JPH0391256A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH0391256A
JPH0391256A JP22798189A JP22798189A JPH0391256A JP H0391256 A JPH0391256 A JP H0391256A JP 22798189 A JP22798189 A JP 22798189A JP 22798189 A JP22798189 A JP 22798189A JP H0391256 A JPH0391256 A JP H0391256A
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JP
Japan
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resin
sealing
semiconductor device
sealing resin
semiconductor chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP22798189A
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English (en)
Inventor
Yukimasa Matsuda
松田　幸正
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0391256A publication Critical patent/JPH0391256A/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂封止された半導体装置に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
第３図は従来の半導体装置を示す断面図であり、この図
において、１は半導体チップ、２はこの半導体チップ１
を接着している金属板（ダイノｆッド）、３はこの金属
板２と一体成形されて作ら（１） れたリードフレーム、４は前記半導体チップ１とリード
フレーム３を接続するワイヤ、５は封止樹脂である。ま
た、半導体チップ１は、金属板（ダイパッド）２と樹脂
または共晶材料で接着（ダイボンド）される。
次に、第３図の半導体装置の製造工程について説明する
。
ｉｓ、、第４図に示すような金属板（ダイパッド）２と
リードフレーム３を一体成形したフレームを用い、金属
板（夛イパッド）２に半導体チップ１が樹脂または共晶
材料を用いて陣着（〆イボンド）される。次に、接着さ
れた半導体チップ１は、導電性のワイヤ４を用いて、リ
ードフレーム３に接続（ワイヤボンド）され、外部に対
して導通性が確保される。最後に、全体が＊ｍ封止され
、第３図の半導体装置が形成される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置は、以上のように構成されているので
、金属板（ダイパッド〉２と封止１１脂５の膨張係数の
差により、内部応力が生じ、界面が（２） 剥離したり、金属板２の近傍に微小なりラックが発生す
るなど、信頼性上の問題があった。また、この問題はパ
ッケージが薄くなるほど顕著にあられれ、特に封止樹脂
５が吸湿した後の熱的ストレスで封止樹脂５にクラック
が生じやすい等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、クラックの発生しない構造の半導体装置を
得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置は、グイパッドを封止樹脂と
同程度の熱膨張係数を有する樹脂板または封止ｍ＊と同
じ樹脂からなる樹脂板で形成したものである。
〔作用〕
この発明における樹脂板は、封止材料と同様の熱膨張係
数を有しており、内部応力の発生が防止され、封止４！
ｆｌＩｓのクラックの発生が抑えられる。
〔実施例〕
以下、乙の発明の一実施例を図面について説明（３） する。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
であり、第２図はリードフレームとグイパッドとの配置
状態を示す斜視図である。これらの図において、６は樹
脂板（グイパッド）で、この上に半導体チップ１を接着
している。
また、この半導体チップ１は、樹脂板６と樹脂または金
属ペーストで接着（グイボンド）される。
なお、その他の第３図と同一符号は同じものを示す。
この実施例は、第２図に示すような樹脂板（グイパッド
）６にリードフレーム３を絶縁性のある接着剤等で接着
し、この上に半導体チップ１を接着（グイボンド）して
、半導体チップ１とリードフレーム３をワイヤ４で接続
（ワイヤボンド）する。最後に封止樹脂５により樹脂封
止して第１図の半導体装置が形成される。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、グイパッドを封止樹
脂と同程度の熱膨張係数を有する樹脂板（４） または封止１７ＭＢＮと同じ樹脂からなる樹脂板で形成
したので、封止樹脂とグイパッドとの熱膨張係数が同じ
になり、したがって、樹脂封止後の内部応力の発生が防
止でき、封止＊Ｗ７Ｉにクラック等が発生せず、信頼度
の高い半導体装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す断
面図、第２図はこの発明の基本となる主要構成部品の斜
視図、第３図は従来の半導体装置を示す断面図、第４図
はその主要構成部品の斜視図である。 図において、１は半導体チップ、３はリードフレーム、
４はワイヤ、５は封止ＩＩＩ！脂、６は樹脂板である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ダイパッドに半導体チップを接着し、この半導体チップ
    とリードフレームとをワイヤボンディングした後、樹脂
    封止した半導体装置において、前記ダイパッドを、封止
    樹脂と同程度の熱膨張係数を有する樹脂板または前記封
    止樹脂と同じ樹脂からなる樹脂板で形成したことを特徴
    とする半導体装置。
JP22798189A 1989-09-01 1989-09-01 半導体装置 Pending JPH0391256A (ja)

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JP22798189A JPH0391256A (ja) 1989-09-01 1989-09-01 半導体装置

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JP22798189A JPH0391256A (ja) 1989-09-01 1989-09-01 半導体装置

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JPH0391256A true JPH0391256A (ja) 1991-04-16

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