JPH01196153A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents
樹脂封止半導体装置Info
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- JPH01196153A JPH01196153A JP63019521A JP1952188A JPH01196153A JP H01196153 A JPH01196153 A JP H01196153A JP 63019521 A JP63019521 A JP 63019521A JP 1952188 A JP1952188 A JP 1952188A JP H01196153 A JPH01196153 A JP H01196153A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、樹脂封止半導体装置に係り、特に外部リード
（端子）を樹脂封止後、開孔部を形成し、打ち込み方式
によってリードピンを設りるようにした樹脂封止半導体
装置に関するものである。
（端子）を樹脂封止後、開孔部を形成し、打ち込み方式
によってリードピンを設りるようにした樹脂封止半導体
装置に関するものである。
（従来の技術）
従来、このような分野の技術としては、例えば、特開昭
６１−７１６５２号に記載されるものがあった。
６１−７１６５２号に記載されるものがあった。
第５図は係る従来の樹脂封止半導体装置の外部リード部
を示す断面図である。
を示す断面図である。
第５図において、半導体チップ４を載置したリードフレ
ーム１を第１の封止樹脂７によって半導体チップ４、金
属線ＶＡ５及び金属細線５の外部導出接続部などを包囲
保護するように樹脂封止する。
ーム１を第１の封止樹脂７によって半導体チップ４、金
属線ＶＡ５及び金属細線５の外部導出接続部などを包囲
保護するように樹脂封止する。
その後、外部リード６を下方向に折り曲げ加工して第１
の折り曲げ部６ａを形成し、更に、その先端を台形状に
折り曲げて第２の折り曲げ部９を形成し、第２の封止樹
脂８によって第１の折り曲げ部６ａ、第２の折り曲げ部
９を樹脂封止する。この場合、第１の折り曲げ部６ａを
第２の封止樹脂８で包囲し、第２の折り曲げ部９は第５
図から明らかなように半分埋め込むような形にする。ひ
れは成型金型にセントして射出成形することにより、外
部り−１・６の第２の折り曲げ部９は第２の封止樹脂に
密着して強固に固定される。
の折り曲げ部６ａを形成し、更に、その先端を台形状に
折り曲げて第２の折り曲げ部９を形成し、第２の封止樹
脂８によって第１の折り曲げ部６ａ、第２の折り曲げ部
９を樹脂封止する。この場合、第１の折り曲げ部６ａを
第２の封止樹脂８で包囲し、第２の折り曲げ部９は第５
図から明らかなように半分埋め込むような形にする。ひ
れは成型金型にセントして射出成形することにより、外
部り−１・６の第２の折り曲げ部９は第２の封止樹脂に
密着して強固に固定される。
このように、樹脂封止工程を２回に分割し、外部リード
６を樹脂封止することによって、封止樹脂から突き出た
り−トを急角度で折り曲げ加工することによって発生し
た、リードのクラック等がなく、リートの第２の折り曲
げ部９が樹脂封止されているので、リード曲がり等もな
く、リード折り曲げ工程が容易である。また、第２の封
止樹脂８から突出した第２の折り曲げ部９のリード表面
９ａには第２の封止樹脂８の充填の時にモールドフラッ
シュといわれる極薄い樹脂皮膜が形成されるが、液体ホ
ーニングといわれる水溶液中に研友剤を含ませて（混合
して）、加圧して吹きイ」りる方法によって容易に除去
できる。なお、第１の封止樹脂７による封止後、リード
折り曲げ前にリード表面を半田処理をしておくと、第２
の樹脂封止後リード酸処理がなく、リードと樹脂との界
面から処理薬品等の浸入が防止できる。
６を樹脂封止することによって、封止樹脂から突き出た
り−トを急角度で折り曲げ加工することによって発生し
た、リードのクラック等がなく、リートの第２の折り曲
げ部９が樹脂封止されているので、リード曲がり等もな
く、リード折り曲げ工程が容易である。また、第２の封
止樹脂８から突出した第２の折り曲げ部９のリード表面
９ａには第２の封止樹脂８の充填の時にモールドフラッ
シュといわれる極薄い樹脂皮膜が形成されるが、液体ホ
ーニングといわれる水溶液中に研友剤を含ませて（混合
して）、加圧して吹きイ」りる方法によって容易に除去
できる。なお、第１の封止樹脂７による封止後、リード
折り曲げ前にリード表面を半田処理をしておくと、第２
の樹脂封止後リード酸処理がなく、リードと樹脂との界
面から処理薬品等の浸入が防止できる。
また、第１の封止樹脂７と第２の封止樹脂８の界面１０
は、平面接触だと密着強度がないので、歯車の噛め合う
状態で接触した方が密着強度が増加する。なお、外部り
−１・６の第２の折り曲げ部９の形状はこのほかに、逆
放物線状にするごとによって応力をΔ：り減少できる。
は、平面接触だと密着強度がないので、歯車の噛め合う
状態で接触した方が密着強度が増加する。なお、外部り
−１・６の第２の折り曲げ部９の形状はこのほかに、逆
放物線状にするごとによって応力をΔ：り減少できる。
（発明か解決しようとする課題）
」１記構成の装置は、品質的には良好であるが、リード
加工の工数が増加し、しかも樹脂封止工程が複１ｇてあ
り、コストが高くなるといった問題点があった。
加工の工数が増加し、しかも樹脂封止工程が複１ｇてあ
り、コストが高くなるといった問題点があった。
本発明は、上記問題点を除去し、コストか安価で、しか
も信頼性の高い樹脂封止半導体装置を提供することを目
的とする。
も信頼性の高い樹脂封止半導体装置を提供することを目
的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するために、リードフレー
ムのアイランドに半導体素子を固着搭載し、金属細線で
前記半導体素子と外部り−［とを電気的に導通配線し、
前記り一１フレームを樹脂封止して成る樹脂封止半導体
装置において、外部リードに形成されるリードピン挿入
穴と、該り−トピン挿入穴にグ・１応し、樹脂封止され
た外殻の一部に形成される開孔部と、該開孔部及び前記
り一ドピン挿入穴に装着さるリーＩ゛ピンを設けるよう
にしたものである。
ムのアイランドに半導体素子を固着搭載し、金属細線で
前記半導体素子と外部り−［とを電気的に導通配線し、
前記り一１フレームを樹脂封止して成る樹脂封止半導体
装置において、外部リードに形成されるリードピン挿入
穴と、該り−トピン挿入穴にグ・１応し、樹脂封止され
た外殻の一部に形成される開孔部と、該開孔部及び前記
り一ドピン挿入穴に装着さるリーＩ゛ピンを設けるよう
にしたものである。
（作用）
本発明によれば、上記したように構成するので、樹脂封
止後、外殻に形成された開孔部にリードピンを挿入し、
リードピンを形成することができるので、プレス等によ
るリード折り曲げ工程をなくすことができ、工数の低減
を図ることができる。
止後、外殻に形成された開孔部にリードピンを挿入し、
リードピンを形成することができるので、プレス等によ
るリード折り曲げ工程をなくすことができ、工数の低減
を図ることができる。
また、リードピンは棒状であるので従来の薄板状のリー
ドを折り曲げたリードと比較して、より強度の向上を図
ることができる。
ドを折り曲げたリードと比較して、より強度の向上を図
ることができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の断
面図、第２図は本発明のリードフレームの平面図、第３
図は本発明の樹脂封止用金型の断面図、第４図はその金
型によって成形された半製品としての樹脂封止半導体装
置の断面図である。
面図、第２図は本発明のリードフレームの平面図、第３
図は本発明の樹脂封止用金型の断面図、第４図はその金
型によって成形された半製品としての樹脂封止半導体装
置の断面図である。
リードフレーム２０（第２図参照）のアイランド２１に
は、半導体素子２２が銀ペースト等の導電ペースＩ・、
エボギシ樹脂等から成る樹脂ペースト又はＡｕ−３ｉ共
品ボンド等によって、前記アイランド２１上に固着され
る。前記リードフレーム２０には外部リード２３がアイ
ランド２１に対向した位置に配設され、前記半導体素子
外周部近傍に前記外部リード２３の外方端部にリード挿
通穴２４が形成されている。
は、半導体素子２２が銀ペースト等の導電ペースＩ・、
エボギシ樹脂等から成る樹脂ペースト又はＡｕ−３ｉ共
品ボンド等によって、前記アイランド２１上に固着され
る。前記リードフレーム２０には外部リード２３がアイ
ランド２１に対向した位置に配設され、前記半導体素子
外周部近傍に前記外部リード２３の外方端部にリード挿
通穴２４が形成されている。
外部リード２３はタイバー２５によって内枠２６に固定
支持されている。２７は樹脂封止部である。
支持されている。２７は樹脂封止部である。
第３図に示すように、前記リードフレーム２０のアイラ
ンド２１に半導体素子２２が固着材２８によって固着搭
載され、半導体素子２２の主表面に形成されたアルミ等
の薄膜から成る電極（図示せず）と、外部リード２３の
内方端部２９に金属細線３０によって電気的に配線接続
され、半導体素子２２を搭載したリードフレーム２０は
、第３図に示すように、樹脂封止によって外殻を形成す
るトランスファー成型金型である上部金型３１、下部金
型３２で挟持し、キャビティー３３に外殻樹脂を圧入し
、外殻を形成する。この時に、前記リード挿通穴２４に
該外殻樹脂が注入されないように上部金型３１の突起部
３４と下部金型３２の突起部３５によって圧接密封保持
するか、又はリード挿通穴２４内に上部金型か下部金型
のいずれか一方に形成された突起部のどらちかを挿通さ
せ外殻封止樹脂の浸入防止をするようにする。
ンド２１に半導体素子２２が固着材２８によって固着搭
載され、半導体素子２２の主表面に形成されたアルミ等
の薄膜から成る電極（図示せず）と、外部リード２３の
内方端部２９に金属細線３０によって電気的に配線接続
され、半導体素子２２を搭載したリードフレーム２０は
、第３図に示すように、樹脂封止によって外殻を形成す
るトランスファー成型金型である上部金型３１、下部金
型３２で挟持し、キャビティー３３に外殻樹脂を圧入し
、外殻を形成する。この時に、前記リード挿通穴２４に
該外殻樹脂が注入されないように上部金型３１の突起部
３４と下部金型３２の突起部３５によって圧接密封保持
するか、又はリード挿通穴２４内に上部金型か下部金型
のいずれか一方に形成された突起部のどらちかを挿通さ
せ外殻封止樹脂の浸入防止をするようにする。
そこで、第４図に示すように、金型に封入樹脂を圧太し
、前記トランスファー成型金型より、リードフレーム２
０を取り出した断面形状を示ず封止樹脂外殻３６によっ
て半導体素子２２は外部環境及び機械的外力から保護さ
れる。ここで、３８はリード挿通穴２４に対応して樹脂
封止外殻３６に形成されるリードピンの挿入穴である。
、前記トランスファー成型金型より、リードフレーム２
０を取り出した断面形状を示ず封止樹脂外殻３６によっ
て半導体素子２２は外部環境及び機械的外力から保護さ
れる。ここで、３８はリード挿通穴２４に対応して樹脂
封止外殻３６に形成されるリードピンの挿入穴である。
なお、半導体素子２２の主表面には前記保護をより確実
にする表面保護膜（図示なし）である、シリコン樹脂、
ポリイミド樹脂を形成するのが望ましい。この時点では
、リードフレーム２０はアイランドザポート３７によっ
て樹脂外殻とは保持接続されている。また、ダイパー２
５及び内枠２６は１〜ランスフアー成型金型より取り出
されてからプレス等の機械的方法で切断除去される。従
って、第４図には図示していないが、封止樹脂外殻周辺
にはリードフレーム２０が存在する。
にする表面保護膜（図示なし）である、シリコン樹脂、
ポリイミド樹脂を形成するのが望ましい。この時点では
、リードフレーム２０はアイランドザポート３７によっ
て樹脂外殻とは保持接続されている。また、ダイパー２
５及び内枠２６は１〜ランスフアー成型金型より取り出
されてからプレス等の機械的方法で切断除去される。従
って、第４図には図示していないが、封止樹脂外殻周辺
にはリードフレーム２０が存在する。
次に、第１図に示すように、前記リート挿通穴２４に予
め形成された封止樹脂外殻のリードピンの挿入穴３８に
、上方向から上部が大きく張り出した釘状リードピン３
９を圧入（挿通）、嵌合又は遊嵌状態でセットし、半田
付は等の方法で固定して、電気的に導通させ、釘状リー
ドピン３９を設ける。
め形成された封止樹脂外殻のリードピンの挿入穴３８に
、上方向から上部が大きく張り出した釘状リードピン３
９を圧入（挿通）、嵌合又は遊嵌状態でセットし、半田
付は等の方法で固定して、電気的に導通させ、釘状リー
ドピン３９を設ける。
なお、リード挿通穴２４は円形を図示したが、これに限
定されず、種々の形状、例えば、四角、六角状の穴が考
えられる。また、釘状リードピン３９は予め金メツキ又
は錫、半田メツキ等の処理をしておいてもよく、また、
リ−１・挿通後、半田デイ・７プ等の処理をすることも
当然者えられ、この時にリード挿通穴２４と釘状リード
ピン３９も同時に固定できるようにすると工数が低減さ
れ、作業性においても有利である。
定されず、種々の形状、例えば、四角、六角状の穴が考
えられる。また、釘状リードピン３９は予め金メツキ又
は錫、半田メツキ等の処理をしておいてもよく、また、
リ−１・挿通後、半田デイ・７プ等の処理をすることも
当然者えられ、この時にリード挿通穴２４と釘状リード
ピン３９も同時に固定できるようにすると工数が低減さ
れ、作業性においても有利である。
また、封止樹脂外殻のリートピンの挿入穴３８は、上記
実施例では上部金型の開孔形状を円錐状の形状で形成し
たが、これに限定されない種々の変形が考えられる。ま
た、下部金型の開孔形状を釘状リードピン３９とほぼ同
等の形状で形成したが、これも上部金型と同様の円錐の
形状又は円柱状の形状でも釘状リードピン３９の径より
も大きい径の円柱状の開孔形状にしてもよい。また、釘
状リードピン３９の挿通方向も上方向からのみではなく
、下方向から挿通することができ、釘状リードピン３９
の形状であれば挿通方向は限定されない。
実施例では上部金型の開孔形状を円錐状の形状で形成し
たが、これに限定されない種々の変形が考えられる。ま
た、下部金型の開孔形状を釘状リードピン３９とほぼ同
等の形状で形成したが、これも上部金型と同様の円錐の
形状又は円柱状の形状でも釘状リードピン３９の径より
も大きい径の円柱状の開孔形状にしてもよい。また、釘
状リードピン３９の挿通方向も上方向からのみではなく
、下方向から挿通することができ、釘状リードピン３９
の形状であれば挿通方向は限定されない。
更に、リードピンの挿入穴３８から露出したり一ド挿通
穴２４上に樹脂ハリ等が形成された場合には、ホーニン
グ等の方法又は薬品等により除去する方法が考えられる
。これらを実施することにより、接続不良等が低減でき
、接続部の信頼性の向上を図ることができる。
穴２４上に樹脂ハリ等が形成された場合には、ホーニン
グ等の方法又は薬品等により除去する方法が考えられる
。これらを実施することにより、接続不良等が低減でき
、接続部の信頼性の向上を図ることができる。
また、リードピンば４２マロイ、コバール、銅合金等で
ある（金、銀、半田錫、メツキしておいてもよい）。リ
ードフレームは主に４２マロイが一般的に用いられる。
ある（金、銀、半田錫、メツキしておいてもよい）。リ
ードフレームは主に４２マロイが一般的に用いられる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、樹脂封
止後リードピンを挿入し、リードピンを形成することが
できるので、プレス等によるリート折り曲げ工程をなく
すことができ、工数の低減を図ることができる。
止後リードピンを挿入し、リードピンを形成することが
できるので、プレス等によるリート折り曲げ工程をなく
すことができ、工数の低減を図ることができる。
また、リードピンは棒状であるので従来の薄板状のリー
ドを折り曲げたリードと比較して、より強度の向上を図
ることができる。従って、リードを細く形成し、多ピン
化に対応させることができる。
ドを折り曲げたリードと比較して、より強度の向上を図
ることができる。従って、リードを細く形成し、多ピン
化に対応させることができる。
更に、樹脂封止後にリードを挿入する構造であるので、
ＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ ）タイプのパ
ッケージ半導体装置製造に流用することも可能である。
ＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ ）タイプのパ
ッケージ半導体装置製造に流用することも可能である。
第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止半導体装置の断
面図、第２図は本発明のリードフレームの平面図、第３
図は本発明の樹脂封止用金型の断面図、第４図はその金
型によって成形された半製品としての樹脂封止半導体装
置の断面図、第５図は従来の樹脂封止半導体装置の外部
リード部を示す断面図である。 ２０・・・リードフレーム、２１・・・アイランド、２
２・・・半導・体素子、２３・・・外部リード、２４・
・・リード挿通穴、２５・・・タイバー、２６・・・内
枠、２７・・・樹脂封止部、２８・・・固着材、２９・
・・内方端部、３０・・・金属細線、３１・・・上部金
型、３２・・・下部金型、３３・・・キャビティー、３
４．３５・・・突起部、３６・・・封止樹脂外殻、３７
・・・アイランドサポート、３日・・・リードビンの挿
入穴、３９・・・釘状リードピン。 特許出願人 沖電気工業株式会社
面図、第２図は本発明のリードフレームの平面図、第３
図は本発明の樹脂封止用金型の断面図、第４図はその金
型によって成形された半製品としての樹脂封止半導体装
置の断面図、第５図は従来の樹脂封止半導体装置の外部
リード部を示す断面図である。 ２０・・・リードフレーム、２１・・・アイランド、２
２・・・半導・体素子、２３・・・外部リード、２４・
・・リード挿通穴、２５・・・タイバー、２６・・・内
枠、２７・・・樹脂封止部、２８・・・固着材、２９・
・・内方端部、３０・・・金属細線、３１・・・上部金
型、３２・・・下部金型、３３・・・キャビティー、３
４．３５・・・突起部、３６・・・封止樹脂外殻、３７
・・・アイランドサポート、３日・・・リードビンの挿
入穴、３９・・・釘状リードピン。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 リードフレームのアイランドに半導体素子を固着搭載
し、金属細線で前記半導体素子と外部リードとを電気的
に導通配線し、前記リードフレームを樹脂封止して成る
樹脂封止半導体装置において、（ａ）外部リードに形成
されるリードピン挿入穴と、（ｂ）該リードピン挿入穴
に対応し、樹脂封止された外殻の一部に形成される開孔
部と、 （ｃ）該開孔部及び前記リードピン挿入穴に装着さるリ
ードピンを設けることを特徴とする樹脂封止半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63019521A JPH01196153A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 樹脂封止半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63019521A JPH01196153A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 樹脂封止半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01196153A true JPH01196153A (ja) | 1989-08-07 |
Family
ID=12001646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63019521A Pending JPH01196153A (ja) | 1988-02-01 | 1988-02-01 | 樹脂封止半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01196153A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268101A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電子装置、リ−ドフレ−ム並びに実装基板 |
| US7038315B2 (en) * | 1995-05-08 | 2006-05-02 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor chip package |
| JP2009105334A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011077280A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013152966A (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置および電力用半導体装置の製造方法 |
| JP2014086253A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Denso Corp | 電力供給モジュール |
| EP3133643A3 (de) * | 2015-01-12 | 2017-03-29 | Micronas GmbH | Ic-gehäuse |
| US9620391B2 (en) | 2002-10-11 | 2017-04-11 | Micronas Gmbh | Electronic component with a leadframe |
| WO2018235197A1 (ja) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-01 JP JP63019521A patent/JPH01196153A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06268101A (ja) * | 1993-03-17 | 1994-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法、電子装置、リ−ドフレ−ム並びに実装基板 |
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| US9397025B2 (en) | 2007-10-25 | 2016-07-19 | Cypress Semiconductor Corporation | Semiconductor device and method for manufacturing thereof |
| JP2009105334A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Spansion Llc | 半導体装置及びその製造方法 |
| US8421241B2 (en) | 2007-10-25 | 2013-04-16 | Spansion Llc | System and method for stacking a plurality of electrically coupled semiconductor chips with a conductive pin |
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| US10026684B2 (en) | 2015-01-12 | 2018-07-17 | Tdk-Micronas Gmbh | IC package |
| WO2018235197A1 (ja) * | 2017-06-21 | 2018-12-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 |
| CN110753997A (zh) * | 2017-06-21 | 2020-02-04 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置、电力转换装置及半导体装置的制造方法 |
| US11244836B2 (en) | 2017-06-21 | 2022-02-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor apparatus, power conversion device, and method for manufacturing semiconductor apparatus |
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