JPS639378B2 - - Google Patents
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- JPS639378B2 JPS639378B2 JP53093607A JP9360778A JPS639378B2 JP S639378 B2 JPS639378 B2 JP S639378B2 JP 53093607 A JP53093607 A JP 53093607A JP 9360778 A JP9360778 A JP 9360778A JP S639378 B2 JPS639378 B2 JP S639378B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジンモールド半導体装置に関する。
レジンモールド型半導体装置の組立には金属製
のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、
エツチングによつて形成し、その形状は、第1図
で示すように、半導体素子1を取り付ける矩形の
タブ2をその内端で支持するタブリード3と、タ
ブ2の周縁に内端を臨ませる複数のリード4と、
これらリード4およびタブリード3の外端を支持
する矩形枠からなる枠部5と、枠部5、各リード
4、タブリード3を繋ぎレジンモールド時に溶け
たレジンの流出を防止するダム片6とからなつて
いる。また、枠部5の両側縁に沿つて定間隔にガ
イド孔7が設けられ、リードフレームを用いての
組立、搬送にはこのガイド孔7が位置決め孔や引
掛移送孔として用いられる。
のリードフレームが用いられている。このリード
フレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、
エツチングによつて形成し、その形状は、第1図
で示すように、半導体素子1を取り付ける矩形の
タブ2をその内端で支持するタブリード3と、タ
ブ2の周縁に内端を臨ませる複数のリード4と、
これらリード4およびタブリード3の外端を支持
する矩形枠からなる枠部5と、枠部5、各リード
4、タブリード3を繋ぎレジンモールド時に溶け
たレジンの流出を防止するダム片6とからなつて
いる。また、枠部5の両側縁に沿つて定間隔にガ
イド孔7が設けられ、リードフレームを用いての
組立、搬送にはこのガイド孔7が位置決め孔や引
掛移送孔として用いられる。
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てるには、まずタブ2上に半導体素子1
を取り付けた後、半導体素子1の各電極とこれに
対応するリード4の内端をワイヤ8で接続し、そ
の後、矩形枠随に配列されたダム片6の内側領域
をレジンモールドし、モールド部9で半導体素子
1等を被う。ついで、ダム片6および枠部5を切
断除去しフラツトリードの半導体装置を得る。ま
た、インライン形の半導体装置を得るには、モー
ルド部9から突出するリード4を途中で折り曲げ
る。
を組み立てるには、まずタブ2上に半導体素子1
を取り付けた後、半導体素子1の各電極とこれに
対応するリード4の内端をワイヤ8で接続し、そ
の後、矩形枠随に配列されたダム片6の内側領域
をレジンモールドし、モールド部9で半導体素子
1等を被う。ついで、ダム片6および枠部5を切
断除去しフラツトリードの半導体装置を得る。ま
た、インライン形の半導体装置を得るには、モー
ルド部9から突出するリード4を途中で折り曲げ
る。
ところで、タブはその両側を細いタブリードで
支持される構造であることから、強度的には弱
い。特に、最近のようにリード数が増加しかつ小
型化を維持するためにはリード(タブリード)の
幅も狭くならざるを得ない。また、リードの幅を
狭くする(たとえば0.3mm幅)ためには打抜加工
上の問題からリードフレームを作る素材は従来に
較べてより薄くなる(たとえば0.15mm)。この結
果、タブはリードと同様に小さい外力でも簡単に
傾いたり、浮き上がつたりして組立に支障を来た
してしまう。たとえば、半導体素子の取付時には
タブが揺れ動くことから接合が不完全となり、ワ
イヤボンデイング時には接合の不完全性とともに
ワイヤが切れたりする。また、レジンモールド時
には流れるレジンによつてタブが傾いて動き、ワ
イヤが破断したり、タブが傾くことによる渦の発
生によつて気泡がモールド内部や表面に残留して
耐湿性が低下したりあるいは窪みができて外観が
悪くなつてしまう。
支持される構造であることから、強度的には弱
い。特に、最近のようにリード数が増加しかつ小
型化を維持するためにはリード(タブリード)の
幅も狭くならざるを得ない。また、リードの幅を
狭くする(たとえば0.3mm幅)ためには打抜加工
上の問題からリードフレームを作る素材は従来に
較べてより薄くなる(たとえば0.15mm)。この結
果、タブはリードと同様に小さい外力でも簡単に
傾いたり、浮き上がつたりして組立に支障を来た
してしまう。たとえば、半導体素子の取付時には
タブが揺れ動くことから接合が不完全となり、ワ
イヤボンデイング時には接合の不完全性とともに
ワイヤが切れたりする。また、レジンモールド時
には流れるレジンによつてタブが傾いて動き、ワ
イヤが破断したり、タブが傾くことによる渦の発
生によつて気泡がモールド内部や表面に残留して
耐湿性が低下したりあるいは窪みができて外観が
悪くなつてしまう。
したがつて、本発明の目的はタブが組立時に簡
単に動かない剛性の優れたリードフレームを提供
することによりワイヤや半導体素子の接合の信頼
性や耐湿性が優れた半導体装置を提供することに
ある。
単に動かない剛性の優れたリードフレームを提供
することによりワイヤや半導体素子の接合の信頼
性や耐湿性が優れた半導体装置を提供することに
ある。
このような目的を達成するための本発明の要旨
は、半導体素子をその主面に固定したタブと、前
記タブの周縁から外方へ延在したタブリードと、
その一端を前記タブの周縁近傍に臨ませ他端を外
方へ延在させた複数のリードと、前記リードの前
記一端近傍と前記半導体素子の電極とを電気的に
接線したワイヤと、前記タブ、前記タブリード、
前記ワイヤ及び前記リードの少なくとも一部をレ
ジンでモールドすることにより形成したモールド
部とを有する半導体装置において、前記モールド
部の平面形状は略正方形であり、前記タブの平面
形状は略正方形であり、前記タブは平面的にみて
前記モールド部の略中央部に配置され、前記タブ
リードは四本からなり前記タブと一体的に形成さ
れ、前記四つのタブリードは前記タブの四つの実
質的な角部からそれぞれ対応する前記モールド部
の実質的な角部に延在し、前記複数のリードは前
記タブの四つの各辺近傍から各々前記モールド部
外へ延在されていることを特徴とする半導体装置
にある。
は、半導体素子をその主面に固定したタブと、前
記タブの周縁から外方へ延在したタブリードと、
その一端を前記タブの周縁近傍に臨ませ他端を外
方へ延在させた複数のリードと、前記リードの前
記一端近傍と前記半導体素子の電極とを電気的に
接線したワイヤと、前記タブ、前記タブリード、
前記ワイヤ及び前記リードの少なくとも一部をレ
ジンでモールドすることにより形成したモールド
部とを有する半導体装置において、前記モールド
部の平面形状は略正方形であり、前記タブの平面
形状は略正方形であり、前記タブは平面的にみて
前記モールド部の略中央部に配置され、前記タブ
リードは四本からなり前記タブと一体的に形成さ
れ、前記四つのタブリードは前記タブの四つの実
質的な角部からそれぞれ対応する前記モールド部
の実質的な角部に延在し、前記複数のリードは前
記タブの四つの各辺近傍から各々前記モールド部
外へ延在されていることを特徴とする半導体装置
にある。
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
第2図は本発明に用いるリードフレームの一実
施例を示す平面図であり、第3図は第2図で示す
本発明に用いるリードフレームを用いて組立てた
半導体装置の平面図、第4図a,bは同じくその
組立の一作業工程時の状態を示す平面図および一
部拡大図である。まず、リードフレームの形状に
ついて説明すると、このリードフレームは0.15の
厚さの金属板を打抜加工やエツチング加工によつ
て作られる。そして、その形状は部分的には幅の
異なる箇所はあるが全体として矩形枠を形作る枠
部10の中央に半導体素子(ペレツト)11を取
り付ける矩形のタブ12を有する形状となつてい
る。その具体的な構成は、第2図から明らかにさ
れるように、タブ12は略正方形の平面形状とな
つている。そして、このタブ12はその4隅を外
端を枠部10の隅部にそれぞれ連結する細いタブ
リード13の内端で支持されている。また、4方
向からこのタブ12に向かつて複数のリード14
が延び、その先端(内端)はタブ12の周縁近傍
に臨んでいる。また、4方向に延びるリード14
の後端はそれぞれ枠部10の内側に連結されてい
る。また、レジンモールド時に溶けたレジンの流
出を阻止すべく各リード間およびリードと枠部1
0間に延びるダム片15がタブ12を取り囲むよ
うに配設されている。また、枠部10には従来と
同様にガイド孔16が穿たれている。
施例を示す平面図であり、第3図は第2図で示す
本発明に用いるリードフレームを用いて組立てた
半導体装置の平面図、第4図a,bは同じくその
組立の一作業工程時の状態を示す平面図および一
部拡大図である。まず、リードフレームの形状に
ついて説明すると、このリードフレームは0.15の
厚さの金属板を打抜加工やエツチング加工によつ
て作られる。そして、その形状は部分的には幅の
異なる箇所はあるが全体として矩形枠を形作る枠
部10の中央に半導体素子(ペレツト)11を取
り付ける矩形のタブ12を有する形状となつてい
る。その具体的な構成は、第2図から明らかにさ
れるように、タブ12は略正方形の平面形状とな
つている。そして、このタブ12はその4隅を外
端を枠部10の隅部にそれぞれ連結する細いタブ
リード13の内端で支持されている。また、4方
向からこのタブ12に向かつて複数のリード14
が延び、その先端(内端)はタブ12の周縁近傍
に臨んでいる。また、4方向に延びるリード14
の後端はそれぞれ枠部10の内側に連結されてい
る。また、レジンモールド時に溶けたレジンの流
出を阻止すべく各リード間およびリードと枠部1
0間に延びるダム片15がタブ12を取り囲むよ
うに配設されている。また、枠部10には従来と
同様にガイド孔16が穿たれている。
このようなリードフレームを用いて半導体装置
を組み立てる場合には、第2図で示すように、タ
ブ12上に半導体素子11を固定し、この半導体
素子11の電極とリード14の内端とをワイヤ
(第3図に示されている。)で接続し、その後、第
4図aで示すように、ダム片15の内側をレジン
でモールドし、レジンからなるモールド部17で
半導体素子11等を被う。この時、第2図から明
らかなように、ダム片15の4つの片によつて取
囲れる内側の平面形状は略正方形となつているの
で、レジンでモールドしたモールド部17の平面
形状は略正方形となる。この際、第4図bで示す
ように、タブリード13と交差するモールド部1
7の角部(隅部)はタブリード13と直交するよ
うに切り欠いた面18を有する面取状態にモール
ドする。これは、その後モールド部の付け根でタ
ブリードを切断する際、モールド部の角部が切断
時に欠けたりしないようにするために配慮された
結果である。つぎに、タブリード13をモールド
部17の付け根部分で切断するとともに不要とな
るダム片15および枠部10を切断除去し、フラ
ツトリードの半導体装置を得る。また、必要なら
ば、モールド部17から長く突出するリード14
をその途中から折り曲げてインライン形の半導体
装置を作る。
を組み立てる場合には、第2図で示すように、タ
ブ12上に半導体素子11を固定し、この半導体
素子11の電極とリード14の内端とをワイヤ
(第3図に示されている。)で接続し、その後、第
4図aで示すように、ダム片15の内側をレジン
でモールドし、レジンからなるモールド部17で
半導体素子11等を被う。この時、第2図から明
らかなように、ダム片15の4つの片によつて取
囲れる内側の平面形状は略正方形となつているの
で、レジンでモールドしたモールド部17の平面
形状は略正方形となる。この際、第4図bで示す
ように、タブリード13と交差するモールド部1
7の角部(隅部)はタブリード13と直交するよ
うに切り欠いた面18を有する面取状態にモール
ドする。これは、その後モールド部の付け根でタ
ブリードを切断する際、モールド部の角部が切断
時に欠けたりしないようにするために配慮された
結果である。つぎに、タブリード13をモールド
部17の付け根部分で切断するとともに不要とな
るダム片15および枠部10を切断除去し、フラ
ツトリードの半導体装置を得る。また、必要なら
ば、モールド部17から長く突出するリード14
をその途中から折り曲げてインライン形の半導体
装置を作る。
このような実施例においては、タブ12はその
4隅をタブリード13で支持されているため動き
にくく剛性が優れている。このため、各組立作業
時においても傾いたり、作業テーブルから浮き上
がつたりしない。したがつて、ペレツトボンデイ
ングやワイヤボンデイング時には確実な接続(ボ
ンデイング)ができる。また、レジンモールド時
においては流入するレジンによつてタブが傾くこ
ともないので、流れの陰による渦も発生しないの
で、気泡が生じない。また、タブが傾くこともな
いのでワイヤに強い力が働いてワイヤが破断する
こともない。
4隅をタブリード13で支持されているため動き
にくく剛性が優れている。このため、各組立作業
時においても傾いたり、作業テーブルから浮き上
がつたりしない。したがつて、ペレツトボンデイ
ングやワイヤボンデイング時には確実な接続(ボ
ンデイング)ができる。また、レジンモールド時
においては流入するレジンによつてタブが傾くこ
ともないので、流れの陰による渦も発生しないの
で、気泡が生じない。また、タブが傾くこともな
いのでワイヤに強い力が働いてワイヤが破断する
こともない。
なお、本発明は前記実施例に限定されない。た
とえば、タブリードにはモールド部との境界とな
る位置にモールド部周縁に沿うようなV字溝を設
け、タブリード切断時に簡単にタブリードがV字
溝から分断するようにしてもよい。
とえば、タブリードにはモールド部との境界とな
る位置にモールド部周縁に沿うようなV字溝を設
け、タブリード切断時に簡単にタブリードがV字
溝から分断するようにしてもよい。
また、複数のタブリードの1乃至数本をリード
として用いてもよい。
として用いてもよい。
また、モールド部の角部を面取りしない構造の
場合には、第5図および第6図で示すように、枠
部10の隅部に延びるタブリード13をふたまた
にして分離リード19となし、この分離リード1
9の途中をモールド部の外周面と交差させ、タブ
リードの切断時モールド部の隅部が破損しないよ
うにしてもよい。第6図aで示す一点鎖線部分で
分離リード19を切断する。また、この切断箇所
にも第6図aで示すように分断し易いようにV字
溝20を設けてもよい。
場合には、第5図および第6図で示すように、枠
部10の隅部に延びるタブリード13をふたまた
にして分離リード19となし、この分離リード1
9の途中をモールド部の外周面と交差させ、タブ
リードの切断時モールド部の隅部が破損しないよ
うにしてもよい。第6図aで示す一点鎖線部分で
分離リード19を切断する。また、この切断箇所
にも第6図aで示すように分断し易いようにV字
溝20を設けてもよい。
また、第7図aに示すように、Y字形に延びる
2本の分離リード19と枠部10(ダム片15)
とによつて形成される空間部を枠部側に広げて大
きくし、レジンモールド時のレジン注入用ゲート
21とすれば、第7図bで示すように、ランナ2
2に段差が付き、モールド部とランナとの分離時
にこの段差部に応力集中が働いて、この段差部で
分離する(分離は第7図bで示す鎖線部分とな
る。)。このため、モールド品におけるランナ分離
部の形状が一定し、分離部が不整となる弊害が防
止できる。
2本の分離リード19と枠部10(ダム片15)
とによつて形成される空間部を枠部側に広げて大
きくし、レジンモールド時のレジン注入用ゲート
21とすれば、第7図bで示すように、ランナ2
2に段差が付き、モールド部とランナとの分離時
にこの段差部に応力集中が働いて、この段差部で
分離する(分離は第7図bで示す鎖線部分とな
る。)。このため、モールド品におけるランナ分離
部の形状が一定し、分離部が不整となる弊害が防
止できる。
さらに、このリードフレームはタブ部分を一段
と低くした構造にしても、強度(鋼性)は大き
い。
と低くした構造にしても、強度(鋼性)は大き
い。
以上のように、本発明によれば、タブの強度が
大きいことから、組立時には簡単に動いたりしな
い。このため、ワイヤボンデイング、ペレツトボ
ンデイング等のボンデイングにあつては確実かつ
信頼性の高いボンデイングができる。また、レジ
ンモールド時にはモールド内部や表面に気泡が発
生しないことから、耐湿性が優れ、外観も損なわ
れない。また、レジンモールド時にタブが傾いた
り動いたりしないことから、ワイヤに大きな力が
加わることもないので、ワイヤの破断も生じな
い。これらのことから、特性的に優れた半導体装
置を組立てることができるとともに、組立におけ
る歩留も向上する。また、リードフレームの厚さ
も従来に較べて薄く、かつレジンモールド時にタ
ブが動かないことからモールドの厚さも薄くても
所望の封止ができるので、製品の小型化も図れる
等多くの効果を奏する。また、リードフレームの
厚さも従来も従来に比べて薄くすることができ
る。
大きいことから、組立時には簡単に動いたりしな
い。このため、ワイヤボンデイング、ペレツトボ
ンデイング等のボンデイングにあつては確実かつ
信頼性の高いボンデイングができる。また、レジ
ンモールド時にはモールド内部や表面に気泡が発
生しないことから、耐湿性が優れ、外観も損なわ
れない。また、レジンモールド時にタブが傾いた
り動いたりしないことから、ワイヤに大きな力が
加わることもないので、ワイヤの破断も生じな
い。これらのことから、特性的に優れた半導体装
置を組立てることができるとともに、組立におけ
る歩留も向上する。また、リードフレームの厚さ
も従来に較べて薄く、かつレジンモールド時にタ
ブが動かないことからモールドの厚さも薄くても
所望の封止ができるので、製品の小型化も図れる
等多くの効果を奏する。また、リードフレームの
厚さも従来も従来に比べて薄くすることができ
る。
さらに、本発明の実施例に従うように特に略正
方形のタブを用いることによつて、略正方形のモ
ールド部の略中央部に略正方形のタブを配置でき
るので、長方形のモールド部を有する半導体装置
に比べて、モールド部の平坦度を約4〜7倍とす
ることができる。すなわち、正方形のモールド部
の形状とすることによつて、モールド完成時のパ
ツケージの反りを大幅に減少させることができる
ので、パツケージから導出されるリードの位置精
度が高くなり、パツケージの面実装等を従来に比
べて精度良く行うことができる。また、反りを小
さくできるのでタブに固定された半導体素子のク
ラツク、はがれ等を防止できる。
方形のタブを用いることによつて、略正方形のモ
ールド部の略中央部に略正方形のタブを配置でき
るので、長方形のモールド部を有する半導体装置
に比べて、モールド部の平坦度を約4〜7倍とす
ることができる。すなわち、正方形のモールド部
の形状とすることによつて、モールド完成時のパ
ツケージの反りを大幅に減少させることができる
ので、パツケージから導出されるリードの位置精
度が高くなり、パツケージの面実装等を従来に比
べて精度良く行うことができる。また、反りを小
さくできるのでタブに固定された半導体素子のク
ラツク、はがれ等を防止できる。
特に、第2図の実施例に示されたようにタブの
形状を略正方形にして、タブリードが、略正方形
形状のタブのほぼ中心部に向う方向に延在するの
で、長方形のタブに比較してタブを安定に支持さ
せることができ、これによつて、上述したペレツ
ト付け時、ワイヤボンデイング時の捩れもしくは
傾きを、長方形のタブの場合に比較して、極めて
少なくすることができる。
形状を略正方形にして、タブリードが、略正方形
形状のタブのほぼ中心部に向う方向に延在するの
で、長方形のタブに比較してタブを安定に支持さ
せることができ、これによつて、上述したペレツ
ト付け時、ワイヤボンデイング時の捩れもしくは
傾きを、長方形のタブの場合に比較して、極めて
少なくすることができる。
第1図は従来のリードフレームを示す平面図、
第2図は本発明に用いるリードフレームの一実施
例を示す平面図、第3図は本発明の半導体装置の
一実施例を示す平面図、第4図a,bは本発明の
半導体装置を製造する際の一作業工程における半
完成品の平面図および部分拡大図、第5図は本発
明に用いるリードフレームの他の実施例による平
面図、第6図a,bは同じくモールド状態の説明
図およびタブリードの部分拡大斜視図、第7図
a,bはリードフレームのレジン注入用ゲート部
の拡大平面図およびモールド時の状態を示す説明
図である。 1……半導体素子、2……タブ、3……タブリ
ード、4……リード、5……枠部、6……ダム
片、7……ガイド孔、8……ワイヤ、9……モー
ルド部、10……枠部、11……半導体素子、1
2……タブ、13……タブリード、14……リー
ド、15……ダム片、16……ガイド孔、17…
…モールド部、18……切り欠いた面、19……
分離リード、20……V字溝、21……レジン注
入用ゲート、22……ランナ。
第2図は本発明に用いるリードフレームの一実施
例を示す平面図、第3図は本発明の半導体装置の
一実施例を示す平面図、第4図a,bは本発明の
半導体装置を製造する際の一作業工程における半
完成品の平面図および部分拡大図、第5図は本発
明に用いるリードフレームの他の実施例による平
面図、第6図a,bは同じくモールド状態の説明
図およびタブリードの部分拡大斜視図、第7図
a,bはリードフレームのレジン注入用ゲート部
の拡大平面図およびモールド時の状態を示す説明
図である。 1……半導体素子、2……タブ、3……タブリ
ード、4……リード、5……枠部、6……ダム
片、7……ガイド孔、8……ワイヤ、9……モー
ルド部、10……枠部、11……半導体素子、1
2……タブ、13……タブリード、14……リー
ド、15……ダム片、16……ガイド孔、17…
…モールド部、18……切り欠いた面、19……
分離リード、20……V字溝、21……レジン注
入用ゲート、22……ランナ。
Claims (1)
- 1 半導体素子をその主面に固定したタブと、前
記タブの周縁から外方へ延在したタブリードと、
その一端を前記タブの周縁近傍に臨ませ他端を外
方へ延在させた複数のリードと、前記リードの前
記一端近傍と前記半導体素子の電極とを電気的に
接線したワイヤと、前記タブ、前記タブリード、
前記ワイヤ及び前記リードの少なくとも一部をレ
ジンでモールドすることにより形成したモールド
部とを有する半導体装置において、前記モールド
部の平面形状は略正方形であり、前記タブの平面
形状は略正方形であり、前記タブは平面的にみて
前記モールド部の略中央部に配置され、前記タブ
リードは四本から成り前記タブと一体的に形成さ
れ、前記四つのタブリードは前記タブの四つの実
質的な角部からそれぞれ対応する前記モールド部
の実質的な角部に延在し、前記複数のリードは前
記タブの四つの各辺近傍から各々前記モールド部
外へ延在されていることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9360778A JPS5521128A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
US06/055,070 US4301464A (en) | 1978-08-02 | 1979-07-05 | Lead frame and semiconductor device employing the same with improved arrangement of supporting leads for securing the semiconductor supporting member |
BR7904797A BR7904797A (pt) | 1978-08-02 | 1979-07-26 | Armacao para condutores,dispositivo semicondutor e processo para fabricar um dispositovo semicondutor |
GB7926820A GB2027990B (en) | 1978-08-02 | 1979-08-01 | Lead-frame for a semiconductor device |
DE19792931449 DE2931449A1 (de) | 1978-08-02 | 1979-08-02 | Leitungsrahmen und denselben verwendende halbleitervorrichtung |
SG291/83A SG29183G (en) | 1978-08-02 | 1983-05-25 | A lead frame and a semiconductor device made by use of the lead frame |
HK531/83A HK53183A (en) | 1978-08-02 | 1983-11-10 | A lead frame and a semiconductor device made by use of the lead frame |
MY254/84A MY8400254A (en) | 1978-08-02 | 1984-12-30 | A lead frame and a semiconductor device made by use of the lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9360778A JPS5521128A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
Related Child Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15289484A Division JPS60121749A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ム |
JP15289284A Division JPS60121747A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 半導体装置 |
JP15289584A Division JPS60121750A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | リ−ドフレ−ム |
JP15289384A Division JPS60121748A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5521128A JPS5521128A (en) | 1980-02-15 |
JPS639378B2 true JPS639378B2 (ja) | 1988-02-29 |
Family
ID=14087008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9360778A Granted JPS5521128A (en) | 1978-08-02 | 1978-08-02 | Lead frame used for semiconductor device and its assembling |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4301464A (ja) |
JP (1) | JPS5521128A (ja) |
BR (1) | BR7904797A (ja) |
DE (1) | DE2931449A1 (ja) |
GB (1) | GB2027990B (ja) |
HK (1) | HK53183A (ja) |
MY (1) | MY8400254A (ja) |
SG (1) | SG29183G (ja) |
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JPH0446175U (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-20 | ||
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