JPH01191456A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01191456A JPH01191456A JP63014735A JP1473588A JPH01191456A JP H01191456 A JPH01191456 A JP H01191456A JP 63014735 A JP63014735 A JP 63014735A JP 1473588 A JP1473588 A JP 1473588A JP H01191456 A JPH01191456 A JP H01191456A
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- metal cap
- bonding
- semiconductor device
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にパッケージに金属キャ
ップを有する半導体装置に関する。
ップを有する半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、半導体素子搭載部及びワ
イヤーボンディング部を形成したパッケージ基板上に半
導体素子を搭載し、ワイヤボンディングを行った後、エ
ポキシ樹脂やシリコン樹脂等の樹脂で半導体素子やワイ
ヤ等を封止し、更にこの上から封止部を覆う様に、アル
ミニウム等で成形した金属キャップを被せて樹脂で接着
した構成となっている。
イヤーボンディング部を形成したパッケージ基板上に半
導体素子を搭載し、ワイヤボンディングを行った後、エ
ポキシ樹脂やシリコン樹脂等の樹脂で半導体素子やワイ
ヤ等を封止し、更にこの上から封止部を覆う様に、アル
ミニウム等で成形した金属キャップを被せて樹脂で接着
した構成となっている。
上述した従来の半導体装置は、アルミニウムを絞り加工
等により成形し、かつその表面をアルマイト加工して絶
縁皮膜を形成した金属キャップを用いているが、金属キ
ャップ表面と樹脂との間の接着強度が弱く、長期間試験
（ＰＣＴ、ＨＨＴ等）を行うとキャップが外れ、半導体
装置の信頼性を満足することができないという問題があ
る。
等により成形し、かつその表面をアルマイト加工して絶
縁皮膜を形成した金属キャップを用いているが、金属キ
ャップ表面と樹脂との間の接着強度が弱く、長期間試験
（ＰＣＴ、ＨＨＴ等）を行うとキャップが外れ、半導体
装置の信頼性を満足することができないという問題があ
る。
本発明は樹脂と金属キャップとの接着強度を向上させて
信頼性の向上を図った半導体装置を提供することを目的
としている。
信頼性の向上を図った半導体装置を提供することを目的
としている。
本発明の半導体装置は、パッケージ基板に搭載された半
導体素子の封止樹脂上に被せられる金属キャップに、樹
脂との密接性を高めるための接着補強部を接着面に設け
た構成としている。
導体素子の封止樹脂上に被せられる金属キャップに、樹
脂との密接性を高めるための接着補強部を接着面に設け
た構成としている。
接着補強部は、金属キャップの裏面にコーティングした
樹脂或いは裏面に設けた突起で構成している。
樹脂或いは裏面に設けた突起で構成している。
上述の構成の半導体装置では、金属キャップの接着面に
形成した接着補強部が樹脂との密着性を高め、金属キャ
ップと樹脂との接着強度を向上させる。
形成した接着補強部が樹脂との密着性を高め、金属キャ
ップと樹脂との接着強度を向上させる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例を示し、第１図
は金属キャップの断面図、第２図はこの金属キャップを
用いて構成した半導体装置の断面図である。
は金属キャップの断面図、第２図はこの金属キャップを
用いて構成した半導体装置の断面図である。
第１図に示すように、金属キャップ１１は０．１〜０．
５ａｎ厚のアルミ板を絞り加工により浅皿状に成形し、
かつその表面をアルマイト処理している。
５ａｎ厚のアルミ板を絞り加工により浅皿状に成形し、
かつその表面をアルマイト処理している。
そして、この金属キャップ１１の裏面部には、エポキシ
シラン、アミノシラン等の接着補強材１２を１０〜５０
ｕｍ厚に５−ティングしている。
シラン、アミノシラン等の接着補強材１２を１０〜５０
ｕｍ厚に５−ティングしている。
そして、第２図に示すように、半導体素子搭載部及びワ
イヤーボンディング部を有するパッケージ基板２１上に
半導体素子２２を搭載し、ワイヤ２３のボンディングを
行った後、これらをエポキシ樹脂やシリコン樹脂等の封
止樹脂２４で封止する。更に、この封止樹脂２４の上面
にエポキシ樹脂やシリコン樹脂等の接着樹脂２５を塗布
し、この上に前記金属キャップ１１を被せるとともに、
その裏面側を接着している。
イヤーボンディング部を有するパッケージ基板２１上に
半導体素子２２を搭載し、ワイヤ２３のボンディングを
行った後、これらをエポキシ樹脂やシリコン樹脂等の封
止樹脂２４で封止する。更に、この封止樹脂２４の上面
にエポキシ樹脂やシリコン樹脂等の接着樹脂２５を塗布
し、この上に前記金属キャップ１１を被せるとともに、
その裏面側を接着している。
したがってこの構成では、金属キャップ１１はその裏面
にコーティングしたエポキシシラン、アミノシラン等の
接着補強材１２を介して接着樹脂２５により封止樹脂２
４上に接着されるので、両者間の密着性が向上し、接着
強度を２倍以上に向上できる。これにより、長期間にお
ける信頼性を向上できる。
にコーティングしたエポキシシラン、アミノシラン等の
接着補強材１２を介して接着樹脂２５により封止樹脂２
４上に接着されるので、両者間の密着性が向上し、接着
強度を２倍以上に向上できる。これにより、長期間にお
ける信頼性を向上できる。
第３図及び第４図は本発明の第２実施例を示し、第３図
は金属キャップの断面図、第４図は半導体装置の断面図
である。
は金属キャップの断面図、第４図は半導体装置の断面図
である。
この実施例では、０．１〜０．５μｍ厚のアルミ板を２
段絞り加工してパッケージ基板２１の全体を囲む様に金
属キャップ１１Ａを成形しており、かつその表面をアル
マイト処理した上で、裏面にエポキシシランやアミノシ
ラン等の接着補強材１２Ａをコーティングしている。
段絞り加工してパッケージ基板２１の全体を囲む様に金
属キャップ１１Ａを成形しており、かつその表面をアル
マイト処理した上で、裏面にエポキシシランやアミノシ
ラン等の接着補強材１２Ａをコーティングしている。
この金属キャップＩＩＡは、前記パッケージ基板２１の
全体に被せられ、半導体装置の封止樹脂２４上はもとよ
り、パッケージ基板２１の上面。
全体に被せられ、半導体装置の封止樹脂２４上はもとよ
り、パッケージ基板２１の上面。
側面にも接着樹脂２５により接着されている。
この例では金属キャップＩＩＡの接着面積が増大され、
接着強度を更に向上できる。
接着強度を更に向上できる。
第５図及び第６図は本発明の第３実施例を示し、第５図
は金属キャップの断面図、第６図は半導体装置の断面図
である。
は金属キャップの断面図、第６図は半導体装置の断面図
である。
この実施例は、０．１〜０．５ａｎ厚のアルミ板を絞り
加工により成形し、かつ表面をアルマイト処理して金属
キャップＩＩＢを形成した後、金属キャップＩＩＢの裏
面複数箇所にφ１．０〜２．０髄のアルミニウムピンを
打ち込んで一体化する。そして、その頭部を潰して断面
逆Ｔ形状にすることにより接着補強部１２Ｂを設けてい
る。
加工により成形し、かつ表面をアルマイト処理して金属
キャップＩＩＢを形成した後、金属キャップＩＩＢの裏
面複数箇所にφ１．０〜２．０髄のアルミニウムピンを
打ち込んで一体化する。そして、その頭部を潰して断面
逆Ｔ形状にすることにより接着補強部１２Ｂを設けてい
る。
この金属キャップ１１Ｂを半導体装置の封止樹脂２４上
に被せ、かつその裏面を接着樹脂２５を用いて接着する
ことにより、接着補強部１２Ｂの突起により密着性を向
上し、接着強度を向上することができる。
に被せ、かつその裏面を接着樹脂２５を用いて接着する
ことにより、接着補強部１２Ｂの突起により密着性を向
上し、接着強度を向上することができる。
以上説明したように本発明は、半導体素子を封止する樹
脂上に被せられる金属キャップに、樹脂との密接性を高
めるための接着補強部を接着面に設けることにより、金
属キャップと樹脂との接着強度が向上され、金属キャッ
プによる封止効果を高めて半導体装置の信頼性を向上で
きる。
脂上に被せられる金属キャップに、樹脂との密接性を高
めるための接着補強部を接着面に設けることにより、金
属キャップと樹脂との接着強度が向上され、金属キャッ
プによる封止効果を高めて半導体装置の信頼性を向上で
きる。
実際には、金属キャップとパッケージの接着強度を５０
〜９０ｇ ／ｒｍ”から１５０〜２７０ｇ ／ ｍｍ
”に向上でき、長期試験及び市場に出てからのキャップ
脱落を確実に防止できる。
〜９０ｇ ／ｒｍ”から１５０〜２７０ｇ ／ ｍｍ
”に向上でき、長期試験及び市場に出てからのキャップ
脱落を確実に防止できる。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例を示し、第１図
は金属キャップの断面図、第２図は構成された半導体装
置の断面図、第３図及び第４図は本発明の第２実施例を
示し、第３図は金属キャンプの断面図、第４図は構成さ
れた半導体装置の断面図、第５図及び第６図は本発明の
第３実施例を示し、第５図は金属キャップの断面図、第
６図は構成された半導体装置の断面図である。 １１、ＩＩＡ、ＩＩＢ・・・金属キャップ、 １２゜
１２Ａ、１２Ｂ・・・接着補強部、２１・・・パンケー
ジ基板、２２・・・半導体素子、２３・・・ワイヤ、２
４・・・封止樹脂、２５・・・接着樹脂。 第１図 第２図 第３図 ／１１Ａ 第４図 第５図 第６図
は金属キャップの断面図、第２図は構成された半導体装
置の断面図、第３図及び第４図は本発明の第２実施例を
示し、第３図は金属キャンプの断面図、第４図は構成さ
れた半導体装置の断面図、第５図及び第６図は本発明の
第３実施例を示し、第５図は金属キャップの断面図、第
６図は構成された半導体装置の断面図である。 １１、ＩＩＡ、ＩＩＢ・・・金属キャップ、 １２゜
１２Ａ、１２Ｂ・・・接着補強部、２１・・・パンケー
ジ基板、２２・・・半導体素子、２３・・・ワイヤ、２
４・・・封止樹脂、２５・・・接着樹脂。 第１図 第２図 第３図 ／１１Ａ 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １、パッケージ基板に搭載した半導体素子を樹脂封止し
、かつこの上を覆うよう金属キャップを被せて樹脂で接
着した半導体装置において、前記金属キャップは樹脂と
の接着面に該樹脂との密接性を高めるための接着補強部
を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014735A JPH01191456A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63014735A JPH01191456A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01191456A true JPH01191456A (ja) | 1989-08-01 |
Family
ID=11869382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63014735A Pending JPH01191456A (ja) | 1988-01-27 | 1988-01-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01191456A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5385869A (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-31 | Motorola, Inc. | Semiconductor chip bonded to a substrate and method of making |
| US6882041B1 (en) * | 2002-02-05 | 2005-04-19 | Altera Corporation | Thermally enhanced metal capped BGA package |
| US7064013B2 (en) * | 1999-07-27 | 2006-06-20 | International Business Machines Corporation | Cap attach surface modification for improved adhesion |
| CN102350840A (zh) * | 2011-09-06 | 2012-02-15 | 溧阳市山湖实业有限公司汽车装饰材料分公司 | 一种聚氨酯复合板材 |
-
1988
- 1988-01-27 JP JP63014735A patent/JPH01191456A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5385869A (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-31 | Motorola, Inc. | Semiconductor chip bonded to a substrate and method of making |
| US7064013B2 (en) * | 1999-07-27 | 2006-06-20 | International Business Machines Corporation | Cap attach surface modification for improved adhesion |
| US6882041B1 (en) * | 2002-02-05 | 2005-04-19 | Altera Corporation | Thermally enhanced metal capped BGA package |
| CN102350840A (zh) * | 2011-09-06 | 2012-02-15 | 溧阳市山湖实业有限公司汽车装饰材料分公司 | 一种聚氨酯复合板材 |
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