JPH04129253A - 半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体パッケージに関し、もう少し詳しく
いうと、金属キャップ上に半導体素子を直接またはステ
ムを介して間接的に載置した後、封止樹脂により封止す
る半導体パッケージに関するものである。

［従来の技術］ 第３図は、例えば特開昭６４−２９３６４０号公報に示
された従来の金属キャップ上に半導体素子を直接または
ステムを介して間接的に載置した後、封止樹脂により封
止した半導体パッケージのうち、テプキャリアを用いた
パッケージの断面図である。

また、第４図（ａ）は上記パッケージの樹脂封止前の金
属キャップ付キャリアテープの平面図であり、第４図（
ｂ）　、　（ｃ）は上記パッケージで用いる金属キャッ
プの平面図および側面図である。

図において、（１）は半導体素子、（２）はテープキャ
リアの一部で、半導体素子（１）と接続されるために設
けられたインナーリード、（３）は同じくテープキャリ
アの一部で外部と電気的な接続を行うための部位にある
アウターリード、（４）は同じくテープキャリアの一部
で、テープキャリアのうち、半導体素子（１）を載１さ
れる部分であるセンターデバイスホール、（５）はテー
プキャリアの一部で、前記アウターリード（３）が並ん
でいる部位にあるアウターリードホール、（６）は前記
センターデバイスホール（４）とアウターリードホール
（５）の間に位置するテープ基材の部分で、従来インナ
ーリード（２）を保持する目的で設けられたサポートリ
ング、（７）は半導体素子（１）の外部電極（図示せず
）上、または、インナーリード（２）の先端付近で、半
導体素子（１）の外部電極と嵌合する部位に設けられた
バンブと呼ばれる金属突起電極である６（８）はテープ
キャリアのテープ基材よりなる部分のうち、サポートリ
ング（６）以外の部分で、仮りにテープベースと呼ばれ
る部分である。

上記符号（１）〜（８）でなるものを総称して、テープ
キャリアと呼び、テープキャリアのうち、半導体素子（
１）と接続される以前の符号（２）から（８）までの部
分を総称してキャリアテープと呼ぶ、ただし、バンブ（
７）が半導体素子（１）側に予め設けられる場合は、（
１）から（６）および（８）でなる部分をキャリアテー
プと呼ぶ。

また、金属キャップ（９）は後述する本発明の要部とな
る部分である。ステム（ｌＯ）は、半導体素子（１）と
金属キャップ（９）の間に存在し、半導体素子（１）の
熱膨張係数と金属キャップ（９）の熱膨張係数の間の熱
膨張係数を持つ金属等でできており、半導体素子（１）
と金属キャップ（９）の熱膨張の差によって起こる半導
体素子（１）への応力、パッケージの反りを抑えるため
、および、半導体素子（１）と金属キャップ（９）間の
すき間を埋めるために設けられている。　（１１）は半
導体素子（１）とステム（１０）およびステム（１０）
と金属キャップ（９）を接続する接続剤である。　（１
２）は、上記の符号（１）から（１１）のうち（３）を
除く構成部分の一部または全部を封止する封止樹脂であ
る。

次に、従来の金属キャップ（９）の上に半導体素子（１
）をステム（１０）を介して載置した後に封止樹脂によ
り封止するパッケージの製造方法について述べる。従来
の上記パッケージは、キャリアテープに、半導体素子（
１）を接続してテープキャリアを作成した後に、金属キ
ャップ（９）上にステム（１０）を介して半導体素子（
１）を載置した後、金型を用いて樹脂封止する。

また、上記パッケージの効果は、半導体素子（１）の裏
面に、ステム（１０）を介して金属キャップ（９）の層
を設けることで、半導体素子（１）の裏面を全て封止樹
脂で封止した通常のパッケージに比べ、放熱性が向上す
る。

【発明が解決しようとする課題］ 従来の金属キャップ（９）の上に半導体素子（１）をス
テム（１０）を介して載置した後に封止樹脂により封止
した半導パッケージは、以上のように構成されており、
さらに、金属キャップの絞り加工が絞り部でエツジを立
てて加工できないという問題および絞り加工精度上の問
題があるため、封止工程において、封止樹脂のにじみ出
しが発生し、封止工程終了後に金属キャップ（９）の露
出部分の周囲に樹脂パリが発生する。すなわち、第５図
において、（１３）は封止工程において、封止樹脂（１
２）かにじみ出して発生した、樹脂パリである。

樹脂パリ（１３）が発生すると、外観上の不具合以外に
も、放熱性が悪くなる等の問題も発生する。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、樹脂封止工程において、封止樹脂のにじみ出
しによる樹脂パリの形成を防止することができる半導体
パッケージを得ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体パッケージは、樹脂封止後に金属
キャップの裏面が露出する予定である部分の周囲に、リ
ング状の突起が設けられている。

［作　用コ この発明においては、金属キャップに設けたリング状の
突起の部分は、金属キャップ上に、ステムおよびキャリ
アテープに接続された半導体素子を載置し金型で樹脂封
止する際に、上下金型でキャリアテープのサポートリン
グ部および金属キャップのつばの部分を挟んだ際に、金
属キャップに設けたリング状の突起の部分が下金型に圧
着されるか、突起がやや押しつぶされることにより、リ
ング状の突起の内側へ樹脂かにじみ出すことを防止する
。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明による半導体パッケージの断面構造を示し
、第１図において、符号（１）から（１２）迄に既に従
来の技術の項で示したものと同様の部分であり、説明を
省略する。　（１４）は金属キャップ（９）の半導体素
子（１）を載置しない面にリング状に形成した突起であ
り、突起（１４）の高さは数十ミクロンから０．５ｍｍ
の範囲である。

以上の構成により、リング状の突起（１４）は、樹脂封
止の際に下金型と密着することにより、封止樹脂（１２
）のにじみ出しを防ぐ。

なお、上記実施例では、半導体素子（１）と外部との電
気的接続をテープキャリアを用いて行ったが、通常のリ
ードフレーム及び金属細線を用いても良い。

第２図はこの発明の他の実施例による半導体パッケージ
の断面構造を示す、第２図において、符号（１）および
（９）から（１２）、さらに（１４）は既に説明したも
のと同様であり、説明を省略する。（１５）はリードフ
レーム、（１６）は半導体素子（１）　とリードフレー
ム（１５）を接続する金属細線、（１７）はリードフレ
ーム（１５）と金属キャップ（９）の間に存在し、リー
ドフレーム（１５）と金属キャップ（９）を電気的に絶
縁する絶縁層である。

かかる構成により、同様の効果が得られる。

なお、金属キャップのリング状の突起の内側で金属が露
出している部位に、放熱フィンを取付けて放熱性を向上
してもよい。

また、リング状突起の形成は、金属キャップの絞り加工
時に同時に形成してもよいし、金属キャップの絞り加工
後、追加工の工程を設定して金型により突起を形成して
もよい。

［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、金属キャップの半導
体素子を載置しない面にリング状に突起を設けたので、
装置にパリが発生せず外観が美しく、かつ、例えばパリ
を介せず放熱フィンを接着できるため、放熱性のよいパ
ッケージが得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）はこの発明の一実施例の断面図、同図（ｂ
）は同図（ａ）におけるＢ部の詳細図、第２図は他の実
施例の断面図、第３図は従来の半導体パッケージの断面
図、第４図は従来の半導体パッケージを作る途中の過程
でのキャリアテープの平面図（ａ）、金属キャップの平
面図（ｂ）および側面図（Ｃ）、第５図（ａ）は第４図
に示す従来の半導体パッケージの問題点を示したパッケ
ージの断面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＢ部の詳細図
である。 （１）　　・・半導体素子、（９）・・金属キャップ、
（１２）・・封止樹脂、（１４）・・リング状の突起。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体素子を載置する側と反対側の外面にリング状の突
   起が設けられた金属キャップと、前記突起の外周から前
   記半導体素子にわたつて形成された封止樹脂とからなる
   半導体パッケージ。