DE10229692A1 - Leiterplatte, Mehrchippackung und zugehöriges Herstellungsverfahren - Google Patents

Leiterplatte, Mehrchippackung und zugehöriges Herstellungsverfahren

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Leiterplatte (10) mit Verdrahtungsstruktur, wobei eine erste Oberfläche (10a) einen ersten Packungsbereich mit einem ersten Chipmontagebereich zum Anbringen eines ersten Chips (20) und einem ersten Bondbereich zum elektrischen Verbinden des ersten Chips sowie einen ersten peripheren Bereich aufweist, sowie auf eine Mehrchippackung mit einer solchen Leiterplatte und auf ein zugehöriges Herstellungsverfahren. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird die Leiterplatte doppelseitig genutzt, indem auf einer zweiten Oberfläche (10b) ein zweiter Packungsbereich mit einem zweiten Chipmontagebereich zur Montage eines zweiten Chips (30) und einem zweiten Bondbereich zum elektrischen Verbinden desselben und ein zweiter peripherer Bereich mit externer Verbindungsstruktur vorgesehen sind. In der Mehrchippackung mit dieser Leiterplatte sind mindestens zwei Chips auf gegenüberliegenden Leiterplattenseiten montiert und durch einen Packungskörper auf dem jeweiligen Packungsbereich verkapselt, wobei der Packungskörper durch eine Gießverbindung gebildet wird, die entlang eines mit einer Durchlassöffnung verbundenen Zulaufbereichs im ersten peripheren Bereich injiziert wird. DOLLAR A Verwendung z. B. für Mehrchippackungen vom Ball-Grid-Array-Typ.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Leiterplatte mit Verdrahtungsstruktur nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1, auf eine Mehrchippackung, die eine solche Leiterplatte enthält, und auf ein Herstellungsverfahren für eine solche Mehrchippackung.
  • Da der Trend in der Elektronikentwicklung in Richtung Miniaturisierung und hohe Leistungsfähigkeit geht, besteht der Bedarf, die Chips stärker zu integrieren. Außerdem sind häufig verschiedene Arten von Chips in einem einzigen Packungskörper erforderlich, um bestimmte Halbleiterbauelemente zu realisieren. Um diesem zunehmenden Bedarf nachzukommen, wird eine Mehrchip-Packungstechnik verwendet.
  • Fig. 1 zeigt im Querschnitt eine herkömmliche Mehrchippackung 100 unter Verwendung einer Leiterplatte 110. Die herkömmliche Mehrchippackung 100 beinhaltet ein Lotkugelgitterfeld ("ball grid array") mit feinem Raster, abgekürzt mit FBGA bezeichnet. Ein erster Chip 120 ist an einer ersten Oberfläche der Leiterplatte 110 angebracht, und auf den ersten Chip 120 ist mittels eines Klebestreifens 135 ein zweiter Chip 130 aufgebracht. Die beiden Chips 120, 130 sind elektrisch mit Bondkontaktstellen 140 mittels Bonddrähten 143, 145 verbunden, wobei die Bondkontaktstellen 140 auf der Leiterplatte 110 ausgebildet sind. Die herkömmliche FBGA-Mehrchippackung 100 verwendet folglich eine Chipstapeltechnik und eine Drahtbondtechnik.
  • Die beiden Chips 120, 130 und die Bonddrähte 143, 145 sind durch einen Packungskörper 150 aus einer Gießverbindung geschützt. Eine Mehrzahl von Lotkugeln 160 ist an einer zweiten Oberfläche der Leiterplatte 110 angebracht. Die Lotkugeln 160 sind mit Lotkugel-Kontaktstellen 141 verbunden, die auf der ersten Oberfläche der Leiterplatte 110 ausgebildet sind, wobei sie die Mehrchippackung 100 elektrisch mit einer Hauptplatine oder anderen elektrischen Bauelementen verbinden.
  • In der herkömmlichen Mehrchippackung 100 darf sich der Klebestreifen 135, der zum Anbringen des zweiten Chips 130 am ersten Chip 120 verwendet wird, nicht über die Drahtbondfläche des ersten Chips 120 hinweg erstrecken. Daher muss der zweite Chip 130 kleiner als der erste Chip 120 sein. Da der zweite Chip 130 folglich einen entsprechenden Abstand zu den Bondkontaktflächen 140 der Leiterplatte 110 aufweist, müssen die Bonddrähte 145 in einer fast geradlinigen Schleife gebildet werden, um ihre Länge möglichst gering zu halten. Dies erfordert entsprechenden apparativen und technischen Zusatzaufwand für den Drahtbondprozess.
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer Mehrchippackung, einer für diese geeigneten Leiterplatte und eines Herstellungsverfahrens für die Mehrchippackung zugrunde, die sich mit vergleichsweise geringem Aufwand realisieren lassen, insbesondere ohne spezielle Verdrahtungstechnik und Verdrahtungsapparatur und unabhängig von den Chips und der Leiterplatte, die in der Mehrchippackung verwendet werden, und die eine relativ geringe Packungsdicke ermöglichen.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer Leiterplatte mit den Merkmalen des Anspruchs 1, einer Mehrchippackung mit den Merkmalen des Anspruchs 9 und eines Verfahrens zu deren Herstellung mit den Merkmalen des Anspruches 12.
  • Erfindungsgemäß ist die Leiterplatte zur beidseitigen Chipmontage eingerichtet, wobei hierzu jeweilige Vertiefungen vorgesehen sein können. Diese doppelseitige Chipmontage eignet sich ohne weiteres auch für zu montierende Chips mit unterschiedlichen Abmessungen ohne die bei den Chipstapeltechniken auftretenden Problempunkte. Die Chips können in Packungsbereichen montiert sein, die sowohl einen Chipmontagebereich als auch einen Bondbereich zum elektrischen Verbinden eines montierten Chips mit der Leiterplatte beinhalten. Die Leiterplatte kann einen peripheren Bereich als Verbindungsbereich aufweisen, um den oder die Chips mit externen Bauelementen oder anderen elektrischen Anschlüssen zu verbinden. Die Leiterplattenoberflächen können Durchlassöffnungen aufweisen, die auf beiden Seiten fluchtend so positioniert sind, dass dies in je einer Durchgangsöffnung durch die Leiterplatte hindurch resultiert.
  • Die Durchlassöffnungen ermöglichen die Verkapselung der Chips in einer Gießverbindung auf beiden Seiten der Leiterplatte in einem einzigen Gießprozess unter Verwendung einer Spritzdüseneinrichtung über jeder der beiden Leiterplattenseiten. Die Spritzdüsen können etwas in die Durchlassöffnungen hineinragen, um einen Einführhals zu bilden, was die Festigkeit des Durchlassbereichs nach dem Gießprozess steigert. Die geeignet ausgebildete Leiterplatte unterstützt diesen Herstellvorgang für die Mehrchippackung.
  • Somit ermöglicht die Erfindung die Realisierung von Mehrchippackungen mit relativ geringer Dicke unabhängig von den verwendeten Chips und der verwendeten Leiterplatte und insbesondere unabhängig von deren Abmessungen. Es sind keine speziellen Verdrahtungstechniken und Verdrahtungsapparaturen erforderlich. Vielmehr können übliche Drahtbondtechniken und Gießtechniken verwendet werden, wie sie in herkömmlichen Kunststoff-Packungsprozessen zum Einsatz kommen.
  • Weitere vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den zugehörigen weiteren Unteransprüchen angegeben.
  • Vorteilhafte, nachfolgend beschriebene Ausführungsformen der Erfindung sowie das zu deren besserem Verständnis oben erläuterte, herkömmliche Ausführungsbeispiel sind in den Zeichnungen dargestellt, in denen zeigen:
  • Fig. 1 eine Querschnittansicht einer herkömmlichen Mehrchippackung mit einer Leiterplatte,
  • Fig. 2 eine Querschnittansicht einer Mehrchippackung mit einer doppelseitigen Leiterplatte gemäß der Erfindung,
  • Fig. 3 eine Querschnittansicht einer weiteren Mehrchippackung mit einer doppelseitigen Leiterplatte gemäß der Erfindung,
  • Fig. 4 eine Detailquerschnittansicht der in der Mehrchippackung von Fig. 3 verwendeten Leiterplatte,
  • Fig. 5 eine Draufsicht auf eine erste Oberfläche einer doppelseitigen Leiterplatte gemäß der Erfindung,
  • Fig. 6 eine Draufsicht auf eine zweite Oberfläche einer doppelseitigen Leiterplatte gemäß der Erfindung,
  • Fig. 7a eine Querschnittansicht zur Veranschaulichung des Gebrauchs einer Spritzdüseneinrichtung im Gießprozess gemäß der Erfindung,
  • Fig. 7b eine vergrößerte, ausschnittweise Querschnittansicht eines Bereichs C der Spritzdüse von Fig. 7a,
  • Fig. 8a bis 8c ausschnittweise Draufsichten auf verschiedene Ausführungsbeispiele einer in der Leiterplatte gemäß der Erfindung ausgebildeten Durchlassöffnung und
  • Fig. 9a und 9b Detailquerschnittansichten einer Spritzdüseneinrichtung gemäß der Erfindung.
  • Fig. 2 zeigt eine Mehrchippackung 1 mit einer doppelseitigen, d. h. auf beiden Seiten mit Chips zu bestückenden Leiterplatte 10, Chips 20 und 30, Packungskörpern 50 und 52, Bonddrähten 60 und 62 und Lotkugeln 80. Die Leiterplatte 10 weist eine erste Oberfläche 10a und zweite Oberfläche 10b auf und kann z. B. als bedruckte Leiterplatte mit dielektrischen Schichten und Verdrahtungsstrukturen auf diesen realisiert sein. Die dielektrischen Schichten können FR-4-Material und Glasfaser beinhalten, die Verdrahtungsstrukturen können aus Kupfer bestehen.
  • Ein erster Chip 20 ist mittels eines Klebestreifens 25 an der ersten Oberfläche 10a angebracht, der zweite Chip 30 ist mittels eines Klebestreifens 35 an der zweiten Oberfläche 10b angebracht. Alternativ sind andere herkömmliche Chipbefestigungsmittel verwendbar. Bei den beiden Chips 20, 30 kann es um solche desselben oder unterschiedlichen Typs handeln. Beispielsweise können in einer Mehrchippackung ein Flash- Speicherchip und ein SRAM-Chip oder ein Speicherchip und ein Chip mit einem Logik-IC vorgesehen sein. Bei den Klebestreifen 25, 35 kann es sich um einen mit Silber gefüllten Epoxidverbindungskleber handeln.
  • Der Substratbereich, an welchem die beiden Chips 20, 30 angebracht sind, kann mit Nickel (Ni) und Platin (Pt) plattiert sein, um die Adhäsionskraft zu erhöhen. Elektrodenanschlussstellen 22 des ersten Chips 20 sind elektrisch mit Bondkontaktstellen 70 über Drähte 60, 62 verbunden. Die Bondkontaktstellen 70 sind auf der ersten Oberfläche 10a der Leiterplatte 10 ausgebildet. Elektrodenkontaktstellen 32 des zweiten Chips 30 sind in gleicher Weise elektrisch mit Bondkontaktstellen 72 verbunden, die auf der zweiten Oberfläche 10b der Leiterplatte 10 ausgebildet sind. Die Bondkontaktstellen 70, 72 können mittels Fotolithografie unter Verwendung von Kupfer gebildet sein.
  • Der erste und zweite Chip 20, 30 und die Bonddrähte 60, 62 sind durch die Packungskörper 50, 52 verkapselt, um sie gegen externe Umwelteinflüsse zu schützen. Die Packungskörper 50, 52 sind aus einer Epoxid- Gießverbindung (EMC) hergestellt und werden gleichzeitig durch einen Transfergießprozess oder Spritzgießprozess gefertigt. Dieser Gießprozess wird weiter unten näher erläutert.
  • Auf der zweiten Oberfläche 10b der Leiterplatte 10 ist eine äußere Verbindungsstruktur 74 ausgebildet, die als elektrisches Verbindungsmittel dienen kann, um die Mehrchippackung 1 an externe Bauelemente bzw. Geräte anzuschließen. Auf der externen Verbindungsstruktur 74 sind Lothügel 80 ausgebildet. Die externe Verbindungsstruktur 74 bleibt von einer die zweite Oberfläche 10b der Leiterplatte 10 beschichtenden Lotmaske 76 freigelegt. Auf die freigelegte externe Verbindungsstruktur 74 wird eine jeweilige Lotkugel aufgebracht und unter Aufschmelzlöten erwärmt, um den Bereich der Lothügel 80 zu bilden.
  • Bei der Mehrchippackung 1 von Fig. 2 sind, wie gesagt, Chips auf beiden Seiten der Leiterplatte 10 montiert. Mit dieser Vorgehensweise lassen sich Mehrchippackungen unabhängig von der Chipgröße realisieren. Dabei kann die Mehrchippackung 1 unter Verwendung herkömmlicher Drahtbond- und Spritzgießtechniken hergestellt werden, was eine Serienfertigung ermöglicht. Zudem wird keine zusätzliche Drahtschleifentechnik benötigt, da die Chips beide relativ nah bei den Bondkontaktstellen liegen.
  • Fig. 3 zeigt eine Variante von Fig. 2, wobei für sich entsprechende Elemente dieselben Bezugszeichen verwendet sind. Speziell zeigt Fig. 3 eine Mehrchippackung 1a mit je einer Vertiefung 90 in einer ersten Oberfläche 300a und einer zweiten Oberfläche 300b einer entsprechenden Leiterplatte 300. Je nach Bedarf kann eine solche Aussparung auch nur auf einer der beiden Leiterplattenseiten vorgesehen sein. Der erste und der zweite Chip 20, 30 sind durch die Klebestreifen 25, 35 in den Vertiefungen 90 montiert. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann folglich die Gesamtdicke der Packung reduziert werden, was die Zuverlässigkeit von Bonddrahtverbindungen erhöht.
  • Fig. 4 veranschaulicht in einem Detailschnitt eine Leiterplatte 300, die sich zur Verwendung bei der Herstellung der Mehrchippackung von Fig. 3 eignet. Wie eine herkömmliche Leiterplatte kann die Leiterplatte 300 ein Bisamaleimid-Triazin(BT)-Prepreg 310 sowie ein erstes und zweites kupferkaschiertes Bisamaleimid-Triazin-Laminat (BT-CCL) 320, 330 aufweisen, die an der oberen bzw. unteren Oberfläche des BT-Prepregs angebracht sind. Das erste BT-CCL 320 weist Kupferfolien 325, 327 auf, die auf je einer der beiden Seiten einer BT-Verbindungsschicht 323 angebracht sind, und das zweite BT-CCL 330 weist ebenfalls Kupferfolien 335, 337 auf, die auf je einer der beiden Seiten einer BT-Verbindungsschicht 333 angebracht sind. Das erste und zweite BT-CCL 320, 330 weisen je eine mittige Öffnung auf, die durch einen Stanzprozess erzeugt wird. Sie hat dieselbe Abmessung wie der Chipmontagebereich und stellt auf der Leiterplatte 300 die jeweilige Vertiefung 90 bereit.
  • Fig. 5 zeigt eine Draufsicht auf eine erste Oberfläche einer doppelseitigen Leiterplatte gemäß der Erfindung, und Fig. 6 zeigt eine Draufsicht auf eine zweite Oberfläche einer doppelseitigen Leiterplatte gemäß der Erfindung. Die Leiterplatten gemäß Fig. 5 und 6 sind von einem Array- Typ, der zur Serienfertigung von Mehrchippackungen geeignet ist.
  • Die Leiterplatte vom Array-Typ ist in mehrere Leiterplatten-Einheitselemente entlang je eines Schlitzes 12 unterteilt. Auf der Leiterplatte 10 ist eine elektrisch leitfähige Verdrahtungsstruktur ausgebildet, deren detaillierte Konfiguration hier nicht weiter interessiert und je nach Chip variiert. Die Verdrahtungsmuster können auf den Oberflächen oder im Inneren der Leiterplatte gebildet sein.
  • Auf der ersten Oberfläche 10a der Leiterplatte 10 sind jeweils pro Leiterplatten-Einheitselement ein Packungsbereich 13 und ein peripherer Bereich 11 gebildet. Der Packungsbereich 13 umfasst einen Chipmontagebereich 14, innerhalb dem der Chip angebracht wird, und einen Bondbereich 15, der durch Bonddrähte mit dem Chip zu verbinden ist. Der Bondbereich 15 ist ein Bereich, in welchem die Bondkontaktstellen 70 gemäß den Fig. 2 und 3 gebildet sind. Im peripheren Bereich 11 ist die Durchlassöffnung 16 und ein Zulaufbereich 17 ausgebildet. Die Durchlassöffnung 16 ist an der Grenze zwischen dem Packungsbereich 13 und dem peripheren Bereich 11 gebildet und stellt eine Durchgangsöffnung dar, die sich durch die Leiterplatte 10 hindurch zwischen der ersten und zweiten Oberfläche 10a, 10b derselben erstreckt. Der Zulaufbereich 17 ist auf der Durchlassöffnung 16, dem peripheren Bereich 11 und der Außengrenze der Leiterplatte 10 gebildet. Er stellt einen Pfad zum Injizieren der geschmolzenen Gießverbindung zur Bildung des Packungskörpers dar.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung gemäß Fig. 6 sind auf der zweiten Oberfläche 10b der Leiterplatte 10 ein Packungsbereich 13b und ein peripherer Bereich 11b ausgebildet. Der Packungsbereich 13b umfasst einen Chipmontagebereich 14b, auf dem der zugehörige Chip angebracht wird, und einen Bondbereich 15b, der mit dem Chip durch Bonddrähte verbunden wird. Im peripheren Bereich 11b der zweiten Oberfläche 10b sind äußere Verbindungsstrukturen 18 ausgebildet, die zum elektrischen Verbinden der auf den Chipmontagebereichen 14, 14b der ersten und zweiten Leiterplattenoberfläche montierten Chips dienen. Die äußeren Verbindungsstrukturen 18 können z. B. jeweilige Lotkugelkontaktflecke beinhalten oder aus der externen Verbindungsstruktur 74 der Fig. 2 und 3 bestehen.
  • Die Durchlassöffnung 16 erstreckt sich, wie gesagt, durch die Leiterplatte 10 hindurch. Dadurch wird die vom Zulaufbereich 17 der ersten Oberfläche 10a kommende, geschmolzene Gießverbindung durch die Durchlassöffnung 16 hindurch zur ersten und zweiten Oberfläche 10a, 10b der Leiterplatte injiziert.
  • Fig. 7a zeigt im Querschnitt eine im Spritzgießprozess der Erfindung verwendbare Spritzdüse 200, und Fig. 7b zeigt ausschnittweise und vergrößert im Querschnitt einen Bereich C der Spritzdüse von Fig. 7a.
  • Wie aus Fig. 7a ersichtlich, weist die Spritzdüse 200 einen oberen Spritzdüsenteil 210 und einen unteren Spritzdüsenteil 220 auf. Die Leiterplatte 10 mit dem oben liegenden und dem unten liegenden Chip wird zwischen den oberen Spritzdüsenteil 210 und den unteren Spritzdüsenteil 220 eingefügt. Der obere Spritzdüsenteil 210 umgibt einen konkaven Bereich 230a. Ebenso umgibt der untere Spritzdüsenteil 220 einen konkaven Bereich 230b. Nach Schließen des oberen Spritzdüsenteils 210 und des unteren Spritzdüsenteils 220 befinden sich der erste und zweite Chip 20, 30 der Leiterplatte 10 in einem Hohlraum 230, der von den konkaven Bereichen 230a, 230b umgeben ist und einen Raum zur Bildung des Packungskörpers (siehe die Bezugszeichen 50, 52 in Fig. 2) darstellt.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Festkörperpelletmaterial auf einer Auflage 224 des unteren Spritzdüsenteils 220 abgelegt. Der obere Spritzdüsenteil 210 besitzt eine Bohrung 214, durch die ein Transferkolben 260 hindurchtreten kann. Zwischen der Auflage 224 und dem Hohlraum 230 ist ein Zulauf 270 ausgebildet.
  • In entsprechenden Ausführungsformen ist die Leiterplatte 10 so auf der Spritzdüse 200 platziert, dass sich der zweite Chip 30 im konkaven Bereich 230b des unteren Spritzdüsenteils 220 befindet. Nach Auflegen von Pelletmaterial 250 auf die Auflage 224 wird der obere Spritzdüsenteil 210 in Kombination mit dem unteren Spritzdüsenteil 220 aktiviert. Durch die Abwärtsbewegung des Transferkolbens 260 wird das Pelletmaterial 250 komprimiert, und durch Aufheizen der Spritzdüse 200 und des Pelletmaterials 250 wird die geschmolzene Gießverbindung 250a über den Zulaufbereich 270 in den Hohlraum 230 injiziert.
  • Da die Leiterplatte 10 mit der durch sie hindurchführenden Durchlassöffnung 16 versehen ist, wird die geschmolzene Gießverbindung 250a gleichzeitig in die konkaven Bereiche 230a und 230b des oberen Spritzdüsenteils 210 und des unteren Spritzdüsenteils 220 entlang der Durchlassöffnung 16 eingespritzt, siehe die Pfeile "A" und "B" in Fig. 7b. Der Mehrchip-Packungskörper, der auf der ersten und zweiten Oberfläche der Leiterplatte 10 gebildet ist, wird folglich durch einen einzigen Einspritzvorgang der Gießverbindung hergestellt. Vorzugsweise ist der konkave Bereich 230a des oberen Spritzdüsenteils 210 symmetrisch zum konkaven Bereich 230b des unteren Spritzdüsenteils 220.
  • Wie aus Fig. 7b ersichtlich, befindet sich über der Durchlassöffnung 16 ein Durchlasshals 240, der durch einen oberen Durchlassabschnitt 215des oberen Spritzdüsenteils 210 und einen unteren Durchlassabschnitt 225 des unteren Spritzdüsenteils 220 gebildet ist. Der Durchlasshals 240 stellt eine enge Passage dar, entlang der die geschmolzene Gießverbindung 250a strömt. Die Gießverbindung des Zulaufbereichs 270 kann dadurch nach Abschluss des Gießprozesses leicht entfernt werden, ohne dass die Adhäsionskraft zwischen der Gießverbindung und der Leiterplatte in der Nähe des Durchlasshalses 240 abnimmt.
  • Nach vollständigem Füllen des Hohlraums 230 mit der geschmolzenen Gießverbindung 250a wird die Gießverbindung 250a abgekühlt und ausgehärtet, und der obere und untere Spritzdüsenteil 210, 220 werden voneinander getrennt. Mittels Trennschnitten entlang des jeweiligen Schlitzes 12 kann die Leiterplatte 10 dann in einzelne Mehrchippackungen zerteilt werden.
  • Wenngleich Fig. 7a ein Beispiel zeigt, bei dem die Spritzdüse zwei Hohlräume aufweist, kann die Spritzdüse in alternativen Realisierungen eine beliebige andere Anzahl von Hohlräumen aufweisen, die mit radialen Zuläufen verbunden sind. Anzahl, Anordnung und Länge der Zuläufe 270 sind durch Druck und Viskosität der geschmolzenen Gießverbindung 250a und die Größe des gewünschten Packungskörpers bestimmt.
  • Die Fig. 8a bis 8c veranschaulichen in Draufsichten einige Beispiele für verschiedene Formen der in der Leiterplatte gemäß der Erfindung gebildeten Durchlassöffnung, wobei je nach Anwendungsfall auch andere Formen möglich sind. Speziell zeigt Fig. 8a die Realisierung einer Durchlassöffnung 16a von quadratischer Form, während Fig. 8b eine Durchlassöffnung 16b von trapezförmiger Gestalt zeigt. Während diese Durchlassöffnungen 16a, 16b im peripheren Bereich 11 außerhalb des Packungsbereichs 13 liegen, zeigt Fig. 8c eine Durchlassöffnung 16c rechteckiger Form im peripheren Bereich 11, die sich in den Packungsbereich 13 hinein erstreckt.
  • Um das Entfernen des gegossenen Packungskörpers im Durchlassbereich 280, wie aus Fig. 7b ersichtlich, ohne Beeinträchtigung der Adhäsionskraft zwischen dem gegossenen Packungskörper und der Leiterplatte zu erleichtern, ist die trapezförmige Durchlassöffnung 16b besonders nützlich. Da diese Durchlassöffnung 16b einen Durchlass geringer Breite und kleiner Abmessung beinhaltet, ist ein Durchlasshals in diesem Fall nicht zwingend erforderlich.
  • Im Fall der rechteckigen Durchlassöffnungen 16a, 16c kann die geschmolzene Gießverbindung 250a leicht fließen, da eine relativ große Breite und Dimensionierung des Durchlassbereichs 280 gegeben ist. Wie aus Fig. 9a ersichtlich, ist innerhalb dieser Durchlassöffnungen 16a, 16c der Durchlasshals 240 ausgebildet. Dadurch kann der Gießkörper im Zulaufbereich leicht entfernt werden, ohne dass die Adhäsionskraft zwischen dem Gießkörper und der Leiterplatte im Durchlassbereich verringert wird. Insbesondere erhöht die erweiterte Durchlassöffnung 16c vom rechteckförmigen Typ die Fließfähigkeit der über den Durchlasshals 240 in den Hohlraum 230 strömenden, geschmolzenen Gießverbindung 250a.
  • Fig. 9b zeigt eine vergrößerte Ansicht von Fig. 9a mit Dimensionierungsangaben. In diesem Beispiel besitzt der Durchlass eine Länge von 2 mm. Der obere Durchlassabschnitt 215 beinhaltet eine erste Schrägung 215a und zweite Schrägung 215b. Die erste Schrägung 215a ist mit dem Zulauf 270 verbunden, und die zweite Schrägung 215b ist mit dem Hohlraum 230 verbunden. Beide Schrägungen 215a, 215b bilden zusammen die Oberseite des Durchlasses. Der untere Durchlassabschnitt 225 beinhaltet eine dritte Schrägung 225a und eine vierte Schrägung 225b. Die dritte Schrägung 225a ist mit dem Zulauf 270 verbunden, und die vierte Schrägung 225b ist mit dem Hohlraum 230 verbunden. Die dritte Schrägung 225a und die vierte Schrägung 225b bilden zusammen die Unterseite des Durchlasses. Die Länge des Durchlasshalses 240 beträgt 0,5 mm und seine Höhe 0,16 mm. Der Abstand vom Durchlasshals 240 zum Hohlraum 230 beträgt 0,6 mm. Die Abmessung des Hohlraums 230 beträgt 0,85 mm, und der Horizontalwinkel der zweiten und vierten Schrägung 215b, 225b beträgt jeweils 30°. Der Horizontalwinkel der ersten Schrägung 215a beträgt 50°, und der Horizontalwinkel der dritten Schrägung 225a beträgt 8°.
  • Somit wird in entsprechenden Realisierungen der Erfindung eine Mehrchippackung mit einem Packungskörper auf beiden Seiten der Leiterplatte durch eine Drahtbondtechnik und eine Spritzgießtechnik unter Verwendung herkömmlicher Kunststoff-Packungsfertigungsprozesse hergestellt. Da der Packungskörper auf beiden Seiten der Leiterplatte in einem Gießschritt gebildet wird, kann die Produktivität der Herstellung der Mehrchippackung gesteigert werden. Die erfindungsgemäße Mehrchippackung mit je einem Chip auf jeder Seite der Leiterplatte lässt sich mit geringerer Dicke als herkömmliche Packungen mit zwei Chips fertigen. Erfindungsgemäß ist eine Serienproduktion der Mehrchippackung ohne zusätzliche Drahtschleifentechnik möglich. Für die Mehrchippackung können verschiedene Chips verwendet werden.

Claims (14)

1. Leiterplatte mit Verdrahtungsstruktur, mit
einer ersten Oberfläche (10a), die einen ersten Packungsbereich (13) mit einem ersten Chipmontagebereich (14) zum Anbringen eines ersten Chips (20) und einem ersten Bondbereich (15) zum elektrischen Verbinden des ersten Chips sowie einen ersten peripheren Bereich (11) beinhaltet, dadurch gekennzeichnet, dass
der erste periphere Bereich (11) einen Zulaufbereich (17) zum Injizieren einer Gießverbindung und eine mit diesem verbundene erste Durchlassöffnung (16) aufweist und
auf einer zweiten Oberfläche (10b) ein zweiter Packungsbereich (13b), der einen zweiten Chipmontagebereich (14b) zum Anbringen eines zweiten Chips (30) und einen zweiten Bondbereich (15b) zum elektrischen Verbinden des zweiten Chips umfasst, sowie ein zweiter peripherer Bereich (11b) mit einer externen Verbindungsstruktur zum elektrischen Verbinden des Bondbereichs über die Verdrahtungsstruktur und mit einer zweiten Durchlassöffnung (16) vorgesehen sind, wobei die erste und zweite Durchlassöffnung gemeinsam eine Durchgangsöffnung bilden.
2. Leiterplatte nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer der Chipmontagebereiche vertieft ist.
3. Leiterplatte nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass sich die Durchlassöffnung in den Packungsbereich hinein erstreckt.
4. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Durchlassöffnung rechteckförmig ist.
5. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die Durchlassöffnung trapezförmig ist.
6. Leiterplatte nach Anspruch 5, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die trapezförmige Durchlassöffnung mit ihrer längeren Seite dem Zulaufbereich zugewandt ist.
7. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 6, weiter dadurch gekennzeichnet, dass jeder Bondbereich durch Bonddrähte elektrisch mit dem jeweiligen Chip verbunden ist.
8. Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 7, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die externe Verbindungsstruktur Lotkugelkontaktflecke beinhaltet.
9. Mehrchippackung mit
einer Leiterplatte (10) mit Verdrahtungsstruktur,
wenigstens einem ersten Chip (20), der an einem ersten Chipmontagebereich auf einer ersten Oberfläche (10a) der Leiterplatte angebracht ist und eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussflächen (22) aufweist, und
wenigstens einem zweiten Chip, der an der Leiterplatte angebracht ist und eine Mehrzahl von Elektrodenanschlussflächen (32) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass
die Leiterplatte eine solche nach einem der Ansprüche 1 bis 8 ist, wobei der zweite Chip am zweiten Chipmontagebereich (14b) auf der zweiten Oberfläche (10b) der Leiterplatte angebracht ist,
erste elektrische Verbindungsmittel zur Bereitstellung einer elektrischen Verbindung zwischen dem jeweiligen Chip und den Bondbereichen auf der ersten bzw. zweiten Oberfläche der Leiterplatte vorgesehen sind,
ein Packungskörper (50, 52) auf jedem Packungsbereich auf beiden Seiten der Leiterplatte durch eine Gießverbindung gebildet ist, die entlang des Zulaufbereichs (17) im ersten peripheren Bereich (11) und entlang der Durchlassöffnung (16) der Leiterplatte injiziert wird, und
zweite elektrische Verbindungsmittel auf der externen Verbindungsstruktur gebildet sind, die über die Verdrahtungsstruktur mit dem jeweiligen Bondbereich zur Bereitstellung eines externen Anschlusses verbunden sind.
10. Mehrchippackung nach Anspruch 9, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die ersten elektrischen Verbindungsmittel eine Mehrzahl von Bonddrähten umfassen.
11. Mehrchippackung nach Anspruch 9 oder 10, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten elektrischen Verbindungsmittel eine Mehrzahl von Lotkugeln umfassen.
12. Verfahren zur Herstellung einer Mehrchippackung, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
Bereitstellen einer Leiterplatte (10) zwischen einem oberen Spritzdüsenteil (210) und einem unteren Spritzdüsenteil (220), wobei die Leiterplatte eine erste Oberfläche (10a) mit einem drauf montierten und elektrisch angeschlossenen ersten Chip (20) und eine zweite Oberfläche (10b) mit einem darauf montierten und elektrisch angeschlossenen zweiten Chip (30) sowie eine Durchlassöffnung (16) in der ersten und zweiten Oberfläche aufweist und wobei die zweite Oberfläche dem unteren Spritzdüsenteil zugewandt ist,
Schließen der Spritzdüsenteile zur Bildung eines Hohlraums (230), in welchem sich die Chips befinden, und
Spritzen der Gießverbindung in den Hohlraum, wobei die Gießverbindung durch die Durchlassöffnung hindurchströmt, um Teile der ersten und zweiten Oberfläche einzuschließen.
13. Verfahren nach Anspruch 12, weiter dadurch gekennzeichnet, dass ein Gießpelletmaterial in eine Durchlassöffnung im oberen Spritzdüsenteil gepresst wird.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, weiter dadurch gekennzeichnet, dass der obere und der untere Spritzdüsenteil zusammen einen Durchlasshals (240) in der Durchlassöffnung bilden.
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