JPS624857B2 - - Google Patents

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JPS624857B2
JPS624857B2 JP58090678A JP9067883A JPS624857B2 JP S624857 B2 JPS624857 B2 JP S624857B2 JP 58090678 A JP58090678 A JP 58090678A JP 9067883 A JP9067883 A JP 9067883A JP S624857 B2 JPS624857 B2 JP S624857B2
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leads
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Seishiro Oowaki
Michio Tanimoto
Motoharu Ogawa
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はガラス封止半導体装置の製造方法に関
する。
半導体装置、特に半導体集積回路装置は一般に
デユアルインライン構造をしており、半導体ペレ
ツトの封止方法として安価な樹脂モールド封止方
法と高信頼度のガラス封止方法がある。
樹脂モールド封止型半導体装置は、複数のリー
ドとこれらの外端部を接続する枠部とリードの中
間部に設けられた連結部材とからなるリードフレ
ームに半導体ペレツトを取付け、ペレツト上の電
極とリード間を金属細線により接続した後、樹脂
モールド封止を行なつている。そして上記連結部
材は、金属細線によるワイヤボンデイング後リー
ドが外力により変形されワイヤが切断されること
を防止する機械的な補強材として働くとともに、
樹脂モールドのとき流出するレジンの流れ止めと
しても働いている。
さらに、リードの上下にセラミツクキヤツプお
よびセラミツクベースをガラス融着したデユアル
インライン型ガラス封止半導体装置においては、
第１図に示すように、あらかじめリード１部分が
折り曲げられている曲折リードフレーム２が用い
られ、リードフレーム２にセラミツクベース４を
ガラスにて固定し、半導体ペレツト５をセラミツ
クベース４にガラスにて溶着した後、半導体ペレ
ツト上の電極とリード間をワイヤボンデイングし
てから、セラミツクキヤツプを取付け、半導体ペ
レツトをガラス封止している。
このように、デユアルインライン型ガラス封止
半導体装置においては、ワイヤボンデイングのと
き、すでにリードはセラミツクベースに固定され
ており、ワイヤの断線を防ぐために機械的に補強
する必要はなく、またレジンの流出の問題もなか
つたため、樹脂モールド封止型半導体装置のよう
に連結部材は設けられていなかつた。
しかし、デユアルインライン型ガラス封止半導
体装置においてもリードにセラミツクベースをガ
ラス付けした場合リードが十分に接着されず、外
力によりリードがはがれる問題がしばしば発生し
た。かかる問題の原因についての検討によれば、
このような折り曲げフレームにおいてはリードが
その外端部でのみ保持された構造であるため外力
の影響を受けやすくなつていることがその一因で
あることが明らかとなつた。このようにリードが
はがれるとリードが変形しやすくなり、組立、取
扱いが困難になる欠点がある。特に超音波振動に
てワイヤボンデイングする場合にはリードが固定
されていないために超音波振動がリードに吸収さ
れてしまいボンデイング不良が発生する。
したがつて、本発明の目的は、リードはがれの
生じないガラス封止型半導体装置の製造方法を提
供することである。
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
第２図は本発明のガラス封止半導体装置の製造
方法の一実施例を示す。リードフレーム１０は、
平行に延びる２本の外枠１１と、この外枠１１に
直交するとともに平行に延び、かつそれぞれ外枠
１１を繋ぐ横枠１２と、横枠１２の中央にそれぞ
れ接続し、かつ外枠１１と横枠１２とからなる枠
の中央に位置する幅広のタブ１３を有するタブリ
ード１４と、それぞれの外枠１１から枠内方に向
かつて横枠１２と平行に延び、かつその先端部は
前記タブ１３に向かつて屈曲する複数のリード１
５と、リードのガラス封止を行なう領域の外側に
位置し、かつそれぞれのリード１５および横枠１
２を繋ぐ連結部１６とからなつている。
また、前記連結部１６の両端部、すなわちリー
ド１５または横枠１２との境界部は細く形成され
くびれ部（この場合はリードの幅が狭く形成され
ているが、リードの上下面に溝等を設けてもよ
い。）１７が形成されている。また、タブリード
１４の両端、すなわち、横枠１２との境界部も前
記連結部１６と同様にくびれ部１８が設けられて
いる。
このような形状のリードフレーム１０を用意
し、これを上面に溶解したガラス層を有するセラ
ミツクベース１９に重ね、ガラス層の固化によつ
てリードフレーム１０のリード１５およびタブリ
ード１４をセラミツクベース１９に固定する。
つぎに、タブ１３上に半導体ペレツト２０を固
定した後、ペレツト２０の外部接続用電極とセラ
ミツクベース１９上に固定されたリード１５内端
とをワイヤ（金属細線）２１で接続する。
その後、第３図で示すように、セラミツクキヤ
ツプ２２をセラミツクベース１９に重ねるとそも
に、熱を加えてセラミツクキヤツプ２２とセラミ
ツクベース１９との間のガラス層を溶解させて両
者を一体化し、封止外囲器２３を形成する。
つぎに、連結部１６をくびれ部１７から切断す
るとともに、タブリード１４をくびれ部１８から
切断する。この際、打抜型を連結部１６あるいは
タブリード１４の付け根部分である横枠１２上に
降下させて行なう。この際、くびれ部に応力集中
が生じることから、切断は比較的小さな力で生じ
る。このため、リードとガラス層との間にはクラ
ツクが生じない。
また、前記外枠１１を保持した状態で、第２図
の鎖線で示すような櫛歯状の工具２４で連結部１
６を押して切断してもよい。この場合、工具２４
は外枠１１側から封止外囲器２３側に向けて矢印
２５の方向に移動させる。この結果、封止外囲器
２３内に臨むリード部分にはほとんど外力は加わ
らないので、リードとガラス層との剥離、あるい
はガラス層内のクツクの発生はない。
つぎに、リード１５と外枠１１との境界部分で
切断し、不要リードフレーム部分を除去するとと
もに、封止外囲器２３から突出するリード部分を
折り曲げ、第３図で示すようなガラス封止半導体
装置２６を形成する。
このように本発明によれば、各リードはガラス
融着部近傍に位置するリードフレーム部分に設け
られた連結部で支持されているので、リードの強
度が強くなつており、外力が加わつてもリードが
はがれる問題はなくなる。また、このリードの外
端部をリードフレームの枠部に一体的に接続する
ことにより、リードの強度はさらに向上しリード
ハガレの問題はさらに減少する。またリードフレ
ームをフラツト化しリードの周囲を枠で囲む構造
とすれば、折曲リードフレームに較べ外力を受け
にくくなるため、リードはがれも少なくなる。
また、連結部およびタブリードの切断部分をく
びれさせて、切断を容易としているので、封止ガ
ラスのクラツクの発生もなく気密性の低下を来さ
ない。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。例
えば、リードフレームはタブ部分を有さないもの
であつてもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のガラス封止半導体装置の一製造
工程を示す斜視図、第２図は本発明のガラス封止
半導体装置の一製造工程と、それに用いるリード
フレームを示す平面説明図、第３図は本発明の製
造方法により形成されたガラス封止半導体装置の
斜視図である。 符号の説明、１……リード、２……リードフレ
ーム、３……外枠部、４……セラミツクベース、
５……半導体ペレツト、１０……リードフレー
ム、１１……外枠、１２……横枠、１３……タ
ブ、１４……タブリード、１５……リード、１６
……連結部、１７……くびれ部、１８……くびれ
部、１９……セラミツクベース、２０……半導体
ペレツト、２１……ワイヤ、２２……セラミツク
キヤツプ、２３……封止外囲器、２４……工具、
２５……矢印、２６……ガラス封止半導体装置。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 複数のリードとこの複数のリード間を連結す
    る連結部と前記複数のリードの外端を接続する枠
    部とを有するリードフレームをセラミツクベース
    にガラス融着し、その後前記ガラス融着部近傍に
    おいてリード間を連結する連結部を切断すること
    を特徴とするガラス封止半導体装置の製造方法。
JP58090678A 1983-05-25 1983-05-25 ガラス封止半導体装置の製造方法 Granted JPS58212152A (ja)

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JPS58212152A JPS58212152A (ja) 1983-12-09
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