JPH02181460A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH02181460A
JPH02181460A JP107389A JP107389A JPH02181460A JP H02181460 A JPH02181460 A JP H02181460A JP 107389 A JP107389 A JP 107389A JP 107389 A JP107389 A JP 107389A JP H02181460 A JPH02181460 A JP H02181460A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
potting resin
resin
frame
semiconductor element
sealing frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP107389A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Terui
誠 照井
Yoshinori Kanno
義則 閑野
Shigeru Yamada
茂 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP107389A priority Critical patent/JPH02181460A/ja
Publication of JPH02181460A publication Critical patent/JPH02181460A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体素子を基板上にダイボンディングする
とともにワイヤボンディングし、且つその半導体素子の
ボンディング部分をポッティング樹脂で封止して成る半
導体装置に関する。
(従来の技術) 第3図は、この種の従来の半導体装置の断面図である(
例えば、特開昭61−75549参照)。図て示す様に
、ガラスエポキシ基板等のC0B(chipc)n b
oad )基板l上に半導体素子2がダイボンディング
され、その素子2の複数の電極3と基板l上の複数の外
部リード線4とがボンディング線5でワイヤボンディン
グされている。更にボンディング線5を含む上記半導体
素子2のボンディング部分は、保護の為にポッティング
樹脂6で封止されている。又この封止の際に、硬化前の
ポッティング樹脂6が周囲に流れ出さない様に、基板1
上に半導体素子2と外部リード線4の一部を囲んだ状態
でシール枠7が設けられている。
その他の従来例としては、上記薊止用のポッティング樹
脂6の上から、第4図(a)の断面図に示す如く全屈キ
ャップ串を取付けたもの(特開昭61−124157 
)や、第4図(b)の断面図に示す如く四隅に脚部9a
を形成したセラミック板9を固着したもの(特開昭6l
−67944)がある。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかし第3図に示した様な、ポッティング樹脂6て封止
しただけの半導体装置では、空気中の水分がポッティン
グ樹脂6自体、或はボウティング樹脂6とシール枠7と
の間を通って半導体装置内に浸入し、金属部分を腐食さ
せるといった低い耐湿性に問題があった。
又第4図(a)、(b)に示した様な、ポッティング樹
脂6のEに金属キヤツジ8やセラミック板9を設けた半
導体装置では、高コストになるとともに、半導体装置の
総厚が厚くなるという問題があった。
く課題を解決するための手段〉 本発明は上記問題点を解決すべく提案された半導体装置
で、基板上に半導体素子と外部リード線の一部とを囲ん
だ状態でシール枠を設け、そのシール枠内にポッティン
グ樹脂を注入し、且つその注入したポッティング樹脂の
上面と上記シール枠の上面とを一枚の金属箔で被覆した
ことを特徴とするものである。
く作用〉 上記構成によれば、空気中の水分が、ポッティング樹脂
自体、或はポッティング樹脂とシール枠との間を通って
半導体装置内に浸入することが防止される。
〈実施例〉 以下、図面に基づいて本発明の一実施例を説明する。
第1図は、本発明に係る半導体装置の断面図。
又第2図(a)〜(d)はその半導体装置の製造工程図
である。尚第1図、第2図において、第3図或は第4図
に、示した従来例と相違ない構成要素には同一の符号を
付す。
第1図に示す如く、この半導体装置では、ガラスエポキ
シ基板等のCOB基板1上に半導体素子2と外部リード
線4の一部を囲んだ状態でシール枠7が設けられ、その
シール枠7内にポッティング樹脂6が注入されて、ボン
ディング線5を含む半導体素子2のボンディング部分が
封止されるとともに、その注入したポッティング樹脂6
の上面6aとシール枠7の上面7aとが一枚の金属箔1
0で被覆されている。これにより、空気中の水分が、ポ
ッティング樹脂6自体、或はポッティング樹脂6とシー
ル枠7との間を通って半導体装置内に浸入することが防
止され、高い耐湿性が得られる。
上記金属箔lOとしては、ポッティング樹脂6との密着
性の良い、しかも外気によって腐食しない様な材質、例
えばアルマイト処理を施した厚さ20〜100gmのア
ルミニウム薄板が用いられる。
次に第2図に基づいて上記構造の半導体装置の製造方法
を説明する。
先ず第2図(a)の様に、外部リード線4がバターニン
グされたガラスエポキシ基板等のCOB基板1上に半導
体素子2をダイボンディングするとともに、その素子2
の電極3と基板l上の外部リード線4とをボンディング
線5でワイヤボンディングする。その後、基板l上に、
半導体素子2と外部リード線4の一部を囲んだ状態で、
シール枠7を接着剤により固着する。
次いで第2図(b)の如く、シール枠7内にポッティン
グ樹脂6、例えば熱硬化性のエポキシ系液状樹脂を注入
する。
次いで第2図(c)の如く、ポッティング樹脂6がゲル
状の時に、金属箔10をポッティング樹脂6及びシール
枠7の上にかぶせる。この金属箔10は、予めプレス加
工等によりシール枠7の上面78全体をカバーする大き
さに加工されている。
最後に第2図(d)の如く、加熱することによりポッテ
ィング樹脂6を硬化させる。するとポッティング樹脂6
とシール枠7とが接合するとともに、金属箔10が、は
ぼ平坦となった状態で、ポッティング樹脂6の上面6a
及びシール枠7の上面7aに密着する。その際、金属箔
10は、箔であるということから、ポッティング樹脂6
の硬化に伴う収縮に対しても追従し易く、密着性が良い
為、樹脂6との間にボイド(気泡)が発生することはな
い。
〈発明の効果〉 以上述べた様に本発明によれば、空気中の水分が半導体
装置内に浸入して金属部分を腐食させるといったことの
ない耐湿性の高い半導体装置が実現される。しかも金属
箔を用いる為に、金属キャップやセラミック板を用いる
場合よりコストが低減される。更にこの半導体装置は、
総厚が薄く、且つポッティング樹脂上面の凹凸がないこ
とから、ICカード等への実装においても非常に有利で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例を示す断面図。 第2図(a)〜(d)は、実施例における製造工程図。 第3図は、従来例を示す断面図、 第4図(a)、(b)は、他の従来例を示す断面図であ
る。 l・・・COB基板、    2・・・半導体素子。 6・・・ポッティング樹脂。 lO・・・金属箔。 7・・・シール枠。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  基板上に半導体素子をダイボンディングするとともに
    、その半導体素子の電極と上記基板上の外部リード線と
    をワイヤボンディングし、且つ上記半導体素子のボンデ
    ィング部分をポッティング樹脂で封止して成る半導体装
    置において、 上記基板上に上記半導体素子と上記外部リード線の一部
    とを囲んだ状態でシール枠を設け、そのシール枠内に上
    記ポッティング樹脂を注入し、且つその注入したポッテ
    ィング樹脂の上面と上記シール枠の上面とを一枚の金属
    箔で被覆したことを特徴とする半導体装置。
JP107389A 1989-01-06 1989-01-06 半導体装置 Pending JPH02181460A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106605297A (zh) * 2014-08-29 2017-04-26 罗伯特·博世有限公司 模块装置以及变速器控制模块
JP2017183752A (ja) * 2017-06-13 2017-10-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 フィルムコンデンサ

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CN106605297A (zh) * 2014-08-29 2017-04-26 罗伯特·博世有限公司 模块装置以及变速器控制模块
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