JPS6242440A - 二重樹脂封止型パツケ−ジ及びその製造方法 - Google Patents

二重樹脂封止型パツケ−ジ及びその製造方法

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JPS6242440A
JPS6242440A JP60180562A JP18056285A JPS6242440A JP S6242440 A JPS6242440 A JP S6242440A JP 60180562 A JP60180562 A JP 60180562A JP 18056285 A JP18056285 A JP 18056285A JP S6242440 A JPS6242440 A JP S6242440A
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JP
Japan
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resin
chip
lead frame
capsule
molding
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JP60180562A
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Yoshitaka Noguchi
野口 芳孝
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体築積回路(IC)チップを外部環境か
ら保護する二重樹脂封止型パッケージ七その製造方法に
関する。
(従来の技術) 従来、ICの封止はセラミック(サーディップを含む)
パッケージ封止、モールド樹脂封止、キャン封止などに
より行われていた。なかでも、モールド樹脂封止は安価
で、しかも多量生産向きであることから、多用されてい
る。
この種のモールド樹脂封止については、例えば、特公昭
43−21378号公報、特公昭51−10066号公
報などに記載されている。なかでも中空パッケージとし
ては、例えば、実公昭52−36536号公報などが挙
げられる。
これらの先行技術について第4図及び第5図を参照しな
がら説明する。
第4図は、従来の中空形のパッケージの断面図であり、
この図に示されるように、チップ2はリードフレーム1
上にダイスボンディングされ、その後、金属細線3によ
るワイヤボンディングにより実装され、そのチップ2が
樹脂性のベース5上に接着剤7で接着され、その上に中
空4を形成するようにキャップ6を被着するようにして
いる。
第5図は、従来の全体樹脂モールドパッケージの断面図
であり、リードフレームlにダイスボンディングされ、
かつ金属線vA3により配線されたチップ2はモールド
樹脂8によってモールドされるようになっている。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、上記構成の中空形の樹脂封止パッケージ
によれば、 (1)パッケージが一重のため、パンケージ表面からの
水分の侵入防止は十分でない。
(2)キャップとヘースの2種類を別工程で作る必要が
あり、址産向きではない。
(3)接着剤を使用しているため、パッケージ外部への
はみ出しは避けられない。はみ出しが大きい場合にはD
IP型ICのリード曲げ加工において、リードフレーム
と樹脂との間にクラックが入り易い。
といった問題があった。
また、従来の全体樹脂封止型パッケージでは、その樹脂
の成形条件、例えば、金型温度、注入圧力、注入スピー
ドなどが最良の状態であっても、その構造、つまり、線
膨張係数の違う各部品、材料を完全封止する構造である
ことからして、特に、内部配線に使用している金線の金
球直上の断線、又は樹脂の高圧注入による成形による金
線流れやこれによるシシートなど固有の問題があった。
本発明は、上記問題点を除去し、信鎖性の高いチップの
実装が可能な二重樹脂封止型パッケージ及びその製造方
法を提供することを目的とする。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、上記問題点を解決するために、二重に樹脂封
止を行い、その第1段階において、リードフレーム上に
実装されたチップをカプセル状に完全密封の空間を有す
る一次封止を行い、その第2段階において、その−吹射
止部材を囲繞して樹脂モールドし二次封止を行うように
したものである。
(作用) 本発明によれば、二重樹脂封止の第1段階において、実
装されたチップをカプセル状に封止し、その第2段階に
おける封止時にはチップや内部配線には外部よりの力を
加えることなく成形することができるため、金属細線の
断線や金属綿vA流れがなく、これらに起因するシ臂−
トの問題も解消することができる。
(実施例) 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
第1図は本発明に係る二重樹脂封止パッケージの構成図
である。
図中、11はリードフレーム、12はICチップ、13
は空間、14は金属細線、15は一次封止樹脂シート、
16は二次封止樹脂である。
図に示されるように、まず、Icチップ12はリードフ
レーム11上にダイスボンディングされ、次いで、リー
ドフレーム11のリード部とワイヤボンディングされ、
更に、ICチップ12の表面コーティングを行う。
また、このように実装されたICチップのリードフレー
ム11の表裏面に溶着される、真空成形された一対の耐
熱樹脂シートからなる一次封止樹脂シート15が設けら
れる。
更に、この−吹射止樹脂シート15を囲んでモールド樹
脂封止を行い二次封止樹脂16が形成される。
次に、この二重樹脂封止パッケージの製造方法を第2図
に基づいて説明する。
まず、第2図(a)に示されるように、Icチップ12
はリードフレーム11上にダイスポンディングされ、次
いで、リードフレーム11のリード部とワイヤポンディ
ングされ、更に、ICチップ12の表面コーティングが
行われて実装される。
一方、第2図(b)に示されるように、富みを有する一
次封止樹脂シート15を一対成形し、開口を向かい合わ
せるようにする。
次に、第2図(C)に示されるように、このように実装
されたICチップを一対の窪みを有する一次封止樹脂シ
ート15間に挟み込んでリードフレーム11の表裏面に
溶着し、カプセル成形を行う。
次に、第2図(d)に示されるように、この−吹射止さ
れたカプセル状の一次封止樹脂シート15を囲み二次封
止樹脂モールドを行い、二次封止樹脂16を形成する。
次に、この二重樹脂封止型パッケージの製造について第
3図に示される製造装置と共に詳細に説明する。
第3図(a)はこの二重樹脂封止型パッケージの製造ラ
インの概略説明図、第3図(b)はその上面図である。
まず、第3図(a)の中央ラインに示されるように、I
Cチップをリードフレーム11上に実装する。
一方、第3図(a)の上、下ラインにおいては、−吹射
止が行われる。即ち、まず、ロール状に巻かれた真空成
形用の樹脂シート21(例えば、0.3トン)が一対設
置され、この対になった樹脂シート2Iは同期をとって
引き出され、次の真空成形工程に移る。
次の真空成形工程においては、バキューム23とヒータ
24を有する真空成形部Aに樹脂シート21が送られ、
この樹脂シート21がバキュームされ、加熱されること
により、窪みを有する樹脂シート25に変形される。
次に、この窪みを有する樹脂シートはカプセル成形工程
に移る。
このカプセル成形工程が行われるカプセル成形部Bにお
いては、窪みを有する樹脂シー )25間ニ前記した実
装されたICチップが供給され、このリードフレーム1
1の表裏面に窪みを存する樹脂シート25の開口を向か
い合わせた状態で接合させ、ヒータ26によってこの樹
脂シート25を溶着し、空間を形成するようにカプセル
成形がおこなわれる。
次に、−吹射止が完了したカプセル29は、二次封止部
Cにおける二次封止工程に移る。
この二次封止工程においては、通常の樹脂モールド法に
よりカプセル29を囲繞して樹脂モールドを行う。
なお、27はシートカッタ、28は不要シートの巻取り
機である。
このようにして二重樹脂封止型パッケージは製造される
なお、(1)カプセルの材料としては、一般的には熱可
塑性樹脂が用いられが、熱硬化性樹脂であっても熱可塑
特性を持つものであれば使用可能である。樹脂名として
はポリプロピレン系、ポリエチレン系、フェノール系、
PPS系などが用いら6れる。
また、二次封止の際、樹脂注入圧力によりカプセルが潰
れるような場合に対処するために一次封止のの際にN2
などのガスを用いて高圧中で溶着するのが望ましい。
更に、ICチップの表面にはシリコーンのようなゲル状
、ゴム状の緩衝性を有する樹脂を被覆しておくとICチ
ップへのダメージを回避できる。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果) 本発明によれば、 (1)リードフレーム上に実装されるチップと、該リー
ドフレームの表裏面に溶着される中空形の一次封止樹脂
シートと、該−吹射止樹脂シートを囲繞しモールドされ
る二次封止樹脂とを設けるように構成し、 (2)(a)  リードフレーム上にチップを実装する
工程と、(b)該リードフレームの表裏に窪みが形成さ
れる耐熱性樹脂ソートをカプセル成形により一次封止を
行う工程と、(c)前記耐熱性樹脂シートを囲繞して樹
脂モールドによる二次封止を行う工程とを順に施し二重
樹脂封止型パッケージを製造するようにしたので、 従来の中空形の樹脂封止型パッケージに比べて、■パフ
ケージが二重であるため、水分の侵入を防止することが
できる。
■−一次止樹脂シートは上下ともその製造は容易で、量
産向きであり、製造工程も簡素化することができる。
■接着剤を使用することがないため、これに起因する問
題を解消することができる。
また、従来の全体樹脂パッケージに比べて、(a)一次
カプセルの存在によって、金属細線の断線や金属細線流
れがなくなる。従って、従来は35μΦと太い金属細線
を使用していたが、本発明によれば、25μΦで十分で
あり、コストの低減を図ることができる。
(b)中空部が介在するために、二次樹脂封止の際、外
部からの応力が零になり、内蔵されるチップに対するダ
メージを防止することができる。
(c)二重の完全樹脂封止、特に、−吹射止樹脂シート
をリードフレームに溶着する場合には、外部環境からの
水分などの侵入を完全に防止することができる。
このように、本発明は種々の利点を有しており、それに
よってもたらされる効果は著大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る二重樹脂封止パッケージの構成図
、第2図は同二重樹脂パンケージの製造工程図、第3図
は二重樹脂封止型パッケージの製造説明図、第4図は従
来のパッケージの断面図、第5図は従来の他のパフケー
ジの断面図である。 11・・・リードフレーム、12・・・ICチップ、1
3・・・空間、14・・・金属細線、15・・・−吹射
止樹脂シート、16・・・二次封止樹脂、17・・・緩
衝性の樹脂、21・・・樹脂シート、23・・・バキュ
ーム、24.26・・・ヒータ、25・・・窪みを有す
る樹脂シート、27・・・シートカッター、28・・・
不要シート巻取り機、29・・・カプセル、A・・・真
空成形部、B・・・カプセル成形部、C・・・二次封止
部。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)リードフレーム上に実装されるチップと、該リー
    ドフレームの表裏面に溶着される中空形の一次封止樹脂
    シートと、該一次封止樹脂シートを囲繞しモールドされ
    る二次封止樹脂とを設けるようにしたことを特徴とする
    二重樹脂封止型パッケージ。
  2. (2)前記チップの表面には緩衝性を有する被覆材を形
    成するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の二重樹脂封止型パッケージ。
  3. (3)前記一次封止樹脂シートはカプセル状の耐熱性樹
    脂シートであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の二重樹脂封止型パッケージ。
  4. (4)、(a)リードフレーム上にチップを実装する工
    程と、 (b)該リードフレームの表裏に窪みが形成される耐熱
    性樹脂シートをカプセル成形により一次封止を行う工程
    と、 (c)前記耐熱性樹脂シートを囲繞して樹脂モールドに
    よる二次封止を行う工程とを順に施すようにしたことを
    特徴とする二重樹脂封止型パッケージの製造方法。
  5. (5)前記カプセル成形は前記耐熱性樹脂シートの溶着
    によることを特徴とする特許請求の範囲第4項記載の二
    重樹脂封止型パッケージの製造方法。
JP60180562A 1985-08-19 1985-08-19 二重樹脂封止型パツケ−ジ及びその製造方法 Pending JPS6242440A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100931900B1 (ko) 2006-06-01 2009-12-15 브로드콤 코포레이션 상부 및 하부의 통합된 열 확산기들을 갖는 리드프레임ic 패키지

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KR100931900B1 (ko) 2006-06-01 2009-12-15 브로드콤 코포레이션 상부 및 하부의 통합된 열 확산기들을 갖는 리드프레임ic 패키지

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