DE102014221443B4 - Elektronikbauteil und Verfahren zur Herstellung von Elektronikbauteilen - Google Patents

Elektronikbauteil und Verfahren zur Herstellung von Elektronikbauteilen Download PDF

Info

Publication number
DE102014221443B4
DE102014221443B4 DE102014221443.2A DE102014221443A DE102014221443B4 DE 102014221443 B4 DE102014221443 B4 DE 102014221443B4 DE 102014221443 A DE102014221443 A DE 102014221443A DE 102014221443 B4 DE102014221443 B4 DE 102014221443B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor substrate
plate
shaped metal
solder layer
resin frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102014221443.2A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102014221443A1 (de
Inventor
Ltd. Shimanuki Yasuo c/o Sumida Electric Co.
Ltd. Fukuoka Masakazu c/o Sumida Electric Co.
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumida Corp
Original Assignee
Sumida Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumida Corp filed Critical Sumida Corp
Publication of DE102014221443A1 publication Critical patent/DE102014221443A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102014221443B4 publication Critical patent/DE102014221443B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861—Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/10152—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/10165—Alignment aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13005—Structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/1605—Shape
    • H01L2224/16057—Shape in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/16258—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26165—Alignment aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29005—Structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/3205—Shape
    • H01L2224/32057—Shape in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32258—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/81138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/8114—Guiding structures outside the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8121—Applying energy for connecting using a reflow oven
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399—Material
    • H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81444—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399—Material
    • H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81447—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8312—Aligning
    • H01L2224/83136—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members
    • H01L2224/83138—Aligning involving guiding structures, e.g. spacers or supporting members the guiding structures being at least partially left in the finished device
    • H01L2224/8314—Guiding structures outside the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/8321—Applying energy for connecting using a reflow oven
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/83815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER

Abstract

Elektronikbauteil (11) besteht aus:einem Harzrahmen (19);einem Halbleitersubstrat (15), das im Harzrahmen (19) untergebracht ist;einem plattenförmigen Metallelement (14), bei dem mindestens ein Ende an einer Stelle im Harzrahmen (19) fixiert ist, die räumlich vom Halbleitersubstrat (15) getrennt ist;einem aus einen elektrisch leitfähigen Material hergestellten elektrischen Verbindungsteil (27), das auf einer Unterseite (15a) des Halbleitersubstrats (15) gebildet ist und mit dem plattenförmigen Metallelement (14) verbunden ist; undeiner Lotschicht (28) auf der Seitenfläche des elektrischen Verbindungsteils (27), die dem plattenförmigen Metallelement (14) zugewandt ist,wobei das plattenförmige Metallelement (14) das Halbleitersubstrat (15) durch die Lotschicht (28) und das elektrische Verbindungsteil (27) stützt und elektronisch mit dem elektrischen Verbindungsteil (27) verbunden ist,wobei der Harzrahmen (19) über ein Hohlteil (21) verfügt, indem das Halbleitersubstrat (15) untergebracht ist und das plattenförmige Metallelement (14) elektrisch mit dem Halbleitersubstrat (15) im Hohlteil (21) verbunden ist, undwobei der Harzrahmen (19) über ein überstehendes Teil (23) verfügt, das sich bis zum Hohlteil (21) erstreckt, wobei das überstehende Teil (23) über ein Kontaktteil (23a) verfügt, das das Halbleitersubstrat (15) so positioniert, dass das überstehende Teil (23) im Hohlteil (21) die Unterseite (15a) des Halbleitersubstrats (15) berührt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Elektronikbauteil bzw. ein Verfahren zur Herstellung von Elektronikbauteilen, insbesondere Elektronikbauteile und Verfahren zur Herstellung von Elektronikbauteilen, die die Errichtung einer Verbindung zwischen einem Halbleitersubstrat und einem plattenförmigen Metallelement, wie zum Beispiel einem Leiterklemmstück oder dergleichen, erleichtern.
  • STAND DER TECHNIK
  • Als Elektronikbauteil dieser Art werden zum Beispiel Automobil-Wegfahrsperren, Antennenteile zum Identifizieren von Identitäten für die Bestimmung des Aufenthaltsorts von Kindern nach der Schulzeit, die Nutztierzüchtung, und für die Überwachung von Ein- und Ausgängen an Bahnhöfen und ähnliche Geräte bezeichnet. (siehe zum Beispiel Patentliteratur 1: Japanische Patentanmeldung Nr. S63-208236 , Patentliteratur 2: WO 2011/024559 und Patentliteratur 3: Japanische Patentanmeldung Nr. 2001-184471 ).
  • Bei dem in Patentliteratur 1 beschriebenen Elektronikbauteil handelt es sich um ein IC-Paket, welches durch die Harz-Versiegelung der Umgebung hergestellt wird, nachdem mithilfe von Drähten ein Halbleitersubstrat (IC-Chip) und eine Leiterklemme verbunden wurden.
  • Bei dem in Patentliteratur 2 beschriebenen Elektronikbauteil handelt es sich um eine Sendeantenne zur Verwendung in einem Keyless Entry System, durch das Autotüren ohne die Verwendung eines Schlüssels auf- und zugesperrt werden können.
  • Bei dem in Patentliteratur 3 beschriebenen Elektronikbauteil handelt es sich um einen IC-Tag, der an einem Gericht auf dem Förderband eines Running Sushi-Lokals angebracht wird.
  • Aus der Schrift US 2013 / 0 056 786 A1 ist eine optische Halbleitervorrichtung bekannt, bei der ein optisches Halbleiterelement, das mit einem versilberten Kupferleiterrahmen verbunden ist, mit einer zusätzlich ausheilenden Siliziumharzzusammensetzung versiegelt wird.
  • In der Schrift US 2007 / 0 241 431 A1 ist ein Halbleitergehäuse offenbart. Das Gehäuse umfasst eine Leiterrahmenstruktur, die einen Chipbefestigungsbereich und eine Vielzahl von Leitern umfasst. Ein Formmaterial ist um mindestens einen Teil der Leiterrahmenstruktur gebildet und es umfasst ein Fenster. Auf dem Chipbefestigungsbereich ist ein Halbleiterchip mit einer Kante montiert und der Halbleiterchip befindet sich innerhalb des Fensters. Zwischen dem Rand des Halbleiterchips und dem Formmaterial ist ein Spalt vorhanden.
  • Heutzutage wird ein solches Elektronikbauteil im Normalfall mit einem passiven Bauteil, einem IC-Chip bestehend aus einem Halbleitersubstrat, einem Grundplattenelement zur Befestigung des passiven Bauteils und des IC-Chips und dergleichen eingerichtet.
  • Ein solches IC-Paket wird mit einem Halbleitersubstrat (IC-Chip), das im Paket versiegelt werden muss, einem Leiterrahmen mit einem aus dem Paket abgeleiteten Leiter, einem Bonddraht aus Gold, der zwischen einem Leiterbild (Lötauge), das für das Halbleitersubstrat im Paket bereitgestellt ist, und dem Leiterrahmen angeschlossen ist, und dergleichen eingerichtet.
  • Dennoch gab es in Hinblick auf die Bereitstellung eines Bonddrahts aus Gold zwischen dem Leiterrahmen und dem Lötauge des Halbleitersubstrats in einem Elektronikbauteil wie einem konventionellen IC-Paket oder dergleichen, Probleme mit zu hohen Kosten und, aufgrund der vielen Arbeitsstunden, mit der Durchführbarkeit.
  • LITERATURVERZEICHNIS
  • Patentliteratur
    • Patentliteratur 1. Japanische Patentanmeldung Nr. S63-208236 (siehe )
    • Patentliteratur 2. WO 2011/024559
    • Patentliteratur 3. Japanische Patentanmeldung Nr. 2001-184471
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Technisches Problem
  • Dementsprechend wurde die vorliegende Erfindung in Hinblick auf das oben beschriebene Problem hergestellt. Ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein Elektronikbauteil sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikbauteils zu schaffen, um das Herstellen einer Verbindung zwischen einem Halbleitersubstrat und einem plattenförmigen Metallelement, wie zum Beispiel einem Leiterklemmstück oder dergleichen, zu vereinfachen und um eine Kostenreduktion zu erreichen.
  • Lösung des Problems
  • Die vorliegende Erfindung wurde vorgeschlagen, um das oben beschriebene Objekt herstellen zu können. Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung sollte durch die weiter unten beschriebene Struktur verstanden werden.
    1. (1) Ein erster Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft ein Elektronikbauteil bestehend aus: einem Harzrahmen; einem Halbleitersubstrat im Harzrahmen; einem plattenförmigen Metallelement, bei dem mindestens ein Ende an einer Position des Harzrahmens befestigt ist, die räumlich vom Halbleitersubstrat abgetrennt ist;einem aus einen elektrisch leitfähigen Material hergestellten elektrischen Verbindungsteil, das auf einer Unterseite des Halbleitersubstrats gebildet ist und mit dem plattenförmigen Metallelement verbunden ist; und einer Lotschicht auf der Seitenfläche des plattenförmigen Metallelements des elektrischen Verbindungsteils die dem plattenförmigen Metallelement (14) zugewandt ist, wobei das plattenförmige Metallelement das Halbleitersubstrat durch die Lotschicht und das elektrische Verbindungsteil ohne Berührung stützt und elektrisch mit dem elektrischen Verbindungsteil verbunden ist. Der Harzrahmen verfügt dabei über ein Hohlteil, in dem das Halbleitersubstrat untergebracht ist. Das plattenförmige Metallelement ist in diesem Hohlteil mit dem Halbleitersubstrat verbunden. Ferner verfügt der Harzrahmen über ein überstehendes Teil, das sich bis zum Hohlteil erstreckt. Das überstehende Teil hat ein Kontaktteil, das das Halbleitersubstrat so in Position hält, dass das überstehende Teil im Hohlteil die Unterseite des Halbleitersubstrats berührt.
    2. (2) Wie oben in (1) beschrieben, kann das plattenförmige Metallelement in einem Bereich, der mit der Lotschicht verbunden ist, über ein gebogenes Teil verfügen, das über die Lotschicht übersteht.
    3. (3) Wie oben in (1) oder (2) beschrieben, kann das plattenförmige Metallelement im Harzrahmen an einer Endstückseite eingebettet oder befestigt sein und kann im Harzrahmen an einer Endstückseite geöffnet oder zum Befestigen eingebettet werden.
    4. (4) Wie oben in (1), (2), oder (3) beschrieben, kann das plattenförmige Metallelement aus einer Kupferlegierung oder aus Edelstahl mit einer Vickershärte von 50 Hv oder mehr bis 300 Hv oder weniger bestehen.
    5. (5) Ein zweiter Aspekt der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Elektronikbauteilen mit folgenden Arbeitsschritten: Einspritzguss zur Herstellung eines Harzrahmens, um mindestens ein Ende des plattenförmigen Metallelements darin einzubetten. Bei diesem Arbeitsschritt wird Harz in eine Gussform eingespritzt und das plattenförmige Metallelement in der Gussform positioniert; Vorbereitung des Halbleitersubstrats, um ein Halbleitersubstrat beizustellen, das auf der Oberfläche in dieser Reihenfolge über einen elektrischen Verbindungsbereich aus leitfähigem Material und eine Lotschicht verfügt; Positionierung des Halbleitersubstrats, um zu ermöglichen, dass das Halbleitersubstrat durch sein Eigengewicht auf dem plattenförmigen Metallelement positioniert werden kann. Dabei gelangen die Lotschicht und ein Teil des plattenförmigen Metallelements, das über eine nach unten gerichteten Fläche, welche wiederum die Lotschicht des Halbleitersubstrats aufweist, in Berührung; und der Reflow-Lötprozess, um die Lotschicht durch Wärmezufuhr auf die Lotschicht aufzulösen und das Halbleitersubstrat und das plattenförmige Metallelement elektrisch zu verbinden. Dabei verfügt der Harzrahmen über ein Hohlteil, in dem das Halbleitersubstrat untergebracht ist. Das plattenförmige Metallelement ist in diesem Hohlteil mit dem Halbleitersubstrat verbunden. Ferner verfügt der Harzrahmen über ein überstehendes Teil, das sich bis zum Hohlteil erstreckt. Das überstehende Teil hat ein Kontaktteil, das das Halbleitersubstrat so in Position hält, dass das überstehende Teil im Hohlteil eine Unterseite des Halbleitersubstrats berührt
  • Vorteile der Erfindung
  • Mit der vorliegenden Erfindung, einem Elektronikbauteil und einem Verfahren zur Herstellung von Elektronikbauteilen, wird die Herstellung einer Verbindung zwischen einem Halbleitersubstrat und einem plattenförmigen Metallelement, wie einem Leiterklemmstück oder dergleichen erleichtert und eine Kostenreduktion erreicht.
  • Figurenliste
    • ist eine perspektivische Ansicht (von der Oberseite einer Antennenanlage) einer Antennenanlage, welche eine Ausführung eines Elektronikbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt.
    • ist ein Diagramm zur Erklärung der Konfiguration der oben beschriebenen Antennenanlage und stellt eine Ansicht von der Unterseite dar.
    • ist eine vergrößerte Querschnitt-Ansicht entlang der Linie A-A der .
    • ist eine Explosionsansicht, die die Struktur in einem Hohlteil der oben beschriebenen Antennenanlage und eine Konfiguration eines Halbleitersubstrats im Hohlteil beschreibt.
    • ist ein Diagramm, das ein Beispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Elektronikbauteils der vorliegenden Erfindung beschreibt.
    • ist ein Phasendiagramm vor dem Reflow-Löten zur Verdeutlichung einer Lötverbindung in der vorliegenden Ausführung.
    • ist ein Phasendiagramm nach dem Reflow-Löten zur Verdeutlichung der Lötverbindung in der vorliegenden Ausführung.
    • ist ein erklärendes Diagramm der Struktur einer Seite des Harzrahmens zur Verdeutlichung eines ersten Modifikationsbeispiels des Elektronikbauteils der vorliegenden Erfindung.
    • ist ein erklärendes Diagramm der Struktur einer Rückseite des Halbleitersubstrats zur Verdeutlichung der ersten Modifikation des Elektronikbauteils der vorliegenden Erfindung.
    • ist ein erklärendes Diagramm einer Struktur einer Seite des Harzrahmens zur Verdeutlichung eines zweiten Modifikationsbeispiels des Elektronikbauteils der vorliegenden Erfindung.
    • ist ein erklärendes Diagramm einer Struktur einer Rückseite des Halbleitersubstrats zur Verdeutlichung eines zweiten Modifikationsbeispiels des Elektronikbauteils der vorliegenden Erfindung.
    • ist ein Diagramm zur Verdeutlichung eines dritten Modifikationsbeispiels eines Hohlteils eines Harzrahmens im Elektronikbauteil der vorliegenden Erfindung.
    • ist ein Diagramm zur Verdeutlichung eines vierten Modifikationsbeispiels eines gebogenen Teils des plattenförmigen Metallelements im Elektronikbauteil der vorliegenden Erfindung.
    • ist ein Diagramm zur Verdeutlichung eines fünften Modifikationsbeispiels eines gebogenen Teils eines plattenförmigen Metallelements im Elektronikbauteil der vorliegenden Erfindung.
    • ist ein Diagramm zur Verdeutlichung eines sechsten Modifikationsbeispiels eines gebogenen Teils eines plattenförmigen Metallelements im Elektronikbauteil der vorliegenden Erfindung.
    • ist ein Diagramm zur Verdeutlichung eines siebten Modifikationsbeispiels eines gebogenen Teils eines plattenförmigen Metallelements im Elektronikbauteil der vorliegenden Erfindung.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNG
  • Im Folgenden wird eine Ausführung eines Elektronikbauteils gemäß der vorliegenden Verbindung detailgenau und unter Bezugnahme auf Bilder beschrieben. Beachten Sie, dass die vorliegende Erfindung nicht auf diese Ausführung beschränkt ist.
  • bis bilden eine Ausführung eines Elektronikbauteils gemäß der vorliegenden Erfindung ab. Als Beispiel für das Elektronikbauteil wird eine Antennenanlage 11 beschrieben. Wie in und beschrieben, ist eine Antennenanlage 11 mit einem Anlagenkörper 12, einer Antennenspule 13, einem Halbleitersubstrat 15, 2 plattenförmigen Metallelementen 14, 14, die durch das Halbleitersubstrat 15 räumlich getrennt sind, und einer Montageplatte 16 und dergleichen versehen.
  • Die Antennenspule 13 besteht aus einem stäbchenförmigen Innenstück 17 und einer Spule mit einem aufgespulten Wickeldraht 18 und einer vorgegebenen Anzahl an Umdrehungen durch Isoliermaterial (nicht abgebildet) auf einer peripheren Oberfläche des stäbchenförmigen Innenstücks 17. Die Spule 18 verfügt über Leiterdrähte 18a, 18b von der Aufwicklung.
  • Der Anlagenkörper 12 wird mit einem Harzrahmen 19, der eine vorgegebene Form hat, ausgestattet, indem das Harzmaterial in eine Gussform (nicht abgebildet) eingespritzt wird. Zusätzlich wird beim Gießen des Harzrahmens 19 der sogenannte Einspritzguss durchgeführt, bei dem 2 plattenförmige Metallelemente 14, 14 und eine Montageplatte 16 an einer vorgegebenen Stelle in der Gussform entsprechend positioniert werden. In diesem Stadium werden die beiden plattenförmigen Metallelemente 14, 14 und die Montageplatte 16 durch Einspritzen des Harz-Materials in die Gussform eingebettet. Der Harzrahmen 19 wird mit den zwei plattenförmigen Metallelementen 14, 14 und der Montageplatte 16 eingebunden.
  • Jedes der beiden plattenförmigen Metallelemente 14 fungiert auch als Leiterklemmstück und wird durch Aufpressen eines elastischen Plattenmaterials aus Metall mit einer gewissen Stärke und Härte, wie zum Beispiel einer Kupferlegierung, Edelstahl oder dergleichen, hergestellt. Im vorliegenden Beispiel ist es angesichts der Vorteile für die Produktion und der Kostenreduktion empfehlenswert, dass das plattenförmige Metallelement 14 aus dem gleichen Material hergestellt wird, wie der Leiterrahmen, der im Halbleitersubstrat 15 verwendet wird. Insbesondere sind Materialien aus Metall mit einer vorgegebenen Härte empfehlenswert, damit das plattenförmige Metallelement 14 als Stütze des plattenförmigen Metallelements 14 in einer später beschriebenen Art und Weise dienen kann. Die Härte des plattenförmigen Metallelements 14, das im vorliegenden Beispiel verwendet wurde, liegt bei 50 Hv (Vickershärte) oder mehr und 300 Hv (Vickershärte) oder weniger.
  • Beide Endseiten der plattenförmigen Metallelemente 14, 14 stehen als Anschlussklemmen 14a, 14a von einer Seitenfläche 19a des Harzrahmens 19 über die Außenfläche. Dies wird in und veranschaulicht. An jede der beiden Anschlussklemmen 14a, 14a werden beide Führleinen 18a, 18b der Spule 18 in der Antennenspule 13 gebunden und elektrisch und mechanisch angeschlossen. Hier wird das stäbchenförmige Innenstück 17 der Antennenspule 13 an der Vorderseite 19b des Harzrahmens 19 befestigt, indem eine Endseite fixiert wird.
  • Des Weiteren wird, wie in veranschaulicht, auf einer Rückseite (untere Fläche 19c) des Harzrahmens 19 ein Hohlteil 21 mit einer Öffnung 20 gebildet. Im Hohlteil 21, kann, wie in bis veranschaulicht, auch das Halbleitersubstrat 15 untergebracht werden, indem es flach ausgeformt wird. Deshalb wird das Hohlteil 21 im vorliegenden Beispiel in der Größe der Öffnung 20, etwa gleich wie die Ebene des quadratischen Halbleitersubstrats 15 und mit einer Einbautiefe, die höher ist als die Dicke des Halbleitersubstrats 15, ausgebildet.
  • Des Weiteren sind, wie in veranschaulicht, in einer Bodenfläche 21a des Hohlteils 21, an den beiden Eckteilen auf einer Innenseite 21b in einer Wand, wo die Anschlussklemmen 14a, 14a der plattenförmigen Metallelemente 14, 14 beigestellt sind, von den beiden inneren Seitenflächen 21b, 21c, wodurch die beiden plattenförmigen Metallelemente 14, 14 entsorgt werden, die jeweils überstehend von einer Grundplatte 22 in Richtung der Öffnung 20 der Bodenfläche 21a bereitgestellt werden und ein überstehendes Teil 23 auf der Grundplatte 22 fest eingebaut. Hier ist, wie in veranschaulicht, ein Abstand S1 zwischen einer oberen Fläche 23a des überstehenden Teils 23 und der Öffnung 20, der im Wesentlichen gleich groß ist wie die Dicke t0 des Halbleitersubstrats 15 (die Dicke t0 ist nicht in den Dicken eines Blockes 27 und einer Lotschicht 28, die später beschrieben werden, enthalten). Zusätzlich muss das Hohlteil 21 nicht unbedingt in Bodenform ausgebildet und mit der Bodenfläche 21a ausgestattet sein und kann auch als vertikale Bohrung gestaltet sein.
  • Im Hohlteil 21 sind an jeder Stelle, die den Grundplatten 22, 22 entspricht, Zwischenteile 14c, 14c der plattenförmigen Metallelemente 14, 14 angeordnet, um im Hohlteil 21 in einem Stadium, in dem die anderen Enden 14b, 14b an den gegenüberliegenden Seiten der Anschlussklemmen 14a, 14a, die im Harzrahmen 19 eingebettet sind, nach links und nach rechts zu kreuzen. Des Weiteren befindet sich, wie in und veranschaulicht, in den Zwischenteilen 14c, 14c, die im Hohlteil 21 angeordnet sind, ein gebogenes, gekrümmtes Teil 24 in der Form eines umgedrehten „V“, damit es in jene Richtung übersteht, von der das Halbleitersubstrat 15 kommt und in den Seiten der anderen Enden 14b, 14b, die vom überstehenden Teil 23 räumlich getrennt sind, untergebracht werden kann, das heißt, in die Richtung zur Öffnung 20 im vorliegenden Beispiel übersteht. Zusätzlich ist, wie in veranschaulicht, ein Abstand S2 von einer Oberfläche 24a des gebogenen Teils 24 bis zur Fläche der Öffnung 20 geringfügig größer als die Dicke t1 des Halbleitersubstrats 15, wie in veranschaulicht (die Dicke t1 beinhaltet die Dicke t0 des Halbleitersubstrats 15 und die Dicke des Blocks 27, der später beschrieben wird) . Hier wird ein Aspekt gezeigt, wo die Seiten der anderen Enden 14b, 14b in den Harzrahmen 19 eingebettet sind. Die Erfindung ist allerdings nicht auf diesen Aspekt beschränkt, wie später im ersten Modifikationsbeispiel 1 beschrieben wird. Dies, ein freitragendes, plattenförmiges Metallelement 14, kann möglich sein, wenn nur die Seiten jener Enden 14a, 14a des plattenförmigen Metallelemente 14 fixiert sind und die Seiten der anderen Enden 14b, 14b geöffnet, also frei, sind.
  • Die Montageplatte 16 wird zum Beispiel bei der Montage der Antennenanlage 11 in einer Türklinke, bei der ein Keyless Entry System zum Einsatz kommt, wodurch die Tür eines Autos oder dergleichen ohne Verwendung eines Schlüssels zu- und aufgesperrt werden kann, verwendet. Wie in und veranschaulicht, sind in der anderen Endseite 14b, die von einer Rückseite 19c des Harzrahmens 19 geführt wird, Montagebohrungen 25, 26 bereitgestellt, in die eine Befestigungsschraube (nicht abgebildet) oder dergleichen eingesetzt wird, während die Endseite 14b in den Harzrahmen 19 eingebettet und darin befestigt ist.
  • Das Halbleitersubstrat 15 besteht aus Halbleitermaterialien, wie zum Beispiel Einkristall-Substrate, polykristalline SI-Substrate, SiC-Substrate, GaN-Substrate oder dergleichen und, im vorliegenden Beispiel, wird darin ein mehrlagiger, integrierter Schaltkreis gebildet. Des Weiteren werden auf der Seite der Fläche, die gegenüber der Bodenfläche 21a des Hohlteils 21 (die Unterseite 15a) befestigt ist, wie in bis veranschaulicht, zwei Blöcke 27, 27 als elektrische Verbindungsteile gebildet, die dem jeweiligen gebogenen Teil 24 der plattenförmigen Metallelemente 14, 14 entsprechen. Die Blöcke 27, 27 bestehen im Allgemeinen aus einer Legierung oder einer Zusammensetzung, die sowohl mit Metall und mit Halbleitern gut kompatibel ist und werden aus einem leitfähigen Material hergestellt, das Elektrizität leiten kann. Des Weiteren bildet sich auf der Oberfläche der Blöcke 27, 27 eine Lotschicht 28, die vor allem aus Zinn besteht. Beachten Sie, dass es hier empfehlenswert ist, dass die Höhe der Lotschicht 28 5 mal oder mehr und 20 mal oder weniger der Höhe des Blockes 27 beträgt, damit aufgrund des plattenförmigen Metallelements 14 keine Kratzer am Halbleitersubstrat 15 entstehen. Im vorliegenden Beispiel beträgt die Höhe des Blockes 27 in etwa 0,008 mm und die Gesamthöhe des Blocks 27 und der Lotschicht 28 beträgt 0,06 mm oder mehr oder 0,10 mm oder weniger.
  • Das Halbleitersubstrat 15 wird in das Hohlteil 21 des Harzrahmens 19 gesenkt, so dass die Oberfläche mit jenem Block 27, der mit der Lotschicht 28 ausgestattet ist, nach unten gerichtet ist und im Hohlteil 21 untergebracht bzw. integriert ist. Danach stimmen die Lotschicht 28 und der Block 27 jeweils mit den beiden gebogenen Teilen 24, 24 der plattenförmigen Metallelemente 14, 14 überein und die überstehenden Teile 23, 23 im Hohlteil 21 berühren die Unterseite 15a des Halbleitersubstrats 15. Das Halbleitersubstrat 15 wird durch eine sehr kleine Kraft in den überstehenden Teilen 23, 23 und den gebogenen Teilen 24, 24 der plattenförmigen Metallelemente 14, 14 im Hohlteil 21 (entsprechend dem Eigengewicht des Halbleitersubstrats 15) gestützt. Des Weiteren wird in diesem Stadium die Lotschicht 28 geschmolzen, indem die Antennenanlage 11 in einem Reflow-Ofen (nicht abgebildet) und in einem heißen Luftstrom platziert wird. Danach wird die Lotschicht 28 abgekühlt und verfestigt und das Halbleitersubstrat 15 und das plattenförmige Metallelement 14 werden eingefügt.
  • In der Zwischenzeit tritt das plattenförmige Metallelement 14 vor dem Reflow-Lötprozess aufgrund des Eigengewichtes des Halbleitersubstrats 15 in die Lotschicht 28 ein, aber nachdem das Gewicht des Halbleitersubstrats 15 leicht ist, wie in , tritt das plattenförmige Metallelement 14 nicht in die Lotschicht 28 ein; dies gilt bis zu jenem Stadium, in dem das gebogene Teil 24 den Block 27 berührt und der Block 27 und das gebogene Teil 24, wie in der veranschaulicht, auch nach dem Reflow-Löten berührungslos bleiben und sich nicht direkt berühren. In anderen Worten schmilzt das Lotmetall der Lotschicht 28 auch während des Reflow-Lötens, aber weil das Eigengewicht des Halbleitersubstrats 15 sehr leicht ist, bricht das gebogene Teil 24 des plattenförmigen Metallelements 14 nicht durch die Lotschicht und berührt den Block 27 nicht direkt. Zu diesem Zeitpunkt berührt das plattenförmige Metallelement 14 natürlich nicht die Oberfläche des Halbleitersubstrats 15. Beachten Sie, dass es in einer Form, die von jener Form in abweicht, möglich ist, dass das plattenförmige Metallelement 14 durch die Lotschicht 28 bricht und den Block 27 in einem Ausmaß berührt, so dass der Block 27 nicht durchbrochen wird. Kurz, solange das plattenförmige Metallelement 14 und das Halbleitersubstrat 15 nicht beschädigt werden, sind verschiedene Modifikationsarten anwendbar.
  • Des Weiteren ist, obwohl dies nicht abgebildet ist, die gesamte Antennenanlage 11 auf diese Art und Weise gefertigt; nur das Montageteil auf der Montageplatte 16 ist mit Harz versiegelt und vollendet.
  • ist ein Blockdiagramm, das ein Beispiel für die Produktionsschritte der Antenne 11 veranschaulicht. Unter Bezugnahme auf werden die Produktionsschritte der Antenne 11 in der Reihenfolge von (1) bis (5) beschrieben.
    1. (1) Die beiden plattenförmigen Metallelemente 14, 14 und eine Montageplatte 16 werden in einem Einspritzguss-Schritt an einer vorgegebenen Stelle in der Form entsprechend positioniert. In diesem Stadium wird Harzmaterial in die Form eingefügt, so dass die plattenförmigen Metallelemente 14, 14 und die Montageplatte 16 in das Harz eingebettet werden. Das heißt, dass der sogenannte Einspritzguss durchgeführt wird und ein Harzrahmen 19 geformt wird.
    2. (2) In einem Vorbereitungsschritt des Halbleitersubstrats, wird ein Halbleitersubstrat mit einem Block 27 als elektrisches Verbindungsteil aus leitfähigem Material und mit einer cremeartigen Lotschicht 28, die hauptsächlich aus Zinn besteht, auf der Oberfläche des Blockes 27 vorbereitet.
    3. (3) In einem Schritt zur Positionierung des Halbleitersubstrats ist die Fläche mit der Lotschicht 28 nach unten gerichtet, das Halbleitersubstrat (15) wird durch sein Eigengewicht in das Hohlteil 21 gesenkt, so dass die Lotschicht 28 und eine Oberseite 24a des gebogenen Teiles (24), welche Teil des plattenförmigen Metallelements 14 ist, und das Halbleitersubstrat 15 wird auf dem plattenförmigen Metallelement 14 positioniert. Deshalb tritt das gebogene Teil 24 des plattenförmigen Metallelementes 14 durch das Eigengewicht des Halbleitersubstrats 15 in die Lotschicht 28 ein, aber weil das Gewicht des Halbleitersubstrats 15 leicht ist, berührt das gebogene Teil 24 des plattenförmigen Metallelements 14 die Oberfläche des Blockes 27 zum Halbleitersubstrat 15 nicht direkt. stellt das Stadium vor dem Reflow-Prozess dar. Zusätzlich wird durch das Positionieren des Halbleitersubstrats 15 nach dem Auftragen einer Flussmittelbehandlung auf das gebogene Teil 24 des plattenförmigen Metallelements 14 die weiterhin zuverlässige Kontaktierung ermöglicht.
    4. (4) In einem Reflow-Löt-Schritt wird eine Antenne 11 in einem Reflow-Ofen positioniert, Heißluft zugeführt, die Lotschicht 28 geschmolzen und das Halbleitersubstrat 15 und das plattenförmige Metallelement 14 eingefügt. Zu diesem Zeitpunkt schmilzt das Lotmetall und fließt um das gebogene Teil 24 am plattenförmigen Metallelement 14 und dringt in manchen Fällen in die Aussparung des gebogenen Teils 24 des plattenförmigen Metallelements 14 ein. stellt ein Stadium vor der Reflow-Löt-Behandlung dar und stellt ein Stadium nach der Reflow-Löt-Behandlung dar. Zusätzlich zur Platzierung in einem Reflow-Ofen kann in Hinblick auf die Reflow-Löt-Behandlung ein Spot Reflow-Gerät verwendet oder eine Schmelzbehandlung der Lotschicht 28 mittels Laser durchgeführt werden.
    5. (5) In einem Schritt zur Versiegelung wird beinahe die gesamte Antennenanlage 11, mit Ausnahme des Montageteils der Montageplatte 16, mit Harz versiegelt und die Antennenanlage 11 fertig gestellt. Hier ist die Antennenanlage 11 in bis in einem Stadium vor der Versiegelung mit Harz dargestellt. Das heißt, dass die Antennenanlage 11 verwendet werden kann, ohne mit Harz versiegelt geworden zu sein.
  • Dadurch finden in der Antennenanlage 11, welche ein Elektronikbauteil dieser Art und Weise darstellt, bei der Montage des plattenförmigen Metallelements 14 und des Halbleitersubstrats 15 folgende Prozesse statt: Das plattenförmige Metallelement 14 stützt das Halbleitersubstrat 15 durch die Lotschicht 28, die sich auf der Oberfläche des Blockes 27 befindet, welche wiederum ein elektrisches Verbindungsteil ist, das auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 15 gebildet wird und wenn die Lotschicht 28 in diesem Stadium geschmolzen wird, fließt ein Teil der geschmolzenen Lotschicht 28 zwischen das plattenförmige Metallelement 14 und den Block 27 und das plattenförmige Metallelement 14 und das Halbleitersubstrat 15 werden verbunden.
  • Zusätzlich ist das plattenförmige Metallelement 14 in dem Bereich, der das Halbleitersubstrat 15 mit der Lotschicht 28 verbindet, mit einem gebogenen Teil 24 ausgestattet, welches so gebogen ist, dass es über die Lotschicht 28 übersteht. So dringt ein Teil des gebogenen Teils 24 einfach in die Lotschicht 28 ein, wenn das Halbleitersubstrat 15 im Hohlteil 21 angeordnet ist. Des Weiteren tritt die Lotschicht 28 in die Umgebung des überstehenden, gebogenen Teils 24 ein, das geschmolzene Lotmetall fließt um das gebogene Teil 24 und eine stabile elektrische Verbindung und Befestigung zwischen dem plattenförmigen Metallelement 14 und dem Halbleitersubstrat 15 kann realisiert werden, wenn die Lotschicht 28 schmilzt.
  • Außerdem verfügt der Harzrahmen 19 über einen Hohlteil 21 zur Unterbringung des Halbleitersubstrats 15 und das Halbleitersubstrat 15 ist mit dem plattenförmigen Metallelement 14 im Hohlteil 21, indem das Halbleitersubstrat 15 untergebracht und angeordnet sind, verbunden. So ist die Positionierung des Halbleitersubstrats 15 am Harzrahmen 19 einfach und die elektrische Verbindung und Befestigung zwischen dem plattenförmigen Metallelement 14 und dem Halbleitersubstrat 15 kann stabil ausgeführt werden.
  • Beachten Sie, dass die vorliegende Erfindung modifiziert und wie in veranschaulicht, ausgeführt werden kann. Wie in veranschaulicht, hat ein erstes Modifikationsbeispiel eine Struktur mit vier Stück plattenförmigen Metallelementen 14 in einem Freiträger in dem sich je zwei der vier Stücke von den inneren Seitenflächen 21b, 21c nach rechts und links vom Hohlteil 21 erstrecken. Des Weiteren befindet sich an den freien Endseiten der vier Stücke der plattenförmigen Metallelemente 14, die sich in das Hohlteil 21 erstrecken, ein gebogenes Teil 24, das als Kurze geformt ist und einen Querschnitt in Form eines umgedrehten „V“ hat, so dass es in eine Richtung übersteht, in der das Halbleitersubstrat 15 untergebracht werden soll, das heißt, in eine Richtung, die über die Seite der Öffnung 20 übersteht (die Halbleiterschicht wird später beschrieben). Zusätzlich wird ein Abstand S2 von der Oberseite 24a des gebogenen Teils 24 zur Öffnung 20 gebildet, die etwas größer ist als die Dicke t1 des Halbleitersubstrats 15.
  • Auf der anderen Seite hat das Halbleitersubstrat 15, das im Hohlteil 21 untergebracht werden soll, wie in veranschaulicht, einen Block 27 mit einer Lotschicht 28 an jenen Stellen, die den vier Stücken an den gebogenen Teilen 24 des plattenförmigen Metallelements 14 entsprechen.
  • In diesem Beispiel wird das Halbleitersubstrat 15 in das Hohlteil 21 des Harzrahmens 19 gesenkt und im Hohlteil 21 in einer darin eingebetteten Lage untergebracht, so dass eine Fläche (Unterseite 15a) mit einem Block 27 mit der Lotschicht 28 nach unten ausgestattet ist. Danach entsprechen die Lotschicht 28 und der Block 27 jeweils dem gebogenen Teil 24 des plattenförmigen Metallelements 14 und das gebogene Teil 24 berührt die Unterseite 15 a des Halbleitersubstrats 15 durch die Lotschicht 28 und den Block 27. Das Halbleitersubstrat 15 wird durch das gebogene Teil der vier Stücke der plattenförmigen Metallelemente 14 im Hohlteil 21 gestützt. Zusätzlich wird in diesem Stadium die Antenne 11 in einen Reflow-Ofen (nicht abgebildet) platziert, Heißluft zugeführt und die Lotschicht 28 geschmolzen. Danach wird die Lotschicht 28 abgekühlt und verfestigt und das Halbleitersubstrat 15 und das plattenförmige Metallelement 14 werden elektrisch und mechanisch befestigt.
  • In diesem Beispiel entfallen die Grundplatte 22 und das überstehende Teil 23, die in der oben beschriebenen Ausführung vorgesehen sind. Stattdessen kann das Halbleitersubstrat 15 elektrisch und mechanisch befestigt werden, indem das Halbleitersubstrat 15 mit den gebogenen Teilen 24, mit denen die vier plattenförmigen Metallelemente 14 ausgestattet sind, gestützt werden. Zusätzlich dürfen diese beiden plattenförmigen Metallelemente 14 die Führleinen 18a, 18b einer Spule 18 berühren und die zwei verbleibenden Stücke der plattenförmigen Metallelemente 14 können an einen anderen elektrischen Stromkreis angeschlossen und verwendet werden.
  • Des Weiteren kann die vorliegende Erfindung modifiziert und, wie in veranschaulicht, ausgeführt werden. Ein zweites Modifikationsbeispiel umfasst, wie in veranschaulicht, integral vorgesehen, zwei Ecken, die durch eine Diagonale eines Hohlteils 21 verbunden sind, Grundplatten 22, die jeweils zur Öffnung 20 einer Bodenfläche 21a hervorstehen und die Vorsprungsabschnitte 23, die an den Grundplatten 22 gebildet werden. In diesem Fall wird ein Abstand S2 auch zwischen dem überstehenden Teil 23 und der Öffnung 20 gebildet, welcher im Wesentlichen gleich groß ist wie die Dicke t0 des Halbleitersubstrats 15. Des Weiteren werden die plattenförmigen Metallelemente 14, 14 in einem Stadium angeordnet, in dem die Zwischenstücke 14c, 14c nach rechts und links im Hohlteil 21 kreuzen und die anderen Seiten 14b, 14b an den Seiten, die gegenüber der Anschlussklemmen 14a, 14a liegen, werden an einer Stelle im Harzrahmen 19 eingebettet, an der sich die Grundplatte 22 befindet. Zusätzlich wird in den Zwischenstücken 14c, 14c, die im Hohlteil 21 angeordnet sind, ein gebogenes Teil 24 mit dem Querschnitt eines umgedrehten „V“ in einer Kurve geformt, damit es in einer Richtung übersteht, wo das Halbleitersubstrat 15 untergebracht werden soll; das heißt, im vorliegenden Beispiel, eine Richtung, die zur Seite der Öffnung 20 zeigt, (in anderen Worten, jene Seite der Lotschicht 28 des Halbleitersubstrats 15). Das gebogene Teil 24 wird entsprechend den Positionen, die symmetrisch zu allen anderen sind, mit Ausnahme der Grundplatte 22, mit einem vorgegebenen Abstand beigestellt. Des Weiteren wird ein Abstand S2 von der Oberseite 24a des gebogenen Teils 24 zur Öffnung 20 gebildet, die geringfügig größer ist, als die Dicke t1 des Halbleitersubstrats 15.
  • Auf der anderen Seite, ist das Halbleitersubstrat 15, das im Hohlteil 21 positioniert werden soll, wie in veranschaulicht, an den Stellen, die den gebogenen Teilen 24 der beiden plattenförmigen Metallelemente 14 entsprechen, mit dem Block 27, der über die Lotschicht 28 verfügt, ausgestattet.
  • Außerdem wird in diesem Beispiel das Halbleitersubstrat 15 in das Hohlteil 21 des Harzrahmens 19 gesenkt und im Hohlteil 21 in einem darin eingebetteten Zustand untergebracht, so dass eine Fläche (Unterseite 15a) mit dem Block 27, der über die Lotschicht 28 verfügt, nach unten zeigend ausgestattet wird. Danach entsprechen die Lotschicht 28 und der Block 27 jeweils dem gebogenen Teil 24 des plattenförmigen Metallelements 14 und das gebogene Teil 24 berührt die Unterseite 15a des Halbleitersubstrats 15 durch die Lotschicht 28 und den Block 27. Das Halbleitersubstrat 15 wird durch die gebogenen Teile der vier plattenförmigen Metallelemente 14 im Hohlteil 21 gestützt. Zusätzlich wird in diesem Stadium die Antenne 11 in einen Reflow-Ofen (nicht abgebildet) platziert, Heißluft zugeführt und die Lotschicht 28 geschmolzen. Danach wird die Lotschicht 28 abgekühlt und verfestigt und das Halbleitersubstrat 15 und das plattenförmige Metallelement 14 werden elektrisch und mechanisch befestigt.
  • veranschaulicht eine dritte Modifikation gemäß Hohlteil 21. In den Hohlteilen 21 wird, wie in bis veranschaulicht, eine Struktur offen gelegt, bei der vier Innenflächen als fortlaufende Aussparung ohne Unterbrechung geformt sind, aber in den Hohlteilen 21, besteht, wie in veranschaulicht, eine Struktur, bei der eine Innenfläche mit einem Aussparungsteil 29 ausgestattet ist, das zur Außenfläche führt. Mit einer solchen Struktur, breitet sich die Öffnung 20 aufgrund des Aussparungsteils 29 aus, auch wenn die Größe der Öffnung 20 des Hohlteils 21 kleiner ist als der Bereich des Halbleitersubstrats 15, und ein Fehler und dergleichen des Halbleitersubstrats 15 kann absorbiert werden. Des Weiteren kann die Wärmeausdehnung des Halbleitersubstrats 15 und des Harzrahmens 19 absorbiert werden.
  • bis veranschaulichen eine Vielzahl an Modifikationsbeispielen eines gebogenes Teils 24, das sich im plattenförmigen Metallelement 14 befindet.
  • ist ein viertes Modifikationsbeispiel, bei dem ein V-förmiges Grenzteil 24b, welches das gebogene Teil 24 flach formt und das Grenzteil 24b berührt die Lotschicht 28 mit seiner Fläche. Bei dieser Konfiguration kann die Zeit, in der das gebogene Teil 24 in die Lotschicht 28 eintritt, eingestellt und verzögert werden.
  • ist ein fünftes Modifikationsbeispiel und eine modifizierte Version von , in der das Grenzteil 24b über eine Durchgangsbohrung 30 in vertikaler Richtung verfügt. Bei dieser Konfiguration tritt die geschmolzene Lotschicht 28 in die Durchgangsbohrung 30 ein, wodurch ein Zusammenschluss mit dem gebogenen Teil 24 erreicht wird.
  • ist ein sechstes Modifikationsbeispiel und ebenfalls eine modifizierte Version von , in der das Grenzteil 24b über ein Aussparungsteil 31, das in vertikaler Richtung eindringt, verfügt. Des Weiteren tritt bei dieser Konfiguration die geschmolzene Lotschicht 28 in das Aussparungsteil 31 ein und ein Zusammenschluss mit dem gebogenen Teil 24 kann erreicht werden.
  • ist ein siebtes Modifikationsbeispiel, in dem das gebogene Teil 24 als gekrümmte Fläche in Bogenform gestaltet ist und die Lotschicht 28 mit der gekrümmten Fläche berührt. Ebenfalls kann bei dieser Konfiguration die Zeit, in der das gebogene Teil 24 in die Lotschicht 28 eintritt, angepasst und verzögert werden.
  • Zusätzlich wird bei dieser Ausführung offen gelegt, dass das gebogene Teil 24 durch das Eigengewicht des Halbleitersubstrats 15 während des Reflow-Lötprozesses in die Lotschicht 28 eintritt und dass eine Verbindung herbeigeführt wird; diese Verbindung kann aber mittels dem Eigengewicht des Harzrahmens 19 hergestellt werden. Des Weiteren kann die Verbindung zwischen dem Halbleitersubstrat 15 und dem plattenförmigen Metallelement 14 durch ein Verfahren wie zum Beispiel Flip-Chip hergestellt werden. In diesem Fall ist es notwendig, vor dem plattenförmigen Metallelement 14 eine spezielle Beschichtung, wie zum Beispiel eine dickschichtige Au- oder Cu-Beschichtung aufzutragen.
  • Entsprechend dem Elektronikbauteil in der oben beschriebenen Ausführung stützt das plattenförmige Metallelement bei der Montage des plattenförmigen Metallelements und des Halbleitersubstrats das Halbleitersubstrat durch die Lotschicht, die für das elektrische Verbindungsteil, wie der Block und dergleichen, der auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats gebildet wird, bereitgestellt ist. In diesem Stadium wird die Lotschicht geschmolzen. Danach fließt ein Teil der geschmolzenen Lotschicht zwischen das plattenförmige Metallelement und das elektrische Verbindungsteil und eine elektrische Verbindung zwischen dem plattenförmigen Metallelement und dem Halbleitersubstrat wird hergestellt. Weiterhin kann dann durch die Verfestigung der Lotschicht, ein Elektronikbauteil leicht erzeugt werden, wo das plattenförmige Metallelement und das elektrische Verbindungsteil elektrisch miteinander verbunden und fixiert sind.
  • Im Falle, dass das plattenförmige Metallelement mit einem gebogenen Teil ausgestattet ist, wenn die Lotschicht geschmolzen wird, tritt das gebogene Teil, das über die Lotschicht übersteht, in die Lotschicht ein und die geschmolzene Lotschicht fließt um das gebogene Teil. Nachdem die Lotschicht verfestigt ist, kann eine stabile elektrische Verbindung und Befestigung zwischen dem plattenförmigen Metallelement und dem Halbleitersubstrat hergestellt werden.
  • Im Falle, dass der Harzrahmen zur Unterbringung des Halbleitersubstrates über ein Hohlteil verfügt, wenn das Halbleitersubstrat im Hohlteil des Harzrahmens untergebracht und angeordnet ist, wird das Halbleitersubstrat im Harzrahmen positioniert und eine stabile, elektrische Verbindung und Befestigung zwischen dem plattenförmigen Metallelement und dem Halbleitersubstrat kann hergestellt werden. Im plattenförmigen Metallelement kann, während eine Endseite im Harzrahmen eingebettet und fixiert ist, die andere Endseite entweder im Harzrahmen geöffnet oder eingebettet und fixiert sein. Abhängig vom Montageort und der Anwendung des Elektronikbauteils kann einer dieser beiden Wege gewählt werden. Im Falle, dass die andere Endseite als freies Ende geöffnet ist, ist es bei der Montage des Elektronikbauteils in einem Auto und dergleichen möglich, Druck aufgrund von Vibrationen der Karosserie und dergleichen abzubauen.
  • Im Falle, dass im plattenförmigen Metallelement eine Kupferlegierung oder Edelstahl enthalten ist und deren Vickershärte 50 Hv oder mehr und 300 Hv oder weniger beträgt, kann das plattenförmige Metallelement das Halbleitersubstrat durch Stützen des Halbleitersubstrats mittels eines solchen plattenförmigen Metallelements stabil stützen. Somit kann eine stabile Verbindung und Fixierung zwischen dem plattenförmigen Metallelement und dem Halbleitersubstrat hergestellt werden.
  • Im Falle, dass sich im Harzrahmen ein überstehendes Teil bis in das Hohlteil erstreckt, können ein Positionierungs-Kontaktteil und das plattenförmige Metallelement das im Hohlteil untergebrachte und angeordnete Halbleitersubstrat stabil stützen. Weiterhin kann eine stabile elektrische Verbindung und Fixierung zwischen dem plattenförmigen Metallelement und dem Halbleitersubstrat hergestellt werden.
  • Entsprechend dem Verfahren zur Herstellung eines Elektronikbauteils gemäß der oben beschriebenen Ausführung, wird während des Einspritzgusses der Harzrahmen, in dem ein Ende des plattenförmigen Metallelements eingebettet ist, gebildet. Während des Vorbereitungsschrittes für das Halbleitersubstrat wird das Halbleitersubstrat mit dem elektrischen Verbindungsteil auf der Oberfläche und mit der Lotschicht auf der Fläche des elektrischen Verbindungsteils beigestellt. Während der Positionierung des Halbleitersubstrats wird das Halbleitersubstrat durch sein Eigengewicht auf dem plattenförmigen Metallelement positioniert, wobei die Oberfläche des Halbleitersubstrats mit der Lotschicht nach unten zeigt und sich die Lotschicht und ein Teil des plattenförmigen Metallelements berühren. Dann fließt während des Reflow-Lötprozesses ein Teil der Lotschicht zwischen das plattenförmige Metallelement und das elektrische Verbindungsteil, wenn die Lotschicht mittels Wärme geschmolzen wird, während das Halbleitersubstrat durch sein Eigengewicht absinkt und eine elektrische Verbindung zwischen dem plattenförmigen Metallelement und dem elektrischen Verbindungsteil des Halbleiters wird hergestellt. Des Weiteren kann, wenn die Lotschicht verfestigt wird, ein Elektronikbauteil einfach hergestellt werden, wenn das plattenförmige Metallelement und das elektrische Verbindungsteil miteinander elektrisch und mechanisch verbunden sind.
  • Bezugszeichenliste
  • 11...Antennenanlage (Elektronikteil) ; 12...Anlagenkörper; 13...Antennenspule; 14...plattenförmiges Metallelement; 14a ... Anschlussklemme (eine Endseite) ; 14b...andere Endseite; 14c...Zwischenteil; 15...Halbleitersubstrat; 15a...Unterseite; 16...Montageplatte; 17...stäbchenförmiges Innenstück; 18...Spule; 18a, 18b...Führleine; 19...Harzrahmen; 19a...Seitenfläche; 19b...Vorderseite; 19c...Unterseite; 20...Öffnung; 21...Hohlteil; 21a...Bodenfläche; 21b...Innenseite; 22...Grundplatte; 23...überstehendes Teil; 23a...Oberseite des überstehenden Teils (Kontaktteil); 24...gebogenes Teil; 24a...Oberfläche; 24b...Grenzteil; 25, 26...Montagebohrung; 27...Block (elektrisches Verbindungsteil) ; 28...Lotschicht; 29...Aussparungsteil; 30...Durchgangsbohrung; 31..Aussparungsteil; S1...Abstand; S2..Abstand; t0, t1...Dicke des Halbleitersubstrats; h...Höhe der Lotschicht

Claims (5)

  1. Elektronikbauteil (11) besteht aus: einem Harzrahmen (19); einem Halbleitersubstrat (15), das im Harzrahmen (19) untergebracht ist; einem plattenförmigen Metallelement (14), bei dem mindestens ein Ende an einer Stelle im Harzrahmen (19) fixiert ist, die räumlich vom Halbleitersubstrat (15) getrennt ist; einem aus einen elektrisch leitfähigen Material hergestellten elektrischen Verbindungsteil (27), das auf einer Unterseite (15a) des Halbleitersubstrats (15) gebildet ist und mit dem plattenförmigen Metallelement (14) verbunden ist; und einer Lotschicht (28) auf der Seitenfläche des elektrischen Verbindungsteils (27), die dem plattenförmigen Metallelement (14) zugewandt ist, wobei das plattenförmige Metallelement (14) das Halbleitersubstrat (15) durch die Lotschicht (28) und das elektrische Verbindungsteil (27) stützt und elektronisch mit dem elektrischen Verbindungsteil (27) verbunden ist, wobei der Harzrahmen (19) über ein Hohlteil (21) verfügt, indem das Halbleitersubstrat (15) untergebracht ist und das plattenförmige Metallelement (14) elektrisch mit dem Halbleitersubstrat (15) im Hohlteil (21) verbunden ist, und wobei der Harzrahmen (19) über ein überstehendes Teil (23) verfügt, das sich bis zum Hohlteil (21) erstreckt, wobei das überstehende Teil (23) über ein Kontaktteil (23a) verfügt, das das Halbleitersubstrat (15) so positioniert, dass das überstehende Teil (23) im Hohlteil (21) die Unterseite (15a) des Halbleitersubstrats (15) berührt.
  2. Elektronikbauteil (11) gemäß Anspruch 1, in dem das plattenförmige Metallelement (14) in einem Bereich, der mit der Lotschicht (28) verbunden ist, über ein gebogenes Teil (24) verfügt, das über die Lotschicht (28) übersteht.
  3. Elektronikbauteil (11) gemäß Anspruch 1 oder 2, in dem das plattenförmige Metallelement (14) auf einer Seite im Harzrahmen (19) eingebettet und befestigt ist und auf der anderen Seite geöffnet oder zur Fixierung im Harzrahmen (19) eingebettet ist.
  4. Elektronikbauteil (11) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, in dem das plattenförmige Metallelement (14) eine Kupferlegierung oder Edelstahl mit einer Vickershärte von 50 Hv oder mehr bzw. 300 Hv oder weniger enthält
  5. Verfahren zur Herstellung eines Elektronikbauteils (11) beinhaltet: einen Einspritzguss-Schritt, in dem ein Harzrahmen (19) gebildet wird, indem Harz in eine Gussform eingespritzt wird und ein plattenförmige Metallelement (14) in der Gussform positioniert wird, um mindestens ein Ende des plattenförmigen Metallelements (14) darin einzubetteen, wobei der Harzrahmen (19) über ein Hohlteil (21) und ein überstehendes Teil (23) verfügt, das sich bis zum Hohlteil (21) erstreckt; einen Vorbereitungsschritt für ein Halbleitersubstrat (15), in dem das Halbleitersubstrat (15) beigestellt wird, das über ein elektrisches Verbindungsteil (27), welches aus einem leitfähigen Material hergestellt ist und über eine Lotschicht (28) auf der Oberfläche in dieser Reihenfolge verfügt; einen Positionierungsschritt des Halbleitersubstrats (15), in dem zugelassen wird, dass das Halbleitersubstrat (15) durch sein Eigengewicht am plattenförmigen Metallelement (14) positioniert wird, wodurch die Lotschicht (28) und ein Teil des plattenförmigen Metallelements (14) in Berührung kommen, mit der Oberfläche nach unten zeigen und über die Lotschicht (28) des Halbleitersubstrats (15) verfügen; und einem Reflow-Lötprozess, in dem die Lotschicht (28) durch Wärmeanwendung auf die Lotschicht (28) aufgelöst wird und in dem das Halbleitersubstrat (15) und das plattenförmige Metallelement (14) elektrisch verbunden werden, wobei das Halbleitersubstrat (15) in dem Harzrahmen (19) untergebracht und das plattenförmige Metallelement (14) elektrisch mit dem Halbleitersubstrat (15) im Hohlteil (21) verbunden wird, und wobei das überstehende Teil (23) über ein Kontaktteil (23a) verfügt, das das Halbleitersubstrat (15) so positioniert, dass das Kontaktteil (23a) in Berührung mit mindestens einem Teil des Halbleitersubstrats (15) ist.
DE102014221443.2A 2013-10-23 2014-10-22 Elektronikbauteil und Verfahren zur Herstellung von Elektronikbauteilen Active DE102014221443B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013220292A JP6201626B2 (ja) 2013-10-23 2013-10-23 電子部品及び電子部品の製造方法
JP2013-220292 2013-10-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102014221443A1 DE102014221443A1 (de) 2015-04-23
DE102014221443B4 true DE102014221443B4 (de) 2019-10-10

Family

ID=52775459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014221443.2A Active DE102014221443B4 (de) 2013-10-23 2014-10-22 Elektronikbauteil und Verfahren zur Herstellung von Elektronikbauteilen

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9343334B2 (de)
JP (1) JP6201626B2 (de)
CN (1) CN104576619B (de)
DE (1) DE102014221443B4 (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6201626B2 (ja) * 2013-10-23 2017-09-27 スミダコーポレーション株式会社 電子部品及び電子部品の製造方法
DE102013225905A1 (de) * 2013-12-13 2015-06-18 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Anordnung aus einem Rahmenelement und einem Verbindungselement sowie Verfahren zur Befestigung einesVerbindungselementes an einem Rahmenelement
JP6515642B2 (ja) 2015-04-02 2019-05-22 スミダコーポレーション株式会社 コイル部品の製造方法およびコイル部品の製造に用いられる治具
US11081926B2 (en) 2016-09-01 2021-08-03 Sunonwealth Electric Machine Industry Co., Ltd. Inner-rotor motor and stator thereof
CN106298685B (zh) * 2016-09-29 2019-01-04 中国船舶重工集团公司第七一九研究所 一种采用超声波焊接的电子芯片封装结构
EP3703118B1 (de) * 2017-10-26 2022-05-18 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Halbleiterbauelement
CN112885744B (zh) * 2021-01-18 2022-12-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 用于smt工艺的固晶机

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63208236A (ja) 1987-02-25 1988-08-29 Hitachi Ltd 絶縁被覆ワイヤのワイヤボンデイング方法
JP2001184471A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Denso Corp データキャリア、このデータキャリアを備えた皿、物流用容器およびカード、並びにデータキャリア用リーダライタ
DE102004041514A1 (de) * 2003-09-23 2005-05-04 Samsung Electronics Co Ltd Verstärkte Lothügelstruktur, Herstellungsverfahren und Halbleiterbauelement
US20070241431A1 (en) * 2003-02-11 2007-10-18 Manatad Romel N Alternative flip chip in leaded molded package design and method for manufacture
US20080230879A1 (en) * 2005-11-01 2008-09-25 Nirmal Sharma Methods and apparatus for flip-chip-on-lead semiconductor package
WO2011024559A1 (ja) 2009-08-31 2011-03-03 スミダコーポレーション株式会社 物体の接近を検出するための静電容量式検出装置、センサユニット、制御システム及びその方法
US20130056786A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Optical semiconductor device

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5024077A (de) * 1973-07-05 1975-03-14
JPH05218222A (ja) * 1992-02-03 1993-08-27 Toshiba Corp 樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方法
JPH06125032A (ja) * 1992-08-31 1994-05-06 Taiyo Yuden Co Ltd 混成集積回路装置及びその製造方法
JPH0682860U (ja) * 1993-04-28 1994-11-25 京セラ株式会社 表面実装型電子部品
JP2842355B2 (ja) * 1996-02-01 1999-01-06 日本電気株式会社 パッケージ
JPH09232368A (ja) * 1996-02-20 1997-09-05 Fujitsu Ltd 半導体装置
SG60099A1 (en) * 1996-08-16 1999-02-22 Sony Corp Semiconductor package and manufacturing method of lead frame
JP3420913B2 (ja) * 1997-06-13 2003-06-30 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 半導体チップ実装用回路基板、半導体チップ収納用パッケージ、及び半導体デバイス
US6597059B1 (en) * 2001-04-04 2003-07-22 Amkor Technology, Inc. Thermally enhanced chip scale lead on chip semiconductor package
TW540123B (en) * 2002-06-14 2003-07-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Flip-chip semiconductor package with lead frame as chip carrier
JP4969113B2 (ja) 2006-02-22 2012-07-04 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 回路装置の製造方法
US9491873B2 (en) * 2011-05-31 2016-11-08 Kyocera Corporation Element housing package, component for semiconductor device, and semiconductor device
WO2013021726A1 (ja) * 2011-08-10 2013-02-14 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2013185232A (ja) * 2012-03-09 2013-09-19 Hitachi Cable Ltd 銅合金材及び銅合金材の製造方法
JP6201626B2 (ja) * 2013-10-23 2017-09-27 スミダコーポレーション株式会社 電子部品及び電子部品の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63208236A (ja) 1987-02-25 1988-08-29 Hitachi Ltd 絶縁被覆ワイヤのワイヤボンデイング方法
JP2001184471A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Denso Corp データキャリア、このデータキャリアを備えた皿、物流用容器およびカード、並びにデータキャリア用リーダライタ
US20070241431A1 (en) * 2003-02-11 2007-10-18 Manatad Romel N Alternative flip chip in leaded molded package design and method for manufacture
DE102004041514A1 (de) * 2003-09-23 2005-05-04 Samsung Electronics Co Ltd Verstärkte Lothügelstruktur, Herstellungsverfahren und Halbleiterbauelement
US20080230879A1 (en) * 2005-11-01 2008-09-25 Nirmal Sharma Methods and apparatus for flip-chip-on-lead semiconductor package
WO2011024559A1 (ja) 2009-08-31 2011-03-03 スミダコーポレーション株式会社 物体の接近を検出するための静電容量式検出装置、センサユニット、制御システム及びその方法
US20130056786A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Optical semiconductor device

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Norm DIN EN 13 601:2013 Juni 2013. Kupfer und Kupferlegierungen *

Also Published As

Publication number Publication date
US9343334B2 (en) 2016-05-17
US20150108627A1 (en) 2015-04-23
CN104576619A (zh) 2015-04-29
JP2015082600A (ja) 2015-04-27
DE102014221443A1 (de) 2015-04-23
US9646948B2 (en) 2017-05-09
CN104576619B (zh) 2018-01-09
JP6201626B2 (ja) 2017-09-27
US20160218078A1 (en) 2016-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102014221443B4 (de) Elektronikbauteil und Verfahren zur Herstellung von Elektronikbauteilen
DE112015005836B4 (de) Leistungsmodul
DE102013208818B4 (de) Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Fertigung eines Leistungshalbleitermoduls
DE112006003036T5 (de) Halbleiterchipgehäuse mit einem Leitungsrahmen und einem Clip sowie Verfahren zur Herstellung
DE19708002B4 (de) Anschlußrahmen für Halbleiterbauelement
DE102013219833B4 (de) Halbleitermodul mit leiterplatte und vefahren zur hertellung eines halbleitermoduls mit einer leiterplatte
DE112004000258T5 (de) Alternativer Entwurf für ein Flip Chip in Leaded Molded Package und Verfahren zur Herstellung
DE102008035911B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltungsmoduls
DE112004000564T5 (de) Leiterrahmenstruktur mit Öffnung oder Rille für einen Flipchip in a leaded molded package
DE102007025950A1 (de) Halbleitervorrichtung und ihr Herstellungsverfahren
DE69534483T2 (de) Leiterrahmen und Halbleiterbauelement
EP2566308B1 (de) Verfahren zur Bestückung einer Leiterplatte
DE102008060615A1 (de) Licht aussendende Diode
DE102014118836A1 (de) Halbleiterbauteil
DE102009055691A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102017205116B4 (de) Halbleitervorrichtung und Fertigungsverfahren derselben
DE112016002608T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Leistungs-Halbleitervorrichtung und Leistungs-Halbleitervorrichtung
DE69628964T2 (de) Harzvergossenes Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren
DE102015103897B4 (de) Leitungsrahmen mit Kühlerplatte, Verfahren zur Herstellung eines Leitungsrahmens mit Kühlerplatte, Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE112014006653B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE102010060798A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Verpacken einer Halbleitervorrichtung mit einer Klemme
DE102016124270A1 (de) Halbleiter-package und verfahren zum fertigen eines halbleiter-package
DE102013103351A1 (de) Elektronikmodul
DE102015220639A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102016219084B4 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023480000

Ipc: H05K0007000000

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final