JP6264193B2 - モールドパッケージ - Google Patents

Description

本発明は、半導体チップの一部をモールド樹脂で封止し、残部をモールド樹脂より露出させてなるモールドパッケージに関する。

従来より、この種のモールドパッケージとして、半導体チップと、半導体チップの一部である第１の部位を封止するモールド樹脂と、を備え、半導体チップの残部である第２の部位は、モールド樹脂より露出しているものが提案されている（特許文献１参照）。

このようなパッケージ構造は、フィルムを介して、半導体チップの第２の部位に金型を押し当てた状態で、残りのキャビティ部分にモールド樹脂を充填して、モールド樹脂を成形することにより製造される。

この場合、半導体チップにおける第１の部位と第２の部位との境界部にて、モールド樹脂には、金型形状に応じて、当該境界部から半導体チップの表面と交差する方向に延びる壁面、つまり半導体チップ上に延びる壁面が形成される。

特開２０１０−５０４５２号公報

ところで、上記構造の場合、従来では、上記境界部に位置するモールド樹脂の上記壁面の部分にて、クラックが発生し、ひいては剥離に至るという問題がある。この問題について、図７Ａ、図７Ｂに示されるように、本発明者は、従来のモールド樹脂の成形方法に準じた試作検討を行った。

図７Ａ、図７Ｂに示されるように、半導体チップ１０の保護用のフィルム１１０を介して、半導体チップ１０の第２の部位２に金型１００を押し当てた状態で、モールド樹脂２０を充填する。ここで、フィルム１１０は樹脂等よりなり、金型１００と半導体チップ１０との直接接触による半導体チップ１０へのダメージを防止するものである。

これにより、半導体チップ１０の第１の部位１がモールド樹脂２０で封止され、第２の部位２がモールド樹脂２０より露出した構成となる。そして、半導体チップ１０における第１の部位１と第２の部位２との境界部３にて、モールド樹脂２０には、上記壁面２１が形成される。

ここにおいて、上記したようなモールド樹脂２０の成形方法によれば、上記壁面２１における上記境界部３側の部位は、フィルム１１０の形状に起因して、薄い裾拡がりのフィレット形状となる。

もともと、上記境界部３の近傍は、半導体チップ１０とモールド樹脂２０との線膨張係数差に起因して発生する応力が集中する部分であるため、当該フィレット形状の部分にクラックＫが生じやすく、ひいては、モールド樹脂２０と半導体チップ１０との剥離に至る恐れがある。

このように上記境界部３の近傍にて発生する上記クラックＫは、モールド樹脂２０のうち薄いフィレット形状の部分にて発生するものであるため、クラックＫを境としてフィレットの先端部分が分離しやすい。そして、この分離した樹脂の部分は、モールド樹脂２０より露出するべき第２の部位２上に異物として残ることとなってしまう。

本発明は、上記した本発明者の試作検討の結果、明らかとなった問題に鑑みてなされたものである。そして、本発明は、半導体チップの一部である第１の部位をモールド樹脂で封止し、残部である第２の部位を露出させてなるモールドパッケージにおいて、第１の部位と第２の部位との境界部近傍にて、モールド樹脂にクラックが発生して分離することで異物を発生してしまうのを極力防止することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体チップ（１０）と、半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止するモールド樹脂（２０）と、を備え、半導体チップの残部である第２の部位（２）は、前記モールド樹脂より露出しているモールドパッケージであって、
半導体チップにおける第１の部位と第２の部位との境界部（３）において、モールド樹脂には、境界部から半導体チップの表面と交差する方向に延びる壁面（２１）が形成されており、この壁面のうち境界部との接触部を含む境界部側の一部のみが、当該交差する方向にて凸状に曲がっている曲面形状をなすものとされており、壁面は、境界部との接触部を含む境界部側の一部が第２の部位側へ突出する段差部（２３）を有する段付き面とされており、段差部の突出先端面（２３ａ）が曲面形状をなすと共に、当該突出先端面の上端部分および下端部分に比べて、当該上下端の間に位置する突出先端面の部分が第２の部位側に突出していることを特徴としている。

それによれば、モールド樹脂自身の少なくとも一部、すなわちモールド樹脂の壁面のうちの境界部との接触部を含む境界部側の一部のみが、上記した凸状の曲面形状となっている。

つまり、境界部側が薄いフィレット形状とされた壁面を有する従来のモールド樹脂に比べて、本発明のモールド樹脂は、薄いフィレット形状部分が無いものとなるから、クラックが発生しにくい形状とされる。そのため、本発明によれば、境界部近傍にて、モールド樹脂にクラックが発生して分離することで異物を発生してしまうのを極力防止することができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

本発明の第１実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 図１中の上視概略平面図である。 図１のモールドパッケージの製造方法における封止工程を示す概略断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 本発明の第３実施形態にかかるモールドパッケージを示す概略断面図である。 図５のモールドパッケージの製造方法における封止工程を示す概略断面図である。 本発明者の試作としてのモールドパッケージの製造方法における封止工程を示す概略断面図である。 図７Ａに続く封止工程を示す概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかるモールドパッケージＳ１について、図１、図２を参照して述べる。このモールドパッケージＳ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。

モールドパッケージＳ１は、大きくは、半導体チップ１０と、半導体チップ１０の一部である第１の部位１を封止するモールド樹脂２０と、を備え、半導体チップ１０の残部である第２の部位２は、モールド樹脂２０より露出しているものである。

半導体チップ１０は、シリコン半導体等よりなるもので、通常の半導体プロセスにより形成される。モールド樹脂２０からの露出部分である第２の部位２は、典型的にはセンシング部とされる。つまり、半導体チップ１０は、このセンシング部を外部環境に露出させることで、外部環境の状態を直接センシングするものである。

限定するものではないが、たとえば半導体チップ１０は、圧力センサ、湿度センサ、温度センサ、光センサ等のセンサチップとして構成されるものである。ここでは、半導体チップ１０は、典型的な矩形板状をなすものとされている。

ここで、半導体チップ１０の第１の部位１とは、半導体チップ１０の外表面のうちモールド樹脂２０で被覆されている部位であり、半導体チップ１０の第２の部位２とは、上記センシング部等、モールド樹脂２０で被覆されずに露出している部位である。そして、第１の部位１と第２の部位２との境界部３は、半導体チップ１０の外表面に位置するモールド樹脂２０の外形線に相当するものである。

モールド樹脂２０は、この種のモールドパッケージにおいて通常用いられるモールド材料よりなる。モールド樹脂２０は、典型的にはエポキシ樹脂等よりなり、後述するように、金型１００を用いたトランスファーモールド法により成形されるものである。

そして、本実施形態では、半導体チップ１０は、リードフレーム３０のアイランド３１上に搭載され、導電性接着剤やはんだ等のダイボンド材４０を介して、接合され固定されている。

また、アイランド３１の周囲には、リードフレーム３０のリード端子３２が配置され、このリード端子３２と半導体チップ１０とが、ボンディングワイヤ５０により結線されて電気的に接続されている。このボンディングワイヤ５０は、ＡｕやＡｌ等よりなり通常のワイヤボンディングにより形成される。

ここで、アイランド３１とリード端子３２とは、たとえば共通のリードフレーム素材よりなるもので、典型的なＣｕや４２アロイ等の導電性金属よりなる板状のものである。つまり、アイランド３１とリード端子３２とは、モールド樹脂２０による封止前では図示しないタイバー等で連結されて一体とされているものであるが、封止後には、通常のリードカットを行うことにより分離した状態とされている。

そして、モールド樹脂２０は、半導体チップ１０の第２の部位２を露出させつつ、半導体チップ１０の第１の部位１、アイランド３１、リード端子３２、およびボンディングワイヤ５０を封止している。ここで、アイランド３１における半導体チップ１０の搭載面とは反対側の面、および、リード端子３２におけるおよびワイヤボンディング面側とは反対側の面は、モールド樹脂２０で被覆されずに露出している。つまり、本実施形態のモールドパッケージＳ１は、ハーフモールド構造をなしている。

また、半導体チップ１０における第１の部位１と第２の部位２との境界部３において、モールド樹脂２０には、境界部３から半導体チップ１０の表面と交差する方向（図１中の上下方向）に延びる壁面２１が形成されている。つまり、壁面２１における半導体チップ１０側の端部は、当然ながら境界部３に直接接触しており、壁面２１は、この境界部３との接触部を起点として半導体チップ１０の表面と交差する方向に延びるものである。

具体的に、本実施形態では、モールド樹脂２０には、当該モールド樹脂２０の表面から第２の部位２まで到達する貫通孔２２が形成されている。そして、第２の部位２は、この貫通孔２２によってモールド樹脂２０より露出している。ここで、貫通孔２２の側面が壁面２１として構成されている。

また、ここでは、貫通孔２２の開口形状は円形とされている。これにより、壁面２１は、半導体チップ１０に向かって径が小さくなる略円筒形状をなすものとして構成され、半導体チップ１０の境界部３は、第２の部位２を取り巻く円形に構成される。

なお、この貫通孔２２としては、開口形状が、角部がＲ形状とされた多角形であるものでもよいが、直線部分を持たない円形が望ましい。ここで、円形とは真円だけでなく楕円も含む。それによれば、当該多角形の場合に比べて、境界部３にて発生する上記応力が貫通孔２２の全周にて均等になるので、応力緩和の点で望ましい。

そして、このような壁面２１において、本実施形態では、さらに、次のような独自の構成を有している。すなわち、この壁面２１のうち少なくとも境界部３との接触部を含む境界部３側の一部が、半導体チップ１０の表面と交差する方向にて凸状に曲がっている曲面形状をなすものとされている。ここで、境界部３との接触部を含む境界部３側の一部とは、壁面２１において境界部３との接触部から半導体チップ１０の表面と交差する方向に向かって連続する領域である。

特に、本実施形態では、壁面２１は、境界部３との接触部を含む境界部３側の一部のみが上記凸状の曲面形状をなすものとされている。具体的には、図１、図２に示されるように、壁面２１は、境界部３との接触部を含む境界部３側の一部が段差部２３を有する段付き面とされている。ここでは、段差部２３は、円筒状の壁面２１の全周に連続して設けられているが、不連続な配置であってもよい。

この段差部２３は、壁面２１のうち段差部２３よりも半導体チップ１０とは反対側に位
置する部分に比べて、第２の部位２側へ突出している。そして、この段差部２３の突出先
端面２３ａが、上記凸状の曲面形状をなしている。これにより、壁面２１のうちの上記凸
状の曲面形状部分における半導体チップ１０の表面上の高さは、当該突出先端面２３ａの
幅すなわち段差部２３の厚さに相当する。なお、段差部２３の突出長さについては特に限
定されるものではない。

更に言うならば、段差部２３の突出先端面２３ａが、第２の部位２側に凸となるように
半導体チップ１０の表面と交差する方向に沿って湾曲した面とされることにより、凸状の
曲面形状が構成されている。つまり、図１に示される段差部２３の突出先端面２３ａにお
いては、当該突出先端面２３ａの上端部分および下端部分に比べて、当該上下端の間に位
置する突出先端面２３ａの部分が第２の部位２側に突出している。

次に、本実施形態のモールドパッケージＳ１の製造方法について、図３も参照して述べる。まず、アイランド３１およびリード端子３２が一体となっているリードフレーム３０を用意する。

そして、ダイボンド材４０を介してアイランド３１上に半導体チップ１０を搭載し、固定する。次に、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ１０とリード端子３２とをボンディングワイヤ５０で結線する。

次に、金型１００に半導体チップ１０およびリードフレーム３０を設置して金型１００内にモールド樹脂２０を充填することでモールド樹脂２０による第１の部位１の封止を行う（封止工程）。

つまり、上記のように形成されたワークを、図３に示されるように、金型１００に設置し、図示しないゲートから金型１００内にモールド樹脂２０を流入させ、モールド樹脂２０による当該ワークの封止を行う。この封止工程後、モールド樹脂２０で封止されたワークを、金型１００から取り出し、必要に応じてリードカット等を行うことにより、本実施形態のモールドパッケージＳ１ができあがる。

ここで、封止工程に用いられる金型１００は、トランスファーモールド法に用いられる典型的なものであり、上型１０１と下型１０２とを離脱可能に合致させることで、当該上下型１０１、１０２間にキャビティを形成するものである。

本実施形態では、上型１０１において、半導体チップ１０の第２の部位２に正対する部位に、突起１０３が設けられている。この突起１０３は、上記した貫通孔２２の空間形状に対応した形状を有するものである。ここでは、突起１０３は断面台形の先窄まりの円錐形状、いわゆるプリンカップの如き形状をなす。

ここで、封止工程では、第２の部位２と金型１００の上型１０１との間にモールド樹脂が侵入する大きさの隙間２００を設けておく。具体的には、当該隙間２００は、上型１０１の突起１０３の先端面と第２の部位２との間に設けられる。つまり、この封止工程においては、キャビティ内にて半導体チップ１０と金型１００とは非接触とされる。

そして、この隙間２００の周辺部のみにモールド樹脂２０を侵入させつつ、隙間２００に空気溜まりを形成する。それにより、侵入したモールド樹脂２０の先端面が、上記凸状の曲面形状をなす壁面２１、すなわち段差部２３の突出先端面２３ａとして形成される。

さらに言えば、当該隙間２００は、封止工程において金型１００内のモールド樹脂２０流れの終点となる空間である。つまり、封止工程では、図示しないゲートから金型１００内に流入するモールド樹脂２０は、図３中の矢印２０１のように流れ、隙間２００に向かってくる。

そして、隙間２００には、当該隙間２００に向かって流れてくるモールド樹脂２０によって、最終的に密閉空間としての空気溜まりが形成される。つまり、隙間２００は、封止工程において金型１００におけるエアベント等の空気の抜け道とは直接つながっていないものとされている。

それにより、隙間２００の周辺部全体にモールド樹脂２０が入り込んだ時点で、隙間２００は密閉空間となる。そのため、モールド樹脂２０の押し込みにより、当該隙間２００内の成形圧力が高くなり、これによってモールド樹脂２０の隙間２００への更なる侵入が途中で止められる。こうして、最終的に、モールド樹脂２０と金型１００と半導体チップ１０とで区画された密閉空間が形成され、第２の部位２が露出した状態が形成されるのである。

ここで、隙間２００の周辺部に侵入するモールド樹脂２０は、金型１００および半導体チップ１０との接触部分では流速が比較的小さく、当該接触部分以外の中央部分では流速が比較的大きい。そのため、隙間２００に侵入したモールド樹脂２０の先端面が、上記凸状の曲面形状をなすものとして形成されるのである。

このように、本実施形態の封止工程によれば、隙間２００へのモールド樹脂２０の侵入が、当該隙間２００の周辺部で止められることで、半導体チップ１０の第２の部位２がモールド樹脂２０より露出した構成が形成されるのである。

また、この隙間２００の寸法により、上記段差部２３の厚さが、当該隙間２００の寸法と実質同等の大きさに規定される。しかし、隙間２００への侵入によって上記凸状の曲面形状が適切に形成されるものならば、隙間２００の寸法は特に限定されない。

ところで、本実施形態によれば、モールド樹脂２０自身の少なくとも一部、すなわちモールド樹脂２０の壁面２１のうちの少なくとも境界部３との接触部を含む境界部３側の一部が、上記した凸状の曲面形状となっている。

つまり、境界部側が薄いフィレット形状とされた壁面を有する従来のモールド樹脂（上記図７Ｂ参照）に比べて、本実施形態のモールド樹脂２０の壁面２１は、薄いフィレット形状部分を持たないものとなり、クラックが発生しにくい。そのため、本実施形態によれば、境界部３近傍にて、モールド樹脂２０にクラックが発生して分離することが無くなり、当該分離したモールド樹脂の部分が異物となって残ることが回避される。よって、本実施形態によれば、境界部３近傍にて、モールド樹脂２０による異物を発生するのを極力防止することができる。

また、本実施形態によれば、上記曲面形状による形状効果（ｓｈａｐｅ ｅｆｆｅｃｔ）により、境界部側がフィレット形状とされた壁面を有する従来のモールド樹脂に比べて、境界部３近傍に発生する応力を緩和されると考えられる。

なお、上記境界部３にて半導体チップ１０とモールド樹脂２０との間に応力緩和用の応力緩和部材を介在させることも考えられるが、そのための手間がかかる。また、応力緩和部材というモールド樹脂２０とは異種材料が介在することになるため、応力緩和部材と、これに接触する各部との剥離等も懸念される。その点、本実施形態によれば、モールド樹脂２０そのもので応力緩和構造を形成し、異種材料である応力緩和部材を不要とするため、そのような問題を回避できる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかるモールドパッケージＳ２について、図４を参照して述べる。本実施形態のモールドパッケージＳ２は、上記第１実施形態のモールドパッケージＳ１に対して、モールド樹脂２０の壁面２１の構成を変形したところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。

上記第１実施形態では、壁面２１の一部のみが上記凸状の曲面形状とされたものであった。それに対して、図４に示されるように、本実施形態では、壁面２１の全体が上記凸状の曲面形状とされたものである。

ここで、図４には、上記製造方法における封止工程に用いる金型１００の上型１０１の外形が破線にて示してある。本実施形態の上型１０１では、半導体チップ１０と対向する面に上記した突起１０３を持たずに、当該対向する面が平坦な面とされている。これにより、上記第１実施形態の製造方法と同様にして、本実施形態のモールドパッケージＳ２が製造される。

ここで、上記第１実施形態においては、金型１００に上記突起１０３を設けることで、壁面２１のうち応力低減の必要な境界部３側のみを上記凸状の曲面形状としている。これによれば、本実施形態のように壁面２１の全体を上記凸状の曲面形状とする場合に比べて、上記封止工程における金型１００と第２の部位２との隙間２００を狭いものにしやすい。

モールド樹脂２０の成形圧力は、当該隙間２００が狭い方が制御しやすい。そのため、上記第１実施形態のように段差部２３を有する壁面２１とする方が、上記凸状の曲面形状を形成しやすくできるという点で効果的である。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかるモールドパッケージＳ３について、図５を参照して述べる。本実施形態のモールドパッケージＳ３は、モールド樹脂２０による半導体チップ１０の封止および露出形態が上記第１実施形態と相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。

上記各実施形態では、モールド樹脂２０に設けた貫通孔２２から第２の部位２を露出させることにより、半導体チップ１０の第２の部位２は、その全周囲を第１の部位１で取り囲まれた領域として構成されていた。

それに対して、本実施形態では、モールド樹脂２０により半導体チップ１０を片持ち支持した構造としている。具体的には、半導体チップ１０の一端側（つまり図５中の右端側）が第１の部位１とされてモールド樹脂２０で封止され、他端側（つまり図５中の左端側）が第２の部位２としてモールド樹脂２０より露出している。

この半導体チップ１０も、上記第１実施形態と同様、たとえば第２の部位２に上記センシング部を有する各種のセンサチップ等として構成されるものである。そして、この半導体チップは、たとえば上記一端側と上記他端側とを結ぶ方向を長手方向とする長方形板状をなすものとされる。

そして、この場合、モールド樹脂２０は、半導体チップ１０の一端側の全周を取り巻くように、半導体チップ１０の第１の部位１を封止している。それゆえ、モールド樹脂２０の壁面２１も半導体チップ１０の全周に位置し、それにより、境界部３が半導体チップ１０の全周に存在するものとされている。

そして、本実施形態においても、壁面２１は、境界部３との接触部を含む境界部３側の一部のみが上記凸状の曲面形状をなすものとされている。具体的には、図５に示されるように壁面２１は、境界部３との接触部を含む境界部３側の一部が段差部２３を有する段付き面とされている。

そして、本実施形態においても、段差部２３は第２の部位２側へ突出しており、段差部２３の突出先端面２３ａが、上記凸状の曲面形状をなしている。ここで、段差部２３は、半導体チップ１０の境界部３の全周に連続して設けられているが、不連続な配置であってもよい。

本実施形態によれば、上記第１実施形態にて述べたのと同様、モールド樹脂２０自身の一部、すなわちモールド樹脂２０の壁面２１のうちの境界部３との接触部を含む境界部３側の一部が、上記した凸状の曲面形状となっている。そのため、その曲面形状により、従来に比べて境界部３近傍にて、モールド樹脂２０にクラックが発生しにくいものとされている。

また、本実施形態では、モールド樹脂２０の内部にて、半導体チップ１０の第１の部位１が、上記同様、リードフレーム３０のアイランド３１上にダイボンド材４０を介して接合されている。

ここで、本実施形態のモールドパッケージＳ３においては、このアイランド３１上にはダイボンド材７０を介して回路チップ６０が搭載され、固定されている。この回路チップ６０は、たとえばセンサチップとしての半導体チップ１０を駆動したり、制御したりするものである。また、この回路チップ６０のダイボンド材７０は、半導体チップ１０のダイボンド材４０と同様のものである。

そして、モールド樹脂２０内にて、半導体チップ１０の第１の部位１と回路チップ６０とは、ボンディングワイヤ５０により結線されて電気的に接続されている。さらに、モールド樹脂２０内にて、リードフレーム３０のリード端子３２と回路チップ６０とがボンディングワイヤ５０により結線されて電気的に接続されている。

そして、モールド樹脂２０は、半導体チップ１０を片持ち支持しつつ、これら回路チップ６０、リードフレーム３０、ボンディングワイヤ５０を封止している。このような本実施形態のモールド樹脂２０による封止形態は、片持ち支持構造における典型的なものである。

なお、本実施形態においては、回路チップ６０は省略された構成であってもよく、上記第１実施形態と同様、半導体チップ１０とリード端子３２とが直接ボンディングワイヤ５０で接続されていてもよい。

ここで、本実施形態のモールドパッケージＳ３の製造方法について、図６を参照して述べておく。本実施形態においては、ダイボンド材４０、７０を介してアイランド３１上に半導体チップ１０および回路チップ６０を搭載し、固定する。次に、ワイヤボンディングを行い、半導体チップ１０、回路チップ６０およびリード端子３２をボンディングワイヤ５０で結線する。

次に、このワークを、上型１０１と下型１０２よりなる金型１００に設置し、金型１００内にモールド樹脂２０を充填することでモールド樹脂２０による第１の部位１の封止を行う（封止工程）。その後、モールド樹脂２０で封止されたワークを、金型１００から取り出し、必要に応じてリードカット等を行うことにより、本実施形態のモールドパッケージＳ３ができあがる。

ここで、本実施形態の金型１００では、半導体チップ１０の第２の部位２と金型１００の上型１０１および下型１０２との間にモールド樹脂が侵入する大きさの隙間２００が設けられる。この隙間２００は、上記第１実施形態と同様、モールド樹脂２０の流れ２０１の終点に位置するものであり、最終的に密閉空間となるものである。

そして、上記第１実施形態と同様、この隙間２００における境界部３側の周辺部のみにモールド樹脂２０を侵入させつつ、隙間２００に空気溜まりを形成する。それにより、侵入したモールド樹脂２０の先端面が、上記凸状の曲面形状をなす壁面２１すなわち段差部２３の突出先端面２３ａとして形成される。

そして、本実施形態によっても、モールド樹脂２０における壁面２１のうちの境界部３との接触部を含む境界部３側の一部が、上記した凸状の曲面形状となっているため、モールド樹脂２０は、従来に比べてクラックが発生しにくい形状とされる。そのため、本実施形態によっても、境界部３近傍にて、モールド樹脂２０にクラックが発生して分離することで異物を発生してしまうのを極力防止することができる。

また、本実施形態のような片持ち支持構造の場合であっても、上記第２実施形態のように、壁面２１の全体が上記凸状の曲面形状とされたものとしてもよい。このような構成は、上記第２実施形態と同様、金型１００の構成を変形させたものとすることにより、容易に実現できることはもちろんである。

（他の実施形態）
なお、上述の如く、上記壁面２１の上記凸状の曲面形状部分における半導体チップ１０の表面上の高さは、上記封止工程における隙間２００の寸法により規定されるものである。そして、上述の如く、当該隙間２００の寸法は、隙間２００へのモールド樹脂２０の侵入により上記凸状の曲面形状が形成できるものであればよい。この点を考慮するならば、当該壁面２１における上記凸状の曲面形状部分の高さ（たとえば図１における段差部２３の厚さ等）については、特に限定されるものではない。

また、上記第１実施形態のモールドパッケージＳ１は、図１に示される例では、モールド樹脂２０の外郭の端部よりリード端子３２が突出していない構造、典型的にはＱＦＮ（クワッドフラットノンリード）パッケージ構造であった。しかしながら、上記第１実施形態の変形としては、たとえばＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）等のリード端子３２がモールド樹脂２０の当該端部より突出するタイプであってもよい。

また、上記各実施形態では、半導体チップ１０がリードフレーム３０のアイランド３１に搭載され、ワイヤボンディングにより他部材と電気的接続されたものであった。その他、半導体チップ１０の搭載要素としては、配線基板等であってもよいし、半導体チップ１０と他部材との電気的接続等については、バンプ等により行うものであってもよい。

さらに言うならば、モールドパッケージとしては、半導体チップ１０の一部である第１の部位１がモールド樹脂２０で封止され、残部である第２の部位２がモールド樹脂２０より露出しているものであればよく、その封止および露出形態については、上記実施形態に限定されるものではない。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

１ 半導体チップの第１の部位
２ 半導体チップの第２の部位
３ 半導体チップにおける第１の部位と第２の部位との境界部
１０ 半導体チップ
２０ モールド樹脂
２１ モールド樹脂の壁面

Claims (2)

1. 半導体チップ（１０）と、
   前記半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止するモールド樹脂（２０）と、を備え、
   前記半導体チップの残部である第２の部位（２）は、前記モールド樹脂より露出しているモールドパッケージであって、
   前記半導体チップにおける前記第１の部位と前記第２の部位との境界部（３）において、前記モールド樹脂には、前記境界部から前記半導体チップの表面と交差する方向に延びる壁面（２１）が形成されており、
   この壁面のうち前記境界部との接触部を含む前記境界部側の一部のみが、当該交差する方向にて凸状に曲がっている曲面形状をなすものとされており、
   前記壁面は、前記境界部との接触部を含む前記境界部側の一部が前記第２の部位側へ突出する段差部（２３）を有する段付き面とされており、
   前記段差部の突出先端面（２３ａ）が前記曲面形状をなすと共に、前記突出先端面の上端部分および下端部分に比べて、当該上下端の間に位置する前記突出先端面の部分が前記第２の部位側に突出していることを特徴とするモールドパッケージ。
2. 前記第２の部位は、前記モールド樹脂の表面から前記第２の部位まで到達するように前記モールド樹脂に形成された貫通孔（２２）によって、前記モールド樹脂より露出しており、
   前記貫通孔の側面が前記壁面として構成されており、
   前記貫通孔の開口形状は円形とされていることを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。

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