JPH01194446A - 半導体チップの樹脂封止用セラミック基板 - Google Patents
半導体チップの樹脂封止用セラミック基板Info
- Publication number
- JPH01194446A JPH01194446A JP2049688A JP2049688A JPH01194446A JP H01194446 A JPH01194446 A JP H01194446A JP 2049688 A JP2049688 A JP 2049688A JP 2049688 A JP2049688 A JP 2049688A JP H01194446 A JPH01194446 A JP H01194446A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- resin
- electrode
- ceramic substrate
- sealing
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 22
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- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 21
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体チップを樹脂封止する場合に用いるこ
とができる半導体チップの樹脂封止用セラミック基板に
関するものである。
とができる半導体チップの樹脂封止用セラミック基板に
関するものである。
従来の技術
一般に半導体チップを樹脂封止する場かには、第３図に
示すように、半導体チップ接着用電極１とその周囲に設
けた外部引出し用電極２との間に、セラミックが露出し
だパターン空白部４を持ったセラミック基板５が用いら
れている。
示すように、半導体チップ接着用電極１とその周囲に設
けた外部引出し用電極２との間に、セラミックが露出し
だパターン空白部４を持ったセラミック基板５が用いら
れている。
発明が解決しようとする課題
ところが、前述したような様式を持ったセラミック基板
６では、第４図に示すように、半導体チップ７を封止用
樹脂６を用いて初詣封止した場合、用いる封止用樹脂６
によっては、セラミック基板５との熱膨張係数の差が大
きい為に、熱衝撃によるセラミック基板５からの封止用
樹脂６の剥離を生じる問題点があった。
６では、第４図に示すように、半導体チップ７を封止用
樹脂６を用いて初詣封止した場合、用いる封止用樹脂６
によっては、セラミック基板５との熱膨張係数の差が大
きい為に、熱衝撃によるセラミック基板５からの封止用
樹脂６の剥離を生じる問題点があった。
本発明はこのような従来の問題点を改善するものであり
、簡単な構成で熱衝撃によるセラミック基板からの封止
用胡脂の剥離を解消できる半導体チップの樹脂封止用セ
ラミック基板を提供せんとするものである。
、簡単な構成で熱衝撃によるセラミック基板からの封止
用胡脂の剥離を解消できる半導体チップの樹脂封止用セ
ラミック基板を提供せんとするものである。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達するためクト半導体チップ接着用
電極とその周囲に設けた外部引出し用電極との間に存在
するパターン空白部にガラス層を形成したものである。
電極とその周囲に設けた外部引出し用電極との間に存在
するパターン空白部にガラス層を形成したものである。
作 用
本発明は、半導体チップ接着用電極とその周囲に設けた
外部引出し用電極との間に存在するパタ−ン空白部にガ
ラス層を形成することによって、封止用樹脂とセラミッ
ク基板の間の大きな熱膨張係数の差を緩和し、熱衝撃に
よるセラミック基板からの封止用樹脂の剥離を解消する
ことができる。
外部引出し用電極との間に存在するパタ−ン空白部にガ
ラス層を形成することによって、封止用樹脂とセラミッ
ク基板の間の大きな熱膨張係数の差を緩和し、熱衝撃に
よるセラミック基板からの封止用樹脂の剥離を解消する
ことができる。
実施例
以下、本発明の一実施例としての半導体チップの樹脂封
止用セラミック基板を図面を参照して説明する。
止用セラミック基板を図面を参照して説明する。
第１図に示すように、セラミック基板５上の半導体チッ
プ接着用電極１とその周囲に設けた外部引出し用電極２
との間に存在するパターン空白部４にガラス層８を形成
する。本実施例では、ガラス層８として、セラミック基
板５上に印刷されるオー／＜ −：２− トガラス層３
と同一のガラスを用いて形成している。
プ接着用電極１とその周囲に設けた外部引出し用電極２
との間に存在するパターン空白部４にガラス層８を形成
する。本実施例では、ガラス層８として、セラミック基
板５上に印刷されるオー／＜ −：２− トガラス層３
と同一のガラスを用いて形成している。
このようにすれば、第２図に示すように、半導体チップ
７を封止用樹脂６を用いて樹脂封止した場合、ガラス層
８の熱膨張係数がセラミック基板５の熱膨張係数より小
さく、封止用樹脂６の熱膨張係数より大きい為に、熱衝
撃を受けた際の膨張差が従来はど極端でなくセラミック
基板５からの封止用樹脂６の剥離を解消できる。
７を封止用樹脂６を用いて樹脂封止した場合、ガラス層
８の熱膨張係数がセラミック基板５の熱膨張係数より小
さく、封止用樹脂６の熱膨張係数より大きい為に、熱衝
撃を受けた際の膨張差が従来はど極端でなくセラミック
基板５からの封止用樹脂６の剥離を解消できる。
また、本実施例のようにガラス層８としてオーバーコー
トガラス層３と同一のガラスを用いており、別個にガラ
スを準備する必要がなく、オーバーコートガラス層を形
成する時に同時に形成できて有利である。
トガラス層３と同一のガラスを用いており、別個にガラ
スを準備する必要がなく、オーバーコートガラス層を形
成する時に同時に形成できて有利である。
なお、形成するガラス層５と半導体チップ接着用電極１
との間隔Ａ、および同じく外部引出し用電極２との間隔
Ｂは０．１ＭＭ以上であることが望ましい。
との間隔Ａ、および同じく外部引出し用電極２との間隔
Ｂは０．１ＭＭ以上であることが望ましい。
発明の効果
以上のように本発明は、半導体チップを樹脂封止するた
めに、半導体チップ接着用電甑とその周囲に設けた外部
引出し用電極との間に存在するパターン空白部にガラス
層を形成することにより樹脂封止後の熱衝撃によるセラ
ミック基板からの樹脂の剥離が解消し、品質向上１歩留
り向上に大いに役立つものである。
めに、半導体チップ接着用電甑とその周囲に設けた外部
引出し用電極との間に存在するパターン空白部にガラス
層を形成することにより樹脂封止後の熱衝撃によるセラ
ミック基板からの樹脂の剥離が解消し、品質向上１歩留
り向上に大いに役立つものである。
第１図は本発明の一実施例における半導体チップの樹脂
封止用セラミック基板の平面図、第２図は同半導体チッ
プの樹脂封止用セラミック基板を樹脂封止した後の状態
を示す断面図、第３図は従来の半導体チップの樹脂封止
用セラミック基板の平面図、第４図は従来の半導体チッ
プの樹脂封止用セラミック基板を樹脂封止した後の状態
を示す断面図である。 １・・・・・・半導体チップ接着用電極、２・・・・・
・外部引出し用電極、３・・・・・・オーバーコートガ
ラス層、４・・・・・・パターン空白部、６・・・・・
・セラミックＭ板、６・・・・・・封止用樹脂、７・・
・・・・半導体チップ、８・・・・・・ガラス層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
’ｌ’１不テ７プ嘩肯弔電兎 ２−−一外邪５１工し出で魚 ５−一一ぜう乏・クク玉δ（ ７？５０
封止用セラミック基板の平面図、第２図は同半導体チッ
プの樹脂封止用セラミック基板を樹脂封止した後の状態
を示す断面図、第３図は従来の半導体チップの樹脂封止
用セラミック基板の平面図、第４図は従来の半導体チッ
プの樹脂封止用セラミック基板を樹脂封止した後の状態
を示す断面図である。 １・・・・・・半導体チップ接着用電極、２・・・・・
・外部引出し用電極、３・・・・・・オーバーコートガ
ラス層、４・・・・・・パターン空白部、６・・・・・
・セラミックＭ板、６・・・・・・封止用樹脂、７・・
・・・・半導体チップ、８・・・・・・ガラス層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１−
’ｌ’１不テ７プ嘩肯弔電兎 ２−−一外邪５１工し出で魚 ５−一一ぜう乏・クク玉δ（ ７？５０
Claims (1)
- 半導体チップ接着用電極とその周囲に設けた外部引出
し用電極との間に存在するパターン空白部にガラス層を
形成したことを特徴とする半導体チップの樹脂封止用セ
ラミック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049688A JPH01194446A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 半導体チップの樹脂封止用セラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2049688A JPH01194446A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 半導体チップの樹脂封止用セラミック基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01194446A true JPH01194446A (ja) | 1989-08-04 |
Family
ID=12028770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2049688A Pending JPH01194446A (ja) | 1988-01-29 | 1988-01-29 | 半導体チップの樹脂封止用セラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01194446A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5706175A (en) * | 1994-10-06 | 1998-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-sealed semiconductor device |
| JP2008270389A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| CN107077022A (zh) * | 2015-06-29 | 2017-08-18 | 株式会社藤仓 | 光器件封装体和光开关 |
-
1988
- 1988-01-29 JP JP2049688A patent/JPH01194446A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5706175A (en) * | 1994-10-06 | 1998-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin-sealed semiconductor device |
| JP2008270389A (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| CN107077022A (zh) * | 2015-06-29 | 2017-08-18 | 株式会社藤仓 | 光器件封装体和光开关 |
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