JPH02114552A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02114552A JPH02114552A JP63267445A JP26744588A JPH02114552A JP H02114552 A JPH02114552 A JP H02114552A JP 63267445 A JP63267445 A JP 63267445A JP 26744588 A JP26744588 A JP 26744588A JP H02114552 A JPH02114552 A JP H02114552A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体チップ、及び、リード、金属線などを
、樹脂封止した半導体装置に関するものである。
、樹脂封止した半導体装置に関するものである。
従来の技術
従来の半導体装置を製造する場合、半導体チップをリー
ド上に装置し、金属線を張った後、一種類の樹脂を用い
て封止し、半導体装置全体を形成していた。
ド上に装置し、金属線を張った後、一種類の樹脂を用い
て封止し、半導体装置全体を形成していた。
従来の半導体装置の場合、一種類の樹脂で封止する為、
生産性は優れている反面、気密性や、金属部との密着性
、半導体チップとの密着性、及び半導体チップや封止樹
脂そのものにかかる応力など全ての要求を満足する事が
困難であった。
生産性は優れている反面、気密性や、金属部との密着性
、半導体チップとの密着性、及び半導体チップや封止樹
脂そのものにかかる応力など全ての要求を満足する事が
困難であった。
この問題を解決する為、従来では例えば、チップへの応
力を緩和するためチップ周囲表面へシリコンレジンを塗
布したり、全体への応力を緩和するため応力の小さい樹
脂で封止したり、個別の対応を行なっていた。
力を緩和するためチップ周囲表面へシリコンレジンを塗
布したり、全体への応力を緩和するため応力の小さい樹
脂で封止したり、個別の対応を行なっていた。
発明が解決しようとする課題
前記の様な構造では、樹脂界面が半導体チップや内部リ
ード、外気などと接している為、表面実装において熱ス
トレスを受けた際、それらの膨張係数の差によって、封
止樹脂のクラック、チップクラック、チップへの応力に
よる電気的特性の変動が起こるなどの問題を有していた
。
ード、外気などと接している為、表面実装において熱ス
トレスを受けた際、それらの膨張係数の差によって、封
止樹脂のクラック、チップクラック、チップへの応力に
よる電気的特性の変動が起こるなどの問題を有していた
。
本発明は、これらの問題点を解決する事ができる半導体
装置を提供するものである。
装置を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、チップ及びその周辺部を応力の小さい第一の
封止樹脂で封止し、その表面を吸湿率の小さい第二の封
止樹脂で封止するものである。
封止樹脂で封止し、その表面を吸湿率の小さい第二の封
止樹脂で封止するものである。
作用
前記の構造にする事によって、低応力の第一の封止樹脂
でチップや金属線に対しての応力を緩和し、吸湿率の小
さい第二の封止樹脂で内部リードとの密着性、気密性を
向上させる事が可能である。
でチップや金属線に対しての応力を緩和し、吸湿率の小
さい第二の封止樹脂で内部リードとの密着性、気密性を
向上させる事が可能である。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図、第２図は本発明の一実施例の半導体装置の垂直
および水平の断面図である。図中、１は金属リード、２
はそのダイパッド部、３は半導体チップ、４はリード１
と半導体チップ３とを接続する金属線、５はダイパッド
部２、半導体チップ３、金属線４およびリード２のうち
半導体チップ３の周辺に位置する部分を封止する第一の
封止樹脂、６はその表面を封止する第二の封止樹脂であ
る。
および水平の断面図である。図中、１は金属リード、２
はそのダイパッド部、３は半導体チップ、４はリード１
と半導体チップ３とを接続する金属線、５はダイパッド
部２、半導体チップ３、金属線４およびリード２のうち
半導体チップ３の周辺に位置する部分を封止する第一の
封止樹脂、６はその表面を封止する第二の封止樹脂であ
る。
ここで、外１りの第二の封止樹脂６として、リード１と
の密着性が良（、゛吸湿率が小さい樹脂を用い、内側の
第一の封止樹脂５として、半導体チップ３との密着性が
良（、応力の小さい樹脂を用いる事により、樹脂クラッ
ク、チップクラック。
の密着性が良（、゛吸湿率が小さい樹脂を用い、内側の
第一の封止樹脂５として、半導体チップ３との密着性が
良（、応力の小さい樹脂を用いる事により、樹脂クラッ
ク、チップクラック。
チップへの応力による電気的特性の変動等を解決する事
ができる。
ができる。
発明の詳細
な説明してきた様に、本発明での構造による半導体装置
を用いる事により、半導体装置にかかる外部からの応力
に対し、半導体チップ、金属線、及び、内部リードに加
わる応力を緩和する事ができチップクラック、パッケー
ジクラック、電気特性の変動などを防止する事ができる
。
を用いる事により、半導体装置にかかる外部からの応力
に対し、半導体チップ、金属線、及び、内部リードに加
わる応力を緩和する事ができチップクラック、パッケー
ジクラック、電気特性の変動などを防止する事ができる
。
第１図は、本発明の一実施例にかかる半導体装置の垂直
方向断面図、第２図はその水平方向の断面図である。 ■・・・・・・金属リード、２・・・・・・グイバット
、３・・・・・・半導体チップ、４・・・・・・金属線
、５・・・・・・第一の封止樹脂、６・・・・・・第二
の封止樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名／−−−ｉ
シ艮リード 第１図 第 ２ 図
方向断面図、第２図はその水平方向の断面図である。 ■・・・・・・金属リード、２・・・・・・グイバット
、３・・・・・・半導体チップ、４・・・・・・金属線
、５・・・・・・第一の封止樹脂、６・・・・・・第二
の封止樹脂。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか１名／−−−ｉ
シ艮リード 第１図 第 ２ 図
Claims (1)
- 半導体チップとその周辺に位置するリードと上記半導体
チップとリードとを接続する金属線を応力の小さい第一
の封止樹脂で封止し、その表面を吸湿率の小さい第二の
封止樹脂で封止した事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63267445A JPH02114552A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63267445A JPH02114552A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114552A true JPH02114552A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17444944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63267445A Pending JPH02114552A (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114552A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6390854B2 (en) | 2000-07-13 | 2002-05-21 | Denso Corporation | Resin shield circuit device |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63267445A patent/JPH02114552A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6390854B2 (en) | 2000-07-13 | 2002-05-21 | Denso Corporation | Resin shield circuit device |
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