JPS6217381B2 - - Google Patents
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- JPS6217381B2 JPS6217381B2 JP53093603A JP9360378A JPS6217381B2 JP S6217381 B2 JPS6217381 B2 JP S6217381B2 JP 53093603 A JP53093603 A JP 53093603A JP 9360378 A JP9360378 A JP 9360378A JP S6217381 B2 JPS6217381 B2 JP S6217381B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 20
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジンモールド型半導体装置の組立に
用いるリードフレームに関する。
用いるリードフレームに関する。
レジンモールド型半導体装置の組立には金属製
のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、
エツチングによつて形成し、その形状は、第１図
で示すように、半導体素子１を取り付ける矩形の
タブ２をその内端で支持するタブリード３と、タ
ブ２の周縁に内端を臨ませる複数のリード４と、
これらリード４およびタブリード３の外端を支持
する矩形枠からなる枠部５と、枠部５、各リード
４、タブリード３を繋ぎレジンモールド時に溶け
たレジンの流出を防止するダム片６とからなつて
いる。また、枠部５の両側縁に沿つて定間隔にガ
イド孔７が設けられ、リードフレームを用いての
組立、搬送にはこのガイド孔７が位置決め孔や引
掛移送孔として用いられる。
のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、
エツチングによつて形成し、その形状は、第１図
で示すように、半導体素子１を取り付ける矩形の
タブ２をその内端で支持するタブリード３と、タ
ブ２の周縁に内端を臨ませる複数のリード４と、
これらリード４およびタブリード３の外端を支持
する矩形枠からなる枠部５と、枠部５、各リード
４、タブリード３を繋ぎレジンモールド時に溶け
たレジンの流出を防止するダム片６とからなつて
いる。また、枠部５の両側縁に沿つて定間隔にガ
イド孔７が設けられ、リードフレームを用いての
組立、搬送にはこのガイド孔７が位置決め孔や引
掛移送孔として用いられる。
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てるには、まずタブ２上に半導体素子１
を取り付けた後、半導体素子１の各電極とこれに
対応するリード４の内端をワイヤ８で接続し、そ
の後、矩形枠状に配列されたダム片６の内側領域
をレジンでモールドし、モールド部９で半導体素
子１等を被う。ついで、ダム片６および枠部５を
切断除去しフラツトリードの半導体装置を得る。
また、インライン形の半導体装置を得るには、モ
ールド部９から突出するリード４を途中で折り曲
げる。
を組み立てるには、まずタブ２上に半導体素子１
を取り付けた後、半導体素子１の各電極とこれに
対応するリード４の内端をワイヤ８で接続し、そ
の後、矩形枠状に配列されたダム片６の内側領域
をレジンでモールドし、モールド部９で半導体素
子１等を被う。ついで、ダム片６および枠部５を
切断除去しフラツトリードの半導体装置を得る。
また、インライン形の半導体装置を得るには、モ
ールド部９から突出するリード４を途中で折り曲
げる。
ところで、前記モールド工程にあつては、レジ
ンの硬化収縮およびモールド後の常温への復帰時
のレジンと金属からなるリードフレームとの熱膨
張係数の違いによつて、リードフレームは薄くか
つ枠状構造となつていることから反り返つたりし
て変形してしまう。このため、モールド工程後の
各組立検査工程においてリードフレームの自動搬
送、自動位置決めができなくなつてしまう。ま
た、モールド部に残留応力が発生し、モールド部
やリードに外力が加わると残留応力も存在するこ
とからリードとレジンとが簡単に剥離し、耐湿性
が低下してしまう。
ンの硬化収縮およびモールド後の常温への復帰時
のレジンと金属からなるリードフレームとの熱膨
張係数の違いによつて、リードフレームは薄くか
つ枠状構造となつていることから反り返つたりし
て変形してしまう。このため、モールド工程後の
各組立検査工程においてリードフレームの自動搬
送、自動位置決めができなくなつてしまう。ま
た、モールド部に残留応力が発生し、モールド部
やリードに外力が加わると残留応力も存在するこ
とからリードとレジンとが簡単に剥離し、耐湿性
が低下してしまう。
したがつて、本発明の目的はレジンモールド時
に変形せず、レジンとの間に大きな残留応力が生
じないリードフレームを提供することにある。
に変形せず、レジンとの間に大きな残留応力が生
じないリードフレームを提供することにある。
このような目的を達成するための本発明の要旨
は、半導体素子を取り付けるタブと前記タブを支
持するタブリードと、タブの周縁に内端を突出さ
せかつ外端はタブ周縁の延長線上に存在するよう
に前記タブを中心にして四方に延在配置された複
数のリードと、前記複数のリードの外端を接続す
る接続部と、前記接続部によつて接続された前記
複数のリードの外端及び前記接続部と所定距離離
間して存在する枠部とを有することを特徴とする
リードフレームにある。
は、半導体素子を取り付けるタブと前記タブを支
持するタブリードと、タブの周縁に内端を突出さ
せかつ外端はタブ周縁の延長線上に存在するよう
に前記タブを中心にして四方に延在配置された複
数のリードと、前記複数のリードの外端を接続す
る接続部と、前記接続部によつて接続された前記
複数のリードの外端及び前記接続部と所定距離離
間して存在する枠部とを有することを特徴とする
リードフレームにある。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
第２図は本発明のリードフレームの一実施例を
示す。このリードフレームは0.15mm程度の厚さの
金属板を打抜加工やエツチング加工によつて作ら
れる。そして、その形状は、部分的には幅の異な
る箇所はあるが全体として矩形枠を形作る枠部１
０の中央に半導体素子１１を取り付ける矩形のタ
ブ１２を有する形状となつている。そしてこのタ
ブ１２はその両端中央部をタブリード１３の内端
で支持されている。また、４方向からこのタブ１
２に向かつて複数のリード１４が延び、その先端
（内端）はタブ１２の周縁近傍に臨んでいる。ま
た、４方向に延びるリード１４の後端は４方向に
それぞれ位置する細長のバツフア主片１５の内側
にそれぞれ連結されている。また、４方向に分離
するリード群の最外側の最外側リード１６の途中
からバツフア支片１７が突出し、先端を矩形状の
枠部１０の隅部一内側に連結している。また、最
外側リード１６のバツフア主片１５とバツフア支
片１７との間はリード１４であるとともにバツフ
ア副片１８をも兼ね、これら相互に交差するよう
に連結するバツフア主片１５、バツフア副片１
８、バツフア支片１７によつてリードフレームの
面方向に沿つて、特にリード１４の延びる方向に
容易に変形するバツフア片１９を形作つている。
また、タブ１２を取り囲み枠部１０の内部に位置
する矩形枠からなるダム片２０が設けられてい
る。このダム片２０の各４辺はそれぞれ４つのリ
ード群と互いに直交する状態で交差している。ま
た、枠部１０の隅部には従来と同様にガイド孔２
１が穿たれている。
示す。このリードフレームは0.15mm程度の厚さの
金属板を打抜加工やエツチング加工によつて作ら
れる。そして、その形状は、部分的には幅の異な
る箇所はあるが全体として矩形枠を形作る枠部１
０の中央に半導体素子１１を取り付ける矩形のタ
ブ１２を有する形状となつている。そしてこのタ
ブ１２はその両端中央部をタブリード１３の内端
で支持されている。また、４方向からこのタブ１
２に向かつて複数のリード１４が延び、その先端
（内端）はタブ１２の周縁近傍に臨んでいる。ま
た、４方向に延びるリード１４の後端は４方向に
それぞれ位置する細長のバツフア主片１５の内側
にそれぞれ連結されている。また、４方向に分離
するリード群の最外側の最外側リード１６の途中
からバツフア支片１７が突出し、先端を矩形状の
枠部１０の隅部一内側に連結している。また、最
外側リード１６のバツフア主片１５とバツフア支
片１７との間はリード１４であるとともにバツフ
ア副片１８をも兼ね、これら相互に交差するよう
に連結するバツフア主片１５、バツフア副片１
８、バツフア支片１７によつてリードフレームの
面方向に沿つて、特にリード１４の延びる方向に
容易に変形するバツフア片１９を形作つている。
また、タブ１２を取り囲み枠部１０の内部に位置
する矩形枠からなるダム片２０が設けられてい
る。このダム片２０の各４辺はそれぞれ４つのリ
ード群と互いに直交する状態で交差している。ま
た、枠部１０の隅部には従来と同様にガイド孔２
１が穿たれている。
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てる場合には、第２図で示すように、タ
ブ１２上に半導体素子１１を固定し、この半導体
素子１１の電極とリード１４の内端をワイヤ２２
で繋ぎ、その後、第３図で示すように、ダム片２
０の内側をレジンでモールドし、レジンからなる
モールド部２３で半導体素子１１等を被う。つぎ
に、ダム片２０、バツフア支片１７およびバツフ
ア主片１５を切断除去してフラツトパツケージ型
の半導体装置を作る。この際、バツフア副片１８
部分はそのまま残り、リードとして使用される。
を組み立てる場合には、第２図で示すように、タ
ブ１２上に半導体素子１１を固定し、この半導体
素子１１の電極とリード１４の内端をワイヤ２２
で繋ぎ、その後、第３図で示すように、ダム片２
０の内側をレジンでモールドし、レジンからなる
モールド部２３で半導体素子１１等を被う。つぎ
に、ダム片２０、バツフア支片１７およびバツフ
ア主片１５を切断除去してフラツトパツケージ型
の半導体装置を作る。この際、バツフア副片１８
部分はそのまま残り、リードとして使用される。
このような実施例によれば、リードはリードフ
レームの面に沿う方向に容易に変形できるバツフ
ア片によつて支えられているので、レジンモール
ド時のレジンとリードの熱収縮の違いによる応力
やレジンの硬化収縮等によつてリードに外力が加
わつても、バツフア片およびリードのみがそれに
追従して変形するだけで、リードフレームの枠部
は変形しない。また、変形部も隅部のバツフア支
片で支持される構造であることから均一に変形す
る。そのため、従来のようにリードフレームが反
り返つたりせず、その後のリードフレームの自動
搬送、自動位置決めにあつても支障はなくガイド
孔をガイドとして使用できる。また、レジンの硬
化収縮等によるリードに働く外力はバツフア片お
よびリードの変形によつて解消され、レジンモー
ルド部内部での残留応力は軽減される。このた
め、リードとレジンとの密着度も良好に保たれ、
耐湿性も向上する。
レームの面に沿う方向に容易に変形できるバツフ
ア片によつて支えられているので、レジンモール
ド時のレジンとリードの熱収縮の違いによる応力
やレジンの硬化収縮等によつてリードに外力が加
わつても、バツフア片およびリードのみがそれに
追従して変形するだけで、リードフレームの枠部
は変形しない。また、変形部も隅部のバツフア支
片で支持される構造であることから均一に変形す
る。そのため、従来のようにリードフレームが反
り返つたりせず、その後のリードフレームの自動
搬送、自動位置決めにあつても支障はなくガイド
孔をガイドとして使用できる。また、レジンの硬
化収縮等によるリードに働く外力はバツフア片お
よびリードの変形によつて解消され、レジンモー
ルド部内部での残留応力は軽減される。このた
め、リードとレジンとの密着度も良好に保たれ、
耐湿性も向上する。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。た
とえば、バツフア片はリードの一部を使うことな
く独立して設けてもよい。
とえば、バツフア片はリードの一部を使うことな
く独立して設けてもよい。
以上のように、本発明のリードフレームによれ
ば、レジンモールド時の熱収縮やレジンの硬化収
縮によつてもリードフレームが反り返る等の変形
はしない。このため、その後の各加工処理作業に
あつても自動組立が行なえる。また、熱収縮や硬
化収縮はバツフア片部分が緩衝体として働き変形
するため、このリードフレームを用いればモール
ド部内部の残留応力も軽減され、耐湿性に優れ信
頼性の高い半導体装置を作ることもできる。
ば、レジンモールド時の熱収縮やレジンの硬化収
縮によつてもリードフレームが反り返る等の変形
はしない。このため、その後の各加工処理作業に
あつても自動組立が行なえる。また、熱収縮や硬
化収縮はバツフア片部分が緩衝体として働き変形
するため、このリードフレームを用いればモール
ド部内部の残留応力も軽減され、耐湿性に優れ信
頼性の高い半導体装置を作ることもできる。
第１図は従来のリードフレームの平面図、第２
図は本発明のリードフレームの一実施例を示す平
面図、第３図は本発明のリードフレームを用いて
半導体装置を組み立てた際のモールド後の状態を
示す平面図である。 １…半導体素子、２…タブ、３…タブリード、
４…リード、５…枠部、６…ダム片、７…ガイド
孔、８…ワイヤ、９…モールド部、１０…枠部、
１１…半導体素子、１２…タブ、１３…タブリー
ド、１４…リード、１５…バツフア主片、１６…
最外側リード、１７…バツフア支片、１８…バツ
フア副片、１９…バツフア片、２０…ダム片、２
１…ガイド孔、２２…ワイヤ、２３…モールド
部。
図は本発明のリードフレームの一実施例を示す平
面図、第３図は本発明のリードフレームを用いて
半導体装置を組み立てた際のモールド後の状態を
示す平面図である。 １…半導体素子、２…タブ、３…タブリード、
４…リード、５…枠部、６…ダム片、７…ガイド
孔、８…ワイヤ、９…モールド部、１０…枠部、
１１…半導体素子、１２…タブ、１３…タブリー
ド、１４…リード、１５…バツフア主片、１６…
最外側リード、１７…バツフア支片、１８…バツ
フア副片、１９…バツフア片、２０…ダム片、２
１…ガイド孔、２２…ワイヤ、２３…モールド
部。
Claims (1)
- １ 半導体素子を取り付けるタブと前記タブを支
持するタブリードと、タブの周縁に内端を突出さ
せかつ外端はタブ周縁の延長線上に存在するよう
に前記タブを中心にして四方に延在配置された複
数のリードと、前記複数のリードの外端を接続す
る接続部と、前記接続部によつて接続された前記
複数のリードの外端及び前記接続部と所定距離離
間して存在する枠部とを有することを特徴とする
リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360378A JPS5521124A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9360378A JPS5521124A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15289784A Division JPS60121751A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 半導体装置の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5521124A JPS5521124A (en) | 1980-02-15 |
| JPS6217381B2 true JPS6217381B2 (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=14086893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9360378A Granted JPS5521124A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5521124A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03114129U (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-22 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282455A (ja) * | 1987-04-03 | 1987-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製法 |
| JP2543695B2 (ja) * | 1987-04-06 | 1996-10-16 | セイコーエプソン株式会社 | 樹脂封止型半導体装置用リ―ドフレ―ム |
| JPH0779147B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1995-08-23 | 三洋電機株式会社 | リードフレーム |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922787A (ja) * | 1972-05-12 | 1974-02-28 | ||
| JPS5129086A (ja) * | 1974-09-06 | 1976-03-11 | Hitachi Ltd | Riidofureemu |
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
-
1978
- 1978-08-02 JP JP9360378A patent/JPS5521124A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4922787A (ja) * | 1972-05-12 | 1974-02-28 | ||
| JPS5129086A (ja) * | 1974-09-06 | 1976-03-11 | Hitachi Ltd | Riidofureemu |
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03114129U (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5521124A (en) | 1980-02-15 |
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