイパッド１１上に半導体素子２
を搭載するダイボンディング時や、半導体素子２とリー
ド１２とをボンディングワイヤー３にて接続するワイヤ
ーボンディング時においても同様に起こる可能性があ
る。よって、本発明はダイパッドが変形してもモールド
樹脂を均一に充填することができるリードフレームとそ
れを用いた半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
うなリードフレーム１とこれを用いた半導体装置１０の
製造方法には次のような問題がある。すなわち、リード
フレーム１を搬送する際、前述のディプレス加工の施さ
れたダイパッド１１に外力が加わると、サポートバー１
１ａが変形し、略水平に保たれていたダイパッド１１が
傾斜してしまう。このようなダイパッド１１上に半導体
素子２を搭載し、ボンディングワイヤー３を用いてリー
ド１２と接続して、モールド樹脂２０にて一体封止した
場合、このダイパッド１１の傾斜により、半導体素子２
の上方に流入するモールド樹脂２０と、半導体素子２の
下方に流入するモールド樹脂２０との流入圧力のバラン
スが崩れてしまう。これにより、ダイパッド１１がさら
に傾斜して、ボンディングワイヤー３が断線したり、半
導体素子２の破損に至る場合がある。さらに、製造され
た半導体装置１０は熱歪みにより変形を起こしたり、モ
ールド樹脂２０に亀裂（クラック）が発生する原因とな
る。このダイパッド１１の傾斜は、リードフレーム１の
搬送時ばかりでなく、ダイパッド１１上に半導体素子２
を搭載するダイボンディング時や、半導体素子２とリー
ド１２とをボンディングワイヤー３にて接続するワイヤ
ーボンディング時においても同様に起こる可能性があ
る。よって、本発明はダイパッドが変形してもモールド
樹脂を均一に充填することができるリードフレームとそ
れを用いた半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するために成されたリードフレームとそれを用いた半
導体装置の製造方法である。すなわち、サポートバーに
より保持されたダイパッドと、このダイパッド上に搭載
される半導体素子と配線するためのリードとを有するリ
ードフレームで、半導体素子を搭載したダイパッドとリ
ードの一部とを一体封止するモールド樹脂の外周面より
も外方に位置するサポートバーの部分をクランク状に折
り曲げたものである。
決するために成されたリードフレームとそれを用いた半
導体装置の製造方法である。すなわち、サポートバーに
より保持されたダイパッドと、このダイパッド上に搭載
される半導体素子と配線するためのリードとを有するリ
ードフレームで、半導体素子を搭載したダイパッドとリ
ードの一部とを一体封止するモールド樹脂の外周面より
も外方に位置するサポートバーの部分をクランク状に折
り曲げたものである。
【０００６】また、所定形状のキャビティを有する金型
の上型と下型との境界面で、半導体素子が搭載されたダ
イパッドを保持するサポートバーと、半導体素子と配線
されたリードとを挟持して、キャビティ内の略中央部に
この半導体素子を配置し、このキャビティ内にモールド
樹脂を充填することにより半導体素子を一体封止する半
導体装置の製造方法において、上型と下型との境界面で
サポートバーを挟持する部分に、リードを挟持する部分
よりも低位置な段差部を設け、この段差部でサポートバ
ーを挟持することにより、リードよりも低位置にダイパ
ッドを位置決めするものである。
の上型と下型との境界面で、半導体素子が搭載されたダ
イパッドを保持するサポートバーと、半導体素子と配線
されたリードとを挟持して、キャビティ内の略中央部に
この半導体素子を配置し、このキャビティ内にモールド
樹脂を充填することにより半導体素子を一体封止する半
導体装置の製造方法において、上型と下型との境界面で
サポートバーを挟持する部分に、リードを挟持する部分
よりも低位置な段差部を設け、この段差部でサポートバ
ーを挟持することにより、リードよりも低位置にダイパ
ッドを位置決めするものである。
【０００７】
【作用】ダイパッドを保持するサポートバーが半導体素
子を一体封止するモールド樹脂の外側の位置で折り曲げ
られているので、この折り曲げ部を金型で挟持すれば、
サポートバーおよびダイパッドを略水平に、かつリード
よりも低位置に位置決めできる。さらに、ダイパッドを
保持するサポートバーおよびこの折り曲げ部を金型に設
けられた段差部で挟持することにより、リードフレーム
の搬送時等で傾斜が付いたダイパッドが略水平に矯正さ
れてキャビティ内に位置決めされる。
子を一体封止するモールド樹脂の外側の位置で折り曲げ
られているので、この折り曲げ部を金型で挟持すれば、
サポートバーおよびダイパッドを略水平に、かつリード
よりも低位置に位置決めできる。さらに、ダイパッドを
保持するサポートバーおよびこの折り曲げ部を金型に設
けられた段差部で挟持することにより、リードフレーム
の搬送時等で傾斜が付いたダイパッドが略水平に矯正さ
れてキャビティ内に位置決めされる。
【０００８】
【実施例】以下に本発明のリードフレームおよびこれを
用いた半導体装置の製造方法を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明のリードフレームを説明する図で、
（ａ）はこのリードフレームの斜視図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ線矢視断面図である。すなわち、図１（ａ）に
示すように、リードフレーム１は、半導体素子を搭載す
るダイパッド１１と、このダイパッド１１に周辺に配置
された複数のリード１２とを有している。
用いた半導体装置の製造方法を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明のリードフレームを説明する図で、
（ａ）はこのリードフレームの斜視図、（ｂ）は（ａ）
のＡ−Ａ線矢視断面図である。すなわち、図１（ａ）に
示すように、リードフレーム１は、半導体素子を搭載す
るダイパッド１１と、このダイパッド１１に周辺に配置
された複数のリード１２とを有している。
【０００９】このリードフレーム１のダイパッド１１に
はサポートバー１１ａが連結しており、このサポートバ
ー１１ａによりダイパッド１１を保持している。このサ
ポートバー１１ａは、半導体素子を搭載したダイパッド
１１とリード１２の一部を一体封止するモールド樹脂２
０の外周面より外方に位置する部分をクランク状に折り
曲げた折り曲げ部１１ｂを有している。この折り曲げ部
１１ｂを上型４と下型５との境界面に設けられた段差部
５ａで挟持することにより、リードフレーム１はリード
１２の位置よりも低位置にダイパッド１１が配置され、
かつキャビティ２１内の略中央で略水平な位置にダイパ
ッド１１が位置決めされるものとなる。
はサポートバー１１ａが連結しており、このサポートバ
ー１１ａによりダイパッド１１を保持している。このサ
ポートバー１１ａは、半導体素子を搭載したダイパッド
１１とリード１２の一部を一体封止するモールド樹脂２
０の外周面より外方に位置する部分をクランク状に折り
曲げた折り曲げ部１１ｂを有している。この折り曲げ部
１１ｂを上型４と下型５との境界面に設けられた段差部
５ａで挟持することにより、リードフレーム１はリード
１２の位置よりも低位置にダイパッド１１が配置され、
かつキャビティ２１内の略中央で略水平な位置にダイパ
ッド１１が位置決めされるものとなる。
【００１０】次に、本発明のリードフレーム１を用いた
半導体装置の製造方法について説明する。図１（ｂ）に
示すように、リードフレーム１のダイパッド１１上に例
えば共晶接合法を用いて半導体素子２を搭載する。そし
て、この半導体素子２とリード１２とをボンディングワ
イヤー３を用いて接続する。
半導体装置の製造方法について説明する。図１（ｂ）に
示すように、リードフレーム１のダイパッド１１上に例
えば共晶接合法を用いて半導体素子２を搭載する。そし
て、この半導体素子２とリード１２とをボンディングワ
イヤー３を用いて接続する。
【００１１】このように半導体素子２がダイパッド１１
上に搭載され、ボンディングワイヤー３にてリード１２
と接続されたリードフレーム１を上型４と下型５とによ
り挟持する。この上型４と下型５との境界面には、予め
サポートバー１１ａの折り曲げ部１１ｂに対応する形状
の段差部５ａが設けられており、この段差部５ａによ
り、折り曲げ部１１ｂおよびサポートバー１１ａを挟持
する。また、段差部５ａが設けられていない上型４と下
型５との境界面で、各リード１２を挟持する。これによ
り、搬送時等で傾斜が付いたダイパッド１１を有するリ
ードフレーム１を挟持すると、段差部５ａの形状にサポ
ートバー１１ａの折り曲げ部１１ｂが矯正され、キャビ
ティ２１内の略中央部で半導体素子２が搭載されたダイ
パッド１１が略水平に保持される。
上に搭載され、ボンディングワイヤー３にてリード１２
と接続されたリードフレーム１を上型４と下型５とによ
り挟持する。この上型４と下型５との境界面には、予め
サポートバー１１ａの折り曲げ部１１ｂに対応する形状
の段差部５ａが設けられており、この段差部５ａによ
り、折り曲げ部１１ｂおよびサポートバー１１ａを挟持
する。また、段差部５ａが設けられていない上型４と下
型５との境界面で、各リード１２を挟持する。これによ
り、搬送時等で傾斜が付いたダイパッド１１を有するリ
ードフレーム１を挟持すると、段差部５ａの形状にサポ
ートバー１１ａの折り曲げ部１１ｂが矯正され、キャビ
ティ２１内の略中央部で半導体素子２が搭載されたダイ
パッド１１が略水平に保持される。
【００１２】そして、トランスファーモールド法等によ
り、このキャビティ２１内にモールド樹脂２０を充填す
る。このときダイパッド１１がキャビティ２１内の略中
央部で略水平に保持されているので、流入するモールド
樹脂２０がダイパッド１１および半導体素子２の上方と
下方とに均一に充填される。
り、このキャビティ２１内にモールド樹脂２０を充填す
る。このときダイパッド１１がキャビティ２１内の略中
央部で略水平に保持されているので、流入するモールド
樹脂２０がダイパッド１１および半導体素子２の上方と
下方とに均一に充填される。
【００１３】キャビティ２１内にモールド樹脂２０を充
填して、半導体素子２を一体封止した状態を図２の断面
図に示す。このように、半導体素子２が搭載されたダイ
パッド１１とボンディングワイヤー３およびリード１２
の一部とを一体封止したモールド樹脂２０の外側にサポ
ートバー１１ａの折り曲げ部１１ｂが設けられた半導体
装置１０を製造する。これにより、リード１２の位置よ
り高さｈだけ低位置で、かつ略水平にダイパッド１１が
配置された半導体装置１０となる。なお、モールド樹脂
２０による一体封止の後、ダイパッド１１を保持してい
たサポートバー１１ａは不要となるので、リード１２を
リードフレーム１から切り離す工程と同時に、モールド
樹脂２０の側端部から外側のサポートバー１１ａは切り
離され、リード１２のみがモールド樹脂２０の側端部か
ら突出した状態となる。
填して、半導体素子２を一体封止した状態を図２の断面
図に示す。このように、半導体素子２が搭載されたダイ
パッド１１とボンディングワイヤー３およびリード１２
の一部とを一体封止したモールド樹脂２０の外側にサポ
ートバー１１ａの折り曲げ部１１ｂが設けられた半導体
装置１０を製造する。これにより、リード１２の位置よ
り高さｈだけ低位置で、かつ略水平にダイパッド１１が
配置された半導体装置１０となる。なお、モールド樹脂
２０による一体封止の後、ダイパッド１１を保持してい
たサポートバー１１ａは不要となるので、リード１２を
リードフレーム１から切り離す工程と同時に、モールド
樹脂２０の側端部から外側のサポートバー１１ａは切り
離され、リード１２のみがモールド樹脂２０の側端部か
ら突出した状態となる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明のリードフレ
ームとこれを用いた半導体装置の製造方法によると次の
ような効果がある。すなわち、リードフレームの搬送時
等によりダイパッドが傾斜しても、このリードフレーム
を金型に挟持すると同時にダイパッドの位置を略水平に
位置決めすることができる。また、このようにダイパッ
ドが略水平な位置に位置決めされるため、このリードフ
レームを用いて半導体装置を製造する場合、半導体素子
の上方と下方とのキャビティ内に均一な流入圧力でモー
ルド樹脂を充填することができる。したがって、モール
ド樹脂の充填時にボンディングワイヤーが断線したり、
半導体素子が破損したりすることなく半導体装置を製造
することができる。さらに、熱歪みによる変形が少な
く、かつモールド樹脂の亀裂の発生が少ないため、特に
薄型の半導体装置を製造する場合、信頼性の高い製品を
提供することが可能となる。
ームとこれを用いた半導体装置の製造方法によると次の
ような効果がある。すなわち、リードフレームの搬送時
等によりダイパッドが傾斜しても、このリードフレーム
を金型に挟持すると同時にダイパッドの位置を略水平に
位置決めすることができる。また、このようにダイパッ
ドが略水平な位置に位置決めされるため、このリードフ
レームを用いて半導体装置を製造する場合、半導体素子
の上方と下方とのキャビティ内に均一な流入圧力でモー
ルド樹脂を充填することができる。したがって、モール
ド樹脂の充填時にボンディングワイヤーが断線したり、
半導体素子が破損したりすることなく半導体装置を製造
することができる。さらに、熱歪みによる変形が少な
く、かつモールド樹脂の亀裂の発生が少ないため、特に
薄型の半導体装置を製造する場合、信頼性の高い製品を
提供することが可能となる。
【図１】本発明のリードフレームを説明する図で、
（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図
である。
（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図
である。
【図２】ダイパッド上に搭載した半導体素子とリードの
一部をモールド樹脂にて一体封止した状態を説明する断
面図である。
一部をモールド樹脂にて一体封止した状態を説明する断
面図である。
【図３】従来のリードフレームを用いた半導体装置を説
明する断面図である。
明する断面図である。
１ リードフレーム ２ 半導体素子 ３ ボンディングワイヤー ４ 上型 ５ 下型 ５ａ 段差部 １０ 半導体装置 １１ ダイパッド １１ａ サポートバー １１ｂ 折り曲げ部 １２ リード ２０ モールド樹脂 ２１ キャビティ
Claims (2)
- 【請求項１】 サポートバーにより保持されたダイパッ
ドと、前記ダイパッド上に搭載される半導体素子と配線
するためのリードとを有し、かつ前記半導体素子を搭載
した前記ダイパッドと前記リードの一部とがモールド樹
脂にて一体封止されるリードフレームにおいて、 前記モールド樹脂の外周面よりも外方に位置する前記サ
ポートバーの部分をクランク状に折り曲げることによ
り、前記リードよりも低位置に前記ダイパッドを設けた
ことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 所定形状のキャビティを有する金型の上
型と下型との境界面で、半導体素子が搭載されたダイパ
ッドを保持するサポートバーと、前記半導体素子と配線
されたリードとを挟持して、前記キャビティ内の略中央
部に前記半導体素子を配置し、前記キャビティ内にモー
ルド樹脂を充填することにより前記半導体素子を一体封
止して成る半導体装置の製造方法において、 前記上型と下型との境界面で前記サポートバーを挟持す
る部分に、前記リードを挟持する部分よりも低位置な段
差部を設け、前記段差部で前記サポートバーを挟持する
ことにより、前記リードよりも低位置に前記ダイパッド
を位置決めすることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33130391A JPH05145001A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | リードフレームとそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33130391A JPH05145001A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | リードフレームとそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05145001A true JPH05145001A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18242181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33130391A Pending JPH05145001A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | リードフレームとそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05145001A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951114A (en) * | 1995-12-07 | 1999-09-14 | Sollac | Wheel for a motorized land vehicle |
-
1991
- 1991-11-19 JP JP33130391A patent/JPH05145001A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5951114A (en) * | 1995-12-07 | 1999-09-14 | Sollac | Wheel for a motorized land vehicle |
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