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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung und ihr
Herstellungsverfahren.
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Als
eine Halbleitervorrichtung dieser Art ist bisher allgemein eine
bekannt, bei der ein Halbleiterelement, das Elektroden auf beiden
von vorderen und hinteren Flächen
aufweist, auf eine Wärmesenke montiert
ist und eine Fläche
einer Seite, die der Wärmesenke
in dem Halbleiterelement gegenüberliegt, über einen
Kontaktierungsdraht mit einem Leiterrahmen verbunden ist.
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Bei
einem derartigen Aufbau sind jedes der Wärmesenke, des Kontaktierungsdrahts
und des Leiterrahmens als ein Verbindungselement zum elektrischen
Herausführen
der Elektrode des Halbleiterelements nach aussen aufgebaut. Die
Elektrode von jeder der vorderen und hinteren Flächen in dem Halbleiterelement
wird durch diese Verbindungselemente nach aussen herausgeführt.
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Jedoch
ist eine derartige frühere
Halbleitervorrichtung, nachdem das Halbleiterelement aus einem Halbleiterwafer
in eine Chipeinheit ausgeschnitten worden ist, durch Montieren des
Halbleiterelements auf die Wärmesenke
und Durchführen
einer Drahtkontaktierung ausgebildet worden. Daher ist ein Herstellungsverfahren
erschwert. Weiterhin wird ebenso, da ein Aufbau zum Verbinden des
Kontaktierungsdrahts an dem Leiterrahmen angewendet wird, das Problem
verursacht, dass die Abmessung der Vorrichtung größer als
die des Halbleiterelements wird.
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In
dieser Hinsicht ist ein Verfahren zum Befestigen von isolierenden
Platten an beiden Flächen des
Wafers bezüglich
des Halbleiterelements eines Waferzustands und dann Schneiden von
diesen in eine Chipeinheit (zum Beispiel in der
JP-A-2001-135654 ) früher vorgeschlagen
worden.
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Jedoch
kann in dem Verfahren zum Befestigen der isolierenden Platten an
beide Seiten eines derartigen Halbleiterelements keine Elektrode
von beiden der vorderen und hinteren Flächen in dem Halbleiterelement
herausgeführt
werden, das die Elektroden auf beiden der vorderen und hinteren
Flächen
aufweist.
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Weiterhin
wird in dem Fall des Halbleiterelements, das die Elektrode auf lediglich
einer Fläche von
beiden der vorderen und hinteren Flächen des Chips aufweist, die
Elektrode ähnlich über den
Kontaktierungsdraht und den Leiterrahmen in dem Aufbau der vorhergehenden
früheren
Halbleitervorrichtung herausgeführt.
Deshalb wird das Problem eines Erhöhens der Abmessung der diese
beinhaltenden Vorrichtung ähnlich
erzeugt.
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Es
ist für
eine Halbleitervorrichtung erforderlich, um sie durch ein einfaches
Verfahren herzustellen und um die Abmessungen der Halbleitervorrichtung
zu minimieren, dass die Vorrichtung aus einem Halbleiter besteht
und eine Elektrode auf mindestens einer Fläche der Vorrichtung aufweist
und elektrisch mit einem externen Element verbunden ist.
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Im
Hinblick auf das zuvor beschriebene Problem ist es eine Aufgabe
der vorliegenden Erfindung, eine Halbleitervorrichtung zu schaffen.
Es ist eine weitere Vorrichtung der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren
zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung zu schaffen.
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Diese
Aufgabe wird mit den in Anspruch 1, 15 und 22 angegebenen Maßnahmen
gelöst.
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Weitere
Vorteile auf die Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind
Gegenstand der abhängigen
Ansprüche.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung beinhaltet eine Halbleitervorrichtung ein
Halbleiterelement, das erste und zweite Oberflächen aufweist, wobei das Halbleiterelement
mindestens eine Elektrode beinhaltet, welche auf einer der ersten
und zweiten Oberflächen
angeordnet ist, und erste und zweite metallische Schichten, wobei
die erste metallische Schicht auf der ersten Oberfläche des
Halbleiterelements angeordnet ist sind die zweite metallischen Schicht
auf der zweiten Oberfläche
des Halbleiterelements angeordnet ist. Die eine Elektrode ist elektrisch
mit einer der ersten und zweiten metallischen Schichten gekoppelt,
welche auf der einen der ersten und zweiten Oberflächen angeordnet
ist. Die eine Elektrode ist über
die eine der ersten und zweiten metallischen Schichten mit einer
externen Schaltung gekoppelt.
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Die
vorhergehende Vorrichtung wird durch beidseitiges Umfassen des Halbleiterelements
zwischen den ersten und zweiten metallischen Schichten einfach hergestellt.
Weiterhin ist die Vorrichtung zweckmäßig minimiert, da die Abmessungen
der Vorrichtung im Wesentlichen gleich den Abmessungen des Halbleiterelements
sind.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung beinhaltet eine Halbleitervorrichtung ein
Halbleiterelement, das erste und zweite Oberflächen aufweist, wobei das Halbleiterelement
eine erste Elektrode aufweist, welche auf der ersten Oberfläche angeordnet
ist, und eine erste metallische Schicht, die auf der ersten Oberfläche des
Halbleiterelements angeordnet ist. Die erste Elektrode ist mit der
ersten metallischen Schicht derart elektrisch gekoppelt, dass die
erste Elektrode über
die erste metallische Schicht mit einer externen Schaltung gekoppelt
ist.
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Die
vorhergehende Vorrichtung wird durch Kontaktieren der ersten metallischen
Schicht mit der ersten Oberfläche
des Halbleiterelements einfach hergestellt. Weiterhin ist die Vorrichtung
zweckmäßig minimiert,
da die Abmessungen der Vorrichtung im Wesentlichen gleich den Abmessungen
des Halbleiterelements sind.
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Gemäß einem
dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Verfahren
zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung ein Vorbereiten eines Halbleiterwafers,
der eine Mehrzahl von Halbleiterelementen aufweist, wobei jedes
Halbleiterelement mindestens eine Elektrode beinhaltet, welche auf
einer von ersten und zweiten Oberflächen des Halbleiterelements
angeordnet ist, ein Ausbilden von ersten und zweiten metallischen
Schichten auf den ersten und zweiten Oberflächen des Halbleiterwafers und ein
Teilen des Halbleiterwafers zusammen mit den ersten und zweiten
metallischen Schichten in eine Mehrzahl von Halbleiterelementchips.
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Das
vorhergehende Verfahren schafft die Halbleitervorrichtung, welche
durch Kontaktieren der ersten metallischen Schicht mit der ersten
Oberfläche
des Halbleiterelements einfach hergestellt wird. Weiterhin ist die
Vorrichtung zweckmäßig minimiert, da
die Abmessungen der Vorrichtung im Wesentlichen gleich den Abmessungen
des Halbleiterelements sind.
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Die
vorliegende Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen
unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher erläutert.
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Es
zeigt:
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1 eine
Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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2A eine
Draufsicht einer vorderseitigen metallischen Schicht in der Halbleitervorrichtung;
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2B eine
Draufsicht einer vorderseitigen Elektrode in der Halbleitervorrichtung;
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2C eine
Draufsicht einer rückseitigen Elektrode
in der Halbleitervorrichtung;
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2D eine
Draufsicht einer rückseitigen metallischen
Schicht und einer Harzform in der Halbleitervorrichtung;
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3A bis 3D Querschnittsansichten eines
Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung;
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4A bis 4C Querschnittsansichten des
Verfahrens zum Herstellen der Halbleitervorrichtung;
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5A und 5B Querschnittsansichten der
Vorrichtung, die im Fall eines Leiters auf ein Substrat montiert
ist;
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6A und 6B Querschnittsansichten der
Vorrichtung, die im Fall eines Kontaktierensdrahts auf ein Substrat
montiert ist.
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7 eine
Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
zweiten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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8 eine
vergrößerte Teildraufsicht
einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
dritten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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9 eine
Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer
Ausgestaltung des dritten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung;
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10 eine
Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
vierten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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11 eine
Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
fünften
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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12 eine
Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
sechsten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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13 eine
vergrößerte Teilquerschnittsansicht
einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
siebten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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14 eine
vergrößerte Teilquerschnittsansicht
einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
achten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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15A und 15B vergrößerte Teilquerschnittsansichten
von Halbleitervorrichtungen gemäß einem
neunten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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16 eine
Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
zehnten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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17A eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung,
die einen Teilungshöcker
aufweist;
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17B eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung,
die auf ein Substrat montiert ist;
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18A eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung
gemäß einem
elften Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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18B eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung,
die entlang einer Linie XVIIIB-XVIIIB in 18A genommen
ist;
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18C eine perspektivische Ansicht der Halbleitervorrichtung,
die aus einer Richtung XVIIIC in 18A betrachtet
wird;
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19A und 19B Querschnittsansichten
der Halbleitervorrichtung, die einen Lothöcker aufweist;
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20 eine
Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einem
zwölften
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung;
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21A und 21B Querschnittsansichten
der Halbleitervorrichtung, die einen Lothöcker aufweist;
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22 eine
Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung, die auf eine vertikale
Weise auf ein Substrat montiert ist;
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23A und 23B Querschnittsansichten
eines Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer
Ausgestaltung des ersten Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung; und
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24A bis 24C Querschnittsansichten eines
Verfahrens zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einer
anderen Ausgestaltung des ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung.
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Erstes Ausführungsbeispiel
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1 zeigt
eine schematische Querschnittsansicht, die den Gesamtaufbau einer
Halbleitervorrichtung 100 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung zeigt. Hierbei ist eine obere Fläche 11 eines
Halbleiterelements 10 in der Halbleitervorrichtung 100 in 1 auf
eine vordere Fläche 11 gelegt
und ist eine untere Fläche 12 auf eine
hintere Fläche 12 gelegt.
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Weiterhin
zeigt 2A eine Draufsicht einer metallischen
Schicht 21 an einer Seite einer vorderen Fläche als
eine metallische Schicht an einer Seite einer vorderen Fläche 11 des
Halbleiterelements 10 in 1. 2B zeigt
eine Ansicht, die eine planare Form einer Elektrode 13 an
der Seite der vorderen Fläche 11 des
Halbleiterelements 10 aufweist. 2C zeigt
eine Ansicht, die eine planare Form von Elektroden 14, 15 an
einer Seite einer hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 aufweist. 2D zeigt
eine Ansicht, die planare Formen einer metallischen Schicht 22 an
der Seite einer hinteren Fläche als
eine metallische Schicht an der Seite der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 und eines Harzes 30 aufweist.
In 2D wird zur Erleichterung eine Schraffierung auf
der vorderen Fläche
des Harzes 30 durchgeführt,
um die metallische Schicht 22 an der Seite der hinteren
Fläche
und das Harz 30 zu unterscheiden.
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Die
Halbleitervorrichtung 100 dieses Ausführungsbeispiels weist das Halbleiterelement 10 auf, das
durch einen Halbleiter aufgebaut ist und Elektroden 13, 14 und 15 auf
beiden vorderen und hinteren Flächen 11, 12 aufweist.
Ein Halbleiterschaltelement für
elektrische Energie, ein sogenanntes Leistungselement, ein Element
einer normalen LSI, ein Transistor, eine Diode usw. werden als eine
derartiges Halbleiterelement 10 aufgezählt.
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Genauer
gesagt wird ein derartiges Halbleiterelement 10 unter Verwendung
eines bekannten Halbleiterverfahrens in einem Halbleiterwafer aus
Silizium usw. hergestellt und wird ebenso durch Durchführen eines
Würfelschneidens
hergestellt. Die normale Abmessung des Leistungselements, das als das
Halbleiterelement 10 verwendet wird, ist ungefähr 10 mm × 10 mm
(ein Quadrat von 10 mm auf einer Seite) und ist ungefähr 0,1 mm
dick.
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In
diesem Beispiel ist das Halbleiterelement 10 ein IGBT bzw.
Isolierschicht-Bipolartransistor,
der durch einen Siliziumchip aufgebaut ist, und weist eine Dicke
von ungefähr
50 bis 200 μm
auf.
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Wie
es in den 2A bis 2D gezeigt
ist, ist eine Elektrode 13 ungefähr des gleichen Maßes wie
die Fläche
des Chips auf der vorderen Fläche 11 des
Halbleiterelements 10 dieses Beispiels angeordnet. Diese
Elektrode 13 ist eine Kollektorelektrode 13 in
dem IGBT, die durch Aluminium usw. aufgebaut ist.
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Andererseits
sind, wie es in den 2A bis 2D gezeigt
ist, Elektroden 14, 15, die aus Aluminium usw.
aufgebaut sind, ebenso auf der hinteren Fläche 12 des Halbleiterelements 10 dieses
Beispiels angeordnet. Die Elektroden 14, 15 an
dieser Seite der hinteren Fläche
sind durch mehrere geteilte Elektroden aufgebaut.
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Hierbei
sind die mehreren Elektroden 14, 15 eine Emitterelektrode 14 und
eine Gateelektrode 15 in dem IGBT. In 2C ist
die Emitterelektrode 14 als eine verhältnismäßig große planare rechteckige Form
gezeigt und ist die Kollektorelektrode 15 als mehrere verhältnismäßig kleine
planare rechteckige Formen gezeigt.
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Weiterhin
ist, wie es in den 1 und 2C gezeigt
ist, ein Schutzfilm 16 einer elektrisch isolierenden Eigenschaft
in einem Teil ausgenommen eines Anordnungsteils der Elektroden 14, 15 der Seite
der hinteren Fläche
auf der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 angeordnet.
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Zum
Beispiel ist dieser Schutzfilm 16 durch Harz aus Polyimid,
Polyamid usw. aufgebaut. Daher wird ein Freilegen eines Siliziumabschnitts
in dem Halbleiterelement 10 verhindert und werden Erhöhungen der
Stärke
und Spannungsfestigkeit des Elements beabsichtigt.
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Weiterhin
weist der Schutzfilm 16 ebenso eine Funktion zum Sicherstellen
einer Festen Befestigungseigenschaft an dem Harz 30 auf.
Dieser detaillierte Aufbau und Betrieb des Halbleiterelements 10 als
IGBT ist bekannt und wird deshalb hier weggelassen.
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Die
metallische Schicht 21 an der Seite einer vorderen Fläche und
die metallische Schicht 22 an der Seite einer hinteren
Fläche
sind mit der vorderen Fläche 11 bzw.
der hinteren Fläche 12 dieses
Halbleiterelements 10 verbunden. Diese metallischen Schichten 21, 22 sind
durch ein Metall aufgebaut, das hervorragende Charakteristiken einer
elektrischen Leitfähigkeit,
thermischen Leitfähigkeit
usw. aufweist.
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Wenn
die vorhergehenden Charakteristiken berücksichtigt werden, ist Cu für derartige
metallische Schichten 21, 22 wünschenswert, aber Messing,
Bronze, Eisen, Ni, eine Eisen-Ni-Legierung, Mo bzw. Molybdän usw. können ebenso
verwendet werden. In diesem Beispiel weisen die metallischen Schichten 21, 22 eine
Plattenform auf, die durch Cu aufgebaut ist, und beide ihrer Dicken
sind ungefähr 0,15
mm.
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Weiterhin
sind, wenn eine Zuverlässigkeit des
Halbleiterelements 10 berücksichtigt wird, Mo, W, eine
Ni-Legierung usw. einer kleinen thermischen Expansion als die Materialien
der metallischen Schichten 21, 22 wünschenswert.
Weiterhin sind, wenn diese Halbleitervorrichtung 100 auf
ein Drucksubstrat montiert wird und eine Zuverlässigkeit zur Montage berücksichtigt
wird, Cu usw., das einen thermischen Expansionskoeffizienten nahe
dem des Drucksubstrats aufweist, als die Materialien der metallischen
Schichten 21, 22 wünschenswert.
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Wie
es in 1 gezeigt ist, sind die jeweiligen metallischen
Schichten 21, 22 mit Elektroden 13, bis 15 auf
den jeweiligen vorderen und hinteren Flächen 11, 12 des
Halbleiterelements 10 verbunden. In diesem Ausführungsbeispiel
sind die elektrische Verbindung der metallischen Schicht 21 an
der Seite einer vorderen Fläche
und der Kollektorelektrode 13 und die elektrische Verbindung
der metallischen Schicht 22 an der Seite der hinteren Fläche, der
Emitterelektrode 14 und der Gateelektrode 15 durch
ein elektrisch leitendes Verbindungselement 40 hergestellt.
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Es
ist ausreichend, ein Element, das imstande ist, ein elektrisch leitende
Eigenschaft und eine Hafteigenschaft sicherzustellen, als dieses
elektrisch leitende Verbindungselement 40 zu verwenden.
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Genauer
gesagt werden Lot, ein Hartlötmaterial
oder elektrisch leitender Klebstoff, ein anisotroper elektrisch
leitender Film usw. aufgezählt.
In diesem Beispiel wird ein Lot 40 als das elektrisch leitende
Verbindungselement 40 verwendet.
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Ein
Lot eines niedrigen Schmelzpunkts, wie zum Beispiel ein eutektisches
Kristalllot usw. kann ebenso als dieses Lot 40 verwendet
werden. Jedoch ist ein Lot bevorzugt, das einen Schmelzpunkt von 250°C oder mehr,
vorzugsweise 300°C
oder mehr, wie zum Beispiel ein Sn-Ni-System-Lot, usw., aufweist.
Dies ist so, da kein Lot 40 erneut geschmolzen wird, wenn
diese Halbleitervorrichtung 100 durch Löten auf ein Substrat usw. montiert
wird (siehe die später
beschriebenen 5A, 5B und 6A, 6B).
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Da
die jeweiligen Elektroden 13 bis 15 des Halbleiterelements 10 durch
das Lot 40 auf diese Weise mit den metallischen Schichten 21, 22 verbunden
sind, wird eine Oberflächenverarbeitung,
die imstande ist, ein Löten
durchzuführen,
auf den Oberflächen
dieser jeweiligen Elektroden 13 bis 15 durchgeführt. Zum
Beispiel wird ein Ni-, Cu-, Au-Plattieren usw. auf den Oberflächen der
jeweiligen Elektroden 13 bis 15 durchgeführt, die
aus Aluminium aufgebaut sind.
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Hierbei
wird auf der Seite der vorderen Fläche 11 des Halbleiterelements 10 die
metallische Schicht 21 an der Seite der vorderen Fläche ebenso auf
die Abmessung des gleichen Maßes
entsprechend einer großen
Kollektorelektrode 13 festgelegt. In diesem Beispiel weisst,
wie es in den 2A bis 2D gezeigt
ist, die metallische Schicht 21 an der Seite einer vorderen
Fläche
eine planare rechteckige Form auf, die ungefähr die gleiche Abmessung wie die
Kollektorelektrode 13 an der planaren rechteckigen Form
aufweist.
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Weiterhin
sind die Elektroden 14, 15 durch mehrere Elektroden
auf der Seite der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 ausgebildet. Daher ist die metallische
Schicht 22 an der Seite einer hinteren Fläche, die
mit diesen mehreren Elektroden 14, 15 verbunden
ist, durch mehrere geteilte Abschnitte aufgebaut, die geteilt sind,
um Muster auszubilden, die Anordnungsmustern der mehreren Elektroden 14, 15 entsprechen.
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In
diesem Beispiel ist, wie es in den 2C und 2D gezeigt
ist, die metallische Schicht 22 an der Seite der hinteren
Fläche
durch Abschnitte aufgebaut, die entsprechend den mehreren Elektroden 14, 15 der
Seite der hinteren Fläche 12 in
große
und kleine rechteckige Formen geteilt sind. Diese geteilten Abschnitte
sind über
das Lot 40 elektrisch mit den jeweiligen Elektroden 14, 15 der
Seite der hinteren Fläche
verbunden.
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Daher
kann die Kollektorelektrode 13 der Seite der vorderen Fläche 11 des
Halbleiterelements 10 über
die metallische Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche nach
aussen verbunden sein. Andererseits können die Emitterelektrode 14 und
die Gateelektrode 15 der Seite der hinteren Fläche 12 über die metallische
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche nach aussen verbunden sein.
Das heisst, die jeweiligen Elektroden 13 bis 15 können über die
jeweiligen metallischen Schichten 21, 22 nach
aussen herausgeführt
sein.
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Weiterhin
ist, wie es in den 1 und 2A bis 2D gezeigt
ist, ein Abschnitt zwischen den einzelnen geteilten Abschnitten
in der metallischen Schicht 22 der Seiten der hinteren
Fläche als
diese geteilte metallische Schicht durch das Harz 30 verkapselt.
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Dieses
Harz 30 trägt
Aufgaben einer Kurzschlussverhinderung zwischen den jeweiligen geteilten
Abschnitten, eines Schutzes des Halbleiterelements 10 usw.
und ist durch zum Beispiel Epoxidsystemharz usw. aufgebaut. Hier
in weiterem Verlauf wird das Harz 30 zum Verkapseln eines
Abschnitts zwischen den geteilten Abschnitten in dieser metallischer
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche als Verkapselungsharz 30 bezeichnet.
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Hierbei
werden die Dicke des Halbleiterelements 10 und die Dicken
der metallischen Schichten 21, 22 weiter beschrieben.
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Die
Dicke des Halbleiterelements 10 kann auf eine beliebige
Dicke eingestellt werden, aber ist insbesondere wünschenswert
auf 0,1 mm oder weniger eingestellt, um eine thermische Spannung
zu einer Montagezeit, dass heisst einer Lötzeit der metallischen Schichten 21, 22 und
des Halbleiterelements 10, abzuschwächen, und eine Charakteristikänderung
und Zuverlässigkeit
des Halbleiterelements 10 zu erhöhen, wenn der Halbleiter Silizium
ist.
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Wenn
die Dicke des Halbleiterelements 10 0,1 mm oder weniger
ist, kann sich das Halbleiterelement 10 nicht durch eine
verhältnismäßig niedrige Spannung
bezüglich
eines thermischen Verhaltens der metallischen Schichten 21, 22 zusammenziehen. Weiterhin
gibt es eine grosse Möglichkeit,
dass ein Einfluss der Dicken der metallischen Schichten 21, 22 klein
ist.
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Weiterhin
ist es wünschenswert,
dass die Dicke der metallischen Schicht 21 der Seite der
vorderen Fläche
gleich oder kleiner als die Dicke des Halbleiterelements 10 festgelegt
ist und die Dicke der metallischen Schicht 22 der Seite
der hinteren Fläche gleich
oder kleiner als die Dicke des Halbleiterelements 10 festgelegt
ist. Dies ist so, da es bevorzugt ist, dass sich kein Halbleiterelement
zusammenzieht, wenn es einen verhältnismäßig zerbrechlichen Film, wie
zum Beispiel einen Siliziumnitridfilm, einen Siliziumoxidfilm usw.,
auf dem Halbleiterelement 10 gibt.
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Wenn
beide der jeweiligen Dicken von beiden der metallischen Schichten 21, 22,
die sich auf beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 des Halbleiterelements 10 befinden,
auf diese Weise auf die Dicke des Halbleiterelements 10 oder
weniger festgelegt sind, kann eine Deformation des Halbleiterelements 10 aufgrund
einer thermischen Expansion usw. der metallischen Schichten 21, 22 zu
einer Erwärmungszeit
beschränkt
werden.
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Weiterhin
ist es, wenn die metallische Schicht 21 der Seite der vorderen
Fläche
und die metallische Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche durch
das gleiche Material, wie Kupfer in diesem Beispiel, aufgebaut sind,
wünschenswert,
die Dicke der metallischen Schicht 21 der Seite der vorderen
Fläche
und die Dicke der metallischen Schicht 22 der Seite der
hinteren Fläche
gleich zueinander festzulegen.
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Wenn
beide der metallischen Schichten 21, 22, die sich
auf beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 des
Halbleiterelements 10 befinden, auf diese Weise durch das
gleiche Material aufgebaut sind, kann eine Krümmung des Halbleiterelements 10 aufgrund
einer thermischen Expansion usw. der metallischen Schichten 21, 22 zu
der Erwärmungszeit
verringert werden, wenn die Dicken von beiden dieser metallischen
Schichten 21, 22 gleich zueinander sind.
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Wenn
beide der metallischen Schichten 21, 22 aus zueinander
unterschiedlichen Materialien aufgebaut sind, ist es wünschenswert,
beide der metallischen Schichten 21, 22 mit Dicken
zum Krümmens eines
Halbleiterelements 10 unter Berücksichtigung ihres thermischen
Kontraktionsverhältnisses
und Young-Moduls
zu entwerfen.
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Als
Nächstes
wird das Herstellungsverfahren der Halbleitervorrichtung dieses
Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die 3A bis 3D und 4A bis 4C beschrieben.
Die 3A bis 3D zeigen
Verfahrensansichten dieses Herstellungsverfahrens. Die 4A bis 4C zeigen
Verfahrensansichten dieses Herstellungsverfahrens, die den 3A bis 3D nachfolgen,
und zeigen im Schnitt ein Werkstück,
das jedem Verfahren zugeführt
wird.
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Zuerst
wird, wie es in 3A gezeigt ist, ein Halbleiterwafer 200 vorbereitet,
der mehrere Halbleiterelemente 10 aufweist, von denen jedes
Elektroden 13 bis 15 auf beiden der vorderen und
hinteren Flächen 11, 12 aufweist
und durch ein Halbleiterverfahren hergestellt ist. Dieser Halbleiterwafer 200 ist
das Halbleiterelement 10 eines Waferzustands. Eine vordere
Fläche 201 und
eine hintere Fläche 202 des
Wafers entsprechen der vorderen Fläche 11 und der hinteren
Fläche 12 des
Halbleiterelements 10.
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In
diesem Wafer 200 ist ein Abschnitt, der letztlich geteilt
wird, als eine Würfelungslinie
DL als eine strichpunktierte Linie gezeigt. In dem Halbleiterwafer 200 sind
mehrere Halbleiterelemente 10 ausgebildet, die durch diese
Würfelungslinie
DL geteilt sind.
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In
dem einzelnen Halbleiterelement 10 sind jeweilige Elektroden 13 bis 15 auf
der vorderen Fläche 11 und
der hinteren Fläche 12 ausgebildet
und ist der vorhergehende Schutzfilm 16 auf der hinteren Fläche 12 ausgebildet.
Weiterhin wird eine Plattierungsverarbeitung zum Verbessern einer
Löteigenschaft,
wie es zuvor erwähnt
worden ist, auf der Oberfläche
von jeder der Elektroden 13 bis 15 durchgeführt.
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Als
Nächstes
werden die vorhergehenden metallischen Schichten 21, 22 mit
den jeweiligen Flächen
der vorderen Fläche 201 und
der hinteren Fläche 202 dieses
Halbleiterwafers 200 verbunden. Hierbei wird in diesem
Beispiel, wie es in 3B gezeigt ist, ein Plattenmaterial 301 als
eine Kupferplatte, die flache Flächen
auf ihren beiden Flächen
aufweist, als ein Rohmaterial der metallischen Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche
verwendet.
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Anderseits
ist eine metallische Schicht, die entsprechend den Anordnungsmustern
der mehreren Elektroden 14, 15 der Seite der hinteren
Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 geteilt ist, dass heisst in diesem
Beispiel der geteilten Kupferplatte, auf der hinteren Fläche 202 des
Wafers 200 als die metallische Schicht 200 der
Seite der hinteren Fläche
verbunden und ausgebildet. Das Rohmaterial dieser geteilten Kupferplatte,
dass heisst ein Plattenmaterial 302, das das Rohmaterial
der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche bildet,
ist in 3B gezeigt.
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Wie
es in 3B gezeigt ist, ist dieses Plattenmaterial 302 eine
Kupferplatte, in welcher ein konkaver Abschnitt 22a auf
einer Verbindungsfläche
des Wafers 200 durch Halbätzen oder Druckarbeit usw. ausgebildet
ist, und ist bis zu einem Mittenabschnitt der Dickenrichtung von
dieser Verbindungsfläche ausgehöhlt.
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Ein
planares Muster dieses konkaven Abschnitts 22a entspricht
einem geteilten Muster der metallischen Schicht 22 der
Seite der hinteren Fläche,
wie es in den vorhergehenden 2A bis 2D gezeigt
ist. Das heisst, ein geteilter Abschnitt der metallischen Schicht 22 der
Seite der hinteren Fläche
ist durch diesen konkaven Abschnitt 22a abgegrenzt und
erzielt einen Zustand, der durch einen Abschnitt einer Bodenabschnittsseite
des konkaven Abschnitts 22a verbunden ist.
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Weiterhin
ist in dem Plattenmaterial 302 dieser Seite der hinteren
Fläche
ein Loch 302a zum Einspritzen des Verkapselungsharzes 30 in
den konkaven Abschnitt 22a in dem Bodenabschnitt des konkaven
Abschnitts 22a durch eine Stanzverarbeitung usw. ausgebildet.
Weiterhin dient dieses Loch 302a ebenso als ein Loch zum
Ablassen eines Gases, das in dem konkaven Abschnitt 22a von
dem Lot 40 bei dem später
durchgeführten
Löten erzeugt
wird. Die Anzahl von Löchern 302a,
die Form, die Abmessung des Lochs 302a usw. sind in einem
Bereich beliebig, der imstande ist, Charakteristiken des vorhergehenden
Lochs 302a zu zeigen.
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Die
Plattenmaterialien 301, 302 als die Rohmaterialien
dieser metallischen Schichten 21, 22 werden an
den Halbleiterwafer 200 gelötet. Wie es in 3C gezeigt
ist, ist das Lot 40 auf einer Verbindungsfläche an dem
Wafer 200 in jedem der Plattenmaterialien 301, 302 angeordnet.
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Hierbei
gibt es als ein Verfahren zum Anordnen des Lots 40 in den
Plattenmaterialien 301, 302 zum Beispiel ein Verfahren
zum Durchführen
eines Lotplattierens in den Plattenmaterialien 301, 302 als eine
Kupferplatte.
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Dieses
Lotplattieren wird auf nicht nur der Verbindungsfläche mit
dem Wafer 200 in den Plattenmaterialien 301, 302 durchgeführt, sondern
ebenso auf einer Fläche
einer Seite durchgeführt,
die dieser Verbindungsfläche
gegenüberliegt.
Jedoch ist es wünschenswert,
dass das Lotplattieren nicht auf einer Innenfläche des konkaven Abschnitts 22a,
dass heisst in einem Teil, der in Kontakt zu dem Verkapselungsmaterial 30 in
dem Plattenmaterial 302 als die metallische Schicht 22 der
Seite der hinteren Fläche kommt,
durchgeführt
wird.
-
Zusätzlich dazu
gibt es als ein Verfahren zum Anordnen des Lots 40 in den
Plattenmaterialien 301, 302 ein Verfahren zum
Eintauchen der Plattenmaterialien 301, 302 in
einen Lotbehälter
und zum Durchführen
eines Lötens
zusätzlich
zu dem vorhergehenden Lotplattieren und dann Entfernen eines Restobjekts
usw. durch Reinigen und ein Verfahren zum Drucken einer Lotpaste
auf die Plattenmaterialien 301, 302, und dann
Entfernen eines Restobjekts eines Flusses usw. durch Reinigen usw.
-
Daher
kommen, nachdem das Lot 40 auf die Verbindungsfläche der
Plattenmaterialien 301, 302 auf den Wafer 200 gelötet worden
ist, die jeweiligen Plattenmaterialien 301, 302 über das
Lot 40 in Kontakt mit den jeweiligen Flächen 201, 202 des
Wafers 200. Wie es in 3D gezeigt
ist, wird ein Löten
unter Verwendung eines Rückflusses
durchgeführt.
Daher werden die Plattenmaterialien 301, 302 mit
beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 11 des Halbleiterelements 10,
dass heisst beiden der vorderen und hinteren Flächen 201, 202 des
Halbleiterwafers 200, über
das Lot 40 verbunden.
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Bei
diesem Lötrückfluss
wird ein Werkstück vorzugsweise
durch eine keramische Platte usw. festgeklemmt, die in einem planaren
Grad durch Polieren usw. angehoben ist, um ein Erzeugen einer Krümmung der
Plattenmaterialien 301, 302 und des Halbleiterwafers 200 zu
verhindern. Weiterhin ist es wünschenswert,
ein Gewicht zu montieren, um die Krümmung zu verhindern. Weiterhin
kann das Rückfließen ebenso
durchgeführt
werden, nachdem ein Vakuum abgesaugt worden ist und Gas in dem Lot 40 abgelassen
worden ist, um ein Lothohlraum zu verringern.
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Als
Nächstes
wird, nachdem die Verbindung von beiden der Plattenmaterialien 301, 302 unter
Verwendung dieses Lots 40 durchgeführt worden ist, wie es in 4A gezeigt
ist, das Verkapselungsharz 30 in den konkaven Abschnitt 22a in
das Plattenmaterial 302 als die metallisches Schicht der
Seite der hinteren Fläche über das
vorhergehende Löch 302a über ein
Transfer-Mold-Verfahren usw. eingespritzt.
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Nachdem
das Verkapselungsharz 30 dann gehärtet worden ist, wie es in 4B gezeigt
ist, wird ein Teil der Bodenabschnittsseite des konkaven Abschnitts 22a in
dem Plattenmaterial 302 als die metallische Schicht der
Seite der hinteren Fläche
durch Polieren entfernt. Hierbei wird auf einer Fläche der Seite,
die der Verbindungsfläche
in dem Plattenmaterial 302 gegenüberliegt, die gesamte Fläche dieser gegenüberliegenden
Seite um eine Plattendicke des Bodenabschnitts des konkaven Abschnitts 22a poliert
und entfernt.
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Daher
wird der konkave Abschnitt 22a an der Fläche der
Seite, die der Verbindungsfläche
in dem Plattenmaterial 302 gegenüberliegt, geöffnet und wird
ein Abschnitt, der von dem konkaven Abschnitt 22a abgetrennt
ist, getrennt.
-
Daher
erzielt, da dieser konkave Abschnitt 22a geöffnet ist,
dieser einen Zustand, in welchem die metallische Schicht 21 der
vorderen Fläche
auf der vorderen Fläche 201 des
Halbleiterwafers 200 verbunden ist und die metallische
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche als eine geteilte metallische Schicht
auf der Seite der hinteren Fläche 202 verbunden
ist.
-
Dieses
Polieren kann ebenso bezüglich
den metallischen Schichten 21, 22 auf beiden der
vorderen und hinteren Seiten zusätzlich
zu der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche durchgeführt werden
und Außenflächen von
beiden der metallischen Schichten 21, 22 können ebenso abgeflacht
werden. Danach wird ein Polieren, ein Lotplattierung usw. auf Aussenflächen der
metallischen Schichten 21, 22 in Übereinstimmung
mit einer Notwendigkeit durchgeführt.
Zum Beispiel wird, wenn die fertig gestellte Halbleitervorrichtung 100 auf
ein Substrat gelötet
und montiert wird, diese Lotplattierung durchgeführt, um eine Lotbenetzbarkeit
der metallischen Schichten 21, 22 zu verbessern.
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Nachfolgend
wird, wie es in 4B gezeigt ist, der Halbleiterwafer 200 in
eine Einheit des Halbleiterelements 10 zusammen mit beiden
der metallischen Schichten 21, 22 entlang der
Würfelungslinie DL
geschnitten. Dieses Schneiden kann durch eine normale Schneidevorrichtung
durchgeführt
werden.
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Daher
wird der Halbleiterwafer 200 ein Chip, der zusammen mit
beiden der metallischen Schichten 21, 22 als ein
einzelnes Teil ausgebildet ist, und ist die Halbleitervorrichtung 100 des
Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung fertig gestellt, wie es in 4C gezeigt
ist.
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In
dem vorhergehenden Herstellungsverfahren ist, wenn ein Schneiden
entlang der Würfelungslinie
durchgeführt
wird, ein Material, das sich von Kupfer, Silizium und den Verkapselungsharz 30 unterscheidet,
gemischt in einem Schneideabschnitt vorhanden. Hierbei kann bei
diesem Würfelungsschneiden
ebenso ein unterschiedliches Material durch eine Klinge geschnitten
werden, aber das Schneiden kann ebenso durch Wechseln der Klinge für jedes
Material durchgeführt werden.
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Weiterhin
wird in dem vorhergehenden Herstellungsbeispiel, nachdem das Plattenmaterial 302 der
Seite der hinteren Fläche
auf den Wafer 200 gelötet
worden ist, das Verkapselungsharz 30 von dem vorhergehenden
Loch 302a in den konkaven Abschnitt 22a eingespritzt,
aber kein Zeitpunkt des Einspritzens des Verkapselungsharzes 30 ist
auf diesen Fall beschränkt.
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Zum
Beispiel kann das Verkapselungsharz 30 ebenso im Voraus,
bevor das Plattenmaterial 302 der Seite der hinteren Fläche auf
den Wafer 200 gelötet
wird, in den konkaven Abschnitt 22a des Plattenmaterials 302 der
Seite der hinteren Fläche
eingespritzt werden. Danach kann dieses eingespritzte Objekt ebenso über das
Lot 40 mit dem Wafer 200 verbunden werden.
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Weiterhin
kann, nachdem der konkave Abschnitt 22a geöffnet worden
ist, das Verkapselungsharz 30 ebenso von diesem Öffnungsabschnitt
eingespritzt werden. In diesem Fall muss kein Loch 302a in
dem vorhergehenden Plattenmaterial 302 ausgebildet werden.
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Weiterhin
gibt es in diesem Fall ebenso eine Möglichkeit, dass Unregelmäßigkeiten
unter Verwendung des Verkapselungsharzes 30 erzeugt werden. Deshalb
ist es, nachdem das Verkapselungsharz 30 eingespritzt worden
ist, bevorzugt, dass die Aussenfläche des Plattenmaterials 302 der
Seite der hinteren Fläche
durch ebenso Einschließen
des Verkapselungsharzes 30 poliert und abgeflacht wird.
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Zum
Beispiel wird die Halbleitervorrichtung 100 des Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung, das auf diese Weise hergestellt ist,
in einem Substrat montiert und verwendet usw., wie es zuvor erwähnt worden
ist. Ein Beispiel einer Montagebetriebsart an diesem Substrat 400 ist
in den 5A, 5B und 6A, 6B gezeigt.
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Die 5A und 5B zeigen
schematische Schnittansichten einer Montagestruktur, wenn ein Leiter 410,
der durch ein Metall hergestellt ist, verwendet wird. Die 6A und 6B zeigen
schematische Schnittansichten, die eine Montagestruktur zeigen,
wenn ein Kontaktierungsdraht 420 verwendet wird. Hierbei
können
verschiedene Arten von Verdrahtungssubstraten, wie zum Beispiel
ein keramisches Substrat, ein Drucksubstrat usw. oder eine metallische
Platte usw., als das Substrat 400 angewendet werden.
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In
einem Beispiel, das in 5A gezeigt ist, ist die Halbleitervorrichtung 100 durch
Richten der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren
Fläche zu
dem Substrat 400 auf das Substrat 400 montiert. Eine
Endseite der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren
Fläche
und der Leiter der Halbleitervorrichtung 100 sind über zum
Beispiel ein Lot 430 elektrisch und mechanisch mit dem
Substrat 400 verbunden.
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Die
Halbleitervorrichtung 100 ist über das Lot 440 in
der metallischen Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche elektrisch
mit dem Leiter 410 verbunden. Daher werden Elektroden 13 bis 15 des
Halbleiterelements 10 in der Halbleitervorrichtung 100 über die
jeweiligen metallischen Schichten 21, 22, den
Leiter 410 und die Lote 430, 440 zu dem
Substrat 400 herausgeführt.
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Weiterhin
ist in dem Beispiel, das in 5B gezeigt
ist, die Halbleitervorrichtung 100 durch Richten der metallischen
Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche zu dem Substrat 400 umgekehrt
zu 5A auf das Substrat 400 montiert.
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Die
Halbleitervorrichtung 100 ist über das Lot 430 in
der metallischen Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche mit
dem Substrat verbunden und ist über
das Lot 440 in der metallischen Schicht 22 der Seite
der hinteren Fläche
mit dem Leiter 410 verbunden. Hierbei sind mehrere Leiter 410 entsprechend der
Emitterelektrode 14 und der Gateelektrode 15 angeordnet.
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In
diesem Beispiel, das in 5B gezeigt
ist, ist ähnlich 5A ein
elektrischer Herausführpfad über den
Leiter 410 ausgebildet. Die elektrische Verbindung dieses
Leiters 410 und der metallischen Schichten 21, 22 der
Halbleitervorrichtung 100 ist nicht auf das Lot 440 beschränkt, sondern
kann ebenso durch Schweißen,
Hartlöten,
usw. durchgeführt
werden.
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Weiterhin
ist in dem Beispiel, das in 6A gezeigt
ist, die Halbleitervorrichtung 100 über das Lot 430 in
der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche mit
dem Substrat 400 verbunden und ist der Kontaktierungsdraht 420 in
der metallischen Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche verbunden.
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Weiterhin
ist in dem Beispiel, das in 6B gezeigt
ist, die Halbleitervorrichtung 100 über das Lot 430 in
der metallischen Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche mit
dem Substrat 400 verbunden und ist der Kontaktierungsdraht 420 in
der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche verbunden. In
diesem Beispiel sind die Elektroden 13 bis 15 des Halbleiterelements 10 in
der Halbleitervorrichtung 100 über die jeweiligen metallischen
Schichten 21, 22, den Draht 420 und das
Lot 430 zu dem Substrat 400 herausgeführt.
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Die
Halbleitervorrichtung 100 dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung weist das Halbleiterelement 10, das die Elektroden 13, 14 und 15 in
beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 aufweist,
die metallische Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche, die
mit der vorderen Fläche 11 dieses
Halbleiterelements 10 verbunden ist, und die metallische
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche auf, die mit der hinteren
Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 verbunden ist. Die Elektroden 13 bis 15 des
Halbleiterelements sind elektrisch mit dem metallischen Schichten 21, 22 verbunden,
die mit einer Fläche
des Halbleiterelements 10 verbunden sind, auf welcher sich
die Elektroden 13 bis 15 befinden. Daher werden die
Elektroden 13 bis 15 über die metallischen Schichten 21, 22 nach
aussen herausgeführt.
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Daher
ist diese auf eine Struktur zum Festklemmen von beiden der vorderen
und hinteren Flächen 11, 12 des
Halbleiterelements 10 durch die metallischen Schichten 21, 22 durch
Herausführen
der Elektroden 13 bis 15 des Halbleiterelements 10 nach aussen
festgelegt. Daher wird diese Halbleitervorrichtung 100 einfach
durch Festklemmen und gemeinsames Schneiden des Halbleiterelements 10 eines
Waferzustands durch die metallischen Schichten 21, 22 wie
in dem vorhergehenden Herstellungsverfahren hergestellt.
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Weiterhin
können
die Elektronen 13 bis 15, die auf beiden der vorderen
und hinteren Flächen 11, 12 des
Halbleiterelements 10 angeordnet sind, über die metallischen Schichten 21, 22 nach
aussen herausgeführt
werden. Deshalb wird die Drahtkontaktierung wie in dem vorhergehenden
Fall nicht verwendet.
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Deshalb
kann, wie es in den vorhergehenden 2A bis 2D gezeigt
ist, die planare Abmessung der Vorrichtung, ebenso die metallischen Schichten 21, 22 einschließend, im
Wesentlichen auf die planare Abmessung des Halbleiterelements 10, dass
heisst die planare Abmessung eines Chips, festgelegt werden. Genauer
gesagt sind, wie es in den vorhergehenden 2A bis 2D gezeigt
ist, die planaren Abmessungen von beiden der metallischen Schichten 21, 22 gleich
oder kleiner als die planare Abmessung des Halbleiterelements 10.
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Demgemäß kann gemäß dem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung in der Halbleitervorrichtung 100,
in welcher das Halbleiterelement 10, das die Elektroden 13 bis 15 auf
beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 aufweist,
angeordnet ist, und die Elektroden 13 bis 15 dieses
Halbleiterelements 10 elektrisch nach außen herausgeführt sind, die
Halbleitervorrichtung 100 durch ein einfaches Verfahren
hergestellt werden und kann kompakt hergestellt werden.
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Weiterhin
sind in der Halbleitervorrichtung 100 dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung die Elektroden 14, 15 der
Seite der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 in mehrere Elektroden geteilt und
ist die metallische Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche ebenso
entsprechend diesem geteilten Muster geteilt. Jedoch ist ein Abschnitt
zwischen diesen geteilten Abschnitten durch das Verkapselungsharz 30 einer
elektrisch isolierenden Eigenschaft verkapselt. Deshalb kann ein
Kurzschluss usw. zwischen den geteilten Abschnitten verhindert werden.
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Zweites Ausführungsbeispiel
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7 zeigt
eine schematische Schnittansicht des Gesamtaufbaus einer Halbleitervorrichtung 110 gemäß dem zweiten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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In
der Halbleitervorrichtung 110 dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung ist eine Endfläche des Halbleiterelements 10,
die sich zwischen Endflächen
von beiden der metallischen Schichten 21, 22 befindet,
die auf beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 des
vorhergehenden Halbleiterelements 10 angeordnet sind, weiterhin
mit einem Harz 50 einer elektrisch isolierenden Eigenschaft
in der Struktur bedeckt, die in der vorhergehenden 1 gezeigt
ist. Dieses Harz 50 wird hier im weiteren Verlauf als Bedeckungsharz 50 bezeichnet.
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Dieses
Bedeckungsharz 50 ist durch ein Harz einer elektrisch isolierenden
Eigenschaft aufgebaut und kann ebenso ein Verkapselungsmaterial, wie
zum Beispiel ein Epoxidsystemharz usw., ähnlich dem vorhergehenden Verkapselungsharzes 30 sein, aber
kann ebenso durch ein Harzmaterial aufgebaut sein, das sich von
dem Verkapselungsmaterial unterscheidet. Das Bedeckungsharz 50 kann
durch Bedecken einer Endfläche
der Halbleitervorrichtung mit dem Bedeckungsharz 50 nach
dem Würfelungsschneiden
in dem vorhergehenden Herstellungsverfahren angeordnet werden.
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In
dem Beispiel, das in 7 gezeigt ist, bedeckt das Bedeckungsharz 50 die
Endflächen
von beiden der metallischen Schichten 21, 22 und
eine Endfläche
des Lots 40 als einen Grenzabschnitt von jeder der metallischen
Schichten 21, 22 und des Halbleiterelements 10 sowie
die Endfläche
des Halbleiterelements 10. Das heisst, hier ist die gesamte Endfläche der
Halbleitervorrichtung 110 im Wesentlichen mit dem Bedeckungsharz 50 bedeckt.
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Daher
wird die Endfläche
des Halbleiterelements 10 durch Bedecken der Endfläche des
Halbleiterelements 10 mit dem Bedeckungsharzes 50 geschützt. Weiterhin
kann ein Kurzschluss von beiden der metallischen Schichten 21, 22,
der durch die Endfläche
des Halbleiterelements 10, dass heisst eine Kriechentladung,
ausgebildet wird, durch dieses Bedeckungsharz 50 beschränkt werden
und wird eine Spannungsfestigkeit erhöht.
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Drittes Ausführungsbeispiel
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8 zeigt
eine schematische Draufsicht des Aufbaus eines Hauptabschnitts in einer
Halbleitervorrichtung gemäß dem dritten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung und sie entspricht einem planaren Aufbau
der Seite der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren
Fläche
in der Halbleitervorrichtung, die in der vorhergehenden 1 gezeigt
ist.
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Wie
es in 8 gezeigt ist, ist das Verkapselungsharz 30 in
dem gesamten Umfang der Endfläche
bedeckt, die sich in einem Umfangsabschnitt des Halbleiterelements 10 in
der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche befindet,
und ist der gesamte Umfang der Endfläche der metallischen Schicht 22 der
Seite der hinteren Fläche
mit dem Verkapselungsharz 30 bedeckt.
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In
dem Verkapselungsharz 30 ist es ausreichend, einen Abschnitt
zwischen einzelnen geteilten Abschnitten in mindestens der metallischen
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche zu verkapseln und das Verkapselungsharz 30 kann
ebenso lediglich zwischen den geteilten Abschnitten angeordnet sein. Jedoch
kann zusätzlich
dazu das Verkapselungsharz 30 ebenso in dem gesamten Umfang
der vorhergehenden Endfläche
der metallischen Schicht 33 der Seite der hinteren Fläche angeordnet
sein.
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Daher
wird die metallische Schicht 22 der Seite der hinteren
Fläche
durch das Verkapselungsharz 30 sowie das Lot 40 auf
eine Form festgelegt, die ebenso mit dem Halbleiterelement 10 verbunden ist.
Das heisst, ein Zustand zum Verstärken eines Verbindungsabschnitts
der metallischen Schicht 21 der Seite der hinteren Fläche und
des Halbleiterelements 10 unter Verwendung des Lots 40 wird
durch dieses Verkapselungsharzes 30 erzielt. Eine Verbindungsfestigkeit
dieser metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche bezüglich des
Halbleiterelements 10 kann verbessert werden.
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Weiterhin
zeigt 9 eine schematische Schnittansicht des Gesamtaufbaus
einer Halbleitervorrichtung 120 als ein weiteres Beispiel
dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung.
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In
der vorhergehenden 8 ist der gesamte Umfang der
Endfläche,
die sich in dem Umfangsabschnitt des Halbleiterelements 10 befindet,
mit dem Verkapselungsharz 30 auf lediglich der Seite der metallischen
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche verbunden. Jedoch kann,
wie es in 9 gezeigt ist, der gesamte Umfang
der Endfläche,
die sich in dem Umfangsabschnitt des Halbleiterelements 10 befindet,
ebenso in beiden der metallischen Schichten 21, 22 von
beiden der vorderen und hinteren Flächen mit dem Verkapselungsharz 30 bedeckt
sein. Gemäß diesem
Aufbau kann eine Verbindungsfestigkeit von beiden der metallischen
Schichten 21, 22 bezüglich des Halbleiterelements 10 verbessert
werden.
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Hierbei
ist ein konkaver Abschnitt ähnlich dem
konkaven Abschnitt 302a (siehe die vorhergehenden 3A bis 3D)
des Plattenmaterials 302, der das Verkapselungsharz 30 darin
in dem vorhergehenden Herstellungsverfahren einspritzt, ebenso in
dem Plattenmaterial 301 der Seite der vorderen Fläche angeordnet,
so dass das Verkapselungsharz 30 zum Bedecken der Endflächen der
metallischen Schichten 21, 22 in den vorhergehenden 8 und 9 angeordnet
werden kann. Ansonsten kann das Verkapselungsharz 30 durch
getrenntes Durchführen eines
Bedeckens nach dem Würfelungsschneiden angeordnet
werden.
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Weiterhin
kann das Verkapselungsharz 30 einer derartigen Endfläche ebenso
in lediglich der metallischen Schicht 21 der Seite der
vorderen Fläche
angeordnet sein, so das die Verbindungsfestigkeit der metallischen
Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche bezüglich des Halbleiterelements 10 ebenso
verbessert werden kann.
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Das
heisst, in diesem Ausführungsbeispiele der
vorliegenden Erfindung ist das Harz in dem gesamten Umfang der Endfläche, die
sich in dem Umfangsabschnitt des Halbleiterelements 10 befindet,
in mindestens einer metallischen Schicht von beiden der metallischen
Schichten 21, 22 angeordnet, die sich auf beiden
der vorderen und hinteren Flächen 11, 12,
des Halbleiterelements 10 befinden. Es ist ausreichend,
den Verbindungsabschnitt durch dieses Harz zu verstärken, wie
es zuvor erwähnt
worden ist.
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Das
Harz zum Verstärken
dieses Verbindungsabschnitts muss ebenso nicht das gleiche Harz wie
das Verkapselungsharz 30 sein und kann ebenso ein Harz
eines unterschiedlichen Materials sein.
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Viertes Ausführungsbeispiel
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10 zeigt
eine schematische Schnittansicht des Gesamtaufbaus einer Halbleitervorrichtung 130 gemäß dem vierten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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In
der Halbleitervorrichtung 130 dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung ist ein Rippenabschnitt 21a aufgebaut,
der eine Rippenform auf einer Aussenfläche der metallischen Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche
ausbildet. Eine Wärmeabstrahlungsfläche wird
durch diesen Rippenabschnitt 21a erhöht und es ist möglich, eine
Wärmeabstrahlungseigenschaft
durch die metallische Schicht 21 der Seite der vorderen
Fläche
zu verbessern.
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In 10 weist
der Rippenabschnitt 21a die Rippenform einer flachen Plattenform
auf. Jedoch kann, wenn der Rippenabschnitt 21a eine Form
aufweist, die imstande ist, die Wärmeabstrahlungseigenschaft
zu verbessern, eine Rippenform ausgenommen dieser Form ebenso verwendet
werden. Ein derartiger Rippenabschnitt 21a kann durch Ätzen, Drucken
usw. ausgebildet werden.
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Weiterhin
ist es ausreichend, die Aussenfläche
von mindestens einer metallischen Schicht von beiden der metallischen
Schichten 21, 22 auf die Rippenform festzulegen,
um die Wärmeabstrahlungseigenschaft
der Halbleitervorrichtung zu verbessern. Zum Beispiel kann die Aussenfläche der
metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche ebenso
auf die Rippenform festgelegt werden. Weiterhin können die
Aussenflächen
von beiden der metallischen Schichten 21, 22 ebenso
auf die Rippenform festgelegt werden. Dieses Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung kann an jedem der vorhergehenden Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung angewendet werden.
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Fünftes Ausführungsbeispiel
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11 zeigt
eine schematische Schnittansicht des Gesamtaufbaus einer Halbleitervorrichtung 140 gemäß dem fünften Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung.
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Wie
es in 11 gezeigt ist, weist die Halbleitervorrichtung 140 dieses
Ausführungsbeispiels der
vorliegenden Erfindung ein elektrisch leitendes Element 60 auf,
das sich von der metallischen Schicht 21 der Seite der
vorderen Fläche
zwischen beiden der metallischen Schichten 21, 22,
die sich auf beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 des
Halbleiterelements 10 befinden, zu der metallischen Schicht 22 der
Seite der hinteren Fläche
ausdehnt. Die metallische Schicht 21 der Seite der vorderen
Fläche
ist elektrisch an der Seite der metallischen Schicht 22 der
Seite der hinteren Fläche über dieses
elektrisch leitende Element 60 herausgeführt.
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Genauer
gesagt ist es das elektrisch leitende Element 60 in einer
Säulenform
ausgebildet, die durch ein elektrisch leitendes Material, wie zum
Beispiel Cu, Eisen, usw., ausgebildet ist, und geht über das
Halbleiterelement 10 hinaus und dehnt sich von der Seite
der vorderen Flächen 11 des
Halbleiterelements 10 über
einen Durchgangsabschnitt 61, der in dem Halbleiterelement 10 angeordnet
ist, zu der Seite der hinteren Fläche 12 aus.
-
Hierbei
kann zum Beispiel der Durchgangsabschnitt 61 durch ein
Durchgangsloch, das durch das Halbleiterelement in seiner Dickenrichtung
geht, einen Kerbabschnitt des Umfangsabschnitts des Halbleiterelements 10 usw.
aufgebaut sein. Weiterhin ist eine Endseite des elektrisch leitenden
Elements elektrisch durch Löten,
Hartlöten
oder Schweißen usw.
mit der metallischen Schicht 21 der Seite der vorderen
Fläche
verbunden. Ein Zwischenabschnitt des elektrisch leitenden Elements 60 ist
durch das Verkapselungsharz 30 verkapselt und der andere
Endabschnitt des elektrisch leitenden Elements 60 kann nach
aussen verbunden sein.
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Gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung können
die Elektroden 13 bis 15 von beiden der vorderen
und hinteren Flächen 11, 12 in
dem Halbleiterelement 10 auf der Seite der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 herausgeführt sein und kann eine Struktur
zum konzentrierten Herausführen
der Elektroden auf einer Fläche
realisiert werden.
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Im
Gegensatz zu 11 kann ein elektrisch leitendes
Element 60 ebenso mit der metallischen Schicht 22 der
Seite der hinteren Fläche
verbunden sein und kann die metallische Schicht 22 der
Seite der hinteren Fläche
ebenso über
dieses elektrisch leitende Element 60 auf der metallischen
Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche herausgeführt sein.
Ein derartiger Aufbau dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung kann an jedem der vorhergehenden Ausführungsbeispiele der vorliegenden
Erfindung angewendet werden.
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Sechstes Ausführungsbeispiel
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12 zeigt
eine schematische Schnittansicht des Gesamtaufbaus einer Halbleitervorrichtung 150 gemäß dem sechsten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. In 12 ist
die Gateelektrode 15 weggelassen.
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In
der Halbleitervorrichtung 150 dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung ist, wie es in 12 gezeigt
ist, ein Abschnitt des Halbleiterelements 10 als ein Leiterabschnitt 70 aufgebaut,
der in der Dickenrichtung des Halbleiterelements 10 elektrisch
leitend ist. Daher wird die metallische Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche über diesen Leiterabschnitt
auf der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren
Fläche
herausgeführt.
-
Genauer
gesagt wird in dem Leiterabschnitt 70 eine Fläche einer
hohen Konzentration einer Ionenimplantation in einem Umfangsabschnitt
des Halbleiterelements 10 in seiner gesamten Dickenrichtung
ausgebildet. Zum Beispiel kann ein derartiger Leiterabschnitt 70 unter
Verwendung des Verfahrens eines Halbleiterverfahrens ausgebildet
werden, in welchem Störstellen
aus B bzw. Bor, P bzw. Phosphor usw. in Übereinstimmung mit einem elektrischen
Leitfähigkeitstyp
eines Wafers implantiert und diffundiert werden, der das Halbleiterelement 10 bildet.
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In
diesem Leiterabschnitt 70 wird eine Herausführungselektrode 71,
die durch Aluminium usw. aufgebaut ist, auf beiden der vorderen
und hinteren Flächen 11, 12 des
Halbleiterelements 10 ausgebildet und sind diese Herausführungselektrode 71 und der
Leiterabschnitt 70 elektrisch verbunden.
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Die
metallische Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche ist über das
Lot mit der Herausführungselektrode 71 des
Seite der vorderen Fläche 11 verbunden.
Eine Leiterelektrode 72 ist über das Lot 40 mit
der Herausführungselektrode 71 der
Seite der hinteren Fläche 12 verbunden.
-
Zum
Beispiel kann in dem vorhergehenden Herstellungsverfahren diese
Leiterelektrode 72 als ein Abschnitt des Plattenmaterials 302 zum
Ausbilden der metallischen Schicht der Seite der hinteren Fläche ausgebildet
werden. Weiterhin ist ein Zwischenabschnitt der Leiterelektrode 72 durch
das Verkapselungsharz 30 verkapselt.
-
Daher
kann die Elektrode 13 der vorderen Fläche in dem Halbleiterelement 10 auf
der Seite der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 von der metallischen Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche über das
Lot 40, die Herausführungselektrode 71,
den Leiterabschnitt 70, die Herausführungselektrode 71,
das Lot 40 und die Leiterelektrode 72 herausgeführt werden.
Daher kann eine Struktur zum konzentrierten Herausführen der
Elektrode auf einer Fläche
in diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung ebenso realisiert werden.
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Im
Gegensatz zu 12 kann ein Leiterabschnitt 70 mit
der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche verbunden
sein und kann die metallische Schicht 22 der Seite der
hinteren Fläche ebenso über diesen
Leiterabschnitt 70 zu der metallischen Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche
herausgeführt
sein. Ein derartiger Aufbau dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung kann an jedem der vorhergehenden Ausführungsbeispiele der vorliegenden
Erfindung angewendet werden.
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Siebtes Ausführungsbeispiel
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13 zeigt
eine schematische Schnittansicht eines Hauptabschnitts eines Herstellungsverfahrens
einer Halbleitervorrichtung gemäß dem siebten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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Es
ist ausreichend, wenn beide metallische Schichten 21, 22 mit
der vorderen Fläche 11 bzw.
der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 verbunden sind und auf den jeweiligen
Flächen
elektrisch mit den Elektroden 13 bis 15 verbunden
sind. Weiterhin ist es ausreichend, wenn diese Elektroden 13 bis 15 über die
jeweiligen metallischen Schichten 21, 22 nach
aussen verbunden sind.
-
In
jedem der vorhergehenden Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung sind die jeweiligen metallischen Schichten 21, 22 und
die Elektroden 13 bis 15 über das elektrisch leitende
Verbindungselement 40 elektrisch verbunden, aber die vorliegenden
Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung sind nicht auf diesen Fall beschränkt. In
diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung sind die metallischen Schichten 21, 22,
die elektrisch mit den Elektroden 13 bis 15 verbunden
sind, derart festgelegt, dass sie durch einen Plattierungsfilm aufgebaut
sind, der auf den Elektroden 13 bis 15 ausgebildet
ist.
-
Die
metallische Schichten 21, 22 als ein derartiger
Plattierungsfilm können
unter Verwendung eines bekannten Plattierungsverfahrens unter Verwendung
von Cu usw. bezüglich
des vorhergehenden Halbleiterwafers (siehe 3A) ausgebildet
werden. Gemäß einem
derartigen Plattierungsverfahren wird ein Plattierungsfilm selektiv
auf die Oberflächen
der Elektroden 13 bis 15 abgeschieden und die
metallische Schichten 21, 22 können ausgebildet werden. 13 zeigt
einen Zustand bis jetzt.
-
Ein
Beispiel eines konkreten Plattierungsverfahrens wird beschrieben.
Nachdem eine Cu-Plattierung auf der gesamten Fläche des vorhergehenden Halbleiterwafers
ausgebildet worden ist, wird ein Teilätzen durchgeführt und
werden die Elektroden 13 bis 15 getrennt. In diesem
Fall wird zum Beispiel Cu von ungefähr 0,01 μm auf der gesamten Fläche des
Halbleiterwafers durch Vakuumabscheidung abgeschieden und wird einer
Cu-Plattierung dick durch ein elektrisches Plattieren durchgeführt. Danach
wird eine Photomaske auf der Cu-Plattierung ausgebildet und werden
die Elektroden 13 bis 15 durch Ätzen getrennt.
-
Weiterhin
können
die metallischen Schichten 21, 22 ebenso durch
Abscheiden der Cu-Plattierung auf den Oberflächen der Elektroden 13 bis 15 in
einem Trennzustand der Elektroden 13 bis 15 durch stromloses
Cu-Plattieren zum selektiven Abscheiden von lediglich Abschnitten
der Elektroden 13 bis 15 ausgebildet werden.
-
Daher
wird, nachdem die metallischen Schichten 21, 22 ausgebildet
worden sind, ähnlich dem
vorhergehenden Herstellungsverfahren, das Verkapselungsharz 30 in
einen Abschnitt zwischen geteilten Abschnitten in der geteilten
metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche eingespritzt und
werden aus Aussenflächen
der metallischen Schichten 21, 22 poliert usw.
und wird letztlich ein Würfelungsschneiden
durchgeführt.
Daher wird in diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung eine Halbleitervorrichtung vorgesehen,
die die metallischen Schichten 21, 22 aufweist,
die durch einen Plattierungsfilm aufgebaut sind.
-
In
dieser Halbeitervorrichtung kann bezüglich den Dicken der metallischen
Schichten 21, 22, die durch einen Plattierungsfilm
aufgebaut sind, eine Dicke zum Beschränken einer Deformation und
einer Krümmung
des Halbleiterelements 10 aufgrund einer thermischen Expansion
usw. der metallischen Schichten 21, 22, wie es
in dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung beschrieben worden ist, ebenso angewendet
werden. Weiterhin kann dieses Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung an den vorhergehenden zweiten bis sechsten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung angewendet werden.
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Achtes Ausführungsbeispiel
-
14 zeigt
eine schematische Schnittansicht eines Hauptabschnitts eines Herstellungsverfahrens
einer Halbleitervorrichtung gemäß dem achten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
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In
dem Herstellungsverfahren, das in dem vorhergehenden ersten Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung gezeigt ist, wird auf der Fläche der
Seite, die der Verbindungsfläche
mit dem Halbleiterwafer 200 in dem Plattenmaterial 302 als
die metallische Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche gegenüberliegt,
die gesamte Fläche
dieser gegenüberliegenden
Seite in die Plattendicke des Bodenabschnitts des konkaven Abschnitts 22a poliert
und entfernt (siehe die vorhergehende 4B).
-
Hier
wird kein Entfernen über
die gesamte Fläche
dieser gegenüberliegenden
Seite durchgeführt,
sondern es ist ausreichend, die metallische Schicht 22 der
Seiten der hinteren Fläche
als eine geteilte metallische Schicht auszubilden. Weiterhin kann
ebenso ein Teilentfernungsverfahren eines im Wesentlichen lediglich
Entfernens des Bodenabschnitts des konkaven Abschnitts 22a angewendet werden.
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In
dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung wird ähnlich
dem Herstellungsverfahren, das in den vorhergehenden 3A bis 3D und 4A bis 4C gezeigt
ist, eine Verarbeitung durchgeführt, bis
die Plattenmaterialien 301, 302 gelötet werden und
das Verkapselungsharz 30 eingespritzt wird (siehe die vorhergehende 4A).
-
Danach
wird, wie es in 14 gezeigt ist, lediglich der
Bodenabschnitt 22a des konkaven Abschnitts 22a auf
der Seite der vorhergehenden gegenüberliegenden Seite in dem Plattenmaterial 302, dass
heisst lediglich ein Abschnitt, der dem Verkapselungsharz 30 entspricht,
im Wesentlichen unter Verwendung einer Würfelungsvorrichtung usw. gekerbt.
-
Daher
wird das Plattenmaterial 302 als die metallische Schicht 22 der
Seite der hinteren Fläche geteilt
und ausgebildet. In diesem Fall wird, wie es in 14 gezeigt
ist, ein Abschnitt des Verkapselungsharzes 30 ebenso einfach
gekerbt, aber es gibt insbesondere kein Problem.
-
Danach
wird in dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung eine Halbleitervorrichtung ähnlich zu der, die in der vorhergehenden 1 gezeigt
ist, durch Polieren der Aussenflächen
der metallischen Schichten 21, 22 usw. fertig
gestellt und wird letztlich das Würfelungsschneiden durchgeführt.
-
In
diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung kann zum Beispiel das vorhergehende Teilentfernungsverfahren
ebenso durch Sandstrahlen, usw. zusätzlich zu der Würfelungsvorrichtung
durchgeführt
werden. Das Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung
kann angewendet werden, um die Halbleitervorrichtungen der vorhergehenden
zweiten bis sechsten Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung herzustellen.
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Neuntes Ausführungsbeispiel
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Die 15a und 15B zeigen
schematische Schnittansichten eines Hauptabschnitts eines Herstellungsverfahrens
einer Halbleitervorrichtung gemäß dem neunten
Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung.
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In
dem Herstellungsverfahren, das in den vorhergehenden 3A bis 3D und 4A bis 4C gezeigt
ist, wird als ein Verfahren zum Verbinden der geteilten metallischen
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche mit dem Halbleiterelement 10, das
Plattenmaterial 302, das den konkaven Abschnitt 22a ausbildet,
verwendet und an das Halbleitermaterial 10 gelötet und
wird dann das Plattenmaterial 302 geteilt.
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Im
Gegensatz dazu verwendet, wie es in 15A gezeigt
ist, das Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung ein Integrieren eines Teils eines Zustands, in welchem
ein einzelner geteilter Abschnitt in der geteilten metallischen
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche integral durch ein Filmelement 350 befestigt ist.
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Hier
kann ein druckempfindlicher Klebstoff usw. der durch Polyimid usw.
aufgebaut ist, als das Filmelement 350 verwendet werden.
Zum Beispiel wird ein derartiges Integrationselement durch Haften und
Befestigen einer geteilten Kupferplatte an dem Filmelement 350 und
Haften des Filmelements 350 an einer Fläche der Kupferplatte im Voraus
und Teilen dieser Kupferplatte von der anderen Flächenseite an
der Seite, die dem Filmelement 350 gegenüberliegt
usw. durch Ätzen
usw. ausgebildet.
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Wie
es in 15A gezeigt ist, ist die metallische
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche, die dieses Integrationselement
bildet, mit der hinteren Fläche 202 des
Halbleiterwafers 200 über
das Lot 40 verbunden. Weiterhin wird das Plattenmaterial 301 gleichzeitig über das
Lot 40 mit der vorderen Fläche 201 des Halbleiterwafers 200 verbunden.
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Danach
wird, wie es in 15B gezeigt ist, das Filmelement 350 von
der metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche abgezogen.
Daher erzielt es einen Zustand, in welchem die metallische Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche
auf der vorderen Fläche 201 des
Halbleiterwafers 200 verbunden ist und die metallische
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche als eine geteilte metallische
Schicht auf der Seite der hinteren Fläche 202 verbunden
ist.
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Als
Nächstes
wird das vorhergehende Verkapselungsharz 30 zwischen geteilte
Abschnitte in der metallischen Schicht 22 der Seite der
hinteren Fläche
eingespritzt, obgleich dieses Verkapselungsharz 30 nicht
dargestellt ist. Dieses Verkapselungsharz 30 wird durch
ein Verfahren, wie zum Beispiel einem Transfer-Mold-Verfahren, ein Einbetten unter Verwendung
einer Rakel usw., eingespritzt.
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Danach
werden ein Oberflächenpolieren usw.
des Plattenmaterials 302 der Seite der hinteren Fläche in Übereinstimmung
mit einer Notwendigkeit durchgeführt.
In diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung wird ebenso eine Halbleitervorrichtung ähnlich zu
der, die in der vorhergehenden 1 gezeigt
ist, durch letztliches Durchführen
des Würfelungsschneidens
fertig gestellt.
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Hier
wird in dem Herstellungsverfahren dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung das Verkapselungsharz 30 im Voraus zwischen die
geteilten Abschnitte der metallischen Schicht 22 der Seite
der hinteren Fläche
in dem vorhergehenden Integrationselement eingespritzt und kann
ebenso an den Halbleiterwafer 200 gelötet werden.
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Weiterhin
kann in dem vorgehenden Integrationselement ein Loch in einem Teil
angeordnet sein, der sich zwischen den geteilten Abschnitten der
metallischen Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche in dem
Filmelement 350 befindet und kann das Verkapselungsharz 30 ebenso
von dem Loch des Füllelements
eingespritzt werden, nachdem das Integrationselement an den Halbleiterwafer 200 gelötet worden
ist. In diesem Fall wird das Füllelement 350 abgezogen,
nachdem das Verkapselungsharz 30 aufgefüllt worden ist.
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Ein
derartiges Herstellungsverfahrens dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung kann ebenso angewendet werden, um die Halbleitervorrichtungen
der vorhergehenden zweiten bis sechsten Ausführungsbeispiele der vorliegenden
Erfindung herzustellen.
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Zehntes Ausführungsbeispiel
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16 zeigt
eine schematische Schnittansicht des Gesamtaufbaus einer Halbleitervorrichtung 160 gemäß dem zehnten
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Hier wird eine obere Fläche 11 des
Halbleiterelements 10 in der Halbleitervorrichtung 160 in 16 ebenso
an die vordere Fläche 11 gesetzt
und wird eine untere Fläche 12 an
die hintere Fläche 12 gesetzt.
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In
der Halbleitervorrichtung von jedem der vorhergehenden Ausführungsbeispiele
der vorliegenden Erfindung sind die metallischen Schichten 21, 22 mit
beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 des
Halbeiterelements 10 verbunden. Jedoch ist in der Halbleitervorrichtung 160 dieses
Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung eine metallische Schicht 21 in
lediglich einer von beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 des
Halbleiterelements 10 angeordnet.
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Hierbei
ist diese metallische Schicht 21 die gleiche wie die vorhergehende
metallische Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche und
ist über
ein elektrisch leitendes Verbindungselement 40 auf der vorderen
Fläche 11 des
Halbleiterelements 10 mit der Kollektorelektrode verbunden.
In diesem Fall ist die planare Abmessung der metallischen Schicht 21,
der Seite der vorderen Fläche
ebenso die planare Abmessung des Halbleiterelements 10 oder
weniger und liegt in dem Bereich der planaren Abmessung des Halbleiterelements 10.
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Wenn
die metallische Schicht in lediglich einer von beiden der vorderen
und hinteren Flächen 11, 12 des
Halbleiterelements 10 angeordnet ist, kann die metallische
Schicht ebenso auf lediglich der hinteren Fläche 12 des Halbleiterelements 10 angeordnet
sein. In diesem Fall ist es ähnlich
dem Aufbau der Seite der hinteren Fläche 12 des Halbleiterelements 10 in
der vorhergehenden 1 usw. ausreichend, die vorhergehende
metallische Schicht der Seite der hinteren Fläche mit der Emitterelektrode 14 und
der Gateelektrode 15 über
das elektrisch leitende Verbindungselement 40 zu verbinden.
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Weiterhin
kann in diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung die metallische Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche
ebenso durch Plattieren auf die Kollektorelektrode 13 ähnlich der
metallischen Schicht der Seite der vorderen Fläche der vorhergehenden 13 ausgebildet
sein, und kann ebenso in einer Rippenform ausgebildet sein, wie
es in der vorhergehenden 10 gezeigt ist.
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Weiterhin
sind, wie es in 16 gezeigt ist, in diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung die Endfläche der metallischen Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche
und die Endfläche
des Halbleiterelements 10 ebenso mit einem Bedeckungsharz 50 einer
elektrisch isolierenden Eigenschaft bedeckt und werden geschützt. Dieses
Bedeckungsharz 50 ist ähnlich
zu dem, das in der vorhergehenden 7 gezeigt
ist, aber muss in diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung nicht angeordnet sein.
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Weiterhin
ist, wie es in 16 gezeigt ist, in diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung ein Lothöcker 450 in der Emitterelektrode 14 und
der Gateelektrode 15 auf der Seite der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 angeordnet. Dies ist so, da, wenn
diese Halbleitervorrichtung 160 an einem Drucksubstrat
usw. montiert wird, eine elektrische Verbindung mit diesem Drucksubstrat über diesen
Lothöcker 450 durchgeführt wird.
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Dieser
Lothöcker 450 kann
ebenso auf der Seite der Halbleitervorrichtung 160 im Voraus
angeordnet werden und kann ebenso auf der Seite des Drucksubstrats
angeordnet werden. Zum Beispiel kann der Lothöcker 450 durch ein
Druckverfahren, ein Plattieren usw. ausgebildet werden.
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Zum
Beispiel kann die Halbleitervorrichtung 160 dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung unter Verwendung des Herstellungsverfahrens
hergestellt werden, wenn keine metallische Schicht an der Seite
einer hinteren Fläche
in dem Herstellungsverfahren angeordnet wird, das in den vorhergehenden 3A bis 3D und 4A bis 4C gezeigt
ist. Das heisst, die Halbleitervorrichtung 160 dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung kann durch Verbinden des Plattenmaterials 301,
das die metallische Schicht 21 bildet, mit lediglich der
vorderen Fläche 201 des
vorhergehenden Halbleiterwafers 200 über das Lot 40 und
als nächstes
Durchführen
des Würfelungsschneidens fertig
gestellt werden.
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Die
Halbleitervorrichtung 160 dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung, die auf diese Weise hergestellt ist, ist über einen
Lothöcker 450 der
Seite der hinteren Fläche 12 des
vorhergehenden Halbleiterelements 10 montiert. Hier zeigt 17A eine schematische Schnittansicht eines Beispiels,
in welchem der Lothöcker 450 geteilt
in der Halbleitervorrichtung 160 dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung angeordnet ist. 17B zeigt
eine schematische Schnittansicht einer Struktur, in welcher die
Halbleitervorrichtung 160, die in 17A gezeigt
ist, an das Substrat 400 montiert ist.
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Wie
es in den 17A und 17B gezeigt ist,
ist der Lothöcker 450 als
mehrere geteilte Höcker in
der Emitterelektrode 14 der Seite der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 angeordnet. Hier ist ein Abschnitt
zwischen den jeweiligen Lothöckern 450 durch
den vorhergehenden Schutzfilm 16 isoliert. Jeder Lothöcker 450 ist
mit einer Anschlussfläche 401 des
Substrats 400 verbunden. Bei dieser Montagestruktur ist
ein Unterfüllungsharz 402 zwischen
die jeweiligen Lothöcker 450 zwischen
die Halbleitervorrichtung 160 und das Substrat 400 gefüllt und
wird eine Verbindungszuverlässigkeit
erhöht.
-
Hier
ist der Lothöcker 450 aus
den folgenden Gründen
geteilt. In dem Fall einer Elektrode einer breiten Fläche werden
viele Hohlräume
erzeugt, wenn die Elektrode an ein Substrat gelötet wird. Deshalb wird ein
Lotriss einfach durch eine Umgebungsspannung eines Markts verursacht
und wird eine Lebensdauer stark gestreut. Weiterhin ist eine Elektrodenfläche der
Emitterelektrode 14 groß verglichen mit der Gateelektrode 15.
Deshalb ist die Halbleitervorrichtung zu einer Montagezeit stark
geneigt und wird der Lothöcker 450 für die Gateelektrode 15 leicht zu
der Anschlussfläche 401 des
Substrats 400 geöffnet.
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Weiterhin
wird, wenn die Anschlussfläche 401 geteilt
wird, eine Einspritzeigenschaft beim Füllen des Unterfüllungsharzes 402 verbessert.
Weiterhin wird eine Fläche
des Unterfüllungsharzes 402 erhöht, die
in Kontakt mit dem Substrat 400 und der Halbleitervorrichtung 160 kommt.
Deshalb wird ein Verbesserungseffekt einer Verbindungszuverlässigkeit
unter Verwendung des Unterfüllungsharzes 402 groß.
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Zu
dieser Zeit wird, wenn alle der Abmessungen der einzelnen Lothöcker 450 gleich
festgelegt werden, die Einspritzeigenschaft des Unterfüllungsharzes 402 gleichmäßig und
wird kein Hohlraum des Unterfüllungsharzes 402 einfach
erzeugt. Es ist wünschenswert,
den Lothöcker 450 von
diesen Inhalten zu teilen.
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Gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung kann die Halbleitervorrichtung 160 einfach
durch Verbinden der metallischen Schicht 21 mit der vorderen
Fläche 12,
die die Kollektorelektrode 13 aufweist, in dem Halbleiterelement 10 hergestellt
werden. Weiterhin kann die planare Abmessung ebenso die metallische
Schicht 21 einschließend,
im Wesentlichen in der planaren Abmessung des Halbleiterelements 10 beinhaltet
sein. Deshalb kann die Halbleitervorrichtung in einem einfachen
Verfahren hergestellt werden und kann kompakt gemacht werden.
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Elftes Ausführungsbeispiel
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18A zeigt eine schematische Schnittansicht des
Gesamtaufbaus einer Halbleitervorrichtung 170 gemäß dem elften
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. 18B zeigt
eine schematische Schnittansicht einer Linie XVIIIB-XVIIIB in 18A. 18C zeigt
eine schematische Draufsicht, die von der Richtung eines Pfeils
XVIIIC in 18A betrachtet wird.
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Die
Halbleitervorrichtung 170 dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung weist ebenso einen Aufbau auf, in welchem die metallische Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche
mit lediglich der vorderen Fläche 11 des
Halbleiterelements 10 verbunden ist. Hier ist in diesem
Ausführungsbeispiel der
vorliegenden Erfindung weiterhin ein elektrisch leitendes Element 60 angeordnet,
das sich von der Seite der vorderen Fläche 11 des Halbleiterelements 10 zu
der Seite der hinteren Fläche 12 ausdehnt.
Die metallische Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche ist
elektrisch über
dieses elektrisch leitende Element 60 zu der Seite der hinteren
Fläche
herausgeführt.
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Dieses
elektrisch leitende Element 60 ist ähnlich zu dem, das in der vorhergehenden 11 gezeigt
ist, und eine Endseite davon ist elektrisch mit der metallischen
Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche verbunden und geht über das
Halbleiterelement 10 hinaus und dehnt sich von der Seite
der vorderen Fläche 11 des
Halbleiterelements 10 zu der Seite der hinteren Fläche 12 über einen
Durchgangsabschnitt 61 aus, der in dem Halbleiterelement 10 angeordnet
ist. Weiterhin wird ein Zwischenabschnitt des elektrisch leitenden
Elements 60 durch das Verkapselungsharz 30 verkapselt.
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Hier
ist, wie es in 18B gezeigt ist, der Durchgangsabschnitt 61 des
Halbleiterelements 10 ein Loch, das sich in der Dickenrichtung
des Halbleiterelements 10 ausdehnt, dass heisst durch einen Abschnitt
zwischen beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 geht.
Zum Beispiel kann dieser Durchgangsabschnitt 61 im Voraus
durch Ätzen
usw. in zum Beispiel einem Waferzustand angeordnet werden. Dieser
Durchgangsabschnitt 61 kann ebenso ähnlich 18B bezüglich des
Aufbaus, der in der vorhergehenden 11 gezeigt
ist, ausgebildet werden.
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Gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung kann die Elektrode 13 der vorderen
Fläche 11 in
dem Halbleiterelement 10 ebenso auf der Seite der hinteren
Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 herausgeführt werden und kann eine Struktur
zum konzentrierten Herausführen
der Elektrode auf einer Fläche
realisiert werden.
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Weiterhin
zeigen die 19A und 19B schematische
Schnittansichten eines Zustands, in welchem der Lothöcker 450 in
den Elektroden 14, 15 der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 und dem elektrisch leitenden Element 60 in
einer Halbleitervorrichtung 170 dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung angeordnet ist. 18A zeigt
ein Beispiel, in welchem kein Lothöcker 450 der Emitterelektrode 14 geteilt
ist. 19B zeigt ein Beispiel, in welchem
der Lothöcker 450 geteilt
ist. Daher kann diese Halbleitervorrichtung 170 über den
Lothöcker 450 ebenso
an ein Substrat usw. montiert sein.
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Zwölftes Ausführungsbeispiel
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20 zeigt
eine schematische Schnittansicht des Gesamtaufbaus einer Halbleitervorrichtung 180 gemäß dem zwölften Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Weiterhin zeigen die 21A und 21B schematische
Schnittansichten eines Zustands, in welchem der Lothöcker 450 in den
Elektroden 14, 15 der hinteren Fläche 12 des Halbleiterelements 10 in
dieser Halbleitervorrichtung 180 angeordnet ist. 21A zeigt ein Beispiel, in welchem kein Lothöcker 450 der
Emitterelektrode 14 geteilt ist. 21B zeigt
ein Beispiel, in welchem der Lothöcker 450 geteilt ist.
-
Die
Halbleitervorrichtung 180 dieses Ausführungsbeispiels der vorliegenden
Erfindung weist ebenso einen Aufbau auf, in welchem die metallische Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche
mit lediglich der vorderen Fläche
des Halbleiterelement verbunden ist. Hier ist in diesem Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung ein Abschnitt des Halbleiterelements 10 als
ein Leiterabschnitt 70 aufgebaut, der in der Dickenrichtung
des Halbleiterelements 10 elektrisch leitend ist. Die metallische
Schicht 21 der Seite der vorderen Fläche ist über diesen Leiterabschnitt 70 elektrisch
aus der Seite der hinteren Fläche 12 des
Halbleiterelements 10 herausgeführt.
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Dieser
Leiterabschnitt 70 ist ähnlich
zu dem, der in der vorhergehenden 12 gezeigt
ist, und eine Fläche
einer hohen Konzentration einer Ionenimplantation ist an einem Umfangsabschnitt
des Halbleiterelements 10 ausgebildet. Hier ist die vorhergehende
Herausführungselektrode 71 ebenso
auf beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 des Halbleiterelements 10 in
dem Leiterabschnitt 70 ausgebildet.
-
Daher
ist, wie es in den 21A und 21B gezeigt
ist, die metallische Schicht 21 der Seite der vorderen
Fläche über die
Herausführungselektrode 71 der
vorderen Fläche 11,
den Leiterabschnitt 70 und die Herausführungselektrode 71 der hinteren
Fläche 12 elektrisch
mit dem Lothöcker 450 verbunden.
Die Halbleitervorrichtung 180 dieses Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung ist ebenso über diesen Lothöcker 450 an
ein Substrat usw. montiert.
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Gemäß diesem
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung kann ebenso die Elektrode 13 der
vorderen Fläche 11 in
dem Halbleiterelement 10 auf der Seite der hinteren Fläche des
Halbleiterelements 10 herausgeführt werden und kann eine Struktur
zum konzentrierten Herausführen
der Elektrode auf einer Fläche
realisiert werden.
-
Andere Ausführungsbeispiele
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Als
Nächstes
werden verschiedene Beispiele als andere Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
gezeigt. Eine Montagestruktur an dem Substrat 400 der Halbleitervorrichtung 100 ist
nicht auf diejenigen beschränkt,
die in den vorhergehenden 5A, 5B und 6A, 6B,
usw. gezeigt sind. Wie es in 22 gezeigt
ist, kann die Halbleitervorrichtung 100 ebenso an das Substrat 400 montiert
sein, um einen Zustand zu erzielen, in welchem das Halbleiterelement 10 auf
dem Substrat 400 erhöht
ist.
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Weiterhin
zeigen die 23A und 23B schematische
Schnittansichten eines Herstellungsverfahrens als ein anderes Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Dieses Herstellungsverfahren ist ein
Ausbildungsverfahren des Bedeckungsharzes 50 zum Bedecken
der Endfläche
der Halbleitervorrichtung, die in der vorhergehenden 7 usw. gezeigt
ist. In diesem Fall wird eine Verarbeitung ähnlich dem Herstellungsverfahren,
das in dem vorhergehenden ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung gezeigt ist, bis zu einem Würfelungsverfahren durchgeführt.
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In
dem Würfelungsverfahren
wird, wie es in 23A gezeigt ist, eine Grenze
des Halbleiterelements 10 von der Seite der metallischen
Schicht 22 der Seite der hinteren Fläche Teile geschnitten und wird
ein Abschnitt eines Plattenelements, das die metallische Schicht 21 der
Seite der vorderen Fläche
bildet, als links festgelegt. Zu dieser Zeit ist es erforderlich,
mindestens das Halbleiterelement 10 perfekt zu teilen.
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Danach
wird, wie es in 23A gezeigt ist, das Bedeckungsharz 50 in
eine Vertiefung, die in einem Abschnitt ausgebildet ist, in welchem
ein Abschnitt des Plattenelements belassen wird, eingespritzt und
gehärtet.
Dieses Bedeckungsharz 50 wird dann gehärtet. Danach werden der Abschnitt,
der bezüglich
eines Abschnitts des Plattenelements zurückgelassen wird, und ein Abschnitt
des Bedeckungsharzes 50 entlang einer Schneidelinie geschnitten. Daher
wird, wie es in 23B gezeigt ist, eine Halbleitervorrichtung 40 fertig
gestellt, die mit dem Bedeckungsharz 50 auf einer Endfläche bedeckt
ist.
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Weiterhin
zeigen die 24A bis 24C schematische
Schnittansichten eines Herstellungsverfahrens als ein anderes Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung. Dieses Herstellungsverfahren weist Effekte
bei einer Positionsausrichtung, wenn das Plattenmaterial 301 als
die vorhergehende metallische Schicht über das Lot 40 auf
den Halbleiterwafer 200 geheftet wird, und eines Positionierens einer
Photomaske auf, wenn das Plattenmaterial 301, das auf dem
Wafer 200 angeordnet ist, geätzt und durch Löten oder
Plattieren usw. getrennt wird.
-
Wie
es in 24A gezeigt ist, ist das Plattenmaterial 301 über das
Lot 40 zu dem vorhergehenden Halbleiterwafer 200 positionell
ausgerichtet. Jedoch wird zu dieser Zeit, wie es in 24B gezeigt ist, ein Abschnitt 301a,
der nicht an dem Halbleiterwafer 200 in dem Plattenmaterial 301 haftet,
angeordnet. Hier ist dieser Abschnitt 301a eine Kerbe 301a.
-
Andererseits
ist eine Erkennungsmarkierung 200a in dem Abschnitt angeordnet,
der nicht an dem Plattenmaterial 301 in dem Halbleiterwafer 200 haftet.
Das Plattenmaterial 301 ist unter Verwendung dieser Erkennungsmarkierung 200a positioniert
und ist durch Rückfließen gelötet.
-
Wie
es in 24C gezeigt ist, wird als Nächstes das
Plattenmaterial 301, das auf dem Wafer 200 angeordnet
ist, geätzt
und getrennt. Zu dieser Zeit wird ein Positionieren einer Photomaske
unter Verwendung der Erkennungsmarkierung 200a auf dem
vorhergehenden Wafer 200 ausgeführt. Daher wird in dem Herstellungsverfahren,
das in den 24A bis 24C gezeigt
ist, eine Arbeit einfach bezüglich
der Positionsausrichtung des Plattenmaterials 301 und des
Halbleiterwafers 200 und der Positionierung der vorhergehenden
Photomaske durchgeführt.
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In
den 24A bis 24C kann,
wenn Röntgenstrahlen
verwendet werden, die Erkennungsmarkierung 200a durch Befördern des
Plattenmaterials 301 bestätigt werden. Ein Positionieren kann
ohne Anordnen eines Teils, wie zum Beispiel die vorhergehende Markierung 301a,
durchgeführt werden.
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Weiterhin
kann wie in dem Herstellungsverfahren, das in den vorhergehenden 3A bis 3D und 4A bis 4C gezeigt
ist, bezüglich einer
Struktur zum Ausbilden des konkaven Abschnitts 22a in dem
Plattenmaterial 302 im Voraus durch Halbätzen usw.
eine detaillierte Positionsausrichtung automatisch durchgeführt werden,
wenn eine Selbstausrichtungseigenschaft eines Lots in der Positionsausrichtung
des Plattenmaterials 302 und des Halbleiterwafers 200 verwendet
wird.
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Weiterhin
weist in jedem der vorhergehenden Ausführungsbeispiele der vorliegenden
Erfindung das Halbleiterelement 10 die Elektroden 13 bis 15 auf
beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 davon
auf. Die Anzahl von Elektroden 13 der Seite der vorderen
Fläche
ist eins und die Anzahl von Elektroden 14, 15 der
Seite der hinteren Fläche 12 ist mehrere.
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Hier
kann die Anzahl von Elektroden von jeder von beiden der vorderen
und hinteren Flächen 11, 12 wie
das Halbleiterelement 10 eins sein und kann ebenso mehrere
sein.
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In
diesen Fällen
können
die metallischen Schichten 21, 22 der jeweiligen
Flächen
ebenso eine Form aufweisen, die einem Anordnungsmuster der entsprechenden
Elektrode entspricht. Wenn die metallische Schicht durch mehrere
geteilte Abschnitte aufgebaut ist, kann ein Abschnitt zwischen den
geteilten Abschnitten durch das vorhergehende Verkapselungsharz 30 verkapselt
werden.
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Weiterhin
sind, wenn beide der Elektroden von beiden der vorderen und hinteren
Flächen 11, 12 des
Halbleiterelements 10 eine Elektrode sind, zum Beispiel
beide der metallischen Schichten 21, 22 vorgesehen,
wie es in der vorhergehenden 2A gezeigt
ist. Deshalb kann in diesem Fall das Verkapselungsharz 30 ebenso
weggelassen werden.
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Weiterhin
kann ein Element, das durch einen Halbleiter aufgebaut ist und die
Elektrode auf mindestens einer Fläche von beiden der vorderen
und hinteren Flächen 11, 12 aufweist,
als das Halbleiterelement 10 verwendet werden. In dem vorhergehenden
Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung sind die Elektroden 13 bis 15 auf
beiden der vorderen und hinteren Flächen 11, 12 angeordnet.
Jedoch kann ein Halbleiterelement eines Einflächenelektrodenaufbaus, der
die Elektrode auf lediglich der vorderen Fläche 11 oder lediglich
der hinteren Fläche 12 aufweist,
ebenso verwendet werden.
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In
dem Fall eines derartigen Einflächenelektrodenaufbaus
kann eine Elektrode seiner einen Fläche verwendet werden und können mehrere
Elektroden von ihrer einen Fläche
ebenso verwendet werden. Weiterhin kann in dem Fall dieses Einflächenelektrodenaufbaus
die metallische Schicht, die mit der Fläche des Halbleiterelements
verbunden ist, das keine Elektrode aufweist, festgelegt werden,
um eine Aufgabe einer Wärmeabstrahlung
des Halbleiterelements usw. aufzuweisen. Weiterhin ist es wirkungsvoll,
eine Krümmung
des Halbleiterelements durch Anordnen der metallischen Schichten
auf beiden der vorderen und hinteren Flächen des Halbleiterelements
verglichen mit einem Fall zu beschränken, in welchem die metallische
Schicht auf lediglich einer Fläche
angeordnet ist.
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In
dem Fall dieses Einflächenelektrodenaufbaus
ist es ebenso möglich,
eine Halbleitervorrichtung herzustellen, in welcher beide der vorderen
und hinteren Flächen
des Halbleiterelements durch die metallischen Schichten festgeklemmt
sind und die Elektrode kann durch Vorbereiten eines Halbleiterwafers,
der mehrere Halbleiterelemente des Einflächenelektrodenaufbaus darin
ausbildet, und Durchführen
zum Beispiel der vorhergehenden verschiedenen Arten von Herstellungsverfahren
aus der metallischen Schicht herausgeführt werden.
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Weiterhin
wird in dem Herstellungsverfahren des vorhergehenden Ausführungsbeispiels
der vorliegenden Erfindung die Halbleitervorrichtung durch Festklemmen
des Halbleiterelements 10 eines Waferzustands durch die
metallischen Schichten 21, 22 und ein gemeinsames
Schneiden dieses Halbleiterelements 10 hergestellt. Jedoch
kann eine derartige Halbleitervorrichtung ebenso durch Durchführen eines
Verfahrens, das in dem vorhergehenden Herstellungsverfahren gezeigt
ist, wie zum Beispiel eines Verbindens der metallischen Schicht
usw. bezüglich eines
Halbleiterchips von einer oder mehreren Einheiten hergestellt werden,
in welcher de Halbleitervorrichtung teilgeschnitten ist.
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Eine
zuvor beschriebene erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung
weist ein Halbleiterelement, das erste und zweite Elektroden aufweist,
wobei das Halbleiterelement mindestens eine Elektrode beinhaltet,
welche auf einer der ersten und zweiten Oberflächen angeordnet ist, und erste
und zweite metallische Schichten auf, wobei die erste metallische Schicht
auf der ersten Oberfläche
des Halbleiterelements angeordnet ist und die zweite metallische Schicht
auf der zweiten Oberfläche
des Halbleiterelements angeordnet ist. Die eine Elektrode ist elektrisch
mit einer der ersten und zweiten metallischen Schichten verbunden,
welche auf einer der ersten und zweiten Oberflächen angeordnet ist. Die eine Elektrode
ist über
die eine der ersten und zweiten metallischen Schichten mit einer
externen Schaltung gekoppelt.