JPS61191055A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPS61191055A JPS61191055A JP3048585A JP3048585A JPS61191055A JP S61191055 A JPS61191055 A JP S61191055A JP 3048585 A JP3048585 A JP 3048585A JP 3048585 A JP3048585 A JP 3048585A JP S61191055 A JPS61191055 A JP S61191055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- pellet
- lead
- inner lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特にペレット
クラック対策及び樹脂効率の改良がなされた新しい形状
の樹脂外囲器を有する半導体装置に関するものである。
クラック対策及び樹脂効率の改良がなされた新しい形状
の樹脂外囲器を有する半導体装置に関するものである。
［発明の技術的背景１
現在集積回路の外囲器（パッケージともいう）の主流は
プラスチックパッケージである。 そのうちエポキシ樹
脂を用い、トランスファ成形法により樹脂封止されたパ
ッケージが広・く使用されている。 フラットパッケー
ジで四方からリードの出た樹脂外囲器を持つ半導体装置
を具体例にあげ以下説明する。 第４図は従来の前記半
導体装置の外形を示す斜視図である。 １は樹脂外囲器
で、集積回路などの半導体ペレットをその他の素子とと
もに配置し接続した上で全体を樹脂封止したものである
。 ５ｂは外囲器１の四方から出ているアウターリード
であって、外囲器内部の半導体べレット等と外部回路と
を電気的に接続する。 第２図はこの従来の半導体装置
に使用されるリードフレーム２の平面図である。 なお
後記の本発明の実施例の半導体装置においても同一のリ
ードフレーム２を使用する。 リードフレーム２はＦｅ
−Ｎｉ系合金（例えば４２ＡＩＩＯｙ等）又は銅合金（
例えばＫＦＣ，ＫＬＦ等）の薄板をプレス又はエツチン
グしてつくられる。 リードフレーム２は３ないし８ｂ
に示す部分より構成される。 ３は半導体ペレットを取
り付けるためのペレット取付ベッド部である。 ５ａは
インナーリードで、このインナーリードのベッド部３に
近い側はボンディング領域４と呼ばれ、ペレット上の電
極等〈図示なし）からの接続線の一端がボンディングさ
れる。 ５ｂはアウターリードであってインナーリード
５ａと共にリード部５を形成する。 ６はタイバー、７
はダムバーで８ａ及び８ｂはそれぞれリードフレームの
枠である。 第２図の１点ｍｍはこのリードフレームを
使用した従来及び本発明の２つの半導体装置の樹脂外囲
器のそれぞれの平面図形を示すものである。 この従来
の半導体装置の樹脂外囲器の平面形状は、４本のダムバ
ー７の内側にそって１点鎖線で示される長方形である。
プラスチックパッケージである。 そのうちエポキシ樹
脂を用い、トランスファ成形法により樹脂封止されたパ
ッケージが広・く使用されている。 フラットパッケー
ジで四方からリードの出た樹脂外囲器を持つ半導体装置
を具体例にあげ以下説明する。 第４図は従来の前記半
導体装置の外形を示す斜視図である。 １は樹脂外囲器
で、集積回路などの半導体ペレットをその他の素子とと
もに配置し接続した上で全体を樹脂封止したものである
。 ５ｂは外囲器１の四方から出ているアウターリード
であって、外囲器内部の半導体べレット等と外部回路と
を電気的に接続する。 第２図はこの従来の半導体装置
に使用されるリードフレーム２の平面図である。 なお
後記の本発明の実施例の半導体装置においても同一のリ
ードフレーム２を使用する。 リードフレーム２はＦｅ
−Ｎｉ系合金（例えば４２ＡＩＩＯｙ等）又は銅合金（
例えばＫＦＣ，ＫＬＦ等）の薄板をプレス又はエツチン
グしてつくられる。 リードフレーム２は３ないし８ｂ
に示す部分より構成される。 ３は半導体ペレットを取
り付けるためのペレット取付ベッド部である。 ５ａは
インナーリードで、このインナーリードのベッド部３に
近い側はボンディング領域４と呼ばれ、ペレット上の電
極等〈図示なし）からの接続線の一端がボンディングさ
れる。 ５ｂはアウターリードであってインナーリード
５ａと共にリード部５を形成する。 ６はタイバー、７
はダムバーで８ａ及び８ｂはそれぞれリードフレームの
枠である。 第２図の１点ｍｍはこのリードフレームを
使用した従来及び本発明の２つの半導体装置の樹脂外囲
器のそれぞれの平面図形を示すものである。 この従来
の半導体装置の樹脂外囲器の平面形状は、４本のダムバ
ー７の内側にそって１点鎖線で示される長方形である。
ダムバー７は樹脂封止工程において樹脂の流出防止の
作用をする。
作用をする。
ベッド部３に半導体ペレットを固着し、このペレット上
の電極等とインナーリード５ａとを金線等によりボンデ
ィングした後トランスファモールド法によりベッド部３
及びインナーリード５ａ等を樹脂封止する。 次にリー
ドフレームの枠Ｂａ。
の電極等とインナーリード５ａとを金線等によりボンデ
ィングした後トランスファモールド法によりベッド部３
及びインナーリード５ａ等を樹脂封止する。 次にリー
ドフレームの枠Ｂａ。
８ｂ及びダムバー７等の不要部分を切除して樹脂封止型
半導体装置を完成する。
半導体装置を完成する。
［背景技術の問題点］
従来の樹脂封止型半導体装置の樹脂外囲器の外形は第４
図にみられるように直方体である。 この場合樹脂対土
工程において樹脂とペレットとの熱膨張差等によりペレ
ットに応力が働きしばしばペレットにクラックが発生す
る。
図にみられるように直方体である。 この場合樹脂対土
工程において樹脂とペレットとの熱膨張差等によりペレ
ットに応力が働きしばしばペレットにクラックが発生す
る。
また半導体装置は一般的にリードフレームの上側と下側
では樹脂厚が違う為、樹脂の収縮によりソリが発生しペ
レットに応力が働きペレットがクラックするという問題
がある。
では樹脂厚が違う為、樹脂の収縮によりソリが発生しペ
レットに応力が働きペレットがクラックするという問題
がある。
他方単導体装置の原価低減は常に求められる問題であり
、特に樹脂封止型半導体装置では高価な樹脂材料の効率
の良い使用が望まれている。
、特に樹脂封止型半導体装置では高価な樹脂材料の効率
の良い使用が望まれている。
［発明の目的］
この発明の目的は、樹脂封止型半導体装置の前記問題点
を解決し、樹脂封止工程等における半導体ペレットクラ
ックが少な（且つ樹脂の材料効率の良い外囲器を具備し
た半導体装置を提供することである。
を解決し、樹脂封止工程等における半導体ペレットクラ
ックが少な（且つ樹脂の材料効率の良い外囲器を具備し
た半導体装置を提供することである。
［発明の概要］
この発明は、樹脂封止型半導体装置において、半導体ペ
レットを取り付けるベッド部及びワイヤボンディング領
域を含む一部のインナーリードを樹脂封止する第１樹脂
部と、インナーリードが突出する第１樹脂部の面に空隙
を介して対向し且つアウターリードに近接するインナー
リードの一部を互いに連結して樹脂封止する第２樹脂部
と、第１６Ａ脂部と第２樹脂部とを連結する複数の連結
樹脂部とからなる樹脂外囲器を具備することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置である。 なおワイヤボンディ
ング領域とは半導体ペレットの電極等とリード部とを電
気的に接続する金線等の一端をインナーリードにボンデ
ィングするのに必要なインナーリードの領域で、この領
域は品種によって異なるが通常インナーリード端から数
ｍｍまでの部分をいう。
レットを取り付けるベッド部及びワイヤボンディング領
域を含む一部のインナーリードを樹脂封止する第１樹脂
部と、インナーリードが突出する第１樹脂部の面に空隙
を介して対向し且つアウターリードに近接するインナー
リードの一部を互いに連結して樹脂封止する第２樹脂部
と、第１６Ａ脂部と第２樹脂部とを連結する複数の連結
樹脂部とからなる樹脂外囲器を具備することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置である。 なおワイヤボンディ
ング領域とは半導体ペレットの電極等とリード部とを電
気的に接続する金線等の一端をインナーリードにボンデ
ィングするのに必要なインナーリードの領域で、この領
域は品種によって異なるが通常インナーリード端から数
ｍｍまでの部分をいう。
前記の構成の樹脂外囲器では、ペレットに接続する樹脂
部の面積は従来の外囲器に比べ小さくなる。 これによ
り樹脂部とペレット及びリードフレームとの熱膨張差は
少なくなると共に樹脂部のソリ量も減少し、ペレットク
ラックは大幅に改善される。
部の面積は従来の外囲器に比べ小さくなる。 これによ
り樹脂部とペレット及びリードフレームとの熱膨張差は
少なくなると共に樹脂部のソリ量も減少し、ペレットク
ラックは大幅に改善される。
またこの発明の前記樹脂外囲器は外側の形状が従来の装
置の樹脂外囲器と同一であるので、内側の空隙の分だけ
所要樹脂材料の量は少なくな・す、半導体装置の原価を
低減することができる。
置の樹脂外囲器と同一であるので、内側の空隙の分だけ
所要樹脂材料の量は少なくな・す、半導体装置の原価を
低減することができる。
［発明の実施例］
本発明の実施例として四方からリードの出たフラットパ
ッケージの樹脂封止型半導体装置をあげ、以下図面にも
とづいて説明する。 第１図はこの半導体装置の斜視図
である。 樹脂外囲器１は第１樹脂部１ａと、第２樹脂
部１ｂと、第１樹脂部１ａ及び第２樹脂部１ｂを互いに
連結する４つの連結樹脂部１Ｃから構成される。 第２
図はこの半導体装置に使用されるリードフレームの平面
図であり、且つ同図には一点鎖線で樹脂外囲器の平面図
を併記しである。 第３図はこの半導体装置のｘ×−線
（第１図参照）断面図である。 なお各図面の同一符号
は同一部分をあられす。第１樹脂部１ａはペレット取付
ベッド部３及びワイヤボンディング領域４を含むインナ
ーリード部分を樹脂封止したものである。 ワイヤボン
ディング領域はワイヤボンディングするのに必要なイン
ナーリードの領域でこの実施例ではインナーリード端か
ら約１．５ｍｓまでの部分である。 インナーリードは
一般にはリード部の樹脂封止される部分をいうが、本発
明ではインナーリードの中間の一部分が露出する。 第
２樹脂部１ｂは７ウターリード５ｂに近接するインナー
リード部分を連結して樹脂封止したものである。
ッケージの樹脂封止型半導体装置をあげ、以下図面にも
とづいて説明する。 第１図はこの半導体装置の斜視図
である。 樹脂外囲器１は第１樹脂部１ａと、第２樹脂
部１ｂと、第１樹脂部１ａ及び第２樹脂部１ｂを互いに
連結する４つの連結樹脂部１Ｃから構成される。 第２
図はこの半導体装置に使用されるリードフレームの平面
図であり、且つ同図には一点鎖線で樹脂外囲器の平面図
を併記しである。 第３図はこの半導体装置のｘ×−線
（第１図参照）断面図である。 なお各図面の同一符号
は同一部分をあられす。第１樹脂部１ａはペレット取付
ベッド部３及びワイヤボンディング領域４を含むインナ
ーリード部分を樹脂封止したものである。 ワイヤボン
ディング領域はワイヤボンディングするのに必要なイン
ナーリードの領域でこの実施例ではインナーリード端か
ら約１．５ｍｓまでの部分である。 インナーリードは
一般にはリード部の樹脂封止される部分をいうが、本発
明ではインナーリードの中間の一部分が露出する。 第
２樹脂部１ｂは７ウターリード５ｂに近接するインナー
リード部分を連結して樹脂封止したものである。
この樹脂封止半導体装置の封止方法は、従来と同様の低
圧トランスファモールド法により、これに使用するトラ
ンスファプレス用金型のキアビティの形状を変えて行な
う。 樹脂封止の際のペレットクラックの発生は、ペレ
ット、リードフレーム及び樹脂の熱膨張係数のそれぞれ
の差、或いは軟化した樹脂に含有される気泡等の製造条
件その他により複雑な応力がペレットに作用するためと
考えられる。 しかしながら経験と試行によりペレット
に接続する樹脂面積の大小がペレットクラック発生の大
きい要因であるという知見を得た。
圧トランスファモールド法により、これに使用するトラ
ンスファプレス用金型のキアビティの形状を変えて行な
う。 樹脂封止の際のペレットクラックの発生は、ペレ
ット、リードフレーム及び樹脂の熱膨張係数のそれぞれ
の差、或いは軟化した樹脂に含有される気泡等の製造条
件その他により複雑な応力がペレットに作用するためと
考えられる。 しかしながら経験と試行によりペレット
に接続する樹脂面積の大小がペレットクラック発生の大
きい要因であるという知見を得た。
この第１樹脂部１ａの樹脂面積は従来の半導体装置のそ
れに比べ樹脂面積が大幅に減少しており、ペレットクラ
ックとソリを防ぐことができる。
れに比べ樹脂面積が大幅に減少しており、ペレットクラ
ックとソリを防ぐことができる。
なおこの実施例はフラットパッケージ型について述べた
が、ＳＩＰ型、ＤＩＰ型或いはＰＬＣＣ（ｐ １ａｓｔ
ｉｃｌ ｅａｄｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）
型等の平坦な樹脂面を有する半導体装置に対しても本発
明を適用できることは勿論である。
が、ＳＩＰ型、ＤＩＰ型或いはＰＬＣＣ（ｐ １ａｓｔ
ｉｃｌ ｅａｄｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅｒ）
型等の平坦な樹脂面を有する半導体装置に対しても本発
明を適用できることは勿論である。
［発明の効果］
本発明の樹脂封止型半導体装置ではペレットに接続する
樹脂面積を小さくしたことによりペレットクラック不良
が大幅に減少した。 品種によってはクラック不良をほ
ぼ皆無にすることができた。
樹脂面積を小さくしたことによりペレットクラック不良
が大幅に減少した。 品種によってはクラック不良をほ
ぼ皆無にすることができた。
又本発明の樹脂封止型半導体装置では前記のように樹脂
部の内側の空隙の分だけ所要樹脂材料が少なくなり樹脂
の材料効率を向上することができる。
部の内側の空隙の分だけ所要樹脂材料が少なくなり樹脂
の材料効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の樹脂封止型半導体装置の斜視
図、第２図は第１図及び第４図に示す半導体装置に使用
するリードフレームの平面図、第３図は第１図に示す半
導体装置のＸＸ′轢断面図、第４図は従来の樹脂封止型
半導体装置の斜視図である。 １・・・樹脂外囲器、 １ａ・・・第１樹脂部、 １ｂ
・・・第２樹脂部、 １Ｃ・・・連結樹脂部、 ２・・
・リードフレーム、 ３・・・ペレット取付ベッド部、
４・・・ワイヤボンディング領域、 ５・・・リード
部、５ａ・・・インナーリード、 ５ｂ・・Ｉアウタ
ーリード、９・・・空隙。 第１１ｉ！１１ １Ｇ 第２図 閃 １０ 第３図
図、第２図は第１図及び第４図に示す半導体装置に使用
するリードフレームの平面図、第３図は第１図に示す半
導体装置のＸＸ′轢断面図、第４図は従来の樹脂封止型
半導体装置の斜視図である。 １・・・樹脂外囲器、 １ａ・・・第１樹脂部、 １ｂ
・・・第２樹脂部、 １Ｃ・・・連結樹脂部、 ２・・
・リードフレーム、 ３・・・ペレット取付ベッド部、
４・・・ワイヤボンディング領域、 ５・・・リード
部、５ａ・・・インナーリード、 ５ｂ・・Ｉアウタ
ーリード、９・・・空隙。 第１１ｉ！１１ １Ｇ 第２図 閃 １０ 第３図
Claims (1)
- １ 半導体ペレットを取り付けるためのペレット取付ベ
ッド部と、該ベッド部の周囲に配置され且つこのベッド
部に近い側にワイヤボンディング領域を持つインナーリ
ード及びこのインナーリードに連続するアウターリード
からなる多数のリード部とを有するリードフレームを使
用してなる樹脂封止型半導体装置において、前記ベッド
部及び前記ワイヤボンディング領域を含む一部のインナ
ーリードを樹脂封止する第１樹脂部と、インナーリード
が突出する第１樹脂部の面に空隙を介して対向し且つア
ウターリードに近接するインナーリードの一部を互に連
結して樹脂封止する第２樹脂部と、第１樹脂部と第２樹
脂部とを連結する複数の連結樹脂部とからなる樹脂外囲
器を具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048585A JPS61191055A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3048585A JPS61191055A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191055A true JPS61191055A (ja) | 1986-08-25 |
Family
ID=12305135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3048585A Pending JPS61191055A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191055A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273725A2 (en) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Encapsulated semiconductor device |
| JP2017117919A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 株式会社デンソー | 回路基板 |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP3048585A patent/JPS61191055A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0273725A2 (en) * | 1986-12-26 | 1988-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Encapsulated semiconductor device |
| US4855807A (en) * | 1986-12-26 | 1989-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JP2017117919A (ja) * | 2015-12-24 | 2017-06-29 | 株式会社デンソー | 回路基板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6558980B2 (en) | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof | |
| US8115298B2 (en) | Semiconductor device | |
| US6777265B2 (en) | Partially patterned lead frames and methods of making and using the same in semiconductor packaging | |
| US5767566A (en) | Plastic mold type semiconductor device | |
| JP2972096B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11260856A (ja) | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造 | |
| US5708294A (en) | Lead frame having oblique slits on a die pad | |
| JP2000294715A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US6078099A (en) | Lead frame structure for preventing the warping of semiconductor package body | |
| KR100206082B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| JPH08264569A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPS61191055A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US20040159922A1 (en) | Plastic molded type semiconductor device and fabrication process thereof | |
| JP2003243598A (ja) | 半導体装置及びその半導体装置の製造方法 | |
| JPH07161910A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| US5783426A (en) | Semiconductor device having semiconductor chip mounted in package having cavity and method for fabricating the same | |
| JP2001185567A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH05121462A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10112519A (ja) | 熱放散手段を有する集積回路装置及びその製造方法 | |
| JP4002235B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR19980034119A (ko) | 반도체 칩 적층형 패키지 | |
| KR970013137A (ko) | 칩 캐비티(cavity)가 형성된 멀티칩 패키지의 제조방법 | |
| JPH02122659A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH07161875A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0738032A (ja) | パッケージ型半導体部品の構造 |