JPS60121751A - 半導体装置の製法 - Google Patents
半導体装置の製法Info
- Publication number
- JPS60121751A JPS60121751A JP15289784A JP15289784A JPS60121751A JP S60121751 A JPS60121751 A JP S60121751A JP 15289784 A JP15289784 A JP 15289784A JP 15289784 A JP15289784 A JP 15289784A JP S60121751 A JPS60121751 A JP S60121751A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- piece
- buffer
- lead
- tab
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジンモールド型半導体装置の製法に関する。
１ノジンモ一ルド型半導体装置の組立には金属製のリー
ドフレームが用いられている。このリードフレームは薄
い金属板をプレスで打ち抜いたり、工・・・千ングによ
って形成し、その形状は、第１図で示すように、半導体
素子ｌを取り付ける矩形のタブ２を七〇内端で支持する
タブリード３と、タブ２０周縁に内端な臨ませる複数の
り一ド４と、これらリード４およびタブリード３の外端
を支持する矩形枠からなる枠部５と、枠部５．各リード
４、タブリード３を繋ぎレジンモールド時に溶けたレジ
ンの流出を防止するダム片６とからなっている。また、
枠部５０両側縁に沿って定間隔にガイド孔７が設けられ
、リードフレームを用いての組立、搬送にはこのガイド
孔７が位置決め孔や引掛移送孔として用いられる。
ドフレームが用いられている。このリードフレームは薄
い金属板をプレスで打ち抜いたり、工・・・千ングによ
って形成し、その形状は、第１図で示すように、半導体
素子ｌを取り付ける矩形のタブ２を七〇内端で支持する
タブリード３と、タブ２０周縁に内端な臨ませる複数の
り一ド４と、これらリード４およびタブリード３の外端
を支持する矩形枠からなる枠部５と、枠部５．各リード
４、タブリード３を繋ぎレジンモールド時に溶けたレジ
ンの流出を防止するダム片６とからなっている。また、
枠部５０両側縁に沿って定間隔にガイド孔７が設けられ
、リードフレームを用いての組立、搬送にはこのガイド
孔７が位置決め孔や引掛移送孔として用いられる。
このようなリードフレームを用いて半導体装置を組み立
てるには、まずタブ２上に半導体素子１を取り付けた後
、半導体素子ｌの各電極とこれに対応するリード４の内
端をワイヤ８で接続し、その後、矩形枠状に配列された
ダム片６の内側領域をレジンでモールドし、モールド部
９で半導体素子１等を被う。ついで、ダム片６および枠
部５を切断除去しフラットリードの半導体装置を得る。
てるには、まずタブ２上に半導体素子１を取り付けた後
、半導体素子ｌの各電極とこれに対応するリード４の内
端をワイヤ８で接続し、その後、矩形枠状に配列された
ダム片６の内側領域をレジンでモールドし、モールド部
９で半導体素子１等を被う。ついで、ダム片６および枠
部５を切断除去しフラットリードの半導体装置を得る。
また、インライン形の半導体装置を得るには、モ−ルド
部９から突出するり一ド４を途中で折り曲げる。
部９から突出するり一ド４を途中で折り曲げる。
ところで、前記モールド工程にあっては、レジンの硬化
収縮およびモールド後の常温への復帰時ルシンと金属か
らなるリードフレームとの熱膨張係数の違いによって、
リードフレームは薄くかつ枠状構造となっていることか
ら反り返ったりして変形してしまう。このため、モール
ド工程後の各組立検査工程においてリードフレームの自
動搬送、自動位置決めができなくなりてしまり。また、
モールド部に残留応力が発生し、モールド部やリードに
外力が加わると残留応力も存在することからリードとレ
ジンとが簡単に剥離し、耐湿性が低下してしまう。
収縮およびモールド後の常温への復帰時ルシンと金属か
らなるリードフレームとの熱膨張係数の違いによって、
リードフレームは薄くかつ枠状構造となっていることか
ら反り返ったりして変形してしまう。このため、モール
ド工程後の各組立検査工程においてリードフレームの自
動搬送、自動位置決めができなくなりてしまり。また、
モールド部に残留応力が発生し、モールド部やリードに
外力が加わると残留応力も存在することからリードとレ
ジンとが簡単に剥離し、耐湿性が低下してしまう。
樹脂封止型半導体装置の製法は特開昭５５−２１１２４
号に開示されている。
号に開示されている。
したがって、本発明の目的はレジンモールド時に変形せ
ず、レジンとの間に大きな残留応力が生じないリードフ
レームを用いた半導体装置の製法を提供することにある
。
ず、レジンとの間に大きな残留応力が生じないリードフ
レームを用いた半導体装置の製法を提供することにある
。
このような目的を達成するために本発明は、少なくとも
複数のリードの外端と枠部との間に細孔を有するリード
フレームを準備する工程、リードフレームのタブ上に半
導体素子を固定する工程、半導体素子の電極とリードの
内端とを電気的に接−続する工程、リードフレームのダ
ム片の内側を樹１旨でモールドする工程からなるもので
ある。
複数のリードの外端と枠部との間に細孔を有するリード
フレームを準備する工程、リードフレームのタブ上に半
導体素子を固定する工程、半導体素子の電極とリードの
内端とを電気的に接−続する工程、リードフレームのダ
ム片の内側を樹１旨でモールドする工程からなるもので
ある。
第２図は本発明の半導体装置に用いるリードフレームの
一実施例を示す。このリードフレームは０．１５１ｉ凰
程度の厚さの金属板を打抜加工やエツチング加工によっ
て作られる。そして、その形状は、部分的には幅の異な
る箇所はあるが全体として矩形枠を形作る枠部１０の中
央に半導体素子１１を取り付ける矩形のタブ１２を有す
る形状となっている。そしてこのタブ１２はその両端中
央部をタブリード１３の内端で支持されている。また、
４方向からこのタブ１２に向かって複数のり一ド１４が
延び、その先端（内端）はタブ１２の周縁近傍に臨んで
いる。また、４方向に延びるυ−ド１４の後端は４方向
にそれぞれ位置する細長のバッファ主片１５の内側にそ
れぞれ連結されている。また、４方向に分離するリード
群の最外側の最外側リード１６の途中からバッファ支片
１７が突出し、先端を矩形状の枠部１０の隅部−内側に
連結している。また、最外側リード１６のバッファ主片
１５とバッファ支片１７との間はり一ド１４であるとと
もにバッファ削片１８をも兼ね、これら相互に交差する
ように連結するバッファ主片１５．バッファ削片１８．
バッファ支片１７によってリードフレームの面方向に清
って、特にリード１４の延びる方向に容易に変形するバ
ッファ片１９を形作っている。また、タブ１２を取り囲
み枠部１０の内部に位置する矩形枠からなるダム片２０
が設けられている。このダム片２０の各４辺はそれぞれ
４つのリード群と互いに直交する状態で交差している。
一実施例を示す。このリードフレームは０．１５１ｉ凰
程度の厚さの金属板を打抜加工やエツチング加工によっ
て作られる。そして、その形状は、部分的には幅の異な
る箇所はあるが全体として矩形枠を形作る枠部１０の中
央に半導体素子１１を取り付ける矩形のタブ１２を有す
る形状となっている。そしてこのタブ１２はその両端中
央部をタブリード１３の内端で支持されている。また、
４方向からこのタブ１２に向かって複数のり一ド１４が
延び、その先端（内端）はタブ１２の周縁近傍に臨んで
いる。また、４方向に延びるυ−ド１４の後端は４方向
にそれぞれ位置する細長のバッファ主片１５の内側にそ
れぞれ連結されている。また、４方向に分離するリード
群の最外側の最外側リード１６の途中からバッファ支片
１７が突出し、先端を矩形状の枠部１０の隅部−内側に
連結している。また、最外側リード１６のバッファ主片
１５とバッファ支片１７との間はり一ド１４であるとと
もにバッファ削片１８をも兼ね、これら相互に交差する
ように連結するバッファ主片１５．バッファ削片１８．
バッファ支片１７によってリードフレームの面方向に清
って、特にリード１４の延びる方向に容易に変形するバ
ッファ片１９を形作っている。また、タブ１２を取り囲
み枠部１０の内部に位置する矩形枠からなるダム片２０
が設けられている。このダム片２０の各４辺はそれぞれ
４つのリード群と互いに直交する状態で交差している。
また、枠部１０の隅部には従来と同様にガイド孔２１が
穿たれている。
穿たれている。
このようなリードフレームを用いて半導体装置を組み立
てる場合には、第２図で示すように、タブ１２上に半導
体素子１１を固定し、この半導体素子１１の電極とリー
ド１４の内端をワイヤ２２で繋ぎ、その後、第３図で示
すように、ダム片２０の内側をレジンでモールドし、レ
ジンからなるモールド部２３で半導体素子１１等を被う
。つぎに、ダム片２０．バッファ支片１７およびバッフ
ァ主片１５を切断除去してフラットバツケージ型の半導
体装置を作る。この際、バッファ側片１８部分はそのま
ま残り、リードとして使用される。
てる場合には、第２図で示すように、タブ１２上に半導
体素子１１を固定し、この半導体素子１１の電極とリー
ド１４の内端をワイヤ２２で繋ぎ、その後、第３図で示
すように、ダム片２０の内側をレジンでモールドし、レ
ジンからなるモールド部２３で半導体素子１１等を被う
。つぎに、ダム片２０．バッファ支片１７およびバッフ
ァ主片１５を切断除去してフラットバツケージ型の半導
体装置を作る。この際、バッファ側片１８部分はそのま
ま残り、リードとして使用される。
このような実施例によれは、リードはリードフレームの
面に沿う方向に容易に変形できるバッファ片によって支
えられているので、レジンモールド時のレジンとリード
の熱収縮の違いによる応力やレジンの硬化収縮等によっ
てリードに外力が加わっても、バッファ片およびリード
のみがそれに追従して変形するだけで、リードフレーム
の枠部は変形しない。また、変形部も隅部のバ・ノファ
支片で支持される構造であることから均一に変形する。
面に沿う方向に容易に変形できるバッファ片によって支
えられているので、レジンモールド時のレジンとリード
の熱収縮の違いによる応力やレジンの硬化収縮等によっ
てリードに外力が加わっても、バッファ片およびリード
のみがそれに追従して変形するだけで、リードフレーム
の枠部は変形しない。また、変形部も隅部のバ・ノファ
支片で支持される構造であることから均一に変形する。
このため、従来のようにリードフレームが反り返ったす
せず、その後のリードフレームの自動搬送、自動位置決
めにあっても支障はなくガイド孔をガイドとして使用で
きる。また、レジンの硬化収縮等によるリードに働く外
力はバッファ片およびリードの変形によって解消され、
レジンモールド部内部での残留応力は軽減される。この
ため、リードとレジンとの密着度も良好に保たれ、耐湿
性も向−１ニする。
せず、その後のリードフレームの自動搬送、自動位置決
めにあっても支障はなくガイド孔をガイドとして使用で
きる。また、レジンの硬化収縮等によるリードに働く外
力はバッファ片およびリードの変形によって解消され、
レジンモールド部内部での残留応力は軽減される。この
ため、リードとレジンとの密着度も良好に保たれ、耐湿
性も向−１ニする。
以上のように、本発明の半導体装置に用いるリードフレ
ームによれば、レジンモールド時の熱収縮やレジンの硬
化収縮によってもリードフレームが反り返る等の変形は
しない。このため、その後の各加工処理作業にあっても
自動組立が行なえる。
ームによれば、レジンモールド時の熱収縮やレジンの硬
化収縮によってもリードフレームが反り返る等の変形は
しない。このため、その後の各加工処理作業にあっても
自動組立が行なえる。
また、熱収縮や硬化収縮はバッファ片部分が緩衝体とし
て働き変形するため、このリードフレームを用いればモ
ールド部内部の残留応力も軽減され、耐湿性に優れ信頼
性の高い半導体装置を作ることもできる。
て働き変形するため、このリードフレームを用いればモ
ールド部内部の残留応力も軽減され、耐湿性に優れ信頼
性の高い半導体装置を作ることもできる。
ｍ１図は従来のリードフレームの平面図、第２図は本発
明の半導体装置に用いるリードフレームの一実施例を示
す平面図、第３図は本発明の半導体装置を組み立てた際
のモールド後の状態を示す平面図である。 １・・半導体素子、２・・・タブ、３・・・タブリード
、４・・・リード、５・・・枠部、６・・・ダム片、７
・・・ガイド孔、８・・・ワイヤ、９・・・モールド部
、１０・・・枠部、１１・・・半導体素子、１２・・・
タブ、１３・・・タブリード、１４・・リード、１５・
・・バッファ主片、１６・・・最外側リード、１６・・
・バッファ支片、１８・・・バッファ削片、１９・・・
バッファ片、２０・・・ダム片、２１・・・ガイド孔、
２２−・・ワイヤ、２３・・・モールド部。 第 １ 図 第 ２ 図
明の半導体装置に用いるリードフレームの一実施例を示
す平面図、第３図は本発明の半導体装置を組み立てた際
のモールド後の状態を示す平面図である。 １・・半導体素子、２・・・タブ、３・・・タブリード
、４・・・リード、５・・・枠部、６・・・ダム片、７
・・・ガイド孔、８・・・ワイヤ、９・・・モールド部
、１０・・・枠部、１１・・・半導体素子、１２・・・
タブ、１３・・・タブリード、１４・・リード、１５・
・・バッファ主片、１６・・・最外側リード、１６・・
・バッファ支片、１８・・・バッファ削片、１９・・・
バッファ片、２０・・・ダム片、２１・・・ガイド孔、
２２−・・ワイヤ、２３・・・モールド部。 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａｔ 少ｔｖ くとも複数のリードの外端と枠部
との間に細孔を有するリードフレームを準備する工程 （ｂ） 前記リードフレームのタブ上に半導体素子を固
定する工程 ｔｅｌ 前記半導体素子の電極とリードの内端とを電気
的に接続する工程 （ｄ） 前記リードフレームのダム片の内側を樹脂でモ
ールドする工程 とからなる半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15289784A JPS60121751A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15289784A JPS60121751A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 半導体装置の製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360378A Division JPS5521124A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8091387A Division JPS62282455A (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 半導体装置の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121751A true JPS60121751A (ja) | 1985-06-29 |
| JPS6242388B2 JPS6242388B2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=15550519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15289784A Granted JPS60121751A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121751A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282455A (ja) * | 1987-04-03 | 1987-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製法 |
| US5677571A (en) * | 1991-11-12 | 1997-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package having reinforced lead pins |
| US5793100A (en) * | 1995-02-02 | 1998-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5294074A (en) * | 1976-02-04 | 1977-08-08 | Hitachi Ltd | Leading-in frame |
| JPS5363979A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-07 | Hitachi Ltd | Sealing method of semiconductor element and lead frame used for the same |
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
| JPS6217381A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 高圧用圧縮機 |
-
1984
- 1984-07-25 JP JP15289784A patent/JPS60121751A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5294074A (en) * | 1976-02-04 | 1977-08-08 | Hitachi Ltd | Leading-in frame |
| JPS5363979A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-07 | Hitachi Ltd | Sealing method of semiconductor element and lead frame used for the same |
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
| JPS6217381A (ja) * | 1985-07-12 | 1987-01-26 | Sanyo Electric Co Ltd | 高圧用圧縮機 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282455A (ja) * | 1987-04-03 | 1987-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製法 |
| US5677571A (en) * | 1991-11-12 | 1997-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package having reinforced lead pins |
| US5793100A (en) * | 1995-02-02 | 1998-08-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame for semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242388B2 (ja) | 1987-09-08 |
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