JP3791751B2 - 光結合素子の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光チップ及び受光チップを光学的に結合配置し、樹脂モールドを施してなる光結合素子の構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光チップ及び受光チップを各々個別のリードフレームにダイボンド、ワイヤーボンドし、発光チップと受光チップを光学的に結合するよう配置し、絶縁遮光性樹脂にて外装モールドを施した従来例の光結合素子の平面搭載（面実装）型光結合素子の外形図を図１０、内部構造図を図１１に示す。
【０００３】
図１０（ａ）は正面図、図１０（ｂ）は側面図、図１０（ｃ）は他の側面図、であり、図１１（ａ）は内部構造を示す平面図、図１１（ｂ）は内部構造を示す断面図である。
【０００４】
図１０において、従来例の平面搭載型光結合素子５０は、４端子から成り、５１、５２は発光側のリードフレーム、５３、５４は受光側のリードフレーム、であり、５５は発光側のリードフレーム位置を表示するマーク（マーキング）、である。標準的な超小型の平面搭載光結合素子５０の外形寸法の一例は、本体外形縦２．６ｍｍ、横４．４ｍｍ、リード端子（フレーム）のピッチ１．２７ｍｍ（インチ系）、リード端子の幅０．４ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ、であり、リード端子を含めた外形は長さ７．０ｍｍ、高さ２．０ｍｍ程度である。
【０００５】
従来例の平面搭載光結合素子５０の内部構造を示す図１１において、５１はヘッダーを備えた発光チップ５６搭載用のリードフレーム、５２は発光チップワイヤーボンド用のリードフレーム、５４はヘッダーを備えた受光チップ５８搭載用のリードフレーム、５３は受光チップワイヤーボンド用のリードフレーム、であり、５７は発光チップとリードフレームとをワイヤーボンドする金線、５９は受光チップとリードフレームとをワイヤーボンドする金線、６０は透光性エポキシ樹脂、６１は遮光性エポキシ樹脂、６２は発光チップ５６の応力緩和のためにプリコートされたシリコン樹脂、である。
【０００６】
なお、平面搭載型光結合素子とは、発光チップ５６を搭載するリードフレームと受光チップ５８を搭載するリードフレームとがほぼ平面上にある位置関係のものを指す。
【０００７】
図１２に従来例の平面搭載型光結合素子の製造方法の工程フローチャートを示す。図１１を参照しながら、図１２に従って説明する。
（１）ダイボンド工程
発光チップ５６及び受光チップ５８をリードフレーム５１、５４へ導電性ペースト等を用いてダイボンド（搭載接着）する。
（２）ワイヤーボンド工程
発光チップ５６及び受光チップ５８と外部端子となるリードフレーム５２、５３へ金線５７、５９でワイヤーボンド（接続）する。この接続により、発光素子及び受光素子となる。
（３）プリコート工程
発光チップ５６を透明なシリコン樹脂６２でプリコートする。
（４）１次モールド工程
透光性エポキシ樹脂６０にて１次トランスファーモールドを行い、発光チップ５６及び受光チップ５８を１次封止する。この場合、透光性エポキシ樹脂の代わりにシリコン樹脂により成型する方法もある。また、トランスファーモールド以外にも、インジェクションモールドや注型モールド等で成型することもある。
（５）バリ取り工程
１次モールドにより発生したバリを除去する。
（６）２次モールド工程
１次モールドされた発光チップ５６及び受光チップ５８を遮光性エポキシ樹脂６１にて２次トランスファーモールドを行い、２次を封止する。
（７）外装めっき工程
外部リード端子５１、５２、５３、５４に半田めっき、錫めっき等を施す。
（８）フォーミング工程
外部リードを所定の外形に加工する。
（９）絶縁耐圧検査工程
発光素子と受光素子（平面搭載型光結合素子）の入出力間（１次、２次間）の絶縁耐圧を検査する。
（１０）電気的特性検査工程
平面搭載型光結合素子の電気的特性を検査する。また、マーキングも行う。
（１１）外観検査工程
外観を検査する。
（１２）梱包工程
梱包する。
（１３）出荷工程
出荷する。
【０００８】
次に、図１３（ａ）は従来例の対向型２重トランスファーモールド光結合素子７０の内部構造を示す平面図、図１３（ｂ）は内部構造を示す断面図である。
【０００９】
図１３（ａ）及び（ｂ）において、６３はヘッダーを備えた発光素子搭載用のリードフレーム、６４は発光素子ワイヤーボンド用のリードフレーム、６５はヘッダーを備えた受光素子搭載用のリードフレーム、６６は受光素子ワイヤーボンド用のリードフレーム、であり、６７は発光素子５６とリードフレームとをワイヤーボンドする金線、６８は受光素子とリードフレームとをワイヤーボンドする金線、６９はプリコート樹脂、７１は透光性エポキシ樹脂、７２は遮光性エポキシ樹脂、である。
【００１０】
図１４に従来例の対向型２重トランスファーモールド光結合素子７０の製造方法の工程フローチャートを示し、図１３を参照しながら、図１４に従って説明する。
【００１１】
また、対向型２重トランスファーモールド光結合素子とは、発光チップ５６を搭載するリードフレームと受光チップ５８を搭載するリードフレームとがほぼ対向した位置関係にあるものを指す。発光チップと受光チップをそれぞれ搭載した別々のリードフレームを用いるため、２つのリードフレームをスポット溶接するか、あるいはローディングフレームにセットすること等により対向する発光チップと受光チップとの光学的な位置関係を保つように構成されている。
（１）ダイボンド工程
発光チップ５６及び受光チップ５８をリードフレーム６３、６５へ導電性ペースト等を用いてダイボンド（搭載接着）する。
（２）ワイヤーボンド工程
発光チップ５６及び受光チップ５８と外部端子となるリードフレーム６４、６６へ金線６７、６８でワイヤーボンド（接続）する。この接続により、発光素子及び受光素子となる。
（３）プリコート工程
発光チップ５６を透明なシリコン樹脂６９でプリコートする。
（４）溶接工程
発光素子側のリードフレーム６３、６４と受光素子側のリードフレーム６５、６６とを溶接し、発光素子と受光素子との距離を固定する。
（５）１次モールド工程
透光性エポキシ樹脂７１にて１次トランスファーモールドを行い、発光チップ５６及び受光チップ５８を封止する。この場合、透光性エポキシ樹脂の代わりにシリコン樹脂により成型する方法もある。また、トランスファーモールド以外にも、インジェクションモールドや注型モールド等で成型することもある。（６）バリ取り工程
１次モールドにより発生したバリを除去する。
（７）２次モールド工程
１次モールドされた発光チップ５６及び受光チップ５８を遮光性エポキシ樹脂７２にて２次トランスファーモールドを行い、封止する。
（８）外装めっき工程
外部リード端子６３、６４、６５、６６に半田めっき、錫めっき等を施す。
（９）フォーミング工程
外部リードを所定の外形に加工する。
（１０）絶縁耐圧検査工程
発光素子と受光素子（対向型２重トランスファーモールド光結合素子）の入出力間（１次、２次間）の絶縁耐圧を検査する。
（１１）電気的特性検査工程
対向型２重トランスファーモールド光結合素子の電気的特性を検査する。また、マーキングも行う。
（１２）外観検査工程
外観を検査する。
（１３）梱包工程
梱包する。
（１４）出荷工程
出荷する。
【００１２】
次に、図１５（ａ）は従来例の対向ドッキング型モールド光結合素子８０の内部構造を示す平面図、図１５（ｂ）は内部構造を示す断面図である。
【００１３】
図１５（ａ）及び（ｂ）において、７３はヘッダーを備えた発光素子搭載用のリードフレーム、７４は発光素子ワイヤーボンド用のリードフレーム、７５はヘッダーを備えた受光素子搭載用のリードフレーム、７６は受光素子ワイヤーボンド用のリードフレーム、であり、６７は発光素子５６とリードフレームとをワイヤーボンドする金線、６８は受光素子とリードフレームとをワイヤーボンドする金線、７７はシリコン樹脂、７８は遮光性エポキシ樹脂、である。
【００１４】
図１６に従来例の対向ドッキング型モールド光結合素子８０の製造方法の工程フローチャートを示し、図１５を参照しながら、図１６に従って説明する。
【００１５】
また、対向ドッキング型モールド光結合素子８０と対向型モールド光結合素子との違いは、プリコート工程に先駆けて、先ず、溶接工程へ進み、次に、プリコート工程の代わりに、光のパスを作るドッキング工程を行い、透光性エポキシ樹脂による１次モールド工程を省略し、２次モールド工程であった遮光性エポキシ樹脂のモールドを１次モールドする製造方法である。
（１）ダイボンド工程
発光チップ５６及び受光チップ５８をリードフレーム７３、７５へ導電性ペースト等を用いてダイボンド（搭載接着）する。
（２）ワイヤーボンド工程
発光チップ５６及び受光チップ５８と外部端子となるリードフレーム７４、７６へ金線６７、６８でワイヤーボンド（接続）する。この接続により、発光素子及び受光素子となる。
（３）溶接工程
発光素子側のリードフレーム７３、７４と受光素子側のリードフレーム７５、７６とを溶接し、発光素子と受光素子との距離を固定する。
（４）ドッキング工程
シリコン樹脂７７にて、発光素子と受光素子間にパスを作る。
（５）１次モールド工程
ドッキングされた発光チップ５６及び受光チップ５８を遮光性エポキシ樹脂７２にて１次トランスファーモールドを行い、封止する。また、トランスファーモールド以外にも、インジェクションモールドや注型モールド等で成型することもある。
（６）バリ取り工程
１次モールドにより発生したバリを除去する。
（７）外装めっき工程
外部リード端子７３、７４、７５、７６に半田めっき、錫めっき等を施す。
（８）フォーミング工程
外部リードを所定の外形に加工する。
（９）絶縁耐圧検査工程
発光素子と受光素子（対向ドッキング型モールド光結合素子）の入出力間（１次、２次間）の絶縁耐圧を検査する。
（１０）電気的特性検査工程
対向ドッキング型モールド光結合素子の電気的特性を検査する。また、マーキングも行う。
（１１）外観検査工程
外観を検査する。
（１２）梱包工程
梱包する。
（１３）出荷工程
出荷する。
【００１６】
次に上記の従来例の方法にて製造された光結合素子のリードフォーミングについて、図１７を用いて説明する。
【００１７】
図１７（ａ）は遮光性エポキシ樹脂で封止された後の様子を示し、５０（または７０、または８０）は従来例の光結合素子の本体、５１、５２は発光素子側の端子、５３、５４は受光素子側の端子、８１は厚バリ、８２はタイバー部、８３はクレイドル間フレーム、である。
【００１８】
図１７（ａ）に示すように、遮光性エポキシ樹脂で封止された後、第１工程では、光結合素子の本体間の厚バリや、発光素子の端子や受光素子の端子間の厚バリや、タイバー間の厚バリをパンチで除去する（図１７（ｂ））。第２工程では、光結合素子の本体を支えているタイバー部８２をパンチで除去する（図１７（ｃ））。最後に、第３工程では、外部リードと各外装モールド体を切り離し、リード端子をガルウィング型に曲げる（（図１７（ｄ））。
【００１９】
次に、一般的なＩＣ等の半導体素子におけるＪリード型のフォーミング方法について説明する。図１８は一般的なＩＣ等のリードフレームによるＪリード型フォーミングを説明する図であり、（ａ）は一般的なＩＣ等のリードフレームの図、（ｂ）はモールドされた様子を示す図、（ｃ）はリード端子がＪリード型に曲げられた光結合素子の様子を示す図、である。また、図１９は従来例の光結合素子のＪリード型フォーミング工程を説明する図である。
【００２０】
図１８において、８４はダイステージ（ダイパッド）、８５はタイバー、８６はクレイドル間フレーム、８７はリードフレーム、８８は吊りピン（サポートバー）、８９はクレイドル、９０は樹脂モールドされたＩＣ、９１はＪリード型にフォーミングされたＩＣ、である。
【００２１】
以下従来例のＪリード型のフォーミング方法を工程別に、図１９に基づき説明する。
第１工程：リード間、外装モールド体間の厚バリを除去。
第２工程：外部リード端子の切断及び曲げローラを当てて先端を曲げる。
第３工程：外部リードの付け根部をダイ、及びリード押さえて拘束した状態で４５°程度まで曲げる。
第４工程：リードの付け根部の拘束を取り去り、９０°まで曲げる。
第５工程：リードの付け根部に荷重を加え、リードの先端をダイに押し込み、曲げローラを当てて曲げる。
第６工程：さらに、リードの先端をダイに押し込みＪ字状に曲げ、成型が終わる。 以上の様にガルウィング曲げの工程数と比較して、Ｊリード型への曲げ工程数は多く、最終工程以外は、各々の外装モールド体は内部リードと短絡された吊りピンにより外部リードと保持された状態となっている（図１８）。この様に、外部リードフレームに外装モールド体が保持されていないと端子をＪリード型にリードフォーミングすることは不可能である。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
従来例の超小型の平面搭載型光結合素子では、実装面積としては、図１０に示されるように、リード端子を含めて縦７．０ｍｍ×２．６ｍｍ程度もあり、近年、ＤＣ−ＤＣコンバータ等に使用する光結合素子では、更なる小型化を要望されており、現行のリードフォーミング型では対応できなくなってきている。又、外装モールド体の外形は、１、２次間の絶縁性の維持、及び外部沿面距離の問題等からこれ以上の外形の小型化は困難である。この場合リード型を従来例のガルウィング型ではなく、ＩＣ等の半導体素子に用いられているＪリード型を採用すれば実装面積の削減が可能となる。
【００２３】
しかしながら、先に前記に説明した通り、Ｊリード型にリードフォーミングを行う場合、内部ヘッダー（または、ダイステージ）と短絡された吊りピン（または、サポートバー）を形成する必要があり、この場合図２０に示す通り、１、２次間の沿面距離に問題がでてくる。
【００２４】
図２０（ａ）は通常の従来例の沿面距離Ａを説明する図であり、図２０（ｂ）は吊りピンの従来例の沿面距離Ｂを説明する図であり、当然ながら、Ａ＞＞Ｂである。
【００２５】
本発明はこれらの問題点を解決し、超小型の光結合素子を得るための構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る光結合素子の製造方法は、リードフレームに発光チップを搭載する工程と、リードフレームに受光チップを搭載する工程と、搭載された前記発光チップと搭載された前記受光チップとを組み合わせて光結合素子を構成する工程と、前記光結合素子に樹脂モールドを施して外装モールド体となす工程と、前記外装モールド体の間の外装モールド体間に形成された厚バリによって前記外装モールド体を支持した状態で前記光結合素子のリード端子のタイバーカットを行い、前記リード端子をＪリード型にフォーミングする工程とを有することとしたものである。
【００２７】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記発光素子用リード端子または／及び前記受光素子用リード端子に対して、前記厚バリはほぼ直角の位置関係に配設されてなることとしたものである。
【００２８】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記厚バリの厚さは使用する前記リードフレームの厚さとほぼ同じかまたはそれより厚いこととしたものである。
【００２９】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記リードフレームは前記厚バリが配設された領域に前記外装モールド体を支持するように配設された補強用リードを有することとしたものである。
【００３０】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記リードフレームは前記外装モールド体間に前記外装モールド体を支持するように前記厚バリから離れて配設された補強用リードを有することとしたものである。
【００３１】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記厚バリは前記外装モールド体を形成する外装モールド樹脂を流すゲートの凝固樹脂であることとしたものである。
【００３２】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記補強用リードは少なくとも２対以上のリードであることとしたものである。
【００３３】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記補強用リードは前記外装モールド体からカットされる部分に設けられたＶ溝を有するとしたものである。
【００３４】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記補強用リードは前記厚バリ除去時に前記外装モールド体から外れる構成としたものである。
【００３５】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記補強用リードは前記発光素子用リード端子または／及び前記受光素子用リード端子に対してほぼ直角の位置に配設してある構成としたものである。
【００３７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態に関する光結合素子の製造方法は、リードフレームに発光チップを搭載する工程、リードフレームに受光チップを搭載する工程、搭載された発光チップと搭載された受光チップとを組み合わせて光結合素子を構成する工程、その構成された光結合素子に樹脂モールドを施して外装モールド体となす工程、外装モールド体間の厚バリを利用して光結合素子の発光素子用リード端子（入力側端子）及び受光素子用リード端子（出力側端子）をＪリード型にフォーミングするする工程、とを、少なくとも有することを特徴とする光結合素子の製造方法であり、また、それによる光結合素子に関するものである。
【００３８】
図１〜図９は本発明の一実施の形態に関する図である。以下、本発明の実施例を説明する。
【００３９】
［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子を図１（製造工程のフロー図）、図２（Ｊリード型光結合素子の外観図）、図３（フレームの内部構造を示す図）、及び図４（曲げ工程のフロー図）に示し、これを説明する。
【００４０】
図１（ａ）は遮光性エポキシ樹脂で外装モールド（封止）された後の様子を示す図、図１（ｂ）は薄バリ除去後の様子を示す図、図１（ｃ）はタイバーカット後の様子を示す図、図１（ｄ）はタイバーカット後の様子を示す断面図、である。
【００４１】
図１（ａ）は、リードフレームに発光チップを搭載する工程、リードフレームに受光チップを搭載する工程、搭載された発光チップと搭載された受光チップとを組み合わせて光結合素子を構成する工程、その光結合素子に樹脂モールドを施して外装モールド体となす工程、後の様子を示すものである。
【００４２】
図１（ａ）において、１０は本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子であり、１０ａは遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体である。１１はリードフレーム、１２はクレイドル、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１５はタイバー、１６はクレイドル間フレーム、１７は厚バリ、１８は薄バリ、である。
【００４３】
図１（ｂ）に示すように、遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体１０ａ間とタイバー間との薄バリ１８や、発光素子用リード端子間の薄バリ１８や受光素子用リード端子間の薄バリ１８、のみをパンチ等で除去する。リードフレーム１１の厚さは、約０．２ｍｍ程度、薄バリ１８の厚さは、約０．２ｍｍ程度以下である。
【００４４】
続いて、光結合素子の外装モールド体１０ａ間にある厚バリ１７の支持力を利用して、タイバー１５をカットし、図１（ｃ）に示される様子となる。１０ａは光結合素子の外装モールド体、１２はクレイドル、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１６はクレイドル間フレーム、１７は厚バリ、である。
【００４５】
図１（ｄ）は、タイバーカット後の様子を示す断面図であり、本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子であり、遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体１０ａの厚さは約２．０ｍｍ、厚バリ１７の厚さは約０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度であり、厚バリ１７の厚さをリードフレーム１１の厚さ約０．２ｍｍ程度より厚く選択すると、タイバーカット工程やフォーミング工程において、加工時の機械的ストレスに十分耐えられるという格別の利点がある。従って、厚バリ１７の厚さは使用するリードフレームの厚さとほぼ同じかまたはそれより厚いものである。
【００４６】
図２は、図１（ｄ）に引き続き、外装モールド体間の厚バリ１７を利用して光結合素子のリード端子をＪリード型にフォーミングしたものである。
【００４７】
図２において、１０は本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子の外観図（Ｊリード型リード端子を明示するため、上下裏返した場合の図）であり、１０ａは光結合素子の外装モールド体、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１７ａは厚バリ１７の痕、である。従って、本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子１０の外観上の１つの特徴は、光結合素子１０の側面に厚バリ痕１７ａがあるか、または、その痕跡が認められることである。
【００４８】
また、図１に示されるように、発光素子用リード端子１３または、及び、受光素子用リード端子１４に対して、厚バリ１７はほぼ直角の位置関係に配設されている。また、光結合素子のＪリード型のフォーミングについては、図４で詳しく説明する。
【００４９】
本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子１０の内部構造を示す図３において、１３ａはヘッダーを備えた発光チップ１３ｃ搭載用のリードフレーム、１３ｂは発光チップワイヤーボンド用のリードフレーム、１４ａはヘッダーを備えた受光チップ１４ｃ搭載用のリードフレーム、１４ｂは受光チップワイヤーボンド用のリードフレーム、であり、１３ｄは発光チップとリードフレームとをワイヤーボンドする金線、１４ｄは受光チップとリードフレームとをワイヤーボンドする金線、１０ｂは透光性エポキシ樹脂、１０ｃは遮光性エポキシ樹脂、１０ｄは発光チップ１３ｃの応力緩和のためにプリコートされたシリコン樹脂、であり、１０ａは本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子１０の外装モールド体である。
【００５０】
なお、平面搭載型光結合素子とは、発光チップ１３ｃを搭載するリードフレームと受光チップ１４ｃを搭載するリードフレームとがほぼ平面をなす位置関係のものを指す。
【００５１】
さらに、光結合素子の外装モールド体１０間にある厚バリ１７の支持力を利用して、本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子のＪリード型のフォーミングについて、図４に基づいて説明する。
第１工程：厚バリ１７を吊りピン機能として利用して、発光素子用リード端子１３及び受光素子用リード端子１４に、曲げローラを当ててその先端を曲げる。
第２工程：外部リードである発光素子用リード端子１３及び受光素子用リード端子１４の付け根部及びその近傍のリード端子をダイで押さえて拘束した状態で４５°程度まで曲げる。
第３工程：リード端子１３及び受光素子用リード端子１４の付け根部の拘束を取り去り、９０°まで曲げる。
第４工程：リード端子１３及び受光素子用リード端子１４の付け根部に荷重を加え、リード端子の先端をダイに押し込み、曲げローラを当てて曲げる。
第５工程：さらに、リード端子の先端をダイに押し込み、Ｊ字状に曲げ、成型が終わる。
第６工程：吊りピン機能として利用してた光結合素子の外装モールド体間にある厚バリ１７を除去する。
【００５２】
この様に、フレームのクレイドル１２と外装モールド体１０とが厚バリ１７によって支持され、保持されているので、厚バリ１７を最終曲げ工程に至るまで残存しておくことにより、Ｊリード型にリードフォーミングを施すことができる。
【００５３】
また、図１に示されるように、厚バリ１７は発光素子用リード端子１３や受光素子用リード端子１４に対して、直角の位置関係に配設されている。
【００５４】
本発明の第１の実施の形態に関するＪリード型にフォーミングされた光結合素子は本体外形縦２．６ｍｍ、横４．４ｍｍ、リード端子（フレーム）のピッチ１．２７ｍｍ（インチ系）、リード端子の幅０．４ｍｍ、厚さ０．２ｍｍ、であり、Ｊリード型にフォーミングされたリード端子を含めた外形は長さ約４．８ｍｍ（注：リードの厚さ０．２ｍｍ×２＋４．４ｍｍ）、高さ２．０ｍｍ程度となり、従来例と比較して、長さを従来例の約７．０ｍｍから本発明の約４．８ｍｍへと約３２％程度小さくすることができる。
【００５５】
本発明の実施の形態に関するＪリード型にフォーミングされた光結合素子は、本体外形サイズが縦約５ｍｍ以下×横約１０ｍｍ以下×高さ約５ｍｍ以下の超小型の光結合素子に対して特に有効な製造方法であり、超小型の光結合素子を得ることができる。
【００５６】
また、本発明による光結合素子の製造方法やそれによる光結合素子によれば、従来必要とされたＪリード型フォーミングのための吊りピン等を必要せず、従って、入出力端子間の沿面距離を十分確保することができ、１次、２次間の耐圧の高い超小型の光結合素子を得るための製造方法であり、それによる光結合素子である。
【００５７】
［第２の実施の形態］
本発明の第２の実施の形態に関する 光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子を図５に示し、これを説明する。本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子の製造方法と本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子の製造方法との大きな違いは、厚バリ形成領域に補強用リードを配設したことであり、遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体の機械的保持がより安定して行うことができる。要約すれば、リードフレームは補強用リードを有し、外装モールド体間の厚バリと補強用リードとを併用して光結合素子のリード端子をＪリード型にフォーミングする工程を有する光結合素子の製造方法であり、それによる光結合素子である。
【００５８】
従来例の吊りピンが光結合素子本体を貫通するリードであった（図２０参照）のに対して、ここで言う補強用リードは光結合素子本体を貫通するリードではない。
【００５９】
図５（ａ）は本発明の第２実施の形態に関する光結合素子２０のフレームの内部構造を示す図、図５（ｂ）は遮光性エポキシ樹脂で封止された後の様子を示す図、図５（ｃ）は薄バリ除去後の様子を示す図、図５（ｄ）はタイバーカット後の様子を示す図、である。
【００６０】
本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子の製造方法と前記本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子の製造方法との大きな違いは、厚バリ１７の形成領域に補強用リード２２を配設した点にある。
【００６１】
図５（ａ）において、１３ａはヘッダーを備えた発光チップ１３ｃ搭載用のリードフレーム、１３ｂは発光チップワイヤーボンド用のリードフレーム、１４ａはヘッダーを備えた受光チップ１４ｃ搭載用のリードフレーム、１４ｂは受光チップワイヤーボンド用のリードフレーム、であり、１３ｄは発光チップとリードフレームとをワイヤーボンドする金線、１４ｄは受光チップとリードフレームとをワイヤーボンドする金線、１７は厚バリ、１８は薄バリ、２２は補強用リード、２０ｂは透光性エポキシ樹脂、２０ｃは遮光性エポキシ樹脂、２０ｄは発光チップ１３ｃの応力緩和のためにプリコートされたシリコン樹脂、であり、２０ａは本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子２０の外装モールド体である。
【００６２】
図５（ｂ）において、２０は本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子であり、２０ａは遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体である。２１はリードフレーム、１２はクレイドル、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１５はタイバー、１６はクレイドル間フレーム、１７は厚バリ、１８は薄バリ、２２は補強用リード、である。
【００６３】
図５（ｃ）に示すように、遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体２０ａ間とタイバー間との薄バリ１８や、発光素子用リード端子間の薄バリ１８や受光素子用リード端子間の薄バリ１８、のみをパンチ等で除去する。薄バリ１８の厚さは、約０．２０ｍｍ程度以下である。
【００６４】
続いて、光結合素子の外装モールド体間にある厚バリ１７及び補強用リード２２の支持力を利用して、タイバー１５をカットし、図５（ｄ）に示される様子となる。２０は光結合素子の外装モールド体、１２はクレイドル、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１６はクレイドル間フレーム、１７は厚バリ、である。この時、厚バリ１７の配設されている領域に補強用リード２２が併せて配設されているため、タイバーカット除去の機械加工がより確実となる。つまり、厚バリ１７と補強用リード２２とは図示したとおり一体となって外装モールド体２０を支持するように配設される。
【００６５】
遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体２０の厚さは約２．０ｍｍ、厚バリ１７の厚さは約０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度、補強用リード２２の厚さは約０．２ｍｍ程度、である。
【００６６】
次に行う本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子のＪリード型のフォーミングは、本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子のフォーミングの場合と同じであり、その説明を省略する。
【００６７】
補強用リード２２は本発明の光結合素子の外装モールド体へ約０．２ｍｍ程度の深さにしか入っていないため、厚バリ１７の除去時に同時に外装モールド体２０ａから外れて取れる構造である。従って、沿面距離も第１の実施の形態の場合と同じである。
【００６８】
本発明の第２の実施の形態に関するＪリード型にフォーミングされた光結合素子は、本発明の第１の実施の形態に関するＪリード型にフォーミングされた光結合素子の外形と同じである。
【００６９】
図６は、図５（ｄ）に引き続き、外装モールド体間の厚バリ１７及び補強用リード２２の支持力を併用して光結合素子のリード端子をＪリード型にフォーミングしたものである。
【００７０】
図６において、２０は本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子の外観図（Ｊリード型リード端子を明示するため、上下裏返した場合の図）であり、２０ａは光結合素子の外装モールド体、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１７ａは厚バリ１７の痕、２２ａは補強用リード痕、である。
【００７１】
また、図５に示されるように、発光素子用リード端子１３または、及び、受光素子用リード端子１４に対して、厚バリ１７はほぼ直角の位置関係に配設されている。
【００７２】
従って、本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子２０の外観上の１つの特徴は、光結合素子２０の側面に厚バリ痕１７ａがあるか、または、その痕跡が認められることであり、更に、または、及び、光結合素子２０の側面に補強用リード痕２２ａがあるか、または、その痕跡が認められることである。
【００７３】
［第３の実施の形態］
本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子及びその製造方法を図７に示し、これを説明する。本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子と前記の本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子との大きな違いは、厚バリ１７の代わりに、金型に外装モールド樹脂を流すための導入道（ゲート）の凝固樹脂を厚バリ機能として利用し、且つ、厚バリ形成領域に複数本の補強用リードを配設する方法である。これにより、遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体の機械的保持がより安定して行うことができる。
【００７４】
図７（ａ）は本発明の第３実施の形態に関する光結合素子３０の遮光性エポキシ樹脂で封止された後の様子を示す図、図７（ｂ）は薄バリ除去後のタイバーカット後の様子を示す図、である。
【００７５】
図７（ａ）において、３０は本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子であり、３０ａは遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体である。２６はリードフレーム、１２はクレイドル、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１５はタイバー、１６はクレイドル間フレーム、１８は薄バリ、２７は２対以上の補強用リード、２８はゲート、である。
【００７６】
薄バリ１８を除去した後、図７（ｂ）に示すように、光結合素子の外装モールド体３０ａ間にあるゲート２８及び補強用リード２７の支持力を利用して、タイバー１５をカットする。３０ａは光結合素子の外装モールド体、１２はクレイドル、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１６はクレイドル間フレーム、である。この時、厚バリ形成領域に補強用リード２７及びゲート２８、が併せて配設されているため、タイバーカット除去の機械加工がより確実となる。つまり、図示したとおり補強用リード２７は外装モールド体３０ａ間に外装モールド体３０ａを支持するように厚バリとしてのゲート２８から離れて配設される。
【００７７】
遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体３０ａの厚さは約２．０ｍｍ、厚バリ１７の厚さは約０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度、補強用リード２２の厚さは約０．２ｍｍ程度、である。
【００７８】
次に行う本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子のＪリード型のフォーミングは、本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子のフォーミングの場合と同じであり、その説明を省略する。
【００７９】
補強用リード２７は本発明の光結合素子の外装モールド体へ約０．２ｍｍ程度の深さにしか入っていないため、厚バリ１７の除去時に同時に外装モールド体２５から外れて取れる構造である。従って、沿面距離も第１の実施の形態の場合と同じである。
【００８０】
本発明の第３の実施の形態に関するＪリード型にフォーミングされた光結合素子は、本発明の第１の実施の形態に関するＪリード型にフォーミングされた光結合素子の外形と同じである。
【００８１】
図７では、補強用リード２７は２対として描かれているが、２対に限るものではなく、寸法的な余裕により、それ以上多数の対よりなるリードを形成することも可能である。
【００８２】
図８は、図７（Ｂ）に引き続き、外装モールド体間のゲート２８及び補強用リード２７の支持力を併用して光結合素子のリード端子をＪリード型にフォーミングしたものである。
【００８３】
図８において、３０は本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子の外観図（Ｊリード型リード端子を明示するため、上下裏返した場合の図）であり、３０ａは光結合素子の外装モールド体、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、２８ａはゲート２８の痕、２７ａは補強用リード２７の痕、である。
【００８４】
また、図７に示されるように、発光素子用リード端子１３または、及び、受光素子用リード端子１４に対して、ゲート２８はほぼ直角の位置関係に配設されている。
【００８５】
従って、本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子３０の外観上の１つの特徴は、光結合素子３０の側面にゲート痕２８ａがあるか、または、その痕跡が認められることであり、更に、または、及び、光結合素子３０の側面に補強用リード痕２７ａがあるか、または、その痕跡が認められることである。
【００８６】
［第４の実施の形態］
本発明の第４の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子を図９に示し、これを説明する。本発明の第４の実施の形態に関する光結合素子の製造方法と前記の本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子の製造方法との大きな違いは、補強用リード３１のカットされる部分にＶ溝３１ａ、３１ｂを設け、パンチで削除する際の外装モールド体にストレスがかからないように工夫した点である。
【００８７】
図９（ａ）は本発明の第４実施の形態に関する光結合素子４０の遮光性エポキシ樹脂で封止された後の様子を示す図、図９（ｂ）は薄バリ除去後のタイバーカット後の様子を示す図、図９（ｃ）は、補強用リード３１のＶ溝を示す図、である。 図９（ａ）において、４０は本発明の第４の実施の形態に関する光結合素子であり、４０ａは遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体である。３２はリードフレーム、１２はクレイドル、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１５はタイバー、１６はクレイドル間フレーム、３１は２対以上の補強用リード、２８はゲート、である。
【００８８】
図９（ｂ）に示すように、光結合素子の外装モールド体間にあるゲート２８及び補強用リード３１の支持力を利用して、タイバー１５をカットする。４０ａは光結合素子の外装モールド体、１２はクレイドル、１３は発光素子用リード端子、１４は受光素子用リード端子、１６はクレイドル間フレーム、である。この時、図９（ｃ）に示されるように、厚バリ形成領域に補強用リード３１及びゲート２８、が併せて配設され、且つ、補強用リード３１のカットされる部分にＶ溝３１ａ、３１ｂを設け、パンチで削除する際の外装モールド体４０ａにストレスがかからないように工夫した点にあり、タイバーカット除去の機械加工がより確実となる。
【００８９】
図９（ｃ）において、４０ａは外装モールド体、３１ａ及び３１ｂは補強用リード３１のカットされる部分に配設されたＶ溝、である。
【００９０】
遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体４０ａの厚さは約２．０ｍｍ、厚バリ１７の厚さは約０．２ｍｍ〜０．５ｍｍ程度、補強用リード３１の厚さは約０．２ｍｍ程度、である。
【００９１】
次に行う本発明の第４の実施の形態に関する光結合素子のＪリード型のフォーミングは、本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子のフォーミングの場合と同じであり、その説明を省略する。
【００９２】
補強用リード３１は本発明の光結合素子の外装モールド体へ約０．２ｍｍ程度の深さにしか入っていないため、ゲート２８の除去時に同時に外装モールド体４０ａから容易に外れて取れる構造である。従って、沿面距離も第１の実施の形態の場合と同じである。
【００９３】
本発明の第４の実施の形態に関するＪリード型にフォーミングされた光結合素子は、本発明の第１の実施の形態に関するＪリード型にフォーミングされた光結合素子の外形と同じである。
【００９４】
図９では、補強用リード３１は２対として描かれているが、２対に限るものではなく、寸法的な余裕により、それ以上多数の対よりなるリードを形成することも可能である。
【００９５】
［第５の実施の形態］
本発明の第１〜第４の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子を対向型２重トランスファーモールド光結合素子に適用することができる。
【００９６】
本発明の第５の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子について説明する。対向型２重トランスファーモールド光結合素子とは、発光チップを搭載するリードフレームと受光チップを搭載するリードフレームとがほぼ対向した位置関係にあるものを指す。発光チップと受光チップをそれぞれ搭載した別々のリードフレームを用いるため、２つのリードフレームをスポット溶接するか、あるいはローディングフレームにセットすること等により対向する発光チップと受光チップとの光学的な位置関係を保つように構成されている。本発明の製造工程は、光結合素子の外装モールド体間にある厚バリ、または、及び、補強用リードの支持力を利用して、端子をＪリード型にフォーミングする工程以外は従来例で説明した通りであり、工程名を列挙するに留める。
（１）ダイボンド工程
（２）ワイヤーボンド工程
（３）プリコート工程
（４）溶接工程
（５）１次モールド工程
（６）バリ取り工程
（７）２次モールド工程
（８）外装めっき工程
（９）Ｊリード型フォーミング工程
光結合素子の外装モールド体間にある厚バリ、または、及び、補強用リードの支持力を利用して、図４で説明したような方法により、Ｊリード型にリードフォーミングを行う。
（１０）絶縁耐圧検査工程
（１１）電気的特性検査工程
（１２）外観検査工程
（１３）梱包工程
（１４）出荷工程
［第６の実施の形態］
本発明の第１〜第４の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子を対向ドッキング型モールド光結合素子に適用することができる。
【００９７】
本発明の第６の実施の形態に関する光結合素子の製造方法について説明する。
【００９８】
対向ドッキング型モールド光結合素子と対向型モールド光結合素子との違いは、プリコート工程に先駆けて、先ず、溶接工程へ進み、次に、プリコート工程の代わりに、光のパスを作るドッキング工程を行い、透光性エポキシ樹脂による１次モールド工程を省略し、２次モールド工程であった遮光性エポキシ樹脂のモールドを１次モールドする製造方法である。本発明の製造工程は、光結合素子の外装モールド体間にある厚バリ、または、及び、補強用リードの支持力を利用して、端子をＪリード型にフォーミングする工程以外は従来例で説明した通りであり、工程名を列挙するに留める。
（１）ダイボンド工程
（２）ワイヤーボンド工程
（３）溶接工程
（４）ドッキング工程
（５）１次モールド工程
（６）バリ取り工程
（７）外装めっき工程
（８）Ｊリード型フォーミング工程
光結合素子の外装モールド体間にある厚バリ、または、及び、補強用リードの支持力を利用して、図４で説明したような方法により、Ｊリード型にリードフォーミングを行う。
（９）絶縁耐圧検査工程
（１０）電気的特性検査工程
（１１）外観検査工程
（１２）梱包工程
（１３）出荷工程
【００９９】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る光結合素子の製造方法は、リードフレームに発光チップを搭載する工程と、リードフレームに受光チップを搭載する工程と、搭載された前記発光チップと搭載された前記受光チップとを組み合わせて光結合素子を構成する工程と、前記光結合素子に樹脂モールドを施して外装モールド体となす工程と、前記外装モールド体の間の外装モールド体間に形成された厚バリによって前記外装モールド体を支持した状態で前記光結合素子のリード端子のタイバーカットを行い、前記リード端子をＪリード型にフォーミングする工程とを有することとしたものである。
【０１００】
従って、従来例のように吊ピン等を用いることなく、外装モールド体間の厚バリのみを利用して、光結合素子の発光側のリード端子や受光側のリード端子をＪリード型にフォーミングすることができる製造方法であり、特に、光結合素子の外形サイズが小さい超小型の光結合素子のＪリード型フォーミングに適用できる製造方法である。
【０１０１】
例えば、超小型の光結合素子の外形サイズの一例として、従来例の実装のためのリード端子を含めた外形サイズが縦２．６ｍｍ×横約７．０ｍｍであったものが、本発明の光結合素子の製造方法によれば、リード端子を含めた外形を縦２．６ｍｍ×横約４．８ｍｍと小さくすることができ、実装面積を約３２％程度小さくすることができる製造方法としたものである。
【０１０２】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記発光素子用リード端子または／及び前記受光素子用リード端子に対して、前記厚バリはほぼ直角の位置関係に配設されてなることとしたものである。
【０１０３】
従って、外装モールド体間の厚バリを幅広く設定することができ、Ｊリード型にフォーミングする工程の機械的強度を高めることができる製造方法である。
【０１０４】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記厚バリの厚さは使用する前記リードフレームの厚さとほぼ同じかまたはそれより厚いこととしたものである。
【０１０５】
従って、厚バリの厚さをリードフレームの厚さより厚く選択することにより、タイバーカット工程やフォーミング工程において、加工時の機械的ストレスに十分耐えられる製造方法である。
【０１０６】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記リードフレームは前記厚バリが配設された領域に前記外装モールド体を支持するように配設された補強用リードを有することとしたものである。
【０１０７】
従って、タイバーカット工程やフォーミング工程において、加工時の機械的ストレスに十分耐えられる製造方法であり、光結合素子に損傷を与えることが少なく、信頼性の高い光結合素子を得ることができる製造方法である。
【０１０８】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記リードフレームは前記外装モールド体間に前記外装モールド体を支持するように前記厚バリから離れて配設された補強用リードを有することとしたものである。
【０１０９】
従って、タイバーカット工程やフォーミング工程において、加工時の機械的ストレスに十分耐えることが可能となり、光結合素子に損傷を与えることが少なく、信頼性の高い光結合素子を得ることができる製造方法となる。
【０１１０】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記厚バリは前記外装モールド体を形成する外装モールド樹脂を流すゲートの凝固樹脂であることとしたものである。
【０１１１】
従って、遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体の機械的保持をより安定して行うことができる。
【０１１２】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記補強用リードは少なくとも２対以上のリードであることとしたものである。
【０１１３】
従って、補強用リードは少なくとも２対以上のリードであるため、タイバーカット工程やフォーミング工程において、加工時の機械的ストレスに更に十分耐えられる製造方法となる。
【０１１５】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記補強用リードは前記外装モールド体からカットされる部分に設けられたＶ溝を有することとしたものである。
【０１１６】
従って、補強用リードはＶ溝があることから、外装モールド体からの切断が容易となり、加工時の機械的ストレスに更に十分耐えられることとなる。
【０１１７】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記補強用リードは前記厚バリ除去時に前記外装モールド体から外れる構成としてあることとしたものである。
【０１１８】
従って、完成状態では補強用リードを外装モールド体から除去することとなるので沿面距離を確保することが可能となる。
【０１１９】
また、本発明に係る光結合素子の製造方法では、前記補強用リードは前記発光素子用リード端子または／及び前記受光素子用リード端子に対してほぼ直角の位置に配設してある。
【０１２０】
従って、厚バリが形成してある領域（厚バリ形成領域）に対応させて補強用リードを配設することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子を説明する図であり、（ａ）は遮光性エポキシ樹脂で封止された後の様子を示す図、（ｂ）は薄バリ除去後の様子を示す図、（ｃ）はタイバーカット後の様子を示す図、（ｄ）はタイバーカット後の様子を示す断面図、である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子の外観図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子のリードフレームの内部構造を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子の曲げ工程フローを示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子を説明する図であり、（ａ）はリードフレームの内部構造を示す図、（ｂ）は遮光性エポキシ樹脂で封止された後の様子を示す図、（ｃ）は薄バリ除去後の様子を示す図、（ｄ）はタイバーカット後の様子を示す図、である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子の外観図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子を説明する図であり、（ａ）は遮光性エポキシ樹脂で封止された後の様子を示す図、（ｂ）はタイバーカット後の様子を示す図、である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子の外観図である。
【図９】本発明の第４の実施の形態に関する光結合素子の製造方法及びそれによる光結合素子を説明する図であり、（ａ）は遮光性エポキシ樹脂で封止された後の様子を示す図、（ｂ）はタイバーカット後の様子を示す図、（ｃ）は補強用リードのＶ溝の様子を示す図、である。
【図１０】従来例の光結合素子の平面搭載（面実装）型光結合素子の外形を示す図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は他の側面図、である。
【図１１】従来例の光結合素子の平面搭載（面実装）型光結合素子の内部構造を示す図であり、（ａ）は内部構造を示す平面図、（ｂ）は内部構造を示す断面図、である。
【図１２】従来例の平面搭載型光結合素子の製造方法の工程フローチャートを示す図である。
【図１３】従来例の対向型２重トランスファーモールド光結合素子光結合素子の内部構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、である。
【図１４】従来例の対向型２重トランスファーモールド光結合素子の製造方法の工程フローチャートを示す図である。
【図１５】従来例の対向ドッキング型モールド光結合素子の内部構造を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、である。
【図１６】従来例の対向ドッキング型モールド光結合素子の製造方法の工程フローチャートを示す図である。
【図１７】従来例の光結合素子のガルウィン曲げ工程を説明する図であり、（ａ）は遮光性エポキシ樹脂で封止された後の様子を示す図、（ｂ）は厚バリ除去の様子を示す図、（ｃ）はタイバー部の除去の様子を示す図、（ｄ）はリード端子がガルウィング型に曲げられた光結合素子の様子を示す図、である。
【図１８】一般的なＩＣ等のリードフレームによるＪリード型フォーミングを説明する図であり、（ａ）は一般的なＩＣ等のリードフレームの図、（ｂ）はモールドされた様子を示す図、（ｃ）はリード端子がＪリード型に曲げられた光結合素子の様子を示す図、である。
【図１９】従来例の光結合素子のＪリード型フォーミング工程を説明する図である。
【図２０】従来例の光結合素子の沿面距離を説明する図であり、（ａ）は通常の従来例の沿面距離Ａを説明する図であり、（ｂ）は吊りピンの従来例の沿面距離Ｂを説明する図である。
【符号の説明】
１０ 本発明の第１の実施の形態に関する光結合素子
１０ａ 遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体
１０ｂ 透光性エポキシ樹脂
１０ｃ 遮光性エポキシ樹脂
１０ｄ シリコン樹脂
１１ リードフレーム、
１２ クレイドル、
１３ 発光素子用リード端子
１３ａ ヘッダーを備えた発光チップ搭載用のリードフレーム
１３ｂ 発光チップワイヤーボンド用のリードフレーム
１３ｃ 発光チップ
１３ｄ 発光チップとリードフレームとをワイヤーボンドする金線
１４ 受光素子用リード端子
１４ａ ヘッダーを備えた受光チップ搭載用のリードフレーム
１４ｂ 受光チップワイヤーボンド用のリードフレーム
１４ｃ 受光チップ
１４ｄ 受光チップとリードフレームとをワイヤーボンドする金線
１５ タイバー
１６ クレイドル間フレーム
１７ 厚バリ
１７ａ 厚バリ痕
１８ 薄バリ
２０ 本発明の第２の実施の形態に関する光結合素子
２０ａ 遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体
２０ｂ 透光性エポキシ樹脂
２０ｃ 遮光性エポキシ樹脂
２０ｄ プリコート用シリコン樹脂
２１ リードフレーム
２２ 補強用リード
２２ａ 補強用リード痕
２６ リードフレーム
２７ ２対以上からなる補強用リード
２７ａ ２対以上からなる補強用リード痕
２８ ゲート
２８ａ ゲート痕
３０ 本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子
３０ａ 本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子の外装モールド体
３１ 補強用リード
３１ａ、３１ｂ 補強用リードに配設されたＶ溝
３２ リードフレーム
４０ 本発明の第３の実施の形態に関する光結合素子
４０ａ 遮光性エポキシ樹脂で封止された光結合素子の外装モールド体

Claims (10)

1. リードフレームに発光チップを搭載する工程と、
   リードフレームに受光チップを搭載する工程と、
   搭載された前記発光チップと搭載された前記受光チップとを組み合わせて光結合素子を構成する工程と、
   前記光結合素子に樹脂モールドを施して外装モールド体となす工程と、
   前記外装モールド体の間の外装モールド体間に形成された厚バリによって前記外装モールド体を支持した状態で前記光結合素子のリード端子のタイバーカットを行い、前記リード端子をＪリード型にフォーミングする工程とを
   有することを特徴とする光結合素子の製造方法。
2. 請求項１記載の光結合素子の製造方法において、
   前記発光素子用リード端子または／及び前記受光素子用リード端子に対して、前記厚バリはほぼ直角の位置関係に配設されてなることを特徴とする光結合素子の製造方法。
3. 請求項１記載の光結合素子の製造方法において、
   前記厚バリの厚さは使用する前記リードフレームの厚さとほぼ同じかまたはそれより厚いことを特徴とする光結合素子の製造方法。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の光結合素子の製造方法において、
   前記リードフレームは前記厚バリが配設された領域に前記外装モールド体を支持するように配設された補強用リードを有することを特徴とする光結合素子の製造方法。
5. 請求項１ないし請求項３のいずれか一つに記載の光結合素子の製造方法において、
   前記リードフレームは前記外装モールド体間に前記外装モールド体を支持するように前記厚バリから離れて配設された補強用リードを有することを特徴とする光結合素子の製造方法。
6. 請求項５記載の光結合素子の製造方法において、
   前記厚バリは前記外装モールド体を形成する外装モールド樹脂を流すゲートの凝固樹脂であることを特徴とする光結合素子の製造方法。
7. 請求項５または請求項６記載の光結合素子の製造方法において、
   前記補強用リードは少なくとも２対以上のリードであることを特徴とする光結合素子の製造方法。
8. 請求項５ないし請求項７のいずれか一つに記載の光結合素子の製造方法において、
   前記補強用リードは前記外装モールド体からカットされる部分に設けられたＶ溝を有することを特徴とする光結合素子の製造方法。
9. 請求項４ないし請求項８のいずれか一つに記載の光結合素子の製造方法において、
   前記補強用リードは前記厚バリ除去時に前記外装モールド体から外れる構成としてあることを特徴とする光結合素子の製造方法。
10. 請求項９記載の光結合素子の製造方法において、
    前記補強用リードは前記発光素子用リード端子または／及び前記受光素子用リード端子に対してほぼ直角の位置に配設してあることを特徴とする光結合素子の製造方法。

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