JPH05218222A - 樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方法 - Google Patents
樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方法Info
- Publication number
- JPH05218222A JPH05218222A JP1748792A JP1748792A JPH05218222A JP H05218222 A JPH05218222 A JP H05218222A JP 1748792 A JP1748792 A JP 1748792A JP 1748792 A JP1748792 A JP 1748792A JP H05218222 A JPH05218222 A JP H05218222A
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- JP
- Japan
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- resin
- chip
- leads
- lead
- semiconductor device
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- Pending
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- Wire Bonding (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】モールド樹脂パッケージを用い、フリップチッ
プ方式、中空パッケージの形態を採用し、高周波特性の
改善を実現することを最も主要な特徴とする。 【構成】リード1 ，2 ，3 ，4 がそれぞれ分離されてお
り、端部にバンプ5 が形成される。半導体チップ6 と上
記各リードはフリップチップ方式のボンディングがなさ
れる。エポキシ樹脂11によって、リード1 ，2 ，3 ，4
に接着されたチップ6 とその周辺の各リード端部を内部
に包み込む。このエポキシ樹脂11を覆うようにモールド
樹脂部材12により封止される。この封止時の熱により、
エポキシ樹脂11がモールド樹脂部材12中に吸収される。
これにより、中空のモールドパッケージとなる。
プ方式、中空パッケージの形態を採用し、高周波特性の
改善を実現することを最も主要な特徴とする。 【構成】リード1 ，2 ，3 ，4 がそれぞれ分離されてお
り、端部にバンプ5 が形成される。半導体チップ6 と上
記各リードはフリップチップ方式のボンディングがなさ
れる。エポキシ樹脂11によって、リード1 ，2 ，3 ，4
に接着されたチップ6 とその周辺の各リード端部を内部
に包み込む。このエポキシ樹脂11を覆うようにモールド
樹脂部材12により封止される。この封止時の熱により、
エポキシ樹脂11がモールド樹脂部材12中に吸収される。
これにより、中空のモールドパッケージとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は特にマイクロ波デバイ
ス等の樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方
法に関する。
ス等の樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来の樹脂封止型高周波用半導体
装置の構成を示す斜視図である。リード21は両端に伸び
るソース端子の共通リードである。このリード21上にチ
ップ22が固着されている。チップ22上には各電極パッド
23〜26が形成されている。ゲートに繋がる電極パッド23
はゲート（入力）端子であるリード27にボンディングワ
イヤ28により接続される。ドレインに繋がる電極パッド
24はドレイン（出力）端子であるリード29にボンディン
グワイヤ28により接続される。ソースに繋がる電極パッ
ド25，26はソース（接地）端子である上記リード21にボ
ンディングワイヤ28により接続される。
装置の構成を示す斜視図である。リード21は両端に伸び
るソース端子の共通リードである。このリード21上にチ
ップ22が固着されている。チップ22上には各電極パッド
23〜26が形成されている。ゲートに繋がる電極パッド23
はゲート（入力）端子であるリード27にボンディングワ
イヤ28により接続される。ドレインに繋がる電極パッド
24はドレイン（出力）端子であるリード29にボンディン
グワイヤ28により接続される。ソースに繋がる電極パッ
ド25，26はソース（接地）端子である上記リード21にボ
ンディングワイヤ28により接続される。
【０００３】上記構成のチップ22が破線で示すモールド
樹脂30により封止される。すなわち、チップ22及びチッ
プ22下のリード21、ボンディングワイヤ28及びリード2
1，27，29のボンディングワイヤ28接続部分を含んで緻
密に封止され製品化される。通常、超高周波用半導体装
置のパッケージはセラミック・パッケージが一般的であ
る。その理由は寄生容量を小さくすることができるから
である。
樹脂30により封止される。すなわち、チップ22及びチッ
プ22下のリード21、ボンディングワイヤ28及びリード2
1，27，29のボンディングワイヤ28接続部分を含んで緻
密に封止され製品化される。通常、超高周波用半導体装
置のパッケージはセラミック・パッケージが一般的であ
る。その理由は寄生容量を小さくすることができるから
である。
【０００４】一方、上記図７に示されるような樹脂によ
るパッケージは、セラミック・パッケージに比べて安価
である。このために、衛生放送等、民生用としての用途
に対してコスト・メリットが期待でき、有望である。
るパッケージは、セラミック・パッケージに比べて安価
である。このために、衛生放送等、民生用としての用途
に対してコスト・メリットが期待でき、有望である。
【０００５】しかしながら、上記図７に示されるような
樹脂によるパッケージは、チップ22全面にモールド樹脂
30が密着しているので、このモールド樹脂30が持つ固有
の誘電率により、デバイスの誘電損失が大きくなってし
まうという欠点がある。この誘電損失は扱われる周波数
が高くなるに従って、高周波特性を悪化させる。
樹脂によるパッケージは、チップ22全面にモールド樹脂
30が密着しているので、このモールド樹脂30が持つ固有
の誘電率により、デバイスの誘電損失が大きくなってし
まうという欠点がある。この誘電損失は扱われる周波数
が高くなるに従って、高周波特性を悪化させる。
【０００６】ボンディングワイヤ28の長さを短くしてリ
ード21，27，29のリアクタンスを低減させ、高周波特性
を改善するという方法もある。しかし、図７の構成のリ
ードフレームの形状を考えるとボンディングワイヤ28を
短くするには限界があり、この方法で高周波特性を改善
するのは困難である。従って、モールド樹脂によるパッ
ケージはコスト・ダウンには有効であるが、高周波用半
導体装置のパッケージとしては不向きである。
ード21，27，29のリアクタンスを低減させ、高周波特性
を改善するという方法もある。しかし、図７の構成のリ
ードフレームの形状を考えるとボンディングワイヤ28を
短くするには限界があり、この方法で高周波特性を改善
するのは困難である。従って、モールド樹脂によるパッ
ケージはコスト・ダウンには有効であるが、高周波用半
導体装置のパッケージとしては不向きである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来では
高周波用半導体装置のパッケージとしてモールド樹脂に
よるパッケージを採用すると高周波特性の改善が困難で
あるという欠点がある。
高周波用半導体装置のパッケージとしてモールド樹脂に
よるパッケージを採用すると高周波特性の改善が困難で
あるという欠点がある。
【０００８】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、高周波特性の改善が実
現され、安価な樹脂封止型高周波用半導体装置及びその
組立て方法を提供することにある。
されたものであり、その目的は、高周波特性の改善が実
現され、安価な樹脂封止型高周波用半導体装置及びその
組立て方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明の樹脂封止型高
周波用半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チッ
プ上に形成された電極パッドと、各々分離され接続端部
にバンプが形成された各リード端子と、前記各リード端
子のバンプと前記半導体チップの電極パッドが各々直接
ボンディングされる接続手段と、前記半導体チップ及び
リード端子の接続端周辺の領域が中空となって封止され
る樹脂封止部材とを具備したことを特徴としている。
周波用半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チッ
プ上に形成された電極パッドと、各々分離され接続端部
にバンプが形成された各リード端子と、前記各リード端
子のバンプと前記半導体チップの電極パッドが各々直接
ボンディングされる接続手段と、前記半導体チップ及び
リード端子の接続端周辺の領域が中空となって封止され
る樹脂封止部材とを具備したことを特徴としている。
【００１０】この発明の樹脂封止型高周波用半導体装置
の組立て方法は、各々分離されたリード端子の端部それ
ぞれに接続用バンプを形成する工程と、前記半導体チッ
プ上に形成された電極パッドと前記バンプが各々直接ボ
ンディングする工程と、前記チップ及びリードの接続端
周辺の部分をエポキシ系の樹脂で包み込む工程と、モー
ルド樹脂部材により前記エポキシ系の樹脂を覆い封止時
の熱により前記エポキシ系の樹脂をモールド樹脂部材中
に吸収させる工程とを具備したことを特徴としている。
の組立て方法は、各々分離されたリード端子の端部それ
ぞれに接続用バンプを形成する工程と、前記半導体チッ
プ上に形成された電極パッドと前記バンプが各々直接ボ
ンディングする工程と、前記チップ及びリードの接続端
周辺の部分をエポキシ系の樹脂で包み込む工程と、モー
ルド樹脂部材により前記エポキシ系の樹脂を覆い封止時
の熱により前記エポキシ系の樹脂をモールド樹脂部材中
に吸収させる工程とを具備したことを特徴としている。
【００１１】
【作用】分離されたリード端子は半導体チップとの直接
ボンディングに対し、位置合わせが容易であり高精度を
もたらす。また、リード端子と半導体チップとの直接ボ
ンディングの構成は半導体チップのボンディング状態を
各リード端子のリアクタンスを低減する。さらに、モー
ルド樹脂部材により前記エポキシ系の樹脂を覆い封止時
の熱により前記エポキシ系の樹脂をモールド樹脂部材中
に吸収させて、中空パッケージを構成する。このような
方法を採用して高周波特性の改善を実現する。
ボンディングに対し、位置合わせが容易であり高精度を
もたらす。また、リード端子と半導体チップとの直接ボ
ンディングの構成は半導体チップのボンディング状態を
各リード端子のリアクタンスを低減する。さらに、モー
ルド樹脂部材により前記エポキシ系の樹脂を覆い封止時
の熱により前記エポキシ系の樹脂をモールド樹脂部材中
に吸収させて、中空パッケージを構成する。このような
方法を採用して高周波特性の改善を実現する。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。図１〜図６はこの発明の樹脂封止型高周波
用半導体装置の組立て方法を順次示す構成の斜視図であ
る。
り説明する。図１〜図６はこの発明の樹脂封止型高周波
用半導体装置の組立て方法を順次示す構成の斜視図であ
る。
【００１３】図１はリードフレームの構成を示してい
る。図１に示されるように、リード1，2 ，3 ，4 と４
端子それぞれ分離された状態になっている。フリップチ
ップ方式のボンディングがなされるため、リード1 ，2
，3 ，4 それぞれの端部には例えばＡｕＳｎからなる
バンプ5 が形成される。
る。図１に示されるように、リード1，2 ，3 ，4 と４
端子それぞれ分離された状態になっている。フリップチ
ップ方式のボンディングがなされるため、リード1 ，2
，3 ，4 それぞれの端部には例えばＡｕＳｎからなる
バンプ5 が形成される。
【００１４】図２、図３は上記図１の分離された４端子
に対し、半導体チップ6 がフリップチップ方式によりボ
ンディングされた状態を示す。なお、図３は図２の構成
を裏側からみた斜視図である。
に対し、半導体チップ6 がフリップチップ方式によりボ
ンディングされた状態を示す。なお、図３は図２の構成
を裏側からみた斜視図である。
【００１５】各バンプ5 により、チップ6 のゲート、ド
レイン、ソースの各電極パッド7 〜10（図３に図示）と
リード1 ，2 ，3 ，4 とが直接ボンディングされる。リ
ード1 はゲート（入力）端子、リード2 はドレイン（出
力）端子、リード3 ，4 はソース（接地）端子となる。
各バンプ5 と各電極パッドとは３００℃前後の加熱で接
着される。
レイン、ソースの各電極パッド7 〜10（図３に図示）と
リード1 ，2 ，3 ，4 とが直接ボンディングされる。リ
ード1 はゲート（入力）端子、リード2 はドレイン（出
力）端子、リード3 ，4 はソース（接地）端子となる。
各バンプ5 と各電極パッドとは３００℃前後の加熱で接
着される。
【００１６】各リード1 ，2 ，3 ，4 がそれぞれ分離さ
れているので、チップ6 がボンディングされる中心部
は、リードが抜けた形状となっている（図３）。このよ
うなリード形態はチップ6 のボンディング状態を確認す
ることが容易である。よって、フリップチップ方式によ
るボンディングでも位置合わせが容易で、精度良くでき
る。
れているので、チップ6 がボンディングされる中心部
は、リードが抜けた形状となっている（図３）。このよ
うなリード形態はチップ6 のボンディング状態を確認す
ることが容易である。よって、フリップチップ方式によ
るボンディングでも位置合わせが容易で、精度良くでき
る。
【００１７】図４に示されるように、フェノール・ノボ
ラック系のエポキシ樹脂（あるいはワックス）11によっ
て、リードに接着されたチップ6 とその周辺の各リード
1 ，2 ，3 ，4 端部を内部に包み込む。
ラック系のエポキシ樹脂（あるいはワックス）11によっ
て、リードに接着されたチップ6 とその周辺の各リード
1 ，2 ，3 ，4 端部を内部に包み込む。
【００１８】図５に示されるように、上記エポキシ樹脂
11を覆うようにモールド樹脂部材12により封止する。モ
ールド樹脂部材12の封止時の熱により、図４で示すエポ
キシ樹脂11がモールド樹脂部材12中に吸収される。これ
により、図６の断面図に示されるように、中空のモール
ドパッケージとなる。
11を覆うようにモールド樹脂部材12により封止する。モ
ールド樹脂部材12の封止時の熱により、図４で示すエポ
キシ樹脂11がモールド樹脂部材12中に吸収される。これ
により、図６の断面図に示されるように、中空のモール
ドパッケージとなる。
【００１９】上記実施例によれば、第１にフリップチッ
プ方式を採用したことにより、チップ6 と各リード1 ，
2 ，3 ，4 とがボンディングワイヤなしに接続可能とな
る。この構成はリード1 ，2 ，3 ，4 のリアクタンスの
低減に寄与する。従って、高周波特性が改善される。ま
た、ボンディングワイヤでの接続よりも、モールド歪み
に対して強度が優れている。
プ方式を採用したことにより、チップ6 と各リード1 ，
2 ，3 ，4 とがボンディングワイヤなしに接続可能とな
る。この構成はリード1 ，2 ，3 ，4 のリアクタンスの
低減に寄与する。従って、高周波特性が改善される。ま
た、ボンディングワイヤでの接続よりも、モールド歪み
に対して強度が優れている。
【００２０】第２に各リード1 ，2 ，3 ，4 とが分離し
ているため、フリップチップ方式を採用するにあたり、
チップ6 と各リード1 ，2 ，3 ，4 とのボンディング位
置合わせが容易である。
ているため、フリップチップ方式を採用するにあたり、
チップ6 と各リード1 ，2 ，3 ，4 とのボンディング位
置合わせが容易である。
【００２１】第３に中空のモールド樹脂パッケージを構
成するので、チップ6 にモールド樹脂部材12が密着しな
い。従って、誘電損失がほとんどなく、高周波特性が改
善される。しかも、モールド樹脂パッケージはセラミッ
クパッケージよりも格段に安価である。
成するので、チップ6 にモールド樹脂部材12が密着しな
い。従って、誘電損失がほとんどなく、高周波特性が改
善される。しかも、モールド樹脂パッケージはセラミッ
クパッケージよりも格段に安価である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
モールド樹脂パッケージを用い、分離されたリード端
子、フリップチップ方式、中空パッケージを採用するこ
とにより、高周波特性が改善され、安価で信頼性の高い
樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方法が提
供できる。
モールド樹脂パッケージを用い、分離されたリード端
子、フリップチップ方式、中空パッケージを採用するこ
とにより、高周波特性が改善され、安価で信頼性の高い
樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方法が提
供できる。
【図１】この発明の組立て方法の構成を示す第１の斜視
図。
図。
【図２】この発明の組立て方法の構成を示す第２の斜視
図。
図。
【図３】図２の構成を裏側からみた斜視図。
【図４】この発明の組立て方法の構成を示す第３の斜視
図。
図。
【図５】この発明の組立て方法の構成を示す第４の斜視
図。
図。
【図６】図５のＳ−Ｓ′線に沿う断面図。
【図７】従来の樹脂封止型高周波用半導体装置の構成を
示す斜視図。
示す斜視図。
1，2 ，3 ，4 …リード、 5…バンプ、 6…半導体チッ
プ、 7，8 ，9 ，10…電極パッド、11…エポキシ樹脂、
12…モールド樹脂部材。
プ、 7，8 ，9 ，10…電極パッド、11…エポキシ樹脂、
12…モールド樹脂部材。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップと、前記半導体チップ上に
形成された電極パッドと、各々分離され接続端部にバン
プが形成された各リード端子と、前記各リード端子のバ
ンプと前記半導体チップの電極パッドが各々直接ボンデ
ィングされる接続手段と、前記半導体チップ及びリード
端子の接続端周辺の領域が中空となって封止される樹脂
封止部材とを具備したことを特徴とする樹脂封止型高周
波用半導体装置。 - 【請求項２】 各々分離されたリード端子の端部それぞ
れに接続用バンプを形成する工程と、前記半導体チップ
上に形成された電極パッドと前記バンプが各々直接ボン
ディングする工程と、前記チップ及びリードの接続端周
辺の部分をエポキシ系の樹脂で包み込む工程と、モール
ド樹脂部材により前記エポキシ系の樹脂を覆い封止時の
熱により前記エポキシ系の樹脂をモールド樹脂部材中に
吸収させる工程とを具備したことを特徴とする樹脂封止
型高周波用半導体装置の組立て方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1748792A JPH05218222A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1748792A JPH05218222A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218222A true JPH05218222A (ja) | 1993-08-27 |
Family
ID=11945363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1748792A Pending JPH05218222A (ja) | 1992-02-03 | 1992-02-03 | 樹脂封止型高周波用半導体装置及びその組立て方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05218222A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7116184B2 (en) | 2001-03-01 | 2006-10-03 | Kanji Otsuka | Method of terminating bus, bus termination resistor, and wiring substrate having terminated buses and method of its manufacture |
| JP2015082600A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | スミダコーポレーション株式会社 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| JP2017204660A (ja) * | 2017-08-29 | 2017-11-16 | スミダコーポレーション株式会社 | 電子部品の製造方法 |
-
1992
- 1992-02-03 JP JP1748792A patent/JPH05218222A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7116184B2 (en) | 2001-03-01 | 2006-10-03 | Kanji Otsuka | Method of terminating bus, bus termination resistor, and wiring substrate having terminated buses and method of its manufacture |
| US7631422B2 (en) | 2001-03-01 | 2009-12-15 | Kanji Otsuka | Method of manufacturing wiring substrate having terminated buses |
| JP2015082600A (ja) * | 2013-10-23 | 2015-04-27 | スミダコーポレーション株式会社 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| JP2017204660A (ja) * | 2017-08-29 | 2017-11-16 | スミダコーポレーション株式会社 | 電子部品の製造方法 |
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