JPH09213868A - マイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ム - Google Patents
マイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ムInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フルモ−ルドパッケ−ジにおいて、信号端子
間のアイソレ−ションを向上させ、高周波でもフルモ−
ルドパッケ−ジを使用し得るマイクロ波半導体集積回路
用リ−ドフレ−ムを提供すること。 【解決手段】 信号端子1,4,6,8,9,12,13,15,1
7,20のうち8,9及び12,13は、パッケ−ジ内で1本に
なっており、マイクロ波帯での入力インピ−ダンスが得
られるように構成されている。また、信号端子8,9及び
12,13は、接地端子である7,10及び11,14で囲み、そ
して、そのうちの接地端子10と11は最外端子となってい
る。一方、半導体チップ22は、マウントアイランド21に
マウント材で接着されており、ボンディングワイヤ23で
リ−ドと接続されており、これらをモ−ルド材で封入し
てなるリ−ドフレ−ム。このように、同一の信号端子を
パッケ−ジ内でマウントアイランドと一体の接地用リ−
ドで挟み、その接地端子を最外端子に構成することで、
信号端子間のアイソレ−ションを向上させることができ
る。
間のアイソレ−ションを向上させ、高周波でもフルモ−
ルドパッケ−ジを使用し得るマイクロ波半導体集積回路
用リ−ドフレ−ムを提供すること。 【解決手段】 信号端子1,4,6,8,9,12,13,15,1
7,20のうち8,9及び12,13は、パッケ−ジ内で1本に
なっており、マイクロ波帯での入力インピ−ダンスが得
られるように構成されている。また、信号端子8,9及び
12,13は、接地端子である7,10及び11,14で囲み、そ
して、そのうちの接地端子10と11は最外端子となってい
る。一方、半導体チップ22は、マウントアイランド21に
マウント材で接着されており、ボンディングワイヤ23で
リ−ドと接続されており、これらをモ−ルド材で封入し
てなるリ−ドフレ−ム。このように、同一の信号端子を
パッケ−ジ内でマウントアイランドと一体の接地用リ−
ドで挟み、その接地端子を最外端子に構成することで、
信号端子間のアイソレ−ションを向上させることができ
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置用リ−
ドフレ−ムに係り、特に信号端子と接地端子とを有する
マイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ムに関する。
ドフレ−ムに係り、特に信号端子と接地端子とを有する
マイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置用リ−ドフレ−ムにつ
いては、例えば特開昭64−84626号公報や特開昭63−202
948号公報に記載のリ−ドフレ−ムが知られている。以
下、これらの従来の半導体装置用リ−ドフレ−ムについ
て図面を参照して説明するが、本明細書において、特開
昭64−84626号公報に記載の半導体装置用リ−ドフレ−
ムを“従来例1”と称し、特開昭63−202948号公報に記
載のそれを“従来例2”と称する。
いては、例えば特開昭64−84626号公報や特開昭63−202
948号公報に記載のリ−ドフレ−ムが知られている。以
下、これらの従来の半導体装置用リ−ドフレ−ムについ
て図面を参照して説明するが、本明細書において、特開
昭64−84626号公報に記載の半導体装置用リ−ドフレ−
ムを“従来例1”と称し、特開昭63−202948号公報に記
載のそれを“従来例2”と称する。
【0003】(従来例1)図3は、従来例1の半導体装
置用リ−ドフレ−ムを説明する図であって、そのうち
(A)は、インナ−リ−ド部の拡大図であり、(B)は、
(A)のA−A線断面図である。図中、31はポリイミドフ
イルム、32はインナ−リ−ド(リ−ド端子)、33はスル−
ホ−ル、34は共通のパタ−ン、35は半導体チップ、36は
ボンディングパット、37はバンプ、38はフイルムキャリ
ア側のパタ−ンである。
置用リ−ドフレ−ムを説明する図であって、そのうち
(A)は、インナ−リ−ド部の拡大図であり、(B)は、
(A)のA−A線断面図である。図中、31はポリイミドフ
イルム、32はインナ−リ−ド(リ−ド端子)、33はスル−
ホ−ル、34は共通のパタ−ン、35は半導体チップ、36は
ボンディングパット、37はバンプ、38はフイルムキャリ
ア側のパタ−ンである。
【0004】従来例1における信号端子(インナ−リ−
ド32)は、接地ラインで挟み、所定のインピ−ダンスに
なる様に設計されており、更に、信号ラインを接地用ラ
インで挟んでいることで、信号ライン間のアイソレ−シ
ョンの向上を図っている。また、半導体チップ35のマウ
ントは、ボンディングワイヤの影響を避けるため、ボン
ディングワイヤレス直接ソルダ−にて、信号ラインとボ
ンディングパット36とを接続している。
ド32)は、接地ラインで挟み、所定のインピ−ダンスに
なる様に設計されており、更に、信号ラインを接地用ラ
インで挟んでいることで、信号ライン間のアイソレ−シ
ョンの向上を図っている。また、半導体チップ35のマウ
ントは、ボンディングワイヤの影響を避けるため、ボン
ディングワイヤレス直接ソルダ−にて、信号ラインとボ
ンディングパット36とを接続している。
【0005】(従来例2)図4は、従来例2の半導体装
置用リ−ドフレ−ムを示す図であって、図4中の41〜50
はリ−ド端子、51は突出部、52は半導体チップ、53はボ
ンディングワイヤである。
置用リ−ドフレ−ムを示す図であって、図4中の41〜50
はリ−ド端子、51は突出部、52は半導体チップ、53はボ
ンディングワイヤである。
【0006】従来例2において、半導体チップ52は、マ
ウントアイランドにマウント材にてマウントしており、
突出部51は、半導体チップ52の端面近くのマウントアイ
ランドに形成され、ボンディングワイヤ53にて接続され
ている。また、接地用リ−ド端子は、マウントアイラン
ドと一体化しているので、組立構造によるア−ス電位上
昇や寄生インダクタンスによる電気特性の低下を低減し
ている。
ウントアイランドにマウント材にてマウントしており、
突出部51は、半導体チップ52の端面近くのマウントアイ
ランドに形成され、ボンディングワイヤ53にて接続され
ている。また、接地用リ−ド端子は、マウントアイラン
ドと一体化しているので、組立構造によるア−ス電位上
昇や寄生インダクタンスによる電気特性の低下を低減し
ている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記従来例
1の半導体装置用リ−ドフレ−ムでは、ボンディングワ
イヤレスのため、組立工程時の歩留まりが低下するとい
う問題点を有している。その理由は、ボンディングワイ
ヤレスのものであり、図3(A),(B)に示したように、
ボンディングパッド36とリ−ド(インナ−リ−ド32)とを
バンプ37により直接的に接続する構成からなるため、マ
ウント工程時の位置精度が必要とされるからである。
1の半導体装置用リ−ドフレ−ムでは、ボンディングワ
イヤレスのため、組立工程時の歩留まりが低下するとい
う問題点を有している。その理由は、ボンディングワイ
ヤレスのものであり、図3(A),(B)に示したように、
ボンディングパッド36とリ−ド(インナ−リ−ド32)とを
バンプ37により直接的に接続する構成からなるため、マ
ウント工程時の位置精度が必要とされるからである。
【0008】一方、前記従来例2の半導体装置用リ−ド
フレ−ムでは、モ−ルドにおいてはリ−ドでのロスが大
きく、10GHzを超える周波数ではモ−ルドは実現でき
ないという欠点を有している。その理由は、信号用のリ
−ドは、図4に示したように、各1本づつであるため、
封止材による寄生容量等による影響を受けるからであ
る。
フレ−ムでは、モ−ルドにおいてはリ−ドでのロスが大
きく、10GHzを超える周波数ではモ−ルドは実現でき
ないという欠点を有している。その理由は、信号用のリ
−ドは、図4に示したように、各1本づつであるため、
封止材による寄生容量等による影響を受けるからであ
る。
【0009】本発明は、上記問題点及び欠点に鑑み成さ
れたものであって、その目的とするところは、フルモ−
ルドパッケ−ジにおいて、信号端子間のアイソレ−ショ
ンを向上させ、高周波でもフルモ−ルドパッケ−ジを使
用し得る半導体装置用リ−ドフレ−ム、特に信号端子と
接地端子とを有するマイクロ波半導体集積回路用リ−ド
フレ−ムを提供することにある。
れたものであって、その目的とするところは、フルモ−
ルドパッケ−ジにおいて、信号端子間のアイソレ−ショ
ンを向上させ、高周波でもフルモ−ルドパッケ−ジを使
用し得る半導体装置用リ−ドフレ−ム、特に信号端子と
接地端子とを有するマイクロ波半導体集積回路用リ−ド
フレ−ムを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係るリ−ドフレ
−ムは、信号端子と接地端子とを有するマイクロ波半導
体集積回路用リ−ドフレ−ムであって、その信号端子を
マウントアイランドと一体の接地端子で挟み、端子の最
外端子にその接地端子を構成することを特徴とし、これ
により前記目的とするマイクロ波半導体集積回路用リ−
ドフレ−ムを提供するものである。
−ムは、信号端子と接地端子とを有するマイクロ波半導
体集積回路用リ−ドフレ−ムであって、その信号端子を
マウントアイランドと一体の接地端子で挟み、端子の最
外端子にその接地端子を構成することを特徴とし、これ
により前記目的とするマイクロ波半導体集積回路用リ−
ドフレ−ムを提供するものである。
【0011】即ち、本発明に係るリ−ドフレ−ムは、
「対向する辺に信号端子を持ち、マウントアイランドと
一体化された接地端子を最外周の信号端子よりも外側に
配置し、信号端子の周りに接地端子を設け、リ−ド間の
アイソレ−ションを向上させることを特徴とするマイク
ロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ム。」(請求項1)を
要旨とする。
「対向する辺に信号端子を持ち、マウントアイランドと
一体化された接地端子を最外周の信号端子よりも外側に
配置し、信号端子の周りに接地端子を設け、リ−ド間の
アイソレ−ションを向上させることを特徴とするマイク
ロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ム。」(請求項1)を
要旨とする。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明に係るリ−ドフレ−ムは、
具体的には、フルモ−ルドパッケ−ジにおいて、信号端
子間のアイソレ−ションを20dB以上取るため、マウン
トアイランドと一体の接地用端子で挟み、端子の最外端
子にその接地端子を構成し、高周波でもフルモ−ルドパ
ッケ−ジを使用することができるようにしたものであ
る。即ち、例えば10GHzを超える信号を扱う製品のモ
−ルドパッケ−ジとして、信号端子間のアイソレ−ショ
ンを取るため、信号端子を接地端子で囲み、端子の最外
端子にその接地端子を構成する構造からなるものであ
る。
具体的には、フルモ−ルドパッケ−ジにおいて、信号端
子間のアイソレ−ションを20dB以上取るため、マウン
トアイランドと一体の接地用端子で挟み、端子の最外端
子にその接地端子を構成し、高周波でもフルモ−ルドパ
ッケ−ジを使用することができるようにしたものであ
る。即ち、例えば10GHzを超える信号を扱う製品のモ
−ルドパッケ−ジとして、信号端子間のアイソレ−ショ
ンを取るため、信号端子を接地端子で囲み、端子の最外
端子にその接地端子を構成する構造からなるものであ
る。
【0013】
【作用】本発明に係るリ−ドフレ−ムは、同一の信号端
子をパッケ−ジ内でマウントアイランドと一体の接地用
リ−ドで挟み、その接地端子を最外端子に構成すること
で、信号端子間のアイソレ−ションを向上させることが
できる作用が生じる。
子をパッケ−ジ内でマウントアイランドと一体の接地用
リ−ドで挟み、その接地端子を最外端子に構成すること
で、信号端子間のアイソレ−ションを向上させることが
できる作用が生じる。
【0014】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例により限
定されるものではなく、前記した本発明の要旨を逸脱し
ない範囲内で種々の変形、変更が可能なものである。
て詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例により限
定されるものではなく、前記した本発明の要旨を逸脱し
ない範囲内で種々の変形、変更が可能なものである。
【0015】(実施例)図1は、本発明の一実施例であ
るリ−ドフレ−ムを示す図である。図1中の1〜20はリ
−ド端子、21はマウントアイランド、22は半導体チッ
プ、23はボンディングワイヤである。
るリ−ドフレ−ムを示す図である。図1中の1〜20はリ
−ド端子、21はマウントアイランド、22は半導体チッ
プ、23はボンディングワイヤである。
【0016】本実施例において、1,4,6,8,9,12,1
3,15,17,20は信号端子であって、そのうち8,9及び1
2,13は、パッケ−ジ内で1本になっており、マイクロ
波帯での入力インピ−ダンスが得られるように構成され
ている。
3,15,17,20は信号端子であって、そのうち8,9及び1
2,13は、パッケ−ジ内で1本になっており、マイクロ
波帯での入力インピ−ダンスが得られるように構成され
ている。
【0017】上記信号端子8,9及び12,13は、接地端子
である7,10及び11,14で囲み、そして、そのうちの接
地端子10と11は最外端子となっている。一方、半導体チ
ップ22は、マウントアイランド21にマウント材で接着さ
れており、ボンディングワイヤ23でリ−ドと接続されて
おり、これらをモ−ルド材で封入し、気密を図ってい
る。
である7,10及び11,14で囲み、そして、そのうちの接
地端子10と11は最外端子となっている。一方、半導体チ
ップ22は、マウントアイランド21にマウント材で接着さ
れており、ボンディングワイヤ23でリ−ドと接続されて
おり、これらをモ−ルド材で封入し、気密を図ってい
る。
【0018】本実施例に係るリ−ドフレ−ムの用途とし
ては、例えば2入力2出力のDBS用MMICに好適で
ある。この場合、信号端子8,9のピンを第1のRF信号
の入力端子、信号端子6のピンを第1のロ−カル信号入
力端子、信号端子1のピンを第1のIF信号出力端子と
し、一方、信号端子12,13を第2のRF信号入力端子、
信号端子15のピンを第2のロ−カル信号入力端子、信号
端子20のピンを第2のIF信号出力端子とすることがで
きる。
ては、例えば2入力2出力のDBS用MMICに好適で
ある。この場合、信号端子8,9のピンを第1のRF信号
の入力端子、信号端子6のピンを第1のロ−カル信号入
力端子、信号端子1のピンを第1のIF信号出力端子と
し、一方、信号端子12,13を第2のRF信号入力端子、
信号端子15のピンを第2のロ−カル信号入力端子、信号
端子20のピンを第2のIF信号出力端子とすることがで
きる。
【0019】ところで、RF周波数は10〜13GHzであ
り、第1と第2のRF信号入力端子間は、20dB以上の
アイソレ−ションを必要とするので、本実施例に係るリ
−ドフレ−ムのように信号端子の両側を接地端子で囲
み、その接地端子は最外端子に構成する必要がある。ま
た、IF周波数は0.9〜2.2GHzであるので、従来の技
術で20dB以上のアイソレ−ションが得られる。
り、第1と第2のRF信号入力端子間は、20dB以上の
アイソレ−ションを必要とするので、本実施例に係るリ
−ドフレ−ムのように信号端子の両側を接地端子で囲
み、その接地端子は最外端子に構成する必要がある。ま
た、IF周波数は0.9〜2.2GHzであるので、従来の技
術で20dB以上のアイソレ−ションが得られる。
【0020】次に、本実施例に係るリ−ドフレ−ムの特
性について、図2に基づいて説明する。なお、図2は対
向する端子間のアイソレ−ションを示す図であって、そ
のうち(A)は、信号端子1と信号端子20との間のアイソ
レ−ションを示し、(B)は、信号端子8,9と信号端子1
2,13との間のアイソレ−ションを示す。
性について、図2に基づいて説明する。なお、図2は対
向する端子間のアイソレ−ションを示す図であって、そ
のうち(A)は、信号端子1と信号端子20との間のアイソ
レ−ションを示し、(B)は、信号端子8,9と信号端子1
2,13との間のアイソレ−ションを示す。
【0021】図2(A)から、20dB以上のアイソレ−シ
ョンを得るには、5GHzが上限であり、それ以上の周
波数では十分な特性が得られていないことが理解でき
る。一方、図2(B)において、13GHz程度まで20dB
以上のアイソレ−ションが得られている。
ョンを得るには、5GHzが上限であり、それ以上の周
波数では十分な特性が得られていないことが理解でき
る。一方、図2(B)において、13GHz程度まで20dB
以上のアイソレ−ションが得られている。
【0022】本実施例に係るリ−ドフレ−ムの用途とし
て2入力2出力DBS用MMICに適用した例では、前
記したように、第1のRF信号端子を8,9のピン、第2
のRF信号端子を12,13のピンにしており、図2(B)の
結果から、リ−ドフレ−ムによるアイソレ−ションへの
影響はない。また、第1のIF信号端子を1のピン、第
2のIF信号端子を20のピンにすることは、図2(A)よ
り、リ−ドフレ−ムによるアイソレ−ションの影響はな
く、フルモ−ルドパッケ− ジでの実現が可能であるこ
とが理解できる。
て2入力2出力DBS用MMICに適用した例では、前
記したように、第1のRF信号端子を8,9のピン、第2
のRF信号端子を12,13のピンにしており、図2(B)の
結果から、リ−ドフレ−ムによるアイソレ−ションへの
影響はない。また、第1のIF信号端子を1のピン、第
2のIF信号端子を20のピンにすることは、図2(A)よ
り、リ−ドフレ−ムによるアイソレ−ションの影響はな
く、フルモ−ルドパッケ− ジでの実現が可能であるこ
とが理解できる。
【0023】なお、従来技術では、端子間のアイソレ−
ションは、図2(A)のような特性で、DBS用MMIC
等の10GHzを超える信号を扱うフルモ−ルドパッケ−
ジのリ−ドフレ−ムには、本実施例に係るリ−ドフレ−
ムの構成を少なくとも1ケ所用いなければ実現しないこ
とが理解できる。
ションは、図2(A)のような特性で、DBS用MMIC
等の10GHzを超える信号を扱うフルモ−ルドパッケ−
ジのリ−ドフレ−ムには、本実施例に係るリ−ドフレ−
ムの構成を少なくとも1ケ所用いなければ実現しないこ
とが理解できる。
【0024】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したとおり、リ−ド
フレ−ムの信号端子をマウントアイランドと一体の接地
端子で挟み、端子の最外端子にその接地端子を構成する
ことを特徴とし、これにより、10GHzを超えてもアイ
ソレ−ションを十分取れるという効果が生じる。
フレ−ムの信号端子をマウントアイランドと一体の接地
端子で挟み、端子の最外端子にその接地端子を構成する
ことを特徴とし、これにより、10GHzを超えてもアイ
ソレ−ションを十分取れるという効果が生じる。
【0025】その結果、本発明によれば、10GHzを超
える信号をフルモ−ルドパッケ−ジで扱えるようになる
という顕著な効果が生じる。その理由は、10GHzを超
える信号が入力される端子は、接地端子で囲み、端子の
最外端子にその接地端子を構成しているからである。
える信号をフルモ−ルドパッケ−ジで扱えるようになる
という顕著な効果が生じる。その理由は、10GHzを超
える信号が入力される端子は、接地端子で囲み、端子の
最外端子にその接地端子を構成しているからである。
【図1】本発明の一実施例であるリ−ドフレ−ムを示す
図。
図。
【図2】対向する端子間のアイソレ−ションを示す本発
明の実施例の特性図であって、そのうち(A)は、信号端
子1と信号端子20との間のアイソレ−ションを示し、
(B)は、信号端子8,9と端子12,13との間のアイソレ−
ションを示す図。
明の実施例の特性図であって、そのうち(A)は、信号端
子1と信号端子20との間のアイソレ−ションを示し、
(B)は、信号端子8,9と端子12,13との間のアイソレ−
ションを示す図。
【図3】従来例1の半導体装置用リ−ドフレ−ムを説明
する図であって、そのうち(A)は、インナ−リ−ド部の
拡大図であり、(B)は、(A)のA−A線断面図。
する図であって、そのうち(A)は、インナ−リ−ド部の
拡大図であり、(B)は、(A)のA−A線断面図。
【図4】従来例2の半導体装置用リ−ドフレ−ムを示す
図。
図。
1〜20 リ−ド端子 21 マウンドアイランド 22 半導体チップ 23 ボンディングワイヤ 31 ポリイミドフイルム 32 インナ−リ−ド(リ−ド端子) 33 スル−ホ−ル 34 共通のパタ−ン 35 半導体チップ 36 ボンディングパット 37 バンプ 38 フイルムキャリア側のパタ−ン 41〜50 リ−ド端子 51 突出部 52 半導体チップ 53 ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 【請求項1】 対向する辺に信号端子を持ち、マウント
アイランドと一体化された接地端子を最外周の信号端子
よりも外側に配置し、信号端子の周りに接地端子を設
け、リ−ド間のアイソレ−ションを向上させることを特
徴とするマイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1440196A JPH09213868A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | マイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1440196A JPH09213868A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | マイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09213868A true JPH09213868A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=11860034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1440196A Pending JPH09213868A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | マイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09213868A (ja) |
Cited By (5)
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---|---|---|---|---|
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-
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- 1996-01-30 JP JP1440196A patent/JPH09213868A/ja active Pending
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