JP2004014811A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面(素子形成面)に素子毎にバンプ12が形成された半導体ウェハ10の裏面をAu−Si共晶層等を介して磁性材からなる導体基板30に貼り付けて半導体ウェハ10のみをチップ11単位にブレードでダイシングした後、バンプ12側に覗き窓が開口された非磁性材の導体基板20を貼り付け、覗き窓から樹脂40を注入してチップ11の周囲の空間に充填して固化させた後、導体基板20および導体基板30を一括してより薄いブレードでチップ11の間隙に沿ってダイシングし、非磁性材の電極材21(アノード)、磁性材の電極材31(カソード)がチップ11のバンプ12と底面にそれぞれ接続され、周囲を樹脂40で封止された構造のチップサイズの複数のダイオード100を得る。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、ダイオード等の半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
たとえば、図5の断面図に示されるように、ダイオード等の半導体装置においては、参考技術のレジンパッケージは、片方のフレーム上にペレットを熱圧着でペレットボンディングし、Al電極にAu線をボンディングし、もう一方のフレームにそのAu線をつなげ、その後、レジンモールドし、フレームを切断して完成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上述の参考技術のパッケージ構造は、図5に示すように、フレーム構造及びAu線によるボンディングワイヤーを使用することから、パッケージの高さ、大きさを小さくするためには、▲1▼チップを薄くする、▲2▼Auワイヤーのループ高さを低くする、▲3▼フレーム厚さを薄くする、▲4▼フレーム長さを短くする、等の対策が考えられるが、小型化には以下のような理由で限界がある。
【0004】
すなわち、チップ厚さを薄くするには、ウェハの割れ等で限界がある。Au線のループ高さを下げるには、Auの硬度で限界がある(Au線が切れる)。さらには、チップ側、Au線側にフレームが必要のため、チップサイズまでの小型化は困難である。Au線によるワイヤーボンディングが必要のためスループットが悪い。
【0005】
本発明の目的は、高いスループットにて小形で信頼性の高い半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造技術を提供することにある。
【0006】
本発明の目的は、低コストにて信頼性の高い半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造技術を提供することにある。
【0007】
本発明の他の目的は、高スループットおよび低コストにてチップサイズレベルまで小形で信頼性の高い半導体装置を製造することが可能な半導体装置の製造技術を提供することにある。
【0008】
本発明の他の目的は、チップの極性等に応じた整列作業を容易かつ迅速に行うことが可能な半導体装置を提供することにある。
【0009】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【0011】
本発明は、半導体ウェハの第1主面に複数の半導体装置を一括して形成し、個々の半導体装置にバンプ電極を形成する工程と、半導体ウェハの第1主面と表裏をなす第2主面を第1導体基板に貼り付ける工程と、第1導体基板上の半導体ウェハを選択的に個々の半導体装置毎にダイシングする工程と、半導体ウェハの第1主面側のバンプ電極に第2導体基板を貼り付ける工程と、第1導体基板と第2導体基板の間に封止材を注入する工程と、第1導体基板および第2導体基板を半導体装置単位にダイシングする工程と、を含むものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。
【0013】
図1(a)〜(e)は、本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法の一例を工程順に例示した斜視図であり、図2(a)〜(e)は、図1(a)〜(e)の各々の工程に対応した断面図である。また図3は、本実施の形態の半導体装置の製造方法にて得られた半導体装置の完成状態の構造の一例を示す断面図である。
【0014】
本実施の形態では、半導体装置の一例としてダイオードを製造する場合について説明する。
【0015】
まず、図3を参照して、本実施の形態の半導体装置であるダイオード100の構造の一例について説明する。
【0016】
本実施の形態のダイオード100では、チップ11の電極にバンプ12を形成し、これをアノード電極として使用する。バンプ12の材質はAu,Ni,Cu等の導体である。
【0017】
チップ11の上下を挟み込む形で、バンプ12の側に非磁性材(たとえばCu系の導体)の電極材21、チップ11の底面側に磁性材(たとえばFe系の導体)からなる電極材31をつけ、側面を樹脂40(PIQ:ポリイミド樹脂その他の絶縁樹脂)で覆う構造とする。この非磁性材(Cu系)の電極材21、磁性材(Fe系)からなる電極材31の各々に半田を付けてアノード電極21a、カソード電極31aとする。
【0018】
バンプ12をAu又はCuとし、アノード電極21a、カソード電極31aに非磁性材のCu系、磁性材のFe系をそれぞれ使用することで、Fe系のカソード電極31aに選択的に磁性が発生し、たとえば図4に例示されるように、磁石200にFe系のカソード電極31aを選択的に吸着させることが可能になり、磁石200による方向揃え及び整列が可能となり、製品切り離し後又は製品実装時の搬送や極性選別、整列等の作業が容易になる。
【0019】
上述のような構成の本実施の形態のダイオード100の製造方法の一例を、図1および図2等を参照して説明する。
【0020】
(1).ウェハの準備
表面側がアノード、裏面側がカソードとなるように複数のダイオードがフォトリソグラフィ技術等を用いるウェハプロセスにて、所定の配列ピッチにて格子状に一括して配列形成された半導体ウェハ10において、半導体ウェハ10の表面(アノード)にバンプ12を形成し、裏面(カソード)に図示しないAu−Si共晶層又はAgペースト層を形成する。
【0021】
(2).電極形成方法
カソード電極31aとなる導体基板30(Fe系)に熱を加えながら上述の半導体ウェハ10の裏面をAu−Si共晶層又はAgペースト層を介して接着させる(図1(a)および図2(a))。
【0022】
その後、ダイシング代t1(刃部の厚さ)のブレード50にて、導体基板30上の半導体ウェハ10のみをスクライブラインにそって格子状に縦横にダイシングして個々のチップ11に分離する(図1(b)および図2(b))。
【0023】
次に、覗き窓20aの開口された導体基板20(Cu系)をAgペースト等で半導体ウェハ10の表面側のバンプ12に接着させる(図1(c)および図2(c))。
【0024】
その後、上側の導体基板20の覗き窓20aから流動状態の樹脂40(PIQ他)を下側の導体基板30との間の空間(すなわち、個別に分離されたチップ11の周囲の空間)に注入(充填)し、チップ11の周囲を樹脂40でコーティングする(図1(d)および図2(d))。
【0025】
最後に、覗き窓20aからスクライブラインを確認しながら、チップ11の配列間隙に沿って、最初のダイシングに用いたブレード50よりも刃部の厚さの薄い(ダイシング代t2<t1)ブレード51で格子状に縦横に導体基板20および導体基板30を一緒にダイシングすることで、図3に例示した構造のダイオード100を得る(図1(e)および図2(e))。このとき、バンプ12の周囲は樹脂40で封止された状態となるとともに、チップ11の周囲(側面)は、ほぼ(t1−t2)/2の厚さの樹脂40にて封止された状態となる。また、t1とt2の値を適宜設定することで、樹脂40の被覆厚さを随意に設定可能である。
【0026】
以上説明したように、本実施の形態によれば、小形化の障害となるAu線等のボンディングワイヤを使用せず、電極材21および電極材31でチップ11を挟み込む構造のため、チップサイズ相当までの小型化が可能となる。
【0027】
また、電極材21および電極材31の片方に磁性材を使用することで、最後のダイシングにて個々のダイオード100にバラバラになった後に磁石200等で方向揃えが可能であり、製品切り離し後又は製品実装時の搬送や梱包、極性選別、整列等の作業が容易になる。
【0028】
また、ペレットボンディング、ワイヤボンディング、モールディング等のチップ一個づつの組立が不要でウェハ単位の多数のチップ11の一括処理のため、量産性に優れる。
【0029】
また、後工程の組立設備(ペレットボンディング装置、ワイヤボンディング装置、モールド装置等)が不要であり、ダイオード100の製造コスト低減が可能となる。
【0030】
とくに、ダイオード、トランジスターなどペレットサイズが小さく、表面および裏面から電極をひきだせる製品に適用した場合に効果が大きい。
【0031】
以上本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0032】
【発明の効果】
高いスループットにて小形で信頼性の高い半導体装置を製造することができる、という効果が得られる。
【0033】
低コストにて信頼性の高い半導体装置を製造することができる、という効果が得られる。
【0034】
高スループットおよび低コストにてチップサイズレベルまで小形で信頼性の高い半導体装置を製造することができる、という効果が得られる。
【0035】
チップの極性等に応じた整列作業を容易かつ迅速に行うことができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(e)は、本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法の一例を工程順に例示した斜視図である。
【図2】(a)〜(e)は、図1(a)〜(e)の各々の工程に対応した断面図である。
【図3】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法にて得られた半導体装置の完成状態の構造の一例を示す断面図である。
【図4】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法にて得られた半導体装置の整列工程の一例を示す概念図である。
【図5】本発明の参考技術のダイオードの構造を示す断面図である。
【符号の説明】
10 半導体ウェハ
11 チップ
12 バンプ
20 導体基板(第2導体基板)
20a 覗き窓
21 電極材
21a アノード電極
30 導体基板(第1導体基板)
31 電極材
31a カソード電極
40 樹脂(封止材)
50 ブレード
51 ブレード
100 ダイオード(半導体装置)
200 磁石
Claims (5)
- 半導体ウェハの第1主面に複数の半導体装置を一括して形成し、個々の前記半導体装置にバンプ電極を形成する工程と、
前記半導体ウェハの前記第1主面と表裏をなす第2主面を第1導体基板に貼り付ける工程と、
前記第1導体基板上の前記半導体ウェハを選択的に個々の前記半導体装置毎にダイシングする工程と、
前記半導体ウェハの前記第1主面側の前記バンプ電極に第2導体基板を貼り付ける工程と、
前記第1導体基板と前記第2導体基板の間に封止材を注入する工程と、
前記第1導体基板および前記第2導体基板を前記半導体装置単位にダイシングする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第1導体基板および前記第2導体基板の一方は磁性材であり他方は非磁性材からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体ウェハを前記半導体装置単位にダイシングする第1ダイシング代の幅寸法は、前記第1導体基板および前記第2導体基板を前記半導体装置単位にダイシングする際の第2ダイシング代の幅寸法よりも広いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1,2または3記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は外部接続端子としてアノードおよびカソードを有するダイオードであり、前記第1導体基板または前記第2導体基板を前記アノードまたは前記カソードとして用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項4記載の半導体装置の製造方法において、前記第1導体基板および前記第2導体基板の一方が磁性材で他方が非磁性材であることを利用して、磁力による極性選別を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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-
2002
- 2002-06-07 JP JP2002166422A patent/JP2004014811A/ja active Pending
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