JPH0563136A - 混成集積回路装置 - Google Patents
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- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ペレットに設けられた電極と基板に設
けられた内部電極との間におけるインダクタンス分が小
さく、放熱性が優れており、高周波用混成集積回路装置
に好適の混成集積回路装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 半導体ペレット4の電極面にはバンプ6が設
けられており、半導体ペレット4はこのバンプ6を介し
て基板1の凹部内に設けられた内部電極10に接合され
ている。この半導体ペレット4の電極形成面に対向する
面には、接着材8により金属板3が接合されている。こ
の金属板3により、基板1の凹部は閉塞されている。
けられた内部電極との間におけるインダクタンス分が小
さく、放熱性が優れており、高周波用混成集積回路装置
に好適の混成集積回路装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 半導体ペレット4の電極面にはバンプ6が設
けられており、半導体ペレット4はこのバンプ6を介し
て基板1の凹部内に設けられた内部電極10に接合され
ている。この半導体ペレット4の電極形成面に対向する
面には、接着材8により金属板3が接合されている。こ
の金属板3により、基板1の凹部は閉塞されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、特に高周波用混成集積
回路装置に好適の混成集積回路装置に関する。
回路装置に好適の混成集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図3は従来のLCC(リードレスチップ
キャリア)パッケージ型の混成集積回路装置を示す断面
図である。
キャリア)パッケージ型の混成集積回路装置を示す断面
図である。
【0003】セラミック又は有機材料からなる基板21
の上面中央部には凹部が設けられており、半導体ペレッ
ト24はこの凹部内にその電極形成面を上にして接着材
28により接合されている。
の上面中央部には凹部が設けられており、半導体ペレッ
ト24はこの凹部内にその電極形成面を上にして接着材
28により接合されている。
【0004】基板21の側部には複数の端面スルーホー
ル22及びこの端面スルーホール22に対応した外部電
極30が設けられている。これらの外部電極30は前記
凹部内に設けられた内部電極27に電気的に接続されて
いる。そして、この内部電極27と半導体ペレット24
に設けられた電極とは、金線26により電気的に接続さ
れている。
ル22及びこの端面スルーホール22に対応した外部電
極30が設けられている。これらの外部電極30は前記
凹部内に設けられた内部電極27に電気的に接続されて
いる。そして、この内部電極27と半導体ペレット24
に設けられた電極とは、金線26により電気的に接続さ
れている。
【0005】基板21上面の凹部周囲には樹脂枠29が
設けられている。そして、凹部内には樹脂23が充填さ
れており、半導体ペレット24及び金線26はこの樹脂
23により封止されている。
設けられている。そして、凹部内には樹脂23が充填さ
れており、半導体ペレット24及び金線26はこの樹脂
23により封止されている。
【0006】なお、基板21の下面には接地パターン2
5が設けられており、この接地パターン25は接地電位
に保持されるようになっている。
5が設けられており、この接地パターン25は接地電位
に保持されるようになっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
混成集積回路装置においては、低周波且つ低電力で動作
する装置については不都合はないものの、高周波用混成
集積回路においては、以下に示す問題点がある。
混成集積回路装置においては、低周波且つ低電力で動作
する装置については不都合はないものの、高周波用混成
集積回路においては、以下に示す問題点がある。
【0008】アナログ系の混成集積回路装置においては
100MHz以上、ディジタル系の混成集積回路装置にお
いては1GHz以上の高周波信号の場合に、信号の周波
数が高いので、配線インピーダンスのインダクタンス分
が信号伝達率に大きな影響を及ぼす。金線26による接
続方法(ワイヤボンディング法)では、金線26の長さ
が約 3mm程度のループ形状を描くため、インダクタンス
分が数nHと大きくなり、信号伝達率が悪く、信号の入
力及び出力が困難になる。また、一般的に、高周波用の
半導体部品は、高速性を重視するため、消費電力が大き
く、自己発熱量が大きいという傾向がある。従来の高周
波用混成集積回路装置においては、放熱性が十分である
とはいえない。
100MHz以上、ディジタル系の混成集積回路装置にお
いては1GHz以上の高周波信号の場合に、信号の周波
数が高いので、配線インピーダンスのインダクタンス分
が信号伝達率に大きな影響を及ぼす。金線26による接
続方法(ワイヤボンディング法)では、金線26の長さ
が約 3mm程度のループ形状を描くため、インダクタンス
分が数nHと大きくなり、信号伝達率が悪く、信号の入
力及び出力が困難になる。また、一般的に、高周波用の
半導体部品は、高速性を重視するため、消費電力が大き
く、自己発熱量が大きいという傾向がある。従来の高周
波用混成集積回路装置においては、放熱性が十分である
とはいえない。
【0009】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、半導体チップと基板との間におけるインダ
クタンス分が小さく、放熱性が優れた混成集積回路装置
を提供することを目的とする。
のであって、半導体チップと基板との間におけるインダ
クタンス分が小さく、放熱性が優れた混成集積回路装置
を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る混成集積回
路装置は、一方の面に凹部が設けられていると共にこの
凹部内に内部電極が設けられた基板と、電極面にバンプ
が設けられておりこのバンプを介して前記基板の前記内
部電極に接合された半導体ペレットと、この半導体ペレ
ットの前記電極形成面に対向する面に接合されて前記基
板の凹部を閉塞する金属板とを有することを特徴とす
る。
路装置は、一方の面に凹部が設けられていると共にこの
凹部内に内部電極が設けられた基板と、電極面にバンプ
が設けられておりこのバンプを介して前記基板の前記内
部電極に接合された半導体ペレットと、この半導体ペレ
ットの前記電極形成面に対向する面に接合されて前記基
板の凹部を閉塞する金属板とを有することを特徴とす
る。
【0011】
【作用】本発明においては、半導体チップに設けられた
電極と基板の凹部内に設けられた内部電極とがバンプ
(金属突起)を介して接合されている。従って、半導体
チップの電極と基板の内部電極との間の距離が極めて短
く、金線により接続する場合に比してインダクタンス分
を著しく低減することができる。また、この半導体チッ
プの電極形成面に対向する面には金属板が接合されてお
り、この金属板により、前記基板の凹部が閉塞されてい
る。即ち、従来、半導体ペレットで発生した熱は、セラ
ミック又は有機材料からなる基板を介して放散されるの
に対し、本発明においては、熱伝導率が優れた金属板を
介して放熱される。従って、本発明に係る混成集積回路
装置は、放熱性が良好である。
電極と基板の凹部内に設けられた内部電極とがバンプ
(金属突起)を介して接合されている。従って、半導体
チップの電極と基板の内部電極との間の距離が極めて短
く、金線により接続する場合に比してインダクタンス分
を著しく低減することができる。また、この半導体チッ
プの電極形成面に対向する面には金属板が接合されてお
り、この金属板により、前記基板の凹部が閉塞されてい
る。即ち、従来、半導体ペレットで発生した熱は、セラ
ミック又は有機材料からなる基板を介して放散されるの
に対し、本発明においては、熱伝導率が優れた金属板を
介して放熱される。従って、本発明に係る混成集積回路
装置は、放熱性が良好である。
【0012】この場合に、前記金属板は、接地電位に保
持することによりシールド板として作用する。従って、
前記金属板は接地電位に保持することが好ましい。
持することによりシールド板として作用する。従って、
前記金属板は接地電位に保持することが好ましい。
【0013】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【0014】図1(a)は本発明をLCCパッケージ型
混成集積回路装置に適用した第1の実施例を示す断面
図、図1(b)は同じくその平面図である。
混成集積回路装置に適用した第1の実施例を示す断面
図、図1(b)は同じくその平面図である。
【0015】基板1はその上面中央部に凹部が設けられ
ており、この凹部の底面縁部には複数の内部電極10が
形成されている。また、基板1の側部には複数の端面ス
ルーホール2及び各端面スルーホール2に対応した外部
電極9,9bが設けられている。内部電極10は、これ
らの外部電極9,9aに電気的に接続されている。
ており、この凹部の底面縁部には複数の内部電極10が
形成されている。また、基板1の側部には複数の端面ス
ルーホール2及び各端面スルーホール2に対応した外部
電極9,9bが設けられている。内部電極10は、これ
らの外部電極9,9aに電気的に接続されている。
【0016】半導体ペレット4は、基板1の凹部内に配
置され、電極面に設けられたバンプ6により内部電極1
0に接合されている。また、半導体ペレット4の電極形
成面に対向する面には、接着材8により金属板3が接合
されている。この金属板3は基板1の上面の凹部周辺に
絶縁ペースト7で接合されている。
置され、電極面に設けられたバンプ6により内部電極1
0に接合されている。また、半導体ペレット4の電極形
成面に対向する面には、接着材8により金属板3が接合
されている。この金属板3は基板1の上面の凹部周辺に
絶縁ペースト7で接合されている。
【0017】金属板3は、接地電極である外部電極9b
に電気的に接続されている。また、基板1の下面中央に
は接地パターン5が設けられており、この接地パターン
5も接地電位に保持されるようになっている。
に電気的に接続されている。また、基板1の下面中央に
は接地パターン5が設けられており、この接地パターン
5も接地電位に保持されるようになっている。
【0018】本実施例においては、半導体ペレット4の
電極と基板1の内部電極10とがバンプ6を介して接合
されているため、半導体ペレット4の電極と内部電極1
0との間の距離が数10μmと極めて短い。このため、半
導体ペレット4の電極と内部電極10との間におけるイ
ンダクタンス分をpHオーダーまで小さくすることがで
きる。また、半導体ペレット4は金属板3に接合されて
いるため、半導体ペレット4で発生した熱はこの金属板
3を介して放散される。従って、本実施例に係る混成集
積回路装置は、放熱性が極めて優れている。更に、半導
体ペレット4は接地電位に保持される金属板3及び接地
パターン5に挟まれて配置されているため、シールド性
も優れている。なお、金属板3に例えば放熱用フィンを
有する金属板を接合することにより、放熱性をより一層
向上させることができる。
電極と基板1の内部電極10とがバンプ6を介して接合
されているため、半導体ペレット4の電極と内部電極1
0との間の距離が数10μmと極めて短い。このため、半
導体ペレット4の電極と内部電極10との間におけるイ
ンダクタンス分をpHオーダーまで小さくすることがで
きる。また、半導体ペレット4は金属板3に接合されて
いるため、半導体ペレット4で発生した熱はこの金属板
3を介して放散される。従って、本実施例に係る混成集
積回路装置は、放熱性が極めて優れている。更に、半導
体ペレット4は接地電位に保持される金属板3及び接地
パターン5に挟まれて配置されているため、シールド性
も優れている。なお、金属板3に例えば放熱用フィンを
有する金属板を接合することにより、放熱性をより一層
向上させることができる。
【0019】図2は、本発明を一般的な混成集積回路装
置に適用した第2の実施例を示す断面図である。
置に適用した第2の実施例を示す断面図である。
【0020】セラミック又は有機材料からなる基板11
はその上面の一部に凹部が形成されている。この凹部内
には内部電極17が設けられている。また、この基板1
1の上面には所定の形状で配線パターン18が形成され
ている。そして、内部電極17は特定の配線パターン1
8に電気的に接続されている。
はその上面の一部に凹部が形成されている。この凹部内
には内部電極17が設けられている。また、この基板1
1の上面には所定の形状で配線パターン18が形成され
ている。そして、内部電極17は特定の配線パターン1
8に電気的に接続されている。
【0021】凹部内には、第1の実施例と同様に半導体
ペレット14がバンプ16を介して内部電極17に接合
されて配置されている。そして、この半導体ペレット1
4の電極形成面に対向する面には金属板15が接合され
ている。基板11の凹部は、この金属板15により閉塞
されている。
ペレット14がバンプ16を介して内部電極17に接合
されて配置されている。そして、この半導体ペレット1
4の電極形成面に対向する面には金属板15が接合され
ている。基板11の凹部は、この金属板15により閉塞
されている。
【0022】また、基板11上には、チップコンデンサ
12及びIC13等の表面実装用の部品が搭載されてい
る。
12及びIC13等の表面実装用の部品が搭載されてい
る。
【0023】本実施例においても、第1の実施例と同様
に、半導体ペレット14と基板11との間におけるイン
ダクタンス分を低減できると共に放熱性が優れていると
いう効果を得ることができる。
に、半導体ペレット14と基板11との間におけるイン
ダクタンス分を低減できると共に放熱性が優れていると
いう効果を得ることができる。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
半導体ペレットと基板とが基板に設けられた凹部内にお
いてバンプを介して接合されているから、半導体ペレッ
トと基板との間におけるインダクタンス分が極めて小さ
い。また、本発明においては、半導体ペレットに金属板
が接合されているから、放熱性が優れている。更に、こ
の金属板を接地電位に接続することにより、シールド効
果を得ることができる。
半導体ペレットと基板とが基板に設けられた凹部内にお
いてバンプを介して接合されているから、半導体ペレッ
トと基板との間におけるインダクタンス分が極めて小さ
い。また、本発明においては、半導体ペレットに金属板
が接合されているから、放熱性が優れている。更に、こ
の金属板を接地電位に接続することにより、シールド効
果を得ることができる。
【図1】(a)は本発明の第1の実施例に係る混成集積
回路装置を示す断面図、(b)は同じくその平面図であ
る。
回路装置を示す断面図、(b)は同じくその平面図であ
る。
【図2】本発明の第2の実施例に係る混成集積回路装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図3】従来の混成集積回路装置の一例を示す断面図で
ある。
ある。
1,11,21;基板 2,22;端面スルーホール 3,15;金属板 4,14,24;半導体ペレット 5,25;接地パターン 6,16;バンプ 9,30;外部電極 10,17,27;内部電極 18;配線パターン 23;樹脂 26;金線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01P 1/30 Z 4241−5J 3/08 4241−5J 7352−4M H01L 23/12 J 7352−4M L
Claims (2)
- 【請求項1】 一方の面に凹部が設けられていると共に
この凹部内に内部電極が設けられた基板と、電極面にバ
ンプが設けられておりこのバンプを介して前記基板の前
記内部電極に接合された半導体ペレットと、この半導体
ペレットの前記電極形成面に対向する面に接合されて前
記基板の凹部を閉塞する金属板とを有することを特徴と
する混成集積回路装置。 - 【請求項2】 前記金属板は接地電位に保持されること
を特徴とする請求項1に記載の混成集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3246692A JPH0563136A (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 混成集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3246692A JPH0563136A (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 混成集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0563136A true JPH0563136A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17152210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3246692A Pending JPH0563136A (ja) | 1991-08-31 | 1991-08-31 | 混成集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0563136A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996016444A1 (fr) * | 1994-11-21 | 1996-05-30 | Iwaki Electronics Co., Ltd. | Dispositif a circuit integre |
US6239497B1 (en) | 1997-07-23 | 2001-05-29 | Nec Corporation | Substrate for packing semiconductor device and method for packing a semiconductor device in the substrate |
WO2002080634A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Tdk Corporation | High-frequency module |
JP2003110049A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Fujitsu Ten Ltd | 高周波icパッケージ、高周波icパッケージを使用する高周波ユニット及び、その製造方法 |
JP2006310433A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | 電子部品収納容器 |
JP2007109998A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Omron Corp | センサ機器 |
JP2007324851A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の温度補償水晶発振器 |
JP2008294587A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
-
1991
- 1991-08-31 JP JP3246692A patent/JPH0563136A/ja active Pending
Cited By (12)
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