JPS6068639A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は例えばサファイヤ薄板等の絶縁体基板上に集積
回路が形成された半導体ペレットをＩＪ−ドフレームの
ペレット設置部にマウントして樹脂封止した樹脂封止型
半導体装置に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

半導体装置のコストを引き下げるためプラスチックによ
り半導体ペレットを封止づ−るパッケージングが広く行
なわれている。集積回路が表面に形成されている半導体
ペレット３を、第１図に示すようなリードフレーム１の
ベッド２上にマウントし、ワイヤボンディングした後、
プラスチックにより封止して形成する。

一方、集積回路の性能向上のため５Ｏ８（Ｓｉ−１ｉｃ
ｏｎ　Ｏｎ　５ａｐｐｈｉｒｅ　）または８０Ｉ（５ｉ
ｔｉｃｏｎＯｎ　Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ　）技術が近年発
達してきている。

これはサファイヤ薄板などの絶縁体基板上に、シリコン
単結晶を気相成長させて集積回路を形成したものであり
、バルク基板を用いた場合に比べ、配線等による寄生容
量が非電に少なく絶縁抵抗が高くなり、高速動作が容易
であり低消費電力である点に特徴がある。

しかしながら、ＳＯ８技術またはＳＯＩ技術により製造
された半導体ペレット３をプラスチックハラケージング
すると、リードフレー、ｔｚ　ｌのベッド２が金属であ
るために、依然として無視できない寄生容量が存在する
という問題があった。すなわち、第２図に示すように、
ベッド２上に、半導体ベレット３の絶縁体基板３１、シ
リコン単結晶３２、配線３３が形成されると、配線３３
とベッド２とで絶縁体基板３１、シリコン単結晶３２を
間にはさんだコンデンサが形成され寄生容量が生ずるか
らである。

〔発明の目的〕

本発明は上記重積を考慮してなされたもので、寄生容量
が少なく、関連動作が可能で、低消費電力のｆ１１ｉＪ
Ｉｆｉ制止型半導体装置を提供することを目的と′１′
−る。

〔発明の概挟〕

この目的を達成するため、本発明による樹脂制止型半導
体装置のリードフレームのベレット設置部は、半導体ベ
レットの絶縁体基板−トの少なくとも中央部に金属部分
か存在しないように形成されていることを特徴とする。

〔発明の実施例〕 本発明の第１の実施例による樹脂封止型半導体装置を第
３図、第４図に示−１″。本実画例による樹脂封止ｍの
リードフレーム１のベッド２は、マウントする半導体ベ
レット３よりわずかに太き（、中央部が（り抜かれた矩
形のドーナツツ形状＆′ｃ１工っている。半導体ベレッ
ト３は、このベッド２上にマウントされ、ワイヤボンデ
ィング後樹脂封止される。本実施例によれば、第４図に
示すように半導体ベレット３下の中央部分には、金属部
分がないため、ベッド２と配線３３との距離が遠＜１エ
リ、寄生容量を減すことができろ。

本発明の第２の実施例による樹脂封止型半導体装置を第
５図、第６図に示す。大量生産される半導体装置に対し
ては、第１の実施例のように時定の半導体ベレットの大
きさにあわせてリードフレームを成型することができる
が、汎用のリードフレームの場合は、第５図に示すｊ二
うに、ドーナツツ形状のベッド２を大きめに作る３、そ
のベッド２にプラスチック等の絶縁性薄板４を固着し、
その上に半導体ベレット３をマウントづ−るようにする
８このようにづ−れば、絶縁性薄板４を必幾とするが、
種々の大きさの半導体ベレット３をマウントでき、第６
図に示すように、ベッド２と配線おとの間のｉ離がさら
に遠くなり、寄生容量をさらに減らすことができる。

マウント用のベッドをｉｔｔに設けず、ｌ−）”７１／
−ムの複数のインナリード５を中心部へ％長し、そのイ
ンナーリード５の先端を利用して半導体ベレット５をマ
ウントする。本実施例によっても寄生容量を減らすこと
ができる。

本発明の第４の実施例による樹脂制止型半導体装置を第
８図に示す。本実施例では、延長したインナーリード５
の先端にプラスチック等の絶縁性薄板４を固着し、その
上に半導体ベレット３をマウントしている。種々の大き
さの半導体ベレット３をマウントすることができるとと
もに、寄生容量を減らすことができる。

半導体ベレットをマウントするリードフレームのベレッ
ト設置部の形状はこれら実施例に示したものに限らす棹
々の変形が可能である。ドーナツツ形状のベッドをタイ
バーにより支えたり、矩形以外の他の形状でもよい。要
は半導体ベレット下の少なくとも中央部に金属部分が存
在しブよいようであればよい。

なお、本発明は、ＳＯ８技術や８（ＪＩ技術によるもの
に限らず、半絶縁性ＧａＡｓ基板を用いるいわゆるＧａ
ＡＳＩＣ等の、絶縁体基板上に集積回路が形成されるも
のにも適用１−ることができる。

〔発明の効果〕

以上の通り本発明によれば寄生容量を減ら１−ことがで
き、動作速度の向上、低消費電力化を図ることができる
。セラミックパッケージ等に比較１゜てコストの低いプ
ラスチックノくツケージで性能向上が図れるため、特に
有効である。

〔発明の技術分野〕

本発明は例えば１ナフアイ＼’　Ｒ９１＆　’：’；の
絶縁１ホ阜板上に集積回路が形成されＩＣ半導１本ベレ
ットをり−ドフレームのペレット設置部にマウン１〜し
−ｃ（ｆｆ脂］、（止した樹脂刺止型半導体装Ｖ１に関
りる。。 〔発明の技術的背狽どその問題点〕 集積回路の性能向上のためＳ　ＯＳ　（Ｓｉ　ｌ　１ｃ
ｏｎ　［１ｎＳａｐｐｌ＋　ｉ　ｒｅ　）またはＳ　０
１　（５ｉｌｉ同＋＋　（Ｉｎ　Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）
技術が近年発達してきている。これはリノアイヤ薄板な
どの絶縁体基板上に、シリコン単結晶を気相成長さＵて
集積回路を形成したものであり、バルク基板を用いた揚
台に比べ、配線費による寄生容量が非常に少なく絶縁抵
抗が高くなり、高速動作が容易であり低消費電力ぐある
点に１！ｉ徴がある。 しかし４丁がら、５Ｏ８Ｊ支ｔｆｉまｌこはＳ’０１Ｊ
支箱により製造され／、：　１’導体ベレツ１〜を金属
により作られ１こリードフレーｌ＼のベッド上にマウン
トシて樹脂１］止した場合、ゝＦＱ休ベ体ントの配線層
と金属であるベッドとが、絶縁１ホ桔板とシリ：：１ン
甲結晶どをはざ／υでコンノ゛ン４ノを形成しく無？３
２　’ｒきない寄生容量が生ずる。すなわら、従来の樹
脂Ｊ］止梨型半導体装置五尤（イロｉ！１路が表面に形
成され（いる半導体ペレット３を、第１図に示りような
リードフレーム１のベッド２十にマウン１−シ、１ノイ
Ｘ／ボンデイングした後、グラスチックにＪ、り月１１
−シて形成Ｊる。この樹脂１４止型半尋休装買はリード
フレーム１のベッド２が金属ぐあるため依然どして無視
できない寄生容へ１が存在りる。すなわら、第２図に示
寸ように、ベッド２土に、半導体ペレット３の絶縁体基
板３１、シリコン単結晶３２、配線３３が形成されると
、配線３３とベッド２とＣ絶縁体基板３１、シリコン単
結晶３２を９１１にはさｌυだ］ンデンザが形成され奇
牛容１ｆ１が牛にするからである。この寄生容量のため
高速動作が困！ＩＭＩであるという問題があった。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、寄牛容ｉｈが少なく、高速動１′１が
可能で、低消費電力の樹脂封止型゛１′睨体装閘を提供
・することにある。 〔発明の概要〕 この目的は樹脂刊止型半導体装直のリードフレームのベ
レッ１〜設置部を、半導体ベレットの絶縁体基板上の少
４Ｔ、りとも中火部に金属部分が存Ｒｌ。 ないにうに形成りることにＪ：り達成され２）。 〔発明の実施例〕 以下本発明を図示の実施例によりお１明りる。 本発明の第１の実施例にｊ；る樹脂１４Ｊ１型崖イ１体
装置を第３図、第４図に承り。本実施例にＪ、る樹脂封
止型のリードフレーム１のベッド２は、延１をしたイン
ノーリード５の一端に設りられマウン１〜りる゛１ｉ導
体ペレット３よりわｆかに人さく、中火部がくり１友か
れＩこ矩形のリング形状になつＣいる半導体ペレット・
３は、このベッド２十にマウン１〜され、ワイ）７ボン
ラ゛イング後樹脂」」１される。本実施例にＪ、れば、
第４図に示８ＪＪこうに半導１ホベレッＩ−・３下の中
央部分には、金属部分が’ＣＬいため、ベッド２と配線
３３どの距Ｎ］が遠くなり、ｆｑ牛容ｔｊｌを減づこと
が゛（′さる。 本発明の第２図の実施例による４Ｍ＋脂月１１−型崖導
１４装置を第５図に示づ。本実施例ひは、丁導体ベレッ
１〜ンウン１〜川のベラ１〜を１、′Ｊに説りり”、リ
ードフレームの４木の（ンナリード！′）を中心部へ延
長し、そのインナーリード５の先端を利用しく半導体ベ
レッｈ　３をマウンｈりる。本実施例にＪ、ってｔ）寄
生容■を減らりことができる。イｊお丁導体ペレット３
を支持りるインナーリード５　ＬＬ何本ぐもよい。 本発明の第３の実施例にＪ、る樹脂月１１ヲ［１半導体
装置を第６図に承す、７本実施例は、延長しＩこインブ
ーリード５の先端を曲げ、その曲げた部分６Ｃベツド２
を構成したものである。本実施例（ε、１、れぽ半導体
ペレツ１−５を（イ「・実にマウンＩ・（きる、。 上述の第１〜３の実施例は半導体ベレツ１〜：３の周辺
を金属で支持り゛るものであり、゛１′府休ベレット３
下の中央部には金属部分が４１いｌｊめ、寄生容量を減
らすことができる。 本発明の第４の実施例による樹脂月１１型Ｔ力陣装置を
第７図、第８図に示−１，人弔牛産される゛Ｉ６導体装
置に対し−くは、第１の実／ｊｉ！ｉ例の３１、・）に
１１定の半導体ペレツ１−の大きさにあ４つＩ！、（リ
ードル−ムを成型づることができるが、ｄ・し川のり−
１・′フレームの場合は、第７図に承りよ゛）ｔＪ、リ
ング形状のベッド２を大きめに作る。ｉＵＪ　／＼ツ１
−２にガラス、ガラスコーホキシ積層様、ノ゛ラスブッ
ク雪の絶縁性薄板４を固着し、その］−に：］＋′−力
４ホベレツ１−をマウン１〜りるようにりる。このよ・
うにｌｊれぽ、絶縁性薄板４を必要とするが、種々の人
σさの半導体ペレット３をマウンｌ−ひき、第７図に示
りにうに、ベッド２と配線３３との間の距Ｐ！１がさら
にｉｕ　＜　’ｃＫす、奇牛容吊をさらに減らりことが
できる。 本発明の第５）の実施例ＧＪよる樹１１Ｆｊ、１−ｉ１
　Ｉｔ−型゛１り導体装置を第９図に承り。本実施例で
は、延長したインブーリード５の先端にガラス、ガラス
１ボギシ積層板、プラスデック等の絶縁性薄板４を固着
し、その上に半導体ペレッ１〜３をマウン１へしＣいる
。 種々の大きさの半導体ペレッ１〜３をマウン１〜するこ
とができるとともに、寄生容１１１を減らりことができ
る。なお、絶縁性薄板４を支槓りるインナーリード５は
何本でもよい。 本発明の第６の実施例による樹脂月１１−型半導体装置
を第１０図に承り。本実施例は延長しＩＣインブーリー
ド５の先端を曲げ、イの曲げた部分７でベッド２を構成
し、そのベッド２にガラス、ガラスＴボキシ積層板、プ
ラスブック／、【での絶縁性薄板４を固着したものＣあ
る。本実施例にＪ、れば絶縁性薄板４を確実に支ＩＸｊ
　’ｌ：きる。 上述の第４〜（ｊの実施例ＣＡＬ、半導体ペレット５が
マウントされｌこ絶縁１１薄板４０周辺を金属で支持り
るものであり、半導体ベレン１へ５と金属部分がさらに
遠くなり、寄生古川をさらに減らりことができる。 半導体ペレッ１〜をマウン１〜Ｊるリードル−ｌ＼のペ
レット設置部の形状はこれら実施例に小しｌ、：ものに
限らず種々の変形が可（ｌシて（いる。リング形状のベ
ッドをタイバーにより支えたｒ）　、）’、ｌｊ形以外
の他の形状でもよい。要は半導体ペレットトの少なくと
も中央部に金属部分が丘イ＋’　ｌｙ　ｔｒいＪ、”’
Ｊ　”Ｃｃ沁ればよい。 な・Ｊ５、本発明は、ＳＯ８技術やＳｏｌ技術にＪ、る
ものに限らづ“、半絶縁性ＧＱへＳ基板を用いるいわゆ
るＧ　ａ　Ａ　Ｓ　Ｉ　Ｃａ’ｊの、絶縁１本基４反−
１ｆｋ　ｌＩｌ：”　Ｔｔ’ｉ回路が形成されるしのに
ｂ適用することが（（＼る。 （発明の効！、ｆり 以上の通り本発明にＪ、ればｎ／ｌ　’（Ｖ　Ｉｔ’イ
℃滅ら・ｊことがでさ′、動イ′１速Ｉ良の向に、低消
費゛ｔｔｉ　ｈ　（Ｉｓを図ることができる。セラミッ
クバックージ″：ワ（Ｊ比較してコストの低いプラスプ
ックバッグージ（１！１１ｉ１ｉ向上が図れるノごめ、
特に有効である。 ４、図面の簡単な説明 第１図、第２図はそれぞれ従来の樹脂封止型半導体装置
の平面図および、断ｌＴｉ１図、第３図、第４図はそれ
ぞれ本発明の第１の実施例にｊ；る樹脂１・１止型半膵
休装ｆＪ、　（Ｊ）平面図、請求ひ断面図、 第５図は本発明の第２の実施例にＪ、るＩＢｉ脂」］止
型半導体装置の平面図、 第６図は本発明の第３の実施例による樹脂封止型半導体
装置の平面図、 第７図、第８図はそれぞれ本発明のりｉ／Ｉの実施例に
よる樹脂封止型半導体装置の平面図および断面図、 第９図は本発明の第５の実施例にＪ、る樹脂１・１正型
半導体装置の平面図、 第１０図は本発明の第６の実施例にｊ、る４６４脂ｊ４
止型半導体装置の平面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・ベッド、：３・・・
半導体ペレット、４・・・絶縁性薄板、５・・・インナ
ーリード。 第１図 第３図 第５図 第２図 第４図 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 絶縁体基板上に集積回路が形成された半導体ペレットを
   、リードフレームのペレット設置部にマウントし、樹脂
   封止した樹脂封止型半導体装置において、前記ペレット
   設置部は、前記半導体ペレットの絶縁体基板下の少な（
   とも中央部に金属部分が存在しないように形成されてい
   ることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。