JPH0353554A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH0353554A JPH0353554A JP1189618A JP18961889A JPH0353554A JP H0353554 A JPH0353554 A JP H0353554A JP 1189618 A JP1189618 A JP 1189618A JP 18961889 A JP18961889 A JP 18961889A JP H0353554 A JPH0353554 A JP H0353554A
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- JP
- Japan
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- die pad
- semiconductor device
- lead frame
- stress
- sealing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、樹脂封止するタイプの半導体装置に使用さ
れるリードフレームの形状に関するものである． 〔従来の技術〕 第４図は従来のリードフレームを使用した半導体装置の
断面図である．図に−おいて、１はダイパッド、２はリ
ード、３は金属細線、４は半導体チップ（例えばシリコ
ンチップ〉、５は封止樹脂、６は半導体装置を示す． 次に動作について説明する．第４図に示す様に半導体チ
ップ４は、接合材（図示せず）を介してダイパッド１上
に接合される．また、リード２と半導体チップ４とを金
属細線３により配線し電気的な導通をとる．，そして、
上記ダイパッド１．半導体チップ４等が封止樹脂５によ
り封止され、必要な信頼性を得ている． 〔発明が解決しようとする課題〕 近年、半導体装置を含む電子部品業界では、高密度実装
対応が進み、電子部品の軽薄短小化が著しい．樹脂封止
タイプの半導体装置においても、第４図に示す樹脂厚み
ｔが薄くなり、ｔが１〜２一程度の半導体装置が製品化
されている．また、実装方法においても表面実装素子（
以下ＳＭＤと略す．）が増加し、半田全面浸漬などの半
導体素子に対するストレスが高い方法が良く選択されて
いる． そして、上記のような半導体装置の薄型化及び実装方法
の変化という両方の要因による相乗効果のため、以下に
述べるパッケージのクラック発生という問題が生じてき
た． 次にこのクラック発生モデルを第４図，第５図において
説明する．まず封止樹脂５は大気中の湿気をある程度含
んでいる．また第４図に示す封止樹脂５とグイバッド１
の界面Ｆの密着力は強固とは言えず、微少な隙間が生じ
ている．そのため、この隙間に水分を含む事が過去の実
施例から報告されている．この状態の半導体素子に、実
装時における半田全面浸漬のようなヒートショックを与
えると上記界面Ｆの水分が気化し、爆発的に体積が数千
倍まで膨張しようとする（第５図参照〉．このとき樹脂
に発生する応力によりクラック９が生じる．このクラッ
クの起点は、ほとんどの場合、第５図に示すダイパッド
１下面の角部より生じる．これは構造的に角部に応力が
集中しやすいためである． この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、実装時などの熱ストレスに対してもクラック
の生じにくい、信頼性の高い半導体装置を得ることを目
的とする． 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係るリードフレームは、樹脂封止型半導体装
置に使用されるものにおいて、半導体チップが載置固定
されるダイパッドの縁部の角を曲面形状に仕上げたこと
を特徴とするものである．〔作用〕 この発明において、リードフレームのダイパツドの縁部
の角を全てなくし曲面形状としたことにより、樹脂で封
止された後、ヒートショックを与えても、ダイパッド形
状回りの樹脂部における応力集中が緩和され、樹脂パッ
ケージの内圧に対する強度を高めることができる． 〔実施例〕 以下、この発明に係るリードフレームの一実施例を図に
ついて説明する．第１図ＡはＤＩＬ （デュアル・イン
・ライン）タイプのリードフレームの斜視図を示したも
ので、第１図Ｂは第１図Ａのｎ−ＩＦ線断面図を示した
ものである．また第２図は第１図に示したリードフレー
ムを使用した樹脂封止型半導体装置を示したものである
．図において、２はリード、３は金属細線、４は半導体
チップ、５は封止樹脂、６は半導体装置である．！Ｏは
ダイパッドであり、第１図Ｂあるいは第２図に示すよう
にダイパッド１０の縁部の角をすべて曲面形状に仕上げ
ている．そして上記集施例ではダイパッドＩＯの板厚の
半分程度の半径をもつ曲面により構戒している． 次に動作について説明する．第２図に示す半導体装置に
大気中の湿度を含んだ状態でヒートショックを与えると
、第２図に示す界面Ｆの水分が気化し、水蒸気ガス８が
発生する．この時の状態を第３図に示す．第３図の状態
では、水蒸気ガス８により封止樹脂５に応力が発生して
いるが、ダイパッドｌＯ回りの封止樹脂部５に発生する
応力集中度合が従来にくらべて緩和されるため、ダイパ
ッドｌＯ端部よりのクラックの発生が押さえられる．な
お、上記の実施例において、ＤＩＬタイプのリードフレ
ームについて説明したが、ダイパッドをモールド樹脂で
包む薄形のパッケージであれば、他の形状のリードフレ
ームでも同様の効果がある．〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、ヒートショック時の樹脂
クラックの起点となるダイパッド縁部の角を曲面形状に
変更したため、樹脂クラックの生じにくい表面実装素子
用の薄形モールドパッケージを得られる効果がある．
れるリードフレームの形状に関するものである． 〔従来の技術〕 第４図は従来のリードフレームを使用した半導体装置の
断面図である．図に−おいて、１はダイパッド、２はリ
ード、３は金属細線、４は半導体チップ（例えばシリコ
ンチップ〉、５は封止樹脂、６は半導体装置を示す． 次に動作について説明する．第４図に示す様に半導体チ
ップ４は、接合材（図示せず）を介してダイパッド１上
に接合される．また、リード２と半導体チップ４とを金
属細線３により配線し電気的な導通をとる．，そして、
上記ダイパッド１．半導体チップ４等が封止樹脂５によ
り封止され、必要な信頼性を得ている． 〔発明が解決しようとする課題〕 近年、半導体装置を含む電子部品業界では、高密度実装
対応が進み、電子部品の軽薄短小化が著しい．樹脂封止
タイプの半導体装置においても、第４図に示す樹脂厚み
ｔが薄くなり、ｔが１〜２一程度の半導体装置が製品化
されている．また、実装方法においても表面実装素子（
以下ＳＭＤと略す．）が増加し、半田全面浸漬などの半
導体素子に対するストレスが高い方法が良く選択されて
いる． そして、上記のような半導体装置の薄型化及び実装方法
の変化という両方の要因による相乗効果のため、以下に
述べるパッケージのクラック発生という問題が生じてき
た． 次にこのクラック発生モデルを第４図，第５図において
説明する．まず封止樹脂５は大気中の湿気をある程度含
んでいる．また第４図に示す封止樹脂５とグイバッド１
の界面Ｆの密着力は強固とは言えず、微少な隙間が生じ
ている．そのため、この隙間に水分を含む事が過去の実
施例から報告されている．この状態の半導体素子に、実
装時における半田全面浸漬のようなヒートショックを与
えると上記界面Ｆの水分が気化し、爆発的に体積が数千
倍まで膨張しようとする（第５図参照〉．このとき樹脂
に発生する応力によりクラック９が生じる．このクラッ
クの起点は、ほとんどの場合、第５図に示すダイパッド
１下面の角部より生じる．これは構造的に角部に応力が
集中しやすいためである． この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、実装時などの熱ストレスに対してもクラック
の生じにくい、信頼性の高い半導体装置を得ることを目
的とする． 〔課題を解決するための手段〕 この発明に係るリードフレームは、樹脂封止型半導体装
置に使用されるものにおいて、半導体チップが載置固定
されるダイパッドの縁部の角を曲面形状に仕上げたこと
を特徴とするものである．〔作用〕 この発明において、リードフレームのダイパツドの縁部
の角を全てなくし曲面形状としたことにより、樹脂で封
止された後、ヒートショックを与えても、ダイパッド形
状回りの樹脂部における応力集中が緩和され、樹脂パッ
ケージの内圧に対する強度を高めることができる． 〔実施例〕 以下、この発明に係るリードフレームの一実施例を図に
ついて説明する．第１図ＡはＤＩＬ （デュアル・イン
・ライン）タイプのリードフレームの斜視図を示したも
ので、第１図Ｂは第１図Ａのｎ−ＩＦ線断面図を示した
ものである．また第２図は第１図に示したリードフレー
ムを使用した樹脂封止型半導体装置を示したものである
．図において、２はリード、３は金属細線、４は半導体
チップ、５は封止樹脂、６は半導体装置である．！Ｏは
ダイパッドであり、第１図Ｂあるいは第２図に示すよう
にダイパッド１０の縁部の角をすべて曲面形状に仕上げ
ている．そして上記集施例ではダイパッドＩＯの板厚の
半分程度の半径をもつ曲面により構戒している． 次に動作について説明する．第２図に示す半導体装置に
大気中の湿度を含んだ状態でヒートショックを与えると
、第２図に示す界面Ｆの水分が気化し、水蒸気ガス８が
発生する．この時の状態を第３図に示す．第３図の状態
では、水蒸気ガス８により封止樹脂５に応力が発生して
いるが、ダイパッドｌＯ回りの封止樹脂部５に発生する
応力集中度合が従来にくらべて緩和されるため、ダイパ
ッドｌＯ端部よりのクラックの発生が押さえられる．な
お、上記の実施例において、ＤＩＬタイプのリードフレ
ームについて説明したが、ダイパッドをモールド樹脂で
包む薄形のパッケージであれば、他の形状のリードフレ
ームでも同様の効果がある．〔発明の効果〕 以上のように本発明によれば、ヒートショック時の樹脂
クラックの起点となるダイパッド縁部の角を曲面形状に
変更したため、樹脂クラックの生じにくい表面実装素子
用の薄形モールドパッケージを得られる効果がある．
第１図Ａ，Ｂはこの発明の一実施例によるリードフレー
ムの斜視図及びその■−■線断面図、第２図はこの発明
の上記リードフレームを用いた半導体装置の断面図、第
３図はこの発明のリードフレームを用いた半導体装置に
ヒートショックを与えたときの断面図、第４図は従来の
リードフレームを用いた半導体装置の断面図、第５図は
従来のリードフレームを用いた半導体装置にヒートショ
ックを与えたときの断面図である．
ムの斜視図及びその■−■線断面図、第２図はこの発明
の上記リードフレームを用いた半導体装置の断面図、第
３図はこの発明のリードフレームを用いた半導体装置に
ヒートショックを与えたときの断面図、第４図は従来の
リードフレームを用いた半導体装置の断面図、第５図は
従来のリードフレームを用いた半導体装置にヒートショ
ックを与えたときの断面図である．
Claims (1)
- 樹脂封止型半導体装置に使用されるリードフレームに
おいて、半導体チップが載置固定されるダイパッドの縁
部の角を曲面形状に形成したことを特徴とするリードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189618A JPH0353554A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1189618A JPH0353554A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0353554A true JPH0353554A (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16244317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1189618A Pending JPH0353554A (ja) | 1989-07-20 | 1989-07-20 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0353554A (ja) |
-
1989
- 1989-07-20 JP JP1189618A patent/JPH0353554A/ja active Pending
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