JPS6034044A - 硝子封止型パッケ−ジ - Google Patents
硝子封止型パッケ−ジInfo
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- JPS6034044A JPS6034044A JP14290383A JP14290383A JPS6034044A JP S6034044 A JPS6034044 A JP S6034044A JP 14290383 A JP14290383 A JP 14290383A JP 14290383 A JP14290383 A JP 14290383A JP S6034044 A JPS6034044 A JP S6034044A
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- JP
- Japan
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- glass material
- glass
- groove
- substrate
- cavity
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は硝子封止型パッケージに関し、特に半導体素子
を固着するキャビティ周縁に形成する硝子材料の構造を
改良した硝子封止型パッケージに関するものである。
を固着するキャビティ周縁に形成する硝子材料の構造を
改良した硝子封止型パッケージに関するものである。
従来の硝子封止凰パッケージの構造は第１図、第２図に
示す様に中央に半導体素子４を固着するキャビティ部２
を有する絶縁基板１に封止材となる硝子材料３を均一に
形成したセラミック部品に外部リード７ｔｌ−取付けた
後に半導体素子４を固着し金属細線５で組立配線全行な
い、その後、蓋部基板６に均一に形成した硝子材料３で
硝子封止全行なっている。
示す様に中央に半導体素子４を固着するキャビティ部２
を有する絶縁基板１に封止材となる硝子材料３を均一に
形成したセラミック部品に外部リード７ｔｌ−取付けた
後に半導体素子４を固着し金属細線５で組立配線全行な
い、その後、蓋部基板６に均一に形成した硝子材料３で
硝子封止全行なっている。
しかしながら最近半導体素子の集積度が増大するに従っ
て半導体素子のサイズが大きくなるが、パッケージサイ
ズは規格化されているので一定である。その為、半導体
素子が大きくなると必然的にパッケージの半導体素子全
固着するキャビティ部のサイズ全人きくしなければなら
なくな見必然的に封着部の寸法は小さくなる。一方、パ
ッケージの気密性及び強度は硝子材料の少ない部分、／
−ルパスの短かい部分により決定する。従って、１６．
１８ピンの硝子封止型パッケージはパッケージサイズと
半導体素子全固着するキャビティ部の大きさの関係から
搭載不可能な半導体素子が出て来て、安価で高信頼度の
半導体装置を提供することが出来ない。
て半導体素子のサイズが大きくなるが、パッケージサイ
ズは規格化されているので一定である。その為、半導体
素子が大きくなると必然的にパッケージの半導体素子全
固着するキャビティ部のサイズ全人きくしなければなら
なくな見必然的に封着部の寸法は小さくなる。一方、パ
ッケージの気密性及び強度は硝子材料の少ない部分、／
−ルパスの短かい部分により決定する。従って、１６．
１８ピンの硝子封止型パッケージはパッケージサイズと
半導体素子全固着するキャビティ部の大きさの関係から
搭載不可能な半導体素子が出て来て、安価で高信頼度の
半導体装置を提供することが出来ない。
又、キャビティサイズとパッケージサイズとの関係は半
導体装置をメモリーボード及びプリント板に実装した時
に外部リードが固着した時に生じるストレスが外部リー
ドと封止部の硝子材料との間に加わＣＭｉＴ述した硝子
材料の７−ルノくスが短かくなると硝子材料にファイン
クラックが入シ、半導体装置の特性の劣化を起こしたり
、災に外部リードのストレスが大きくなると硝子材料だ
けでなく絶縁基板にもストレスが加わわる為、絶縁基板
の略中夫のキャビティ部に固着している半導体素子が損
傷する事があシ、信頼性上大きな問題となる。
導体装置をメモリーボード及びプリント板に実装した時
に外部リードが固着した時に生じるストレスが外部リー
ドと封止部の硝子材料との間に加わＣＭｉＴ述した硝子
材料の７−ルノくスが短かくなると硝子材料にファイン
クラックが入シ、半導体装置の特性の劣化を起こしたり
、災に外部リードのストレスが大きくなると硝子材料だ
けでなく絶縁基板にもストレスが加わわる為、絶縁基板
の略中夫のキャビティ部に固着している半導体素子が損
傷する事があシ、信頼性上大きな問題となる。
本発明の目的は上述した従来の欠点？除去し、大型の半
導体素子を搭載しても信頼性全損うことなく 安価に製
造することができる硝子封止型ノくッケージを提供する
ことにおる。
導体素子を搭載しても信頼性全損うことなく 安価に製
造することができる硝子封止型ノくッケージを提供する
ことにおる。
本発明の第１の発明の硝子封止型パッケージは、半導体
素子全固着するキャビティ余有する絶縁基板上に硝子材
料、リードフレーム、硝子材料を取付けた蓋部基板’ｃ
Ｉｌｌ＋Ｉ次取付けた硝子封止型ノ（ソケージにおい
て、前記硝子材料を取付ける絶縁基板及び又は蓋部基板
のキャビティ周辺に溝を備え、前記絶縁基板及び蓋部基
板の前記溝部並びに前記キャビティを除くキャビティ周
辺部に硝子材料が付着形成されて構成される。
素子全固着するキャビティ余有する絶縁基板上に硝子材
料、リードフレーム、硝子材料を取付けた蓋部基板’ｃ
Ｉｌｌ＋Ｉ次取付けた硝子封止型ノ（ソケージにおい
て、前記硝子材料を取付ける絶縁基板及び又は蓋部基板
のキャビティ周辺に溝を備え、前記絶縁基板及び蓋部基
板の前記溝部並びに前記キャビティを除くキャビティ周
辺部に硝子材料が付着形成されて構成される。
本発明の第２の発明の硝子封止型パッケージは、半導体
素子を固着するキャビティを有する絶縁基板上に硝子材
料、リードフレーム、硝子材料を取付けた蓋部基板全順
次取付けた硝子封止型パッケージにおいて、前記硝子材
料？取付ける絶縁基板及び又は蓋部基板のキャビティ周
辺に溝ヲ囲え、前記絶縁基板及び蓋部基板の前記溝部並
びに前記キャビティを除くキャビティ周辺部に硝子材料
が付着形成され、かつ前記絶縁基板のキャビティを有す
る面の裏面に溝が設けられて構成される。
素子を固着するキャビティを有する絶縁基板上に硝子材
料、リードフレーム、硝子材料を取付けた蓋部基板全順
次取付けた硝子封止型パッケージにおいて、前記硝子材
料？取付ける絶縁基板及び又は蓋部基板のキャビティ周
辺に溝ヲ囲え、前記絶縁基板及び蓋部基板の前記溝部並
びに前記キャビティを除くキャビティ周辺部に硝子材料
が付着形成され、かつ前記絶縁基板のキャビティを有す
る面の裏面に溝が設けられて構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の発明の一実施例
の絶縁基板を示す図で、第３図（ａ）は平面図、第３図
（ｂ）は縦断面図、第３図（Ｃ）は横断面図、第４図は
本発明の第１の発明の一実施例全使用した半導体装置の
断面図である。
の絶縁基板を示す図で、第３図（ａ）は平面図、第３図
（ｂ）は縦断面図、第３図（Ｃ）は横断面図、第４図は
本発明の第１の発明の一実施例全使用した半導体装置の
断面図である。
第３図（ａ）〜（Ｃ）および第４図に示すように絶縁基
板１１のほぼ中央にあるキャビティ部１２の周辺に平坦
部を有する溝１８（１−設ける。この溝は平坦に設ける
必要はなく■溝又は半円溝など各種形に設けてよい。こ
の平坦部余有する溝１８には先ず溝部全硝子材料１３で
埋め、次いでキャビディ部１２を除く絶縁基板１１の全
面に硝子材料１３を均一に形成する。その後に外部リー
ド１７を取付け、半導体素子１４をキャビティ部１２に
固着、金属細線Ｊ５にて組立配線？行なう。
板１１のほぼ中央にあるキャビティ部１２の周辺に平坦
部を有する溝１８（１−設ける。この溝は平坦に設ける
必要はなく■溝又は半円溝など各種形に設けてよい。こ
の平坦部余有する溝１８には先ず溝部全硝子材料１３で
埋め、次いでキャビディ部１２を除く絶縁基板１１の全
面に硝子材料１３を均一に形成する。その後に外部リー
ド１７を取付け、半導体素子１４をキャビティ部１２に
固着、金属細線Ｊ５にて組立配線？行なう。
次いで、硝子封止全行なう為、蓋部基板１６ｉＣ形成し
た硝子材料１３金用いるが、この蓋部基板１６にも平坦
部余有する溝１９ｔ−形成し、硝子材料１３で溝１９を
埋め、仄いてキャビティ部金除く蓋部基板の絶縁基板と
の対向面全面に硝子材料１３を均一に形成し、これによ
り絶縁基板１１、外部リード１７、蓋部基板１６は封着
できる。
た硝子材料１３金用いるが、この蓋部基板１６にも平坦
部余有する溝１９ｔ−形成し、硝子材料１３で溝１９を
埋め、仄いてキャビティ部金除く蓋部基板の絶縁基板と
の対向面全面に硝子材料１３を均一に形成し、これによ
り絶縁基板１１、外部リード１７、蓋部基板１６は封着
できる。
このような本発明の第１の発明の構成１ＣｆＬる硝子封
止型パッケージはシールバスの短かい部分の絶縁基板に
溝を設け、シールパス音長くし、更にその部分に硝子材
料金塊め込んで封着部の硝子材料の量全アップし、硝子
封止の状態を良好にしている。
止型パッケージはシールバスの短かい部分の絶縁基板に
溝を設け、シールパス音長くし、更にその部分に硝子材
料金塊め込んで封着部の硝子材料の量全アップし、硝子
封止の状態を良好にしている。
なお、キャビティ部の周辺に溝會設けている為、外部リ
ードから封止硝子部へ加わるストレスを上記した硝子材
料で緩和することができる。
ードから封止硝子部へ加わるストレスを上記した硝子材
料で緩和することができる。
又、キャビティ周辺に設けた溝に埋込む硝子材料は封止
する硝子材料と異なっても艮く、その硝子材料は絶縁基
板及び蓋部基板との密着性が良く、かつ封止する硝子材
料となじむ硝子材料であれば前記した効果を得ることが
できる。
する硝子材料と異なっても艮く、その硝子材料は絶縁基
板及び蓋部基板との密着性が良く、かつ封止する硝子材
料となじむ硝子材料であれば前記した効果を得ることが
できる。
以上のことから硝子封止型パッケージの半導体素子全固
着するキャビティ部を大きくとることが出来る。従って
大きなサイズの半導体素子を搭載しても信頼性の低下も
なく、高信頼度の硝子封止型パッケージを提供すること
ができる。
着するキャビティ部を大きくとることが出来る。従って
大きなサイズの半導体素子を搭載しても信頼性の低下も
なく、高信頼度の硝子封止型パッケージを提供すること
ができる。
第５図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第２の発明の一実施例
の絶縁基板を示す図で、第５図（ａ）は平面図、第５図
（ｂ）は縦断面図、第５図（Ｃ）は横断面図、第６図は
装置の断面図でるる。
の絶縁基板を示す図で、第５図（ａ）は平面図、第５図
（ｂ）は縦断面図、第５図（Ｃ）は横断面図、第６図は
装置の断面図でるる。
第５図＜４）〜（ｅ）および第６図において符号１〜１
９は第３図（ａ）〜（ｃ）および第４図に準するので詳
細説明は省略する。本実施例では絶縁基板のキャビティ
を有する面の裏面に溝２０が、特にさきに設けた表面の
溝１８と対照関係となるように設けである。
９は第３図（ａ）〜（ｃ）および第４図に準するので詳
細説明は省略する。本実施例では絶縁基板のキャビティ
を有する面の裏面に溝２０が、特にさきに設けた表面の
溝１８と対照関係となるように設けである。
このように溝を設けるときは、外部リードから加わるス
トレスを絶縁基板により緩和することができ、半導体装
置の信頼性をより向上させることができる。
トレスを絶縁基板により緩和することができ、半導体装
置の信頼性をより向上させることができる。
以上説明したように、本発明によれば、従来の大きさの
硝子封止型バックージでも半導体素子を固着するキャビ
ティ部を大きくとることができ、従って大きなサイズの
半導体素子を搭載しても信頼性の低下もなく、高信頼度
を有する硝子封止型パッケージが得られる。
硝子封止型バックージでも半導体素子を固着するキャビ
ティ部を大きくとることができ、従って大きなサイズの
半導体素子を搭載しても信頼性の低下もなく、高信頼度
を有する硝子封止型パッケージが得られる。
第１図（＆）〜（ｅ）従来の硝子封止型パッケージの絶
縁基板ｔ−示す図で第１図（ａ）は平面図、第１図Φ）
は縦断面図、第１図＜ｃ＞は横断面図、第２図は従来の
硝子封止型パッケージ七使用した半導体装置の断面図、
第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の発明の一実施例
の絶縁基板を示す図で第３図（＆）は平面図、第３図（
ｂ）は縦断面図、第３図（Ｃ）は横断面図、第４図は本
発明の第１の発明の一実施例全使用した半導体装置の断
面図、第５図（ａ）〜（ｅｌは不発明の第２の発明の一
実施例の絶縁基板？示す図で第５図（ａ）は平面寵、第
５図（ｂ）は縦断面図、第５図（ｅ）は横断面図、第６
図は本発明の第２の発明の一実施例を使用した半導体装
置の断面図でおる。
縁基板ｔ−示す図で第１図（ａ）は平面図、第１図Φ）
は縦断面図、第１図＜ｃ＞は横断面図、第２図は従来の
硝子封止型パッケージ七使用した半導体装置の断面図、
第３図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第１の発明の一実施例
の絶縁基板を示す図で第３図（＆）は平面図、第３図（
ｂ）は縦断面図、第３図（Ｃ）は横断面図、第４図は本
発明の第１の発明の一実施例全使用した半導体装置の断
面図、第５図（ａ）〜（ｅｌは不発明の第２の発明の一
実施例の絶縁基板？示す図で第５図（ａ）は平面寵、第
５図（ｂ）は縦断面図、第５図（ｅ）は横断面図、第６
図は本発明の第２の発明の一実施例を使用した半導体装
置の断面図でおる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０）半導体素子を固着するキャビティを有する絶縁基板
上に硝子材料、リードフレーム、硝子材料を取付けた蓋
部基板を順次取付けた硝子封止型パッケージにおいて、
前記硝子材料を取付ける絶縁基板及び又は蓋部基板のキ
ャビティ周辺に溝を備え、前記絶縁基板及び蓋部基板の
前記溝部並びに前記キャビティを除くキャビティ周辺部
に硝子材料が付着形成されていることを特徴とする硝子
封止型パッケージ。 （２）半導体素子全固着するキャビティを有する絶縁基
板上に硝子材料、リードフレーム、硝子材料を取付けた
蓋部基板を順次取付けた硝子封止型パッケージにおいて
、前記硝子材料を取付ける絶縁基板及び又は蓋部基板の
キャビティ周辺に溝を備え、前記絶縁基板及び蓋部基板
の前記溝部並びに前記キャビティを除くキャビティ周辺
部に硝子材料が付着形成され、かつ前記絶縁基板のキャ
ビティを有する面の裏面に溝が設けられていることを特
徴とする硝子封止型パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14290383A JPS6034044A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 硝子封止型パッケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14290383A JPS6034044A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 硝子封止型パッケ−ジ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6034044A true JPS6034044A (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=15326283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14290383A Pending JPS6034044A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 硝子封止型パッケ−ジ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6034044A (ja) |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP14290383A patent/JPS6034044A/ja active Pending
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